Experimentalphysik C2

Festkörperphysik II

Markus Lippitz
15. Juli 2025
cite as
Lippitz, Markus, 2023.
Festkörperphysik II - Skript zur Vorlesung (Sommer 2023). Zenodo.
[Link]
Inhaltsverzeichnis

1 Wärmeleitung und anharmonische Effekte 7

2 Fermi-Gas 17

3 Elektronen in Festkörpern 27

4 Kristall-Elektronen im Magnetfeld 43

5 Halbleiter 59

6 Supraleiter 73

7 Magnetismus 87

8 Optische Eigenschaften 101

9 Nanostrukturen 113

Anhang 124

A Fourier-Transformation 127

B Zustandsdichte 133

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Weitergabe unter gleichen Bedingungen 4.0 International” Lizenz.
Vorwort

Dies ist das Vorlesungsskript meiner Vorlesung ’Festkörperphysik II’. Sie ist
eine Kursvorlesung für Studierende im dritten Jahr des Bachelorstudiums.
Bei der Auswahl und Gewichtung der Themen folgt sie sehr stark dem in
Bayreuth Üblichen. Ich danke an dieser Stelle insbesondere Werner Köhler
und Anna Köhler, deren Vorlesungsskripte mir eine große Hilfe waren.
Neben dem Skript gibt es zu jedem Kapitel insgesamt circa eine Stunde
’Vorlesung’ auf Video1 , in der ich mündlich durch den Text führe und dabei an 1
[Link]
den Rand kritzle. Ich habe den Eindruck, dass es mir beim Sprechen leichter
fällt, die Dinge in einen Zusammenhang zu bringen als beim Schreiben, da
ich mich traue, schlampiger zu sein. Zur Vorbereitung gab es dann noch
ein online multiple-choice Quiz, sowie die Möglichkeit, jederzeit anonym
Fragen zu stellen.2 Im Plenum besprechen wir offene Fragen und diskutierten 2
[Link]
Aufgaben ähnlich zu Eric Mazurs ConcepTests.3 Schließlich gibt es die in der 3
[Link]
Physik üblichen Übungszettel und Kleingruppen-Übungen.
Dieses Skript ist ’work in progress’, und wahrscheinlich nie wirklich fertig.
Ich danke allen Studierenden des Jahrgangs 2023, die den Text und die
Gleichungen aufmerksam gelesen haben, wodurch wir viele Fehler korrigieren
konnten. Trotzdem wird es noch welche geben. Wenn Sie Fehler finden, sagen
Sie es mir bitte. Die aktuellste Version des Vorlesungsskripts finden Sie auf
github.4 Ich habe alles unter eine CC-BY-SA-Lizenz gestellt (siehe Fußzeile). 4
Festkoerper-II
In meinen Worten: Sie können damit machen, was Sie wollen. Wenn Sie
Ihre Arbeit der Öffentlichkeit zur Verfügung stellen, erwähnen Sie mich und
verwenden Sie eine ähnliche Lizenz.
Der Text wurde mit der LaTeX-Klasse ’tufte-book’ von Bil Kleb, Bill Wood
und Kevin Godby5 gesetzt, die sich der Arbeit von Edward Tufte6 annähert. 5
tufte-latex
Ich habe viele der Modifikationen angewandt, die von Dirk Eddelbüttel im R-
6
[Link]

Paket ’tint’ eingeführt wurden7 . Die Quelle ist vorerst LaTeX, nicht Markdown. 7
tint: tint is not Tufte

Markus Lippitz
Bayreuth, 24. August 2023

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 Kapitel 1
Wärmeleitung und anharmonische Effekte
Markus Lippitz
18. März 2025

Ziele

• Sie können die unten gezeigte Wärmeleitfähigkeit im Zusammenspiel von

Wärmekapazität und Umklappprozessen erklären.

• Sie können die Konzepte Wechselwirkungsquerschnitt und mittlere freie

Weglänge benutzen, um Streuprozesse zu beschreiben.

Abbildung 1.1: Wärmeleitfähigkeit K von

Wärmeleitfähigkeit K (W/m K)

Silizium (Glassbrenner und Slack, 1964).

101
T3
100
1/T
ΘD
10−1
101 102 103
Temperatur T (K)

Überblick

Bis zu diesem Punkt wurden das Bindungspotential der Atome im Festkörper

als harmonisch, also rein parabelförmig angenommen. In diesem Kapitel
gehen wir darüber hinaus und betrachten, wie in der Molekülphysik, anharmo-
nische höhere Terme in Bindungspotential. Dies führt zur thermischen Aus-
dehnung und zur Phonon–Phonon–Wechselwirkung. Mit ihr werden wir die
oben gezeigte Temperaturabhängigkeit der Wärmeleitfähigkeit erklären. Die
makroskopischen, klassischen Größen Wärmeleitfähigkeit und thermische
Ausdehnung stehen in direktem Zusammenhang mit den mikroskopischen
Vorstellungen des Phonons als Quasiteilchen, das sich wie in der kinetischen
Gastheorie bewegt.
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8 Festkörperphysik II

Dieses Kapitel stellt die Verbindung zum vorangegangenen Semester

her. Sie haben Gelegenheit, die zentralen Konzepte der ersten Kapitel der
Festkörperphysik aus dem letzten Semester zu wiederholen. Wir brauchen
den reziproken Raum, die Dispersionsrelation und die sich daraus ergebende
Zustandsdichte, wenn wir im nächsten Kapitel zu Elektronen wechseln.

Wiederholung

Vergewissern Sie sich, dass Sie die folgenden Fragen beantworten können,
und lesen Sie ggf. noch einmal in Ihren Aufzeichnungen des letzten Semes-
ters oder in meinem Skript1 nach. 1
Lippitz, 2022.

Kristallstruktur

• Was ist ein Bravais-Gitter, eine Basis, eine Kristallstruktur?

• Wie sehen häufig vorkommende Bravais-Gitter aus? Welche Symmetrien
haben sie?
• Welche Arten von Bindungen gibt es in Festkörpern? Wo sind dabei die
Elektronen, auch relativ zu ’ihrem’ Atomkern?

Reziproker Raum

• Was ist der reziproke Raum, die Brillouin-Zone, ein Miller’scher Index?
• Wie sehen die reziproken Gitter von häufig vorkommenden Bravais-Gittern
aus?
• Wie bestimmt man Gitterparameter experimentell ?
• Was besagt die Laue-Theorie der Beugung? Und die Bragg-Theorie?
• Was ist ein Strukturfaktor und ein Atomformfaktor?

Phononen

• Was ist ein Phonon, eine Dispersionsrelation, eine Zustandsdichte?

• Wie sieht die Dispersionsrelation einer ein- oder zwei-atomaren linearen
Kette aus? Wie die zugehörige Zustandsdichte?
• Warum nennt man die Zweige optisch bzw. akustisch? Wie geht das im
Dreidimensionalen?
• Wie kann man durch inelastische Neutronenstreuung diese Dispersionsre-
lation messen?

Wärmekapazität der Phononen

• Wie erklärt man mikroskopisch die Wärmekapazität (von Isolatoren),

insbesondere deren Temperaturabhängigkeit?
• Was ist der Unterschied zwischen den Modellen von Debye und Einstein?
Wann stimmt welches besser mit den Messungen überein?
 Wärmeleitung und anharmonische Effekte 9

Thermische Ausdehnung

Die thermische Ausdehnung von Festkörpern ist ein Beispiel dafür, wie mikro-
skopische Eigenschaften des Bindungspotentials und der Phononenstatistik
direkt in makroskopischen, ’alltäglichen’ Eigenschaften sichtbar werden.
Insbesondere zeigt sich, dass ein harmonisches Bindungspotential eine zu
grobe Näherung ist.
Bislang haben wir das Bindungspotential U (x) der Atome als harmonisch
angenommen. Die Abhängigkeit von der Auslenkung x um die Ruheposition
war also U (x) ∝ x2 . Nun wollen wir betrachten, welchen Effekt höhere
Terme im Potential haben. Bei den Molekül-Schwingungen hatten wir bereits
das Morse-Potential besprochen, mit dem ebenfalls die Abweichungen von
der harmonischen Form modelliert wurde. Damals hat dies zu Verschiebung
der ansonsten äquidistanten Schwingungsniveaus und zu einer Änderung das
Auswahlregel für Schwingungsübergänge geführt. Hier verwenden wir ein
allgemeines polynomiales Modell, d.h. wir parametrisieren etwas anders.
Sei also2 2
Siehe auch Charles Kittel, 2006 eq. 5.38
und Kopitzki, 2017 eq. 2.57
U (x) = cx2 − gx3 − f x4 , (1.1)

mit c, g und f als positive Konstanten. Die Nullpunktsenergie ist hier der
Einfachheit halber weggelassen. Der ungerade x3 -Term flacht die positive x
Seite ab und macht die negative Seite steiler. Der x4 -Term wirkt symmetrisch,
macht aber das Potential bei hohen Energien bzw. großen x breiter und so die
Bindung weicher.
Nun interessiert die mittlere Auslenkung ⟨x⟩ aus der Ruheposition bei
einer durch die Boltzmann-Verteilung gegebenen Besetzung der Schwin-
gungszustände. Ein Zustand mit dem Bindungsabstand x tritt auf mit der
Wahrscheinlichkeit3 3
Siehe z.B. Gl. 22.8 in Fließbach, 2018.
e−βU (x)
, (1.2)
e−βU (x′ ) dx′
R

wobei wie immer β = 1/kB T . Damit ist die mittlere Auslenkung

R −βU (x)
xe dx
⟨x⟩ = R −βU (x′ ) ′ . (1.3)
e dx

Der Nenner hängt ja nicht von x, sondern nur von x′ ab und kann so vor das
dx-Integral gezogen werden.
Zur weiteren Vereinfachung nehmen wir an, dass U (x) für typische ther-
mische Energien ∼ kB T klein genug ist, sodass βU (x) ≪ 1 gilt. Dann
können wir die Exponentialfunktion als Reihe darstellen. Der wesentliche
Beitrag im Zähler kommt dabei von den ersten Termen der Exponentialreihe:
2 3
+f x4 ) 2
e−βU (x) = e−βcx e+β(gx ≈ e−βcx 1 + βgx3 + βf x4


. (1.4)

Im Nenner ignorieren wir gleich alle Terme jenseits von cx2 . Damit erhält man

3g
⟨x⟩ = kB T . (1.5)
4c2

Wie erwartet spielt der f x4 -Term keine Rolle für die Änderung des Bindungs-
abstands. Sobald aber ein kubischer Term im Potential vorhanden ist (g ̸= 0),
10 Festkörperphysik II

dann ändert sich die mittlere Auslenkung hin zu größeren Werten, proportio-
nal zur Temperatur T .
Die Gitterkonstante R(T ) ändert sich also linear mit der Temperatur
3g
R(T ) = R0 + ⟨x⟩ = R0 + kB T , (1.6)
4c2
mit dem Bindungsabstand R0 bei T = 0. Der Wärme-Ausdehnungskoeffizient
α ist dann
1 dR d ⟨x⟩ 3gkB
α= = = 2 . (1.7)
R0 dT dT R0 4c R0

Zur Selbstkontrolle
1. Wie groß ist ein typischer Wärme-Ausdehnungskoeffizient α? Wie könnte man
damit die Koeffizienten c und g des Potentials vergleichen?

2. Warum nimmt man hier die Boltzmann-Verteilung, und nicht Bose-Einstein?

Phonon–Phonon-Wechselwirkung

Die Anharmonizität des Potentials führt dazu, dass die Phononen miteinan-
der wechselwirken. Die Einführung der Normalmoden in der Molekül- oder
Festkörperphysik war möglich, weil dort das Potential als harmonisch an-
genommen wurde. Der x3 -Term führt dazu, dass die einzelnen Moden nicht
mehr unabhängig voneinander sind, miteinander koppeln.4 Ein Molekül im 4
Eine Rechnung findet sich in Gross und
Marx, 2023.
Vakuum kann so Energie von einer hoch angeregten Schwingungsmode auf
alle anderen Moden verteilen.
Die Phonon–Phonon-Wechselwirkung unterstreicht die Beschreibung
von Phononen als Quasi-Teilchen. Phononen wechselwirken miteinander
wie Billardkugeln unter Beachtung der Energie- und Impulserhaltung. Das
kann man experimentell nachweisen. Zwei sich kreuzende Ultraschallwel-
len erzeugen eine dritte Welle in der durch die Impulserhaltung erwarteten
Richtung (Abb. 1.2). Phonon–Phonon-Streuung ist also ein direktes Ergebnis
der Anharmonizität und spielt eine wichtige Rolle bei den unten besprcohen
Transportphänomenen wie der Wärmeleitung.

Abbildung 1.2: Phonon–Phonon–

2 Wechselwirkung in polykristallinem Ma-
Amplitude (willk.E.)

gnesium (Rollins Jr, L. H. Taylor und Todd Jr,

ϕ 1964). Zwei Ultraschallwellen kreuzen sich
US in US in
unter dem Winkel ϕ. Man detektiert im
Winkel der Impulserhaltung die resultierende
1 Amplitude. Falls eine der Wellen transversal,
die andere longitudinal ist, dann beobach-
tet man eine Auslöschung unter einem
charakteristischen Winkel.
US out 0
60 80 100 120 140
Winkel ϕ (Grad)

Zur Selbstkontrolle
3. Falls Sie die ’Moderne Optik’ besucht haben: Könnte man diesen Effekt auch
mit der nichtlinearen Optik im Wellen-Bild beschreiben? Wo steckt dabei die
 Wärmeleitung und anharmonische Effekte 11

Anharmonizität des Potentials?

Wärmeleitfähigkeit

Bislang hatte der Festkörper überall die gleiche Temperatur. Nun betrachten
wir beispielsweise einen (dielektrischen5 ) Stab, der an beiden Enden durch 5
In Metallen dominiert die Wärmelkeitung
ein Wärmebad auf eine zeitliche konstante aber verschiedene Temperatur durch Elektronen.

gehalten wird. Makroskopisch ist der Fluss der thermischen Energie, also
die Wärmestromdichte jq abhängig von der Wärmeleitfähigkeit K und dem
Gradienten der Temperatur T , also

jq = −K ∇T . (1.8)

Wir modellieren den Wärmestrom analog zur kinetischen Gastheorie als Dif-
fusion von Phononen. Wie auch schon bei der Wärmekapazität der Phononen
steigt mit steigender Temperatur die Anzahl der Phononen bei den durch die
Zustandsdichte erlaubten Frequenzen. Am warmen Ende des Stabes gibt
es also mehr Phononen, die dann zum kalten Ende gelangen und so Energie
transportieren. Dieser Transportprozess steckt in der Wärmeleitfähigkeit K.
Die kinetische Gastheorie ergibt
1
K= Cvℓ , (1.9)
3
mit der Wärmekapazität pro Volumen C, der Teilchengeschwindigkeit v
und der mittleren freien Weglänge ℓ. Hier ist nun C die Wärmekapazität der
Phononen aus dem letzten Semester, v deren Ausbreitungs- oder Schallge-
schwindigkeit und ℓ eine noch zu beschaffende mittlere freie Weglänge, also
dem räumlichen Abstand zwischen zwei Stößen. Die Wechselwirkung mit
anderen Phononen des letzten Abschnitts begrenzen also die mittlere freie
Weglänge, ebenso Defekte im Kristall und die Kristalloberfläche.
In typischen Festkörpern liegen die Schallgeschwindigkeiten v bei einigen
1000 m/s und die mittlere freie Weglänge ℓ bei einigen Nanometern bis
Mikrometern. Die Wärmeleitfähigkeit variiert zwischen etwa 1 W/(m K) bei
schlechten Wärmeleitern und über 2000 W/(m K) in Diamant.
Eigentlich sind alle drei Größen von der Frequenz und ggf. auch der
Richtung abhängig. Dies ignorieren wir hier und verstehen sie als effekti-
ve Größen. Das ist die Dominante-Phononen-Näherung, ähnlich wie beim
Einstein-Modell die optischen Phononen als deltaförmige Zustandsdichte
angenommen wurden.

Zur Selbstkontrolle
4. Inwiefern spielen Oberflächen- und Grenzflächeneffekte (z. B. bei dünnen Filmen
oder nanostrukturierten Materialien) eine Rolle für die Wärmeleitfähigkeit, und wie
könnte man theoretisch oder experimentell abschätzen, ab welcher Längenskala
diese Effekte dominant werden?

Mittlere freie Weglänge

Die mittlere freie Weglänge ℓ kann rein geometrisch verstanden werden als
Weglänge, bis zu der ein Strahl wieder auf eine Zielscheibe trifft. Die Fläche
dx
Abbildung 1.3: Scheiben der Fläche σ mit
einer Anzahl-Dichte n ergeben geometrisch
die mittlere freie Weglänge ℓ.
12 Festkörperphysik II

der Zielscheibe entspricht dabei dem Wechselwirkungsquerschnitt σ. Dazu

benötigt man nur die Anzahl der Scheiben pro Volumen, also die Dichte n.
Damit ist die mittlere freie Weglänge ℓ
1
ℓ= . (1.10)
nσ
In der Sprache der Streutheorie, wie beispielsweise bei der Röntgenstreuung,
ist der Wechselwirkungsquerschnitt σ proportional zum Betragsquadrat |A|2
der Streuamplitude.
Dem Scheibchen-Bild nahe kommt die Streuung an Punktdefekten im Kris-
tall. Punktdefekte können Atomfehlstellen, Substitutionsatome oder kleine
Einschlüsse sein; jede Abweichung vom periodischen Gitter führt zu Streu-
ung. Wenn die Ausdehnung a des Defekts viel kleiner als die Wellenlänge λ
des Phonons ist, dann ist die Physik völlig analog zur Rayleigh-Streuung, bei-
spielsweise von Licht an Luft-Molekülen. Der Streuquerschnitt ist in diesem
Fall
a6
σ ∝ 4 oder ∝ a6 ω 4 . (1.11)
λ
Dieser Effekt ist nicht temperaturabhängig, kann also nicht helfen, die Tem-
peraturabhängigkeit der Wärmeleitung zu erklären. Er liefert vielmehr eine
von der Qualität der Probe abhängenden konstanten Beitrag, der bei tiefen
Temperaturen erreicht wird. In hochreinen Einkristallen kann die mittlere freie
Weglänge dann sehr groß werden.

Zur Selbstkontrolle
5. Worin unterscheiden und worin ähneln sich die Streuprozesse in Gasen und
Festkörpern, insbesondere welche Prozesse führen zur Temperaturabhängigkeit
der mittleren freuen Weglänge?

Phonon–Phonon–Streuung

Auch die Phonon–Phonon–Wechselwirkung kann die freie Weglänge begren-

zen, indem zwei einfallende Phononen in ein neues umgewandelt werden.
Aus der Sicht eines der einfallenden Phononen ist die Streuwahrscheinlich-
keit proportional zur Dichte n(T ) der anderen Phononen, also erwarten wir
1
ℓ∝ . (1.12)
n(T )

Bei der Streuung von Phononen in einem Kristall muss man allerdings
den reziproken Gittervektor G berücksichtigen. In einem Kristall ist die
Impulserhaltung
k1 + k2 = k3 + Ghkl . (1.13)
k1
Der reziproken Gittervektor Ghkl meint eine (unendliche) Menge von Vekto- kout
ren, die sich aus den Linearkombinationen der primitiven Einheitsvektoren mit
G
den Koeffizienten h, k, l zusammensetzt. k2

Bei der Impulserhaltung unterscheiden wir den Normalprozess (G = 0)

vom Umklappprozess (G ̸= 0). Im Normalprozess gilt die Impulserhaltung
Abbildung 1.4: Skizze zum Umklappprozess.
in der strengen Form wie im Vakuum. Bei einem Gas von Phononen bleibt der Wenn die Summe von zwei reziproken
Gesamtimpuls dann aber erhalten. Die Drift-Geschwindigkeit der Phononen Vektoren außerhalb der Brillouin-Zone liegt,
dann führt die Addition von G zur Änderung
der Richtung.
 Wärmeleitung und anharmonische Effekte 13

kann sich nicht ändern. Es wird keine Netto-Wärmestrom verhindert und

dieser Fall trägt nicht zu einem Wärmewiderstand bei.
Beim Umklappprozess (U-Prozess) kann sich aber die Richtung ändern.
Die Summe k1 + k2 kann gerade über die erste Brillouin-Zone hinaus reichen,
wird durch G zurück verschoben und kann dann entgegen der ursprünglichen
Vektoren zeigen (siehe Abbildung 1.4). Damit ändert sich der Gesamtimpuls
des Phononen-Gases, was einem Wärmewiderstand entspricht.

Zur Selbstkontrolle
6. Zeigt Abbildung den Realraum oder den reziproken Raum? Wie sieht das im
anderen Raum aus?

7. Wie kommt es, dass hier die Impulserhaltung (scheinbar) verletzt ist?

Temperaturabhängigkeit des Umklappprozesses

Damit der Umklappprozess stattfindet, muss

1
|k1 + k2 | ≥ |g| , (1.14)
2
wobei g hier den kürzesten reziproken Gittervektor aus Ghkl meint. g/2 ist
also gerade die Grenze der 1. Brillouin-Zone. Wir benötigen die Energie der
Phononen mit solchen Impulsen ki . Dazu nehmen wir das Debye-Modell an,
also einen linearen Zusammenhang zwischen dem Betrag des Impulses und
der Frequenz des Phonons. Das Modell wird durch die Steigung der Disper-
sionsrelation bzw. die Debye-Temperatur Θ parametrisiert, die materialab-
hängig ist. Am Rand der Brillouin-Zone haben die Phononen in diesem Modell
die Energie kB Θ, so dass eine charakteristische Energie für den Einsatz des
Umklappprozesses kB Θ/2 ist. Die Besetzungsdichte bei dieser Energie ist in
der Bose-Einstein-Verteilung
1
⟨n⟩ ∝ (1.15)
eΘ/2T −1
und die mittlere freie Weglänge ist mit Gl. 1.12
(
Θ/2T Θ/2T für T ≫ Θ
ℓ∝e −1= . (1.16)
e Θ/2T
für T ≪ Θ
Bei sehr tiefen Temperaturen ist also die mittlere freie Weglänge nur
durch die Streuung an Punktdefekten begrenzt. Dies nennt man ’ballistischen
Transport’. Bei reinen Kristallen kann die freie Weglänge sehr lang werden.
Sie fällt dann exponentiell mit steigender Temperatur ab, weil immer mehr
Phononen als Streupartner hinzu kommen. Mit weiter steigender Temperatur
geht der exponentielle Abfall oberhalb der Debye-Temperatur Θ in einen
1/T -Verlauf über.
Für die Wärmeleitfähigkeit benötigen wir noch die Temperaturabhängig-
keit der Wärmekapazität C. Diese ist nach dem Debye-Modell proportional
zu T 3 bei T ≪ Θ. Weit oberhalb Θ gilt das Dulong-Petit-Gesetz und die
Wärmekapazität ist konstant. Insgesamt erhalten wir damit
für T ≫ Θ Phonon–Phonon

1 Θ/T

K = cvℓ ∝ T n eΘ/2T für T ≪ Θ Phonon–Phonon . (1.17)
3 T 3 für T ≪ Θ Phonon–Defekt

14 Festkörperphysik II

Der Exponent n bei T ≪ Θ soll die genaue Temperaturabhängigkeit offen

lassen. Dazu müsste man das Integral im Debye-Modell der Wärmekapazität
im Bereich T ≈ Θ lösen.
Für Silizium finden wir in den gemessenen Daten (Abb. 1.1) sowohl die
T 3 -Abhängigkeit bei tiefen Temperaturen, als auch die T −1 oberhalb der
Debye-Temperatur. Der Übergangsbereich ist aufwändiger zu modellieren.
Natriumfluorid (NaF) verhält sich ähnlich (Abb. 1.5), wenn man die etwas
andere Debye-Temperatur berücksichtig.

Abbildung 1.5: Wärmeleitfähigkeit K von

Wärmeleitfähigkeit K (W/cm K)

Natriumfluorid (NaF) (Jackson, Walker und

McNelly, 1970. Die Debye-Temperatur von
102 NaF beträgt 491 K.

101
T3

1/T
100
100 101 102
Temperatur T (K)

Zur Selbstkontrolle
8. Beschreiben Sie in Ihren Worten, wie es zur Temperaturabhängigkeit der Wärme-
leitfähigkeit kommt, insbesondere bei hohen und niedrigen Temperaturen.
 Wärmeleitung und anharmonische Effekte 15

Zusammenfassung

Schreiben Sie hier ihre persönliche Zusammenfassung des Kapitels auf. Kon-
zentrieren Sie sich auf die wichtigsten Aspekte und die am Anfang genannten
Ziele des Kapitels.

Literatur

Fließbach, Thorsten (2018). Statistische Physik. Springer. .

Glassbrenner, C Jo und Glen A Slack (1964). “Thermal conductivity of silicon
and germanium from 3 K to the melting point”. In: Physical review 134.4A,
A1058. .
Gross, Rudolf und Achim Marx (2023). Festkörperphysik. 4. De Gruyter. .
Jackson, Howard E, Charles T Walker und Thomas F McNelly (1970). “Second
sound in NaF”. In: Phys. Rev. Lett. 25.1, S. 26.
Kittel, Charles (2006). Einführung in die Festkörperphysik. Hrsg. von Siegfried
Hunklinger. 14. Oldenbourg.
Kopitzki, Konrad (2017). Einführung in die Festkörperphysik. Hrsg. von Peter
Herzog. 7. Springer. .
Lippitz, Markus (2022). Lecture notes ’Molekülphysik und Festkörperphysik I’.
Version v22.2. CC-BY-SA 4.0. .
Rollins Jr, Fred R, Lyle H Taylor und Paul H Todd Jr (1964). “Ultrasonic study
of three-phonon interactions. II. Experimental results”. In: Physical Review
136.3A, A597. .
Kapitel 2
Fermi-Gas
Markus Lippitz
6. Mai 2025

Ziele

• Sie können das Konzept der Fermi-Kugel benutzen, um den elektrischen

Widerstand von Metallen zu erklären.

• Sie können den mikroskopischen Ursprung des Wiedemann-Franz-

Gesetzes erklären, also warum die Temperaturabhängigkeit der elek-
trischen und der thermischen Leitfähigkeit in Metallen so ähnlich bis
identisch ist.

40 Abbildung 2.1: Temperaturabhängigkeit

Lorenz-Zahl L (10−9 W Ω/K 2 )
K (W/Km), σ (10−9 /Ωm)

104 der thermischen (K) und elektrischen (σ)

T1 Leitfähigkeit von Kupfer und die daraus
K 30 abgeleitet Lorenz-Zahl L = K/σT . Das
Wiedemann-Franz-Gesetz besagt, dass diese
102 σ konstant ist. Daten aus Hust und Lankford,
20 1984.
L
100
10
T −1
10−2 0
100 101 102 103
Temperatur T (K)

Überblick

Mit diesem Kapitel beginnen wir mit den elektronischen Eigenschaften der
Festkörper. Bislang hatten wir diese dadurch ignoriert, dass die Beispiele im-
mer als Isolatoren gewählt waren, Elektronen also keine Rolle gespielt haben.
Von nun an stehen die Elektronen im Mittelpunkt. Wie in der Molekülphysik
auch machen wir die adiabatische Näherung. Wir nehmen also an, dass die
Elektronen viel schneller sind als die Kerne, die Kerne aber das Potential
vorgeben, in dem sich die Elektronen bewegen. Weiterhin machen wir die
Ein-Elektron-Näherung. Wir betrachten also nur ein Elektron. Die Anwesenheit
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Weitergabe unter gleichen Bedingungen 4.0 International” Lizenz.
18 Festkörperphysik II

aller anderen Elektronen beeinflusst nur das Potential, auch über das Pauli-
Prinzip. Korrelationen zwischen Elektronen berücksichtigen wir erst in den
Kapiteln zur Supraleitung und zum Magnetismus.
In diesem Kapitel bildet der Kristall ein großes Kastenpotential, aber
die Kerne selbst kommen nicht vor. Im folgenden Kapitel wird dann das
Kristallgitter wichtig werden.

Freies Elektronengas

In beispielsweise Alkali-Metallen sind die meisten Elektronen an ’ihren’ Atom-

kern gebunden und nur sehr wenige Elektronen pro Atomkern tragen zur Bin-
dung bei. Diese Elektronen sehen nicht das vollständige Coulomb-Potential
der stark positiv geladenen Atomrümpfe. Die gebundenen Elektronen schir-
men dies ab, so dass nur ein schwaches und räumlich beinahe konstantes
Potential verbleit. In diesem Potential bewegen sich die Valenz-Elektronen
der Alkali-Atome wie ein Gas. Man spricht daher von freien Elektronengas
oder auch Fermi-Gas.
Wir könnten die freien Elektronen als Teilchen im 3D-Kasten modellieren.
Die Schrödingergleichung innerhalb des Kastens beinhaltet dann nur noch die
kinetische Energie
ℏ2 2
− ∇ ψ(r) = Eψ(r) (2.1)
2m
und ihre Lösung sind ebene Wellen
1
ψ(r) = √ eik·r (2.2)
V
mit dem Wellenvektor k und der Normierung auf das Volumen V des Kas-
tens. Die Energie beträgt dann

ℏ2 |p|2
E= |k|2 = (2.3)
2m 2m
und ist von der Richtung natürlich unabhängig.
Die Gleichungen werden angenehm, wenn wir (wie bei den Phononen)
periodische Randbedingungen einführen: alle Eigenschaften sollen im Ort
periodisch mit der Kasten-Größe L sein, also

ψ(r) = ψ(r + Lêi ) , (2.4)

mit êi einem kartesischen Einheitsvektor. Damit umgehen wir auch das Pro-
blem, was außerhalb des Kastens eigentlich passiert. Wie bei den Phononen
sind die möglichen Werte des Wellenvektors k diskret
2π
ki = mi mit i = x, y, z . (2.5)
L

Zustandsdichte

Die Zustandsdichte beschreibt die Anzahl der Zustände pro Energie- oder
Wellenvektor-Intervall (D(E) dE oder D(k) dk). Manchmal findet man
auch zusätzlich eine Normierung auf das Volumen, die wir hier aber nicht
durchführen. Durch die Quantisierung der Wellenfunktion im Kasten sind nur
 Fermi-Gas 19

noch diskrete Energien möglich. Je größer der Kasten wird, desto dichter
liegen diese diskreten Niveaus beieinander. Man kann sie dann abzählen und
eine Dichte (Anzahl pro Energieintervall) angeben. Der Weg zur Berechnung
einer Zustandsdichte ist eigentlich immer derselbe, den Sie schon bei den
Phononen gesehen hatten: Man beginnt im reziproken Raum, weil es dort
einfach ist, und wandelt das dann in eine Energie um.
Die Zustandsdichte im reziproken Raum ist konstant:
V
D(k)dk = dk . (2.6)
(2π)3
Um sie als Funktion der Energie zu erhalten benötigen wir wie bei den Phono-
nen die Gruppengeschwindigkeit
∂ω ∂E ℏk
vg = = = (2.7)
∂k ∂(ℏk) m

und erhalten1 1
Für 3 Dimensionen. Niedrigdimensionale
Strukturen kommen später.
V dSE
Z
D′ (E)dE = dE (2.8)
ℏ(2π)3 E=const. vg
wobei das Integral über eine Kugeloberfläche konstanter Energie im rezipro-
ken Raum läuft und 4πk 2 /vg ergibt. Jetzt müssen wir noch berücksichtigen,
dass wir jeden Zustand nach dem Pauli-Prinzip mit zwei Elektronen unter-
schiedlichen Spins besetzen können: Energie E

(2m)3/2 √
D(E)dE = 2D′ (E)dE = V E dE . (2.9)
2π 2 ℏ3
Damit haben wir die Zustandsdichte von freien Elektronen.
Zustandsd. D Wellenvektor k
Zur Selbstkontrolle Abbildung 2.2: Dispersionsrelation E(k)
und Zustandsdichte D(E) eines Fermi-
1. Wie kann man den wurzelförmigen Verlauf der Zustandsdichte D(E) verstehen? Gases in 3 Dimensionen.

Fermi-Energie und Fermi-Kugel

In Metallen, insbesondere Alkali-Metallen sind die Eigenschaften maßgeb-

lich durch die freien Elektronen bestimmt. Elektronen sind Fermionen, haben
einen halbzahlgen Spin und unterliegen dem Pauli-Prinzip und der Fermi-
Dirac-Statistik. Das macht die Besetzung der Zustände besonders. Im thermi-
schen Gleichgewicht ist jeder Zustand besetzt wie
1
f (E) = (2.10)
e(E−µ)/kB T + 1
mit dem chemischen Potential µ. Die Fermi-Dirac-Verteilung ist (um das 1.5
Besetzung hni

Pauli-Verbot zu erfüllen) maximal Eins. Wenn f (E) ≪ 1, also E −µ ≫ kB T , 1

dann geht sie in die Boltzmann-Verteilung über. Dies wird später bei den
Halbleitern wichtig werden, da dort die interessanten Energien E relativ weit 0.5

weg von µ sind. 0

Das chemische Potential µ kommt aus der Ableitung beispielsweise der −3 −2 −1 0 1 2 3

inneren Energie U nach der Stoffmenge ni . Bei mehreren Stoffen gibt es also (E − µ)/kb T

mehrere µi . Abbildung 2.3: Fermi-Dirac-Statistik (fett)


∂U
 in Vergleich zur Bose-Einstein-Statistik
µi = (2.11) (gestrichelt) und Boltzmann-Statistik (dünn).
∂ni V,S,nj ̸=ni
20 Festkörperphysik II

bzw. X
dU = T dS − pdV + µi dni . (2.12)
i

Bei uns ist der Stoff natürlich die Elektronen, daher brauchen wir im folgen-
den kein Index an µ.
Bei E = µ geht die Fermi-Dirac-Verteilungsfunktion immer durch 1/2. Am
absoluten Nullpunkt (T = 0) ist sie konstant Eins für E < µ und konstant
Null darüber. Wir bezeichnen als Fermi-Energie EF die Energie, bis zu der alle
Zustände lückenlos gefüllt sind. Das entspräche dem chemischen Potential,
wenn letzteres nicht temperaturabhängig wäre. So definieren wir

EF = µ(T = 0) . (2.13)

Damit ist die Fermi-Energie nicht temperaturabhängig. Später werden wir den
Begriff ’Fermi-Niveau’ einführen, der nur ein anderes Wort für chemisches
Potential ist und damit temperaturabhängig.
Wir berechnen die Fermi-Energie EF , indem wir bei T = 0 nach und nach
Elektronen in unseren Kasten einfüllen. Bei T = 0 füllen die Elektronen nach
dem Pauli-Prinzip die tiefsten Zustände auf, so dass im Impulsraum eine
gefüllte Kugel entsteht. Die Energie des höchsten gefüllten Zustandes ist die
Fermi-Energie. Wir integrieren also die Zustandsdichte D(E) soweit auf, bis
wir N Elektronen untergebracht haben. Die Elektronendichte n ist also2 2
Analog kann man ein temperaturabhän-
Z EF Z EF √ giges chemisches Potential ausrechnen.
N 1 (2m)3/2 Siehe Hunklinger, 2014 oder Gross und Marx,
n= = D(E) dE = E dE . (2.14) 2023.
V V 0 2π 2 ℏ3 0
Damit erhalten wir
ℏ2
EF = (3π 2 )2/3 n2/3 . (2.15)
2m
Alle Komposita mit ’Fermi-’ sind entsprechend definiert. Der Fermi-Impuls kF
ist einfach
kF = (3π 2 n)1/3 . (2.16)

Die Fermi-Kugel ist die Kugel im reziproken Raum mit dem Radius kF . Am
absoluten Nullpunkt sind also alle Elektronen innerhalb dieser Kugel. Wäh-
rend die Fermi-Fläche im freien Elektronengas kugelförmig ist, wird sie in
realen Materialien durch die Bandstruktur des Kristalls verzerrt. Dies führt zu
komplexen Fermi-Flächen, welche die elektronischen Transporteigenschaften
bestimmen.
Bei Metallen trägt jedes Atom ein (oder mehr) Elektronen bei. Die Elek-
tronendichte ist also etwa n ≈ 1028 m−3 . Die Fermi-Energie von den hier
betrachteten Metallen liegt typischerweise im Bereich von einigen Elektron-
volt und die Fermi-Temperatur damit bei einigen 10 000 K, weit jenseits der
Schmelztemperatur. Für Elektronen im Festkörper besteht also kein so großer
Unterschied zum absoluten Nullpunkt. Die Stufenfunktion der Fermi-Dirac-
Verteilung wird etwas abgerundet. Wenn man es maßstabsgerecht zeichnen
würde, dann könnte man aber bei Raumtemperatur keinen Unterschied erken-
nen. In Halbleitern später ist die Ladungsträgerdichte viel kleiner.

Zur Selbstkontrolle
2. Woran liegt es, dass hier die Fermi-Fläche gerade eine Kugeloberfläche ist? Was
ist notwendig, damit andere Formen entstehen?
 Fermi-Gas 21

3. Wieviel Elektronen pro Atom muss ein Material ungefähr besitzen, damit die
Fermi-Kugel den Rand der Brillouinzone berührt?

4. Was bedeutet ’Für Elektronen im Festkörper besteht also kein so großer Unter-
schied zum absoluten Nullpunkt’ ?

Wärmekapazität der freien Elektronen

Neben den Gitterschwingungen (Phononen) tragen auch Elektronen zur

Wärmekapazität von Metallen bei. Da die Elektronendichte in Metallen hoch
ist, würde man erwarten, dass dieser Beitrag groß ist. Es zeigt sich jedoch,
dass nur ein kleiner Teil der Elektronen thermisch angeregt werden kann –
eine direkte Folge der Fermi-Dirac-Statistik.
Analog zum Vorgehen bei den Phononen berechnen wir die Wärmekapazi-
tät der Elektronen als Ableitung der inneren Energie nach der Temperatur. Wir
beginnen3 mit der spezifischen inneren Energie u 3
Hunklinger, 2014 folgend

∞
U 1
Z
u= = E D(E) f (E) dE . (2.17)
V V 0

Am absoluten Nullpunkt geht f (E) in die Heavyside-Funktion über, so dass

wir einfach das Integral nur bis EF laufen lassen
EF
1 3n
Z
u0 = u(T = 0) = E D(E) dE = kB TF . (2.18)
V 0 5

Bei einem klassischen freien Gas von Teilchen hätten wir

3n 3n
und
Zustände D(E)f (E)

uklassisch = kB T cklassisch = kB . (2.19)

2 2
Weil TF ≫ T sind viele Elektronen schon bei Energie deutlich größer als 2kB Thot
kB T . Dies ist eine Konsequenz des Pauli-Verbots. Damit ist die innere Ener-
gie eines freien Elektronengases sehr hoch. Wir müssen zu sehr hochenerge-
tischen Zuständen ausweichen, um noch Elektronen zufügen zu können. 0 EF
Die Ableitung ∂u/∂T ist aufwändig. Lehrbücher zeigen ein paar Schritte. Energie E
Ich möchte das hier abkürzen und so argumentieren: ein freies Elektronengas Abbildung 2.4: Nur Zustände in der Nähe der
ist quasi ein klassisches Gas, nur kann aufgrund der Fermi-Dirac-Statistik nur Fermi-Energie tragen zur Wärmekapazität
bei. Die graue Kurve ist um den Faktor 40
der Anteil T /TF weitere Energie aufnehmen und so zur Wärmekapazität bei- kühler und entspricht inm etwa den realen
tragen. Zustände, die weiter von EF entfernt sind, sind entweder vollständig Verhältnissen bei Raumtemperatur.
besetzt, so dass im Abstand kB T kein freier Zustand vorhanden ist, oder sie
sind vollständig unbesetzt. Die Abschätzung ist also

T 3n kB T
cgeschätzt = cklassisch = . (2.20)
TF 2 TF

Eine etwas bessere Rechnung4 ergibt einen um den Faktor π 2 /3 größeren 4

Integration der Fermi-Dirac-Statistik und
Wert Taylor-Reihe um EF
π 2 n kB T
cel = = γT (2.21)
2 TF
mit der Sommerfeld-Konstanten γ.
In Metallen tragen sowohl Phononen als auch Elektronen zur Wärme-
kapazität bei. Während die Phononen bei niedrigen Temperaturen mit dem
22 Festkörperphysik II

Debye-Modell T 3 -abhängig sind und bei hohen Temperaturen das Dulong-

Petit-Gesetz erreichen, ist der Beitrag der Elektronen linear mit T . Die gesam-
te Wärmekapazität ist somit die Summe dieser beiden Terme:
6

C (mJ/mol K)
(
3nA kB für T ≫ Θ 4
cges = γ T + (2.22)
βT 3 für T ≪ Θ
2
mit β aus dem Debye-Modell und nA der Teilchenzahl-Dichte der Atom-Kerne. 0
Dieses Modell beschreibt die Wärmekapazität von Alkali-Metallen und 0 2 4
Temperatur T (K)
anderen ’einfachen’ Metallen gut (Abb. 2.5). In anderen Fällen finden sich
Abbildung 2.5: Wärmekapazität von Kupfer
deutliche Abweichung, beispielsweise bei Nickel. Hier ist die gemessene
bei tiefen Temperaturen nach Rayne, 1956.
Wärmekapazität um etwa den Faktor 15 höher als die wie oben berechnete. Elektronen und Phononen tragen bei.
Bei den Alkali-Metallen ist die Annahme des freien Elektronengases gerecht-
fertigt. Bei Nickel tragen aber Elektronen zur Wärmekapazität bei, die aus
atomaren d-Orbitalen stammen, daher eine Vorzugsrichtung haben und kei-
ne isotrope Zustandsdichte im Kristall besitzen. Dies führt zu einer hohen
Zustandsdichte an der Fermi-Energie und einem größeren elektronischen
Beitrag zur Wärmekapazität, da mehr Zustände in einem schmalen Energiebe-
reich kB T thermisch angeregt werden können. 5 5
siehe Hunklinger, 2014, Abbildung 8.9

Zur Selbstkontrolle
5. Wo zeigt sich in Abb. 2.4 die Wärmekapazität?

Drude-Modell

Die herausragende Eigenschaft der Metalle ist ihre elektrische Leitfähigkeit.

Die Leitfähigkeit ist hoch, aber nicht unendlich. Die Frage ist also, was die
Bewegung der Elektronen so einschränkt, dass die Leitfähigkeit begrenzt
bleibt. Dies wurde erstmals von Paul Drude um 1900 erklärt. Das Drude-
Modell liefert das Ohmsche Gesetz, also ein richtiges Ergebnis, aber aus
heutiger Sicht aus den falschen Gründen. Erst Arnold Sommerfeld und Hans
Bethe brachten um 1933 die Quantenmechanik ins Spiel und lieferten die
moderne Erklärung.
Die Annahmen des Drude-Modells sind ein freies Elektronengas, das nur
mit den Atomrümpfen, aber nicht miteinander stößt. Ohne externes Feld
bewegen die Elektronen sich thermisch, aber ohne Vorzugsrichtung. Der
Mittelwert über alle (vektoriellen) Geschwindigkeiten des Elektronengases
ist also ⟨v⟩ = 0. Das externe elektrische Feld E überlagert der thermischen
Bewegung eine Driftbewegung mit der Geschwindigkeit vd = ⟨v⟩. Nach
einem Abschalten des Feldes würde die Driftbewegung durch die Stöße
langsam zum Erliegen kommen. Die Bewegungsgleichung ist also6 6
Simon, 2013; Singleton, 2001.

d ⟨v⟩ ⟨v⟩
m = −e E − m . (2.23)
dt τ
τ ist dabei die mittlere Zeit zwischen zwei Stößen, also ein Maß für die
Wechselwirkung der Elektronen mit dem Gitter. Sie hängt von der Temperatur,
dem Material und seiner Reinheit ab. In Metallen beträgt τ ≈ 10 fs. Die
Geschwindigkeit eines Elektrons bei EF beträgt etwa 106 m/s, so dass die
mittlere freie Weglänge einige 10 nm beträgt.
 Fermi-Gas 23

Im stationären Fall der Driftbewegung (d ⟨v⟩ /dt = 0) erhält man

eτ |vd | eτ
vd = ⟨v⟩ = − E = −µE mit µ= = (2.24)
m |E| m

mit der Beweglichkeit µ. Die Stromdichte ist dann

ne2 τ
j = −envd = neµE = σE mit σ = neµ = (2.25)
m
mit der Elektronendichte n und der Leitfähigkeit σ. Damit haben wir den
linearen Zusammenhang zwischen Strom und Spannung des Ohm’schen
Gesetzes erhalten. Der makroskopische Widerstand (bzw. dessen reziproker
Wert, die Leitfähigkeit σ) ist verknüpft mit zwei mikroskopischen Größen, der
Elektronendichte n und der mittleren Stoßzeit τ . Erstere ergibt sich aus der
Zahl der Valenz-Elektronen pro Atom und der Gitterkonstanten des Kristalls.
Letzte liegt wie oben schon erwähnt bei etwa 10 fs.
Dieses Modell ignoriert völlig das Pauli-Prinzip und dass es eine Fermi-
Dirac-Verteilung gibt, bei der quasi alle Zustände besetzt sind. Die aller-
meisten Elektronen können gar nicht streuen, weil sie dazu einen leeren
Endzustand bräuchten, den es nicht gibt. Wir werden aber sehen, dass ein
besseres Modell das gleiche Ergebnis liefert.

Drude-Sommerfeld-Modell

Arnold Sommerfeld und Hans Bethe entwickelten eine verbesserte Theorie.

Die Elektronen sind quasi frei, es gilt die Schrödinger-Gleichung und das
Pauli-Prinzip. Die Fermi-Fläche sei eine Kugel7 . Ohne äußeres Feld fließt im 7
Was in diesem Kapitel trivial ist, später
thermischen Gleichgewicht kein Strom, da die Fermikugel um k = 0 zentriert aber bedeutet, dass nur der Betrag des
Wellenvektors k in die Energie eingeht und
ist. Da wir Isotropie angenommen haben gibt es für jedes Elektron mit k die Fermi-Fläche den Rand der Brillouinzone
eines mit −k. nicht berührt.
Eine externes Feld E beschleunigt jedes Elektron, ändert also zeitlich
kontinuierlich den Impuls der Elektronen. Damit bewegt sich die gesamte
Fermikugel kontinuierlich immer weiter von der Gleichgewichtsposition weg:

dk
ℏ = −eE = F . (2.26)
dt
Streuprozesse können dann aber Elektronen von ’vorne’ an der Fermikugel
in den frei werdenden Bereich ’hinter’ der Kugel umlagern. Die Stöße wirken
also rückstellend auf die Bewegung der Fermikugel. Im sich einstellenden
Gleichgewicht wird die Fermikugel bei einer mittleren Stoßzeit τ um

−eτ E
δk = (2.27)
ℏ
aus dem Ursprung verschoben sein. Nur der kleine Anteil δk/kF der Elektro-
nen trägt zum Ladungstransport bei. Das sind aber die an der Fermi-Kante,
also die schnellsten von allen. Für die Leitfähigkeit ergibt das Sommerfeld-
Modell
ne2
σ = neµ = τ (EF ) (2.28)
m
mit τ (EF ) der Stoßzeit der Elektronen an der Fermi-Kante. Der Unterschied
zum Drude-Modell besteht nur in einer etwas anderen Bedeutung zweier
24 Festkörperphysik II

Parameter. Damit ist nicht überraschend, dass auch das Drude-Modell die
experimentellen Ergebnisse richtig wiedergibt.
Obwohl das Sommerfeld-Modell die gleiche Formel für die Leitfähigkeit
liefert, ist die physikalische Interpretation völlig unterschiedlich: Während das
Drude-Modell davon ausgeht, dass alle Elektronen gleichermaßen zur Strom-
leitung beitragen, zeigt das Sommerfeld-Modell, dass nur die Elektronen an
der Fermikante tatsächlich relevant sind.

Zur Selbstkontrolle

6. Warum ergeben das Drude-Modell und das Sommerfeld-Modell trotz völlig un-
terschiedlicher physikalischer Annahmen die gleiche Formel für die elektrische
Leitfähigkeit?

Temperaturabhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit

Die elektrische Leitfähigkeit σ ist temperaturabhängig über die mittlere

Stoßzeit τ . Elektronen können mit verschiedenen anderen Partnern streuen
(stoßen): mit Phononen, mit Defekten und mit der Probenoberfläche. Da-
bei addieren sich die Streu-Raten, also die reziproken Stoß-Zeiten. Nur die
Streuung an Phononen ist temperaturabhängig. Die anderen Effekte führen zu
einem konstanten Wert, der bei tiefen Temperaturen erreicht wird, wenn keine
Phononen besetzt sind.
Bereits in Kapitel 1 hatten wir die mittlere freie Weglänge definiert als (Gl.
1.10)
1
ℓ= = τ vF , (2.29)
nph σst

wobei wir hier den Streuquerschnitt σst genannt haben, um ihn von der Leit-
fähigkeit σ zu unterscheiden, und nph die Dichte der Phononen bezeichnet.
σst ändert sich bei diesen Temperaturen kaum, ist also für unsere Zwecke
konstant. Elektronen bewegen sich mit der Fermi-Geschwindigkeit vF , die so
den Zusammenhang zwischen Stoßzeit und Weglänge herstellt.
Bei einer Temperatur T (viel) größer als der Debye-Temperatur Θ ändert
sich die Dichte nph der Phononen wie T /Θ, so dass wir für die Leitfähigkeit
σ erhalten
(
const für T ≪ Θ
σ∝ . (2.30)
1
T für T ≫ Θ

Bei hohen Temperaturen ist die Leitfähigkeit also völlig durch die Dichte nph
der Phononen bestimmt. Der Übergangsbereich ist wie immer aufwändig
(Dichte der thermisch angeregten Phononen) und durch das Bloch-Grüneisen-
Gesetz beschrieben, das einen T −5 -Term liefert.8 8
Siehe z.B. Hunklinger, 2014

Zur Selbstkontrolle

7. Warum nimmt die elektrische Leitfähigkeit σ bei hohen Temperaturen (T ≫ Θ)

mit 1/T ab, obwohl sich die Elektronendichte nicht ändert? Welche Rolle spielt die
mittlere Stoßzeit τ dabei
 Fermi-Gas 25

Thermische Leitfähigkeit der Elektronen

Abschließend wollen wir noch die thermische Leitfähigkeit der Elektronen

diskutieren, nachdem die anderen Kombinationen aus Elektronen oder Pho-
nonen mit Wärmekapazität oder Wärmeleitfähigkeit schon früher besprochen
wurden. Im täglichen Leben machen wir die Erfahrung, dass Metalle Wärme
besser leiten als Isolatoren. Elektronen scheinen also einen hohen Beitrag zur
Wärmeleitfähigkeit zu liefern.
Die Wärmeleitfähigkeit der Phononen hatten wir in Gl. 1.9 definiert. Hier
gehen wir analog vor:
1
K = Cvℓ , (2.31)
3
wobei jetzt alle Größen als elektronische zu verstehen sind, also K die elek-
tronische Wärmeleitfähigkeit, C deren Wärmekapazität, v deren Geschwin-
digkeit und ℓ = vF τ die mittlere freie Weglänge. Wir setzen Gl. 2.21 für C ein
sowie die Fermi-Geschwindigkeit vF für v und erhalten
1 π 2 n kB T π 2 n kB
2
τ
K= vF ℓ = T (2.32)
3 2 TF 3 m
mit TF = mvF2 /(2kB ). Die Temperaturabhängigkeit der Stoßzeit τ der
Elektronen mit Phononen muss aber wie oben mit berücksichtigt werden.
Abgesehen davon ist die Wärmeleitfähigkeit K proportional zur Temperatur
T.

Zur Selbstkontrolle
8. Warum tragen nur Elektronen nahe der Fermi-Energie EF zur Wärmeleitung bei,
obwohl die Gesamtheit der Elektronen die Energie speichert? Welche Parallelen
gibt es zur elektrischen Leitfähigkeit?

Wiedemann-Franz-Gesetz

Da in der Temperaturabhängigkeit der elektrischen und auch der thermischen

Leitfähigkeit die Temperaturabhängigkeit der Elektron-Phonon-Streuung in
der Stoßzeit τ auftaucht, ist es nicht verwunderlich, dass beide Leitfähigkei-
ten miteinander in Beziehung stehen. Das ist das Wiedemann-Franz-Gesetz
 2
Kel π 2 kB
= T = LT (2.33)
σ 3 e
mit der universellen Lorenz-Zahl L ≈ 2.5 · 10−8 ΩWK−2 . Gute Wärme-
leiter sind also auch gute elektrischer Leiter. In der Realität gewichten die
beiden Transportprozesse die Streuung etwas unterschiedlich, so dass es zu
Abweichungen bei mittleren Temperaturen kommt, siehe Abb. 2.1.
Das Drude-Modell sagt das Wiedemann-Franz-Gesetz richtig voraus.
Dabei kompensieren sich allerdings der Fehler in der Wärmekapazität der
Elektronen mit dem in ihrer Geschwindigkeit9 . 9
siehe Gross und Marx, 2023, Kap. [Link]

Zur Selbstkontrolle
9. Warum bedeutet das Wiedemann-Franz-Gesetz, dass gute elektrische Leiter auch
gute Wärmeleiter sind?
26 Festkörperphysik II

Zusammenfassung

Schreiben Sie hier ihre persönliche Zusammenfassung des Kapitels auf. Kon-
zentrieren Sie sich auf die wichtigsten Aspekte und die am Anfang genannten
Ziele des Kapitels.

Literatur

Gross, Rudolf und Achim Marx (2023). Festkörperphysik. 4. De Gruyter. .

Hunklinger, Siegfried (2014). Festkörperphysik. 4. aktualisierte Auflage.
München: De Gruyter. .
Hust, Jerome G und Alan B Lankford (1984). “Thermal conductivity of alumi-
num, copper, iron, and tungsten for temperatures from 1 K to the melting
point”. In: NBSIR 84-3007. .
Rayne, JA (1956). “The Heat Capacity of Copper Below 4.2 °K”. In: Aust. J.
Phys. 9.2, S. 189–197. .
Simon, Steven H. (2013). The Oxford solid state basics. Oxford Univ. Press.
.
Singleton, John (2001). Band Theory and Electronic Properties of Solids.
Oxford Univ. Press.
Kapitel 3
Elektronen in Festkörpern
Markus Lippitz
21. Mai 2025

Ziele

• Sie können eine Bandstruktur wie die unten gezeigte erklären und die
Schritte zu ihrer Berechnung darstellen.

• Sie können die Konzepte ’effektive Masse’ und ’Loch’ erklären.

15 Abbildung 3.1: Die Bandstruktur von Alumini-

um in der Näherung quasi-freier Elektronen.
Nur die Fourier-Koeffizienten Vg wurden
als von Null verschieden angenommen.
10 Das kommt der vollständigen Rechnung
E (eV)

(Segall, 1961) schon ziemlich nahe. Wenn

das Potential vollständig ignoriert und nur
5 die Periodizität des Kristalls berücksichtigt
wird, dann erhält man den gestrichelten
Verlauf. Rechnung basierend auf Polakovic,
2022.
0
Γ X W L Γ K X

Überblick

Die zentrale Frage dieses Kapitels ist, wie das Coulomb-Potential der Atom-
kerne die Wellenfunktion und insbesondere die Energie-Eigenwerte der Elek-
tronen beeinflusst. Im letzten Kapitel hatten wir schon das freie Elektronen-
gas behandelt. Der Kristall bildet dabei ein großes Kastenpotential, aber die
Kerne selbst kommen nicht vor. Wir betrachten nun zwei weitere Fälle:

• die Näherung des (beinahe) leeren Gitters (empty lattice approximati-

on): die Kerne liefern ein periodisches, aber ansonsten sehr schwaches
Potential

• die Näherung stark gebundener Elektronen (tight binding): die Kerne

liefern ein quasi atomares Potential, mit einer schwachen Möglichkeit,
doch ans benachbarte Atom zu wechseln
Dieses Werk ist lizenziert unter einer Creative Commons “Namensnennung –
Weitergabe unter gleichen Bedingungen 4.0 International” Lizenz.
28 Festkörperphysik II

Schrödinger-Gleichung im reziproken Raum

Wir wollen dem Potential der Elektronen etwas mehr Struktur als nur einen
Kasten geben. Im letzten Kapitel hatten wir V (r) = const. angenommen.
Nun soll das Potential gitterperiodisch sein, also

V (r) = V (r + R) (3.1)

mit R einem Gittervektor im Realraum, also einer ganzzahligen Linearkombi-

nation der primitiven Gittervektoren. Dieses Potential können wir über seine
Fourier-Transformation beschreiben
X
V (r) = VG eiG·r (3.2)
G

mit G = Ghkl = hb1 + kb2 + lb3 einem reziproken Gittervektor mit den
ganzzahligen Koeffizienten h, k, l.
Wir machen für die Wellenfunktion den Ansatz einer Linearkombination
von ebenen Wellen mit dem Wellenvektor k
X
ψ(r) = Ck eik·r . (3.3)
k

Der Wellenvektor k kann wie immer (siehe beispielsweise Gl. 2.5) nur dis-
krete Werte annehmen. Anders als bei den Phononen kann er aber auch
außerhalb der ersten Brillouin-Zone liegen, da die Elektronen-Wellenfunktion
nicht nur an Gitterpunkten physikalische Bedeutung hat sondern im ganzen
Raum. Elektronen können an ’verschiedeneren’ Orten des Kristalls sein als
Kerne.
Nun setzen alles in die Schrödingergleichung ein
ℏ2 2
 
Ĥψ(r) = − ∇ + V (r) ψ(r) =Eψ(r) (3.4)
2m
!
ℏ2 2 X iG·r
X X
− ∇ + VG e Ck eik·r =E Ck eik·r (3.5)
2m
G k k

Wir multiplizieren die Klammer aus, leiten dabei die Wellenfunktion ab (was
ein −|k|2 liefert), und benennen übergangsweise den Summationsindex nach
k′ um:
X ℏ2 |k|2 X ′ X
Ck eik·r + VG Ck′ ei(G+k )·r = E Ck eik·r (3.6)
2m ′
k G,k k

Mit k = k + G erhalten wir

′
" #
ℏ 2
|k| 2
X  X
eik·r − E Ck + VG Ck−G = 0 . (3.7)
2m
k G

Diese Gleichung muss für jedes r gelten, also muss der Inhalt der Klammer
für jedes k Null sein:
ℏ |k|
 2 2  X
− E Ck + VG Ck−G = 0 . (3.8)
2m
G

Dieser Gleichungssystem ist die Schrödinger-Gleichung im reziproken Raum,

für Elektronen in einem gitterperiodischen Potential. Wir sehen den Wellen-
vektor k als Quantenzahl an. Für jedes k findet man eine Energie Ek und eine
Wellenfunktion Ψk als Lösung der Schrödingergleichung.
 Elektronen in Festkörpern 29

Das Gleichungssystem ist zunächst unendlich groß, weil die Summe über
G erst einmal nicht beschränkt ist. In der Praxis zeigt sich aber, dass bei
Coulomb-artigen Potentialen die Fourier-Koeffizienten VG des Potentials
schnell mit |G| abfallen, so dass letztendlich doch nicht so viele Gleichungen
gekoppelt sind. Auch koppelt das Gleichungssystem nicht alle Koeffizienten
Ci miteinander, sondern nur die, die um einen reziproken Gittervektor G
auseinander liegen, also Ck mit Ck±G′ , Ck±G′′ , etc.
Daher können wir die Wellenfunktion ψ etwas ’sparsamer’ schreiben.
Statt die Summe in Gl. 3.3 über den gesamten reziproken Raum laufen zu
lassen, also reellwertige Koeffizienten für die Linearkombination von bi
zuzulassen, summieren wir nun nur über Punkte des reziproken Raumes, die
um ganzzahlige reziproke Gittervektoren auseinander liegen, also über viel
weniger Punkte. Damit wird ψ
X
ψk (r) = Ck−G ei(k−G)·r . (3.9)
G

Zur Selbstkontrolle

1. Wie kommt es, dass aus einer Schrödingergleichung im Realraum jetzt ein ganzes
Gleichungssystem (3.8) in reziproken Raum wird?

2. Skizzieren Sie eine Elektronen-Wellenfunktion für ein k innerhalb und außerhalb

der ersten Brillouinzone.

Bloch-Theorem

Bevor wir auf die Energien Ek eingehen, betrachten wie die Wellenfunktionen
ψk (r) noch etwas genauer. Wir wir gleich sehen werden, können wir dabei k
auf die erste Brillouinzone beschränken. Wir klammern eine ebene Welle aus:
X X
ψk (r) = Ck−G ei(k−G)·r = eik·r Ck−G e−iG·r (3.10)
G G

=uk (r) eik·r . (3.11)

Jede Wellenfunktion lässt sich also schreiben als Produkt einer ebenen Welle
eik·r aus der ersten Brillouinzone und einer gitterperiodischen Funktion
uk (r), die diese räumlich moduliert. Diese Art der Aufteilung nennt man
Bloch-Wellen. Das Bloch-Theorem besagt, dass allgemein Lösungen der
Schrödingergleichung in einem periodischen Potential von dieser Form sein
müssen1 . Die Aufteilung zwischen ebener Welle und u(r) ist dabei nicht 1
siehe z.B. Czycholl, 2016
eindeutig, weil immer ein Phasenfaktor zwischen beiden verschoben werden eikx ψ
kann.
Elektronen sind also in einem Kristall keine ebenen Wellen mehr wie x
im freien Raum. Die ebenen Wellen des freien Raumes werden durch die
Funktionen uk (r) moduliert. Diese beschreiben den Einfluss der Gitters,
Abbildung 3.2: Die Wellenfunktion ψ ist
insbesondere seine Periodizität. das Produkt einer ebenen Welle eikx mit
Die uk (r) sind durch die Fourier-Darstellung gitterperiodisch, also einer gitterperiodischen Funktion uk (x).
Dargestellt ist jeweils der Realteil. Graue
Kreise symbolisieren die Atomkerne.
uk (r) = uk (r + R) . (3.12)
30 Festkörperphysik II

Bloch-Wellen ψk (r) sind periodisch im reziproken Raum:

X ′
ψk+G (r) =ei(k+G)·r Ck+G−G′ e−iG ·r (3.13)
G′
X ′
=eik·r Ck−(G′ −G) e−i(G −G)·r (3.14)
G′
X ′′
=eik·r Ck−G′′ e−iG ·r
(3.15)
G′′

=ψk (r) . (3.16)

Daher reicht es aus k aus der ersten Brillouinzone zu wählen. Man kann die
räumlich schnelle Modulation durch Wellenvektoren außerhalb der ersten
Brillouinzone so in die gitterperiodische Funktion u(r) verschieben, dass
nur noch ein räumlich langsamer Anteil entsprechend einem Wellenvektor
innerhalb der ersten Brillouinzone übrigbleibt.
Das bedeutet auch, dass ℏk nicht als Impuls verstanden werden kann.
Noch deutlicher: Bloch-Wellen sind keine Eigenfunktionen des Impuls-
Operators. Manchmal bezeichnet man k als Kristallimpuls, eine Art verall-
gemeinertem Impuls. Da ein Kristall keine vollständige Translationsinvarianz
mehr besitzt, gilt eben auch die Impulserhaltung nur noch eingeschränkt. Das
ist hier völlig analog zu der Diskussion bei Phononen.
Wenn es für die Wellenfunktion ψk (r) egal ist, ob man einen reziproken
Gittervektor G addiert, dann ist es das auch für die Energie, also

Ek = Ek+G . (3.17)

Reduziertes Zonenschema

Zur Veranschaulichung machen wir nun eine sehr weitgehende Näherung: wir
nehmen wie beim freien Elektronengas an, dass gar kein Potential vorhanden
ist, aber die Periodizität des Raums weiterhin erhalten bleibt (ohne zu sagen,
was da nun noch periodisch sein soll). Wir wenden also den Formalismus
auf V = 0 an. Damit verschwinden alle Fourier-Koeffizienten VG und das
Gleichungssystem Gl. 3.8 zerfällt in einzelne Gleichungen mit der Lösung

ℏ2
und
2
Ek = |k| ψ = eik·r . (3.18)
2m
Im Eindimensionalen ist das wie erwartet ein parabelförmiger Zusammen-
hang zwischen Wellenvektor und Energie. Wenn wir k über den ganzen rezi-
proken Raum laufen lassen, nicht nur die erste Brillouinzone, dann nennt man
diese Darstellung ausgedehntes Zonenschema (Abbildung 3.3 links).
Jetzt nehmen wir die Periodizität aus den Bloch-Wellen hinzu. Wir ad-
dieren jeweils einen reziproken Gittervektor, so dass wir wieder in der ers-
ten Brillouin-Zone landen. Die Energie bleibt unverändert. Das nennt man
reduziertes Zonenschema. Man kann sich auch vorstellen, dass die Disper-
sionsrelation immer wieder zurückgefaltet wird, wenn sie die Grenze der
Brillouinzone erreicht. Dies ist eine allgemeine Eigenschaft von Blochwellen,
d.h. von Lösungen der Schrödingergleichung in einem periodischen Potential.
So kann man auch den optischen Zweig der Phononen als zurückgefaltete
akustische Phononen auffassen, wenn die Brillouin-Zone halb so groß ist.2 2
Falls Sie diese Übungsaufgabe einmal
gesehen haben
 Elektronen in Festkörpern 31

Es wird deutlich, dass der Zusammenhang zwischen dem Wellenvektor

k und der Energie nicht eindeutig ist. Man definiert einen Band-Index n,
der die Energien in der ersten Brillouin-Zone aufsteigend sortiert. Was wir
als ’Rückfaltung’ beschreiben, ist eigentlich die Addition der reziproken
Gittervektoren. Für jeden reziproken Gittervektor Gn erhalten wir eine neue
verschobene Parabel, also

ℏ2
und
2
En,k = |k + Gn | ψn,k = ei(k+Gn )·r . (3.19)
2m
Zeichnet man diese En,k über den gesamten reziproken Raum und nicht nur
über die erste Brillouin-Zone, so spricht man von einem periodischen Zonen-
schema. Man kann sich auch vorstellen, dass viele reduziertes Zonenschema
nebeneinander periodisch wiederholt werden.
Im Eindimensionalen sind die En,k Parabeln, die von jedem Punkt Gn im
reziproken Raum starten. Im Dreidimensionalen zeichnet man die Energie
entlang eines Pfades durch den reziproken Raum, beispielsweise entlang der
x-Komponente des Wellenvektors. Dann kommt zu den Rück-Faltungen noch
hinzu, dass es einen Offset aufgrund der y und z-Komponenten in Gn gibt.
Dies allein erklärt schon einen großen Teil der Dispersionsrelation, nämlich
die gestrichelten Linien in Abb. 3.1.

ausgedehntes periodisches reduziertes Abbildung 3.3: Zonenschemata. Die ver-

tikalen Linien geben die Grenzen der
Brillouinzonen wieder (bei ganzzahligen
Vielfachen von π/a, aber nicht k = 0).

0 k 0 k 0 k

Zur Selbstkontrolle

3. Skizzieren Sie für ein dreidimensionales kubisch-primitives Gitter die Dispersions-

relation entlang kx in der Näherung V ≈ 0.

4. Skizzieren Sie zwei Wellenfunktionen bei gleichem Wellenvektor k innerhalb der

ersten Brillouinzone aber verschiedenem Band-Index n.

Näherung der beinahe freien Elektronen

Nun wollen wir das Potential hinzunehmen, aber weiterhin als ’schwach’ be-
trachten, eben ’beinahe freie’ Elektronen. Im Englischen nennt man das empty
lattice approximation. In der Schrödingergleichung 3.8 kommen die Fourier-
Koeffizienten VG des Potentials vor. Im Eindimensionalen ist Gn = 2πn/a,
mit der Gitterkonstante a. Das betragsmäßig kleinste G ist also g = 2π/a.
Wir nehmen also an, dass nur V±g von Null verschieden ist. V0 beschreibt
einen konstanten Offset, den wir bei einer Energie-Achse immer zu Null wäh-
len können. Alle höheren VG sollen der Einfachheit halber ebenfalls Null sein.
32 Festkörperphysik II

Wenn die V±g klein sind, dann wir die Lösung ähnlich dem vorangegangenen
Abschnitt sein, also zurückgefaltete Parabeln innerhalb der ersten Brillouin-
zone:
ℏ2 k 2 ℏ2 (k ± g)2
Ek0 = bzw. Ek±g 0
= . (3.20)
2m 2m
Damit wird die Schrödingergleichung 3.8 zu3 3
in Gl. 3.8 k in k′ umbenennen und dann
k′ = k, k − g, k + g setzen.
   
Ek0 − E Vg V−g Ck
0
 V−g Ek−g −E 0  · Ck−g  = 0 . (3.21)
   
0
Vg 0 Ek+g −E Ck+g

Die dreidimensionale Lösung dieses Gleichungssystems ist in Abb. 3.1 dar-

gestellt und kommt der vollständigen Rechnung schon sehr nahe. Das Pluto-
Skript4 für diese Abbildung ist inspiriert von Polakovic, 2022. 4
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Interessant wird es an der Grenze der Brillouinzone, also bei k = ±g/2.
Dort schneiden sich zwei Parabeln. Die Zustände sind ohne Potential also
energetisch entartet. Lassen Sie uns diese Stelle im Fall von V±g ̸= 0
genauer betrachten. Bei beispielsweise k = +g/2 sind die ersten beiden
Diagonalelemente von Gl. 3.21 nahe Null, das dritte betragsmäßig deutlich
größer. Damit die dritte Zeile sich trotzdem zu Null summiert, muss also
hier Ck+g ≈ 0 sein. Andersherum: An der rechten Grenze der Brillouinzone
schneiden sich die Parabeln, die von G = 0 und von G = +g ausgehen.
Nur diese beiden Koeffizienten Ci bzw. diese ebenen Wellen5 tragen bei. Das 5
Wir zeichnen die Energie in der Disper-
Gleichungssystem wird noch einfacher sionsrelation, aber es gehört immer eine
Wellenfunktion ψ dazu, die eine Bloch-Welle
! ! ist.
Ek0 − E Vg Ck
0
· =0 . (3.22)
V−g Ek−g − E Ck−g

Wir nehmen weiterhin an, dass das Potential inversionssymmetrisch ist, also
Vg = V−g , bzw. V (x) ∝ − cos(gx). Damit finden wir die Energie-Eigenwerte
Energie E (willk.E.)

v !2
Ek0 + Ek−g
0 u E0 − E0
u
k k−g
E± = ∓ t + Vg2 . (3.23)
2 2

An der Grenze der Brillouinzone bildet sich eine Bandlücke: während vor- −0.5 0 0.5
Wellenvektor k (2π/a)
her alle Energiewerte (bei entsprechendem k) möglich waren, so gibt es
Abbildung 3.4: Das Potential Vg bewirkt eine
nun keine Zustände mehr mit Energien im Bereich Ek0 ± Vg . Die Größe der
Bandlücke an der Grenze der Brillouinzone.
Bandlücke ist also 2Vg und ihr Auftreten direkt verbunden mit den Fourier- In der Nähe der Bandlücke verläuft die
Koeffizienten V±g des Potentials. Die Dispersionsrelation E(k) nähert sich Dispersionsrelation parabelförmig.

mit horizontaler Asymptote der Grenze der Brillouinzone, also ist die Grup-
pengeschwindigkeit Null, was einer stehenden Welle entspricht. In erster
Näherung ist der Bandverlauf in der Nähe der Bandlücke parabelförmig.

Zur Selbstkontrolle

5. Lesen Sie den Blog-Artikel Polakovic, 2022. Das sollten Sie jetzt alles gut verste-
hen.

6. Im periodischen Zonenschema (Abb. 3.3) kommt es an vielen Stellen zu einer

Entartung. Skizzieren sie dieses Schema für den Fall V ̸= 0.
 Elektronen in Festkörpern 33

Anschauliche Interpretation I

Für die Koeffizienten Ck und Ck−g findet man durch Einsetzen der E±

E − ℏ2m
2 2
k
Ck−g
= . (3.24)
Ck Vg

Bei k = g/2 wird der Zähler also ±|Vg | und damit die beiden Koeffizienten
betragsmäßig gleich. An dieser Stelle sind die Eigenfunktionen also

ψ+ ∝ eigx/2 + e−igx/2 ∝ cos(gx/2) (3.25)

igx/2 −igx/2
ψ− ∝ e −e ∝ sin(gx/2) . (3.26)

Die Ladungsdichte ist das Betragsquadrat der Wellenfunktion. Bei einer ebe-
nen Welle ist die Ladungsdichte räumlich konstant. Durch die Überlagerung
zweier ebener Wellen ergibt sich ein Interferenzmuster in der Ladungsdichte
 πx   πx 
|ψ+ |2 ∝ cos2 und |ψ− |2 ∝ sin2 . (3.27)
a a
Die Atomkerne mit dem zugehörigen attraktiven Coulomb-Potential sitzen bei
x = na. Die symmetrische Wellenfunktion ψ+ hat also eine erhöhte Auf-
enthaltswahrscheinlichkeit in der Nähe der Kerne, und damit eine reduzierte
Energie E+ . Bei der antisymmetrischen Wellenfunktion ψ− ist es gerade
andersherum. Der symmetrische Fall erinnert an s-Orbitale des Wasserstoff-
Atoms, der antisymmetrische an die p-Orbitale.
An der Grenze der Brillouinzone können zwei ebene Wellen also so hybri-
disieren, dass dadurch für eine der beiden neuen Eigenfunktionen die Energie
abgesenkt wird. Im Gegenzug erhöht sich die Eigenenergie der anderen.
Dies ist sehr ähnlich dem bindenden und anti-bindenden Potential bei H2+ in
der Molekülphysik. Fern der Grenzen der Brillouinzone sind die Energien der
beiden Zustände so unterschiedlich, dass die Beschreibung durch die alten,
ungekoppelten Zustände gültig bleibt: Der Term Ek0 − Ek−g
0
ist viel größer als
Vg , so dass der Effekt von Vg vernachlässigt werden kann.
Eigenwert-Gleichungen der Form 3.22 sind ein häufig vorkommendes
Motiv in der Physik. Zwei Zustände geringfügig unterschiedlicher Energie
koppeln dann zu neuen, hybridisierten Zuständen, wenn ihre Energiedifferenz
kleiner als die Kopplungsenergie ist. Wenn man die Energiedifferenz variiert
(hier durch Ändern von k) dann werden die Energien sich kreuzen (wie im
letzten Abschnitt). Die Kopplungsenergie Vg führt zu einer Vermeidung der
Kreuzung (engl. avoided crossing). Das ist kein quantenmechanischer Effekt.
Auch gekoppelte Pendel koppeln nur, wenn die Eigenfrequenzen vor der
Kopplung sehr ähnlich waren. Wenn sie dann aber koppeln, dann findet man
zwei verschiedene Eigenfrequenzen, deren Abstand durch die Stärke der
Kopplung bestimmt ist.

Anschauliche Interpretation II

Man kann auch aus einem anderen Blickwinkel darauf schauen. Eine ebene
Welle eikx , die in positive x-Richtung läuft, wird an dem Gitter der Atome mit
der Gitterkonstante a gestreut. In der Laue-Streutheorie entspricht das der
Addition eines reziproken Gittervektors G, hier der kleinste g = ±2π/a.
34 Festkörperphysik II

Dadurch entsteht eine auslaufende Welle mit dem Wellenvektor k − g, also

in negative x-Richtung laufend. An der Stelle k = ±g/2, also am Rand
der Brillouinzone, hat diese nach links laufende Welle genau den gleichen
Wellenvektor, wie die Welle, die zur Parabel bei G = +g gehört. Diese beiden
interferieren also konstruktiv miteinander. Anders gesprochen: die Streuung
führt bei Erfüllen der Laue-Bedingung ∆k = G zur Interferenz der beiden
Wellen. Dies entspricht dem Koppeln der Zustände wie oben besprochen.

Zur Selbstkontrolle

7. Im periodischen Zonenschema (Abb. 3.3) kommt es an vielen Stellen zu einer Ent-

artung. Welche Fourier-Koeffizienten des Potentials bewirken wo eine Bandlücke?

Näherung stark gebundener Elektronen

In den letzten Abschnitten haben wir die Bandstruktur, insbesondere die

Existenz einer Bandlücke, hergeleitet unter der Annahme, dass die Elektronen
quasi frei sind und nur ein schwaches, periodisches Potential wirkt. Nun
machen wir genau das Gegenteil und kommen zum gleichen Ergebnis. Wir
nehmen an, dass die Elektronen stark gebunden sind, wie in einem Atom,
und sie mit geringer Wahrscheinlichkeit zum Nachbaratom tunneln können.
Das Modell nennt sich tight binding und ist analog zur linear combination of
atomic orbitals (LCAO) in der Molekülphysik.
Im Folgenden bezeichnet die Tilde Variablen, die für ein einzelnes Atom
gelten. Sei also Ṽ das Coulomb-artige Potential eines Atoms. Wir kennen die
Lösungen ψ̃ der Schrödingergleichung

ℏ2 2
 
HA ψ̃ = − ∇ + Ṽ ψ̃ = Ẽ ψ̃ . (3.28)
2m

Im Kristall gibt es nun an den Gitterpunkten Rm Atomkerne, die einen zusätz-

lichen Störterm im Hamilton-Operator bewirken
X
HS = Ṽ (r − Rm ) , (3.29)
m̸=n

wobei das Atom bei Rn schon im ungestörten Operator berücksichtigt ist.

Als Ansatz für die Wellenfunktion wählen wir wie in LCAO eine Superposition
von Atom-Eigenfunktionen an den Orten Rm , also
X
ψ= am ψ̃(r − Rm ) . (3.30)
m

Jetzt benutzen wir das Bloch-Theorem6 : der gitter-periodische Anteil uk 6

Es würde auch ohne gehen, macht es aber
wird durch die Wellenfunktionen ψ̃(r − Rm ) geliefert, also muss die ebene hier einfacher.

Welle in den Koeffizienten am stecken, also

am ∝ eik·Rm (3.31)

bei passender Normierung. Somit wird also die Wellenfunktion

1 X
ψ=√ ψ̃(r − Rm ) eik·Rm . (3.32)
N m
 Elektronen in Festkörpern 35

Die Eigen-Energie ist wie immer

R ⋆
ψ H ψ dV
E= R ⋆ . (3.33)
ψ ψ dV

Der Nenner ist nahe bei Eins, weil die Atom-Wellenfunktionen sich nur sehr
wenig überlappen. Der Zähler ist interessanter. Die Summen über die Atom-
Positionen können wir vor das Integral ziehen
1 X ik·(Rm −Rn )
Z
E= e ψ̃ ⋆ (r−Rn ) [HA + HS (r − Rm )] ψ̃(r−Rm ) .
N m,n
(3.34)

Wir können drei Beiträge unterscheiden

• Integranden der Form ψ̃n⋆ HA ψ̃n . Das sind die Eigenenergien der Atome,
die wir schon kennen.

• Integranden der Form ψ̃n⋆ HS ψ̃n . Das ist der Einfluss der Potentiale der
anderen Atome (in HS ) auf ’unser’ Atom n. Wir kürzen dieses Coulomb-
Integral mit −α ab.

• Integranden der Form ψ̃n⋆ HS ψ̃m . Das ist der Einfluss des Überlapps mit
den anderen Wellenfunktionen. Wir kürzen dieses Transfer-Integral mit
−βm ab.

Insgesamt haben wir damit7 7

Die Summen über Ẽ und α liefern ein N ,
was sich mit der Normierung kürzt.
X
E = Ẽ − α − βm eik·(Rm −Rn ) . (3.35)
m

Das Coulomb-Integral α bewirkt einer Energie-Absenkung, weil auch die

Nachbar-Atome etwas attraktives Coulomb-Potential beisteuern. Das
Transfer-Integral β kann sowohl positiv als auch negativ sein, und auch
richtungsabhängig, wie bei der kovalenten Bindung in der Molekülphysik.
Auch da hatten wir gesehen, dass s- und p-Orbitale je nach Anordnung anzie-
hende oder abstoßende Energiebeiträge liefern können. Genau das gleiche
passiert hier. Dieses Integral liefert die Abhängigkeit von Wellenvektor k und
damit die Dispersionsrelation.

Zur Selbstkontrolle

8. Schauen Sie sich noch einmal die quantenmechanische Behandlung von H2+ in der
Molekülphysik an und vergleichen das mit diesem ’tight-binding’ Modell.

Beispiel: kubisch-primitives Gitter

Als Beispiel betrachten wir ein kubisch-primitives Gitter, erlauben nur Wech-
selwirkung zwischen nächsten Nachbarn, und nehmen die Wechselwirkung
als richtungsunabhängig an, wie sie bei atomaren s-Orbitalen wäre. Für den
Term Rm − Rn kommen damit nur die drei (kartesischen) Gittervektoren der
Länge a jeweils mit beiden Vorzeichen in Frage. Das Skalarprodukt ausmulti-
pliziert ergibt

E = Ẽ − α − 2β [cos(kx a) + cos(ky a) + cos(kz a)] . (3.36)

36 Festkörperphysik II

Insgesamt wird damit ein Band der Breite Ẽ − α ± 6β abgedeckt. Das

Band hat einen Kosinus-förmigen Verlauf. Am Γ-Punkt und an der Grenze
der Brillouinzone stimmt es somit mit dem parabelförmigen Verlauf der
Näherung quasi-feier Elektronen überein.
Ein wichtiger Aspekt des ’tight binding’-Modells ist, dass die Zustände der
Elektronen im Kristall mit den atomaren Zuständen der Energie Ẽ verknüpft
sind. Damit verbunden sind ’vererbte’ Eigenschaften der atomaren Zustände,
wie z.B. die Form der atomaren Wellenfunktion oder die Spinorientierung, die
sich in den Zuständen der Bandstruktur widerspiegeln.

Vokabeln: Metalle, Halbleiter und Isolatoren

Sowohl in der Näherung der schwach gebundenen Elektronen (empty lattice

approximation), als auch in der der stark gebunden Elektronen (tight binding)
haben wir eine Dispersionsrelation für die Elektronen8 gefunden, die Band- 8
Evl. besser das Elektron, weil wir ja in der
lücken besitzt. Durch diese Lücken entstehen Bänder. Die entscheidende Fra- Ein-Elektron-Näherung sind.

ge für sehr viele Eigenschaften der Materialien ist nun, bis wohin Elektronen
eingefüllt sind. Wo liegt die Fermi-Energie EF , also welches ist das höchste
besetzte Niveau bei T = 0? Wie die Lage von EF welche Eigenschaften
beeinflusst werden wir im nächsten Kapitel besprechen.
Hier klassifizieren wir Materialien nach der Lage der Fermi-Energie EF
relativ zur Bandstruktur. Bei einem Metall liegt EF in einem Band, bei einem
Isolator in einer Bandlücke. Das Band, das vollständig unterhalb von EF liegt,
nennt man Valenzband, das (teilweise) über EF Leitungsband. Als Halb-
Metall bezeichnet man ein Material, bei dem EF mit einem geringfügigen
Überlapp von Bändern zusammenfällt. Ein Halbleiter unterscheidet sich
eigentlich nicht von einem Isolator. Im Allgemeinen ist bei Halbleitern die
Bandlücke kleiner, so dass Elektronen thermisch ins Leitungsband angeregt
werden können. Der Übergang ist aber fließend.

Elektron als Wellenpaket

Wir hatten oben die Wellenfunktion des Elektrons als (ebene) Bloch-Welle
geschrieben
ϕk (r) = uk (r) eik·r , (3.37)

die zwar eine gitterperiodische Modulation uk (r) besitzt, aber ansonsten

räumlich unendlich ausgedehnt ist. Das ist für Transportprozesse ungeeignet.
Das Teilchen-Bild ist besser an die Fragestellung angepasst. Wir bauen also
aus verschiedenen Bloch-Wellen ein Wellenpaket, das sich dann wie ein
Teilchen benimmt:
X ′
ψn,k (r, t) = a(k′ ) ϕk′ (r) e−iEn (k )t/ℏ (3.38)
k′
X ′ ′
= a(k′ ) uk′ (r) ei(k ·r−En (k )t/ℏ) , (3.39)
k′

wobei die Summe in k′ über das Intervall k ± δk/2 läuft. En (k′ ) ist die
Dispersionsrelation des n-ten Bandes. Die Idee ist, dem Wellenpaket des
 Elektronen in Festkörpern 37

Elektrons eine Gruppengeschwindigkeit vn zuzuordnen, über

1 ∂En (k)
vn = . (3.40)
ℏ ∂k
Dazu muss aber k gut genug definiert sein, also δk klein genug, insbeson-
dere gegenüber der Größe der Brillouinzone. Das geht dann, wenn der Gitter-
abstand im Realraum viel kleiner ist als die Ausdehnung des Wellenpakets,
die wiederum viel kleiner sein muss als die Wellenlänge des externen elek-
trischen Feldes. Dies nennt man ein semi-klassisches Modell. Da sich der
Bandindex n in unserem Modell nicht ändern kann lassen wir ihn zukünftig
weg.

Zur Selbstkontrolle
9. Vergleichen Sie die Bewegung eines Elektrons als Wellenpaket mit Wellen auf
einem Seil. Was ist das Analogon zum Elektron? Was ist die Gruppen- und Phasen-
geschwindigkeit?

Effektive Masse

Wir verwenden nun diese Wellenpaketdarstellung des Teilchens, um seine

Bewegung unter der Wirkung einer Kraft darzustellen, die aus elektromagne-
tischen Feldern resultiert. Die Bewegungsgleichung ist klassisch F = ṗ.
Analog gilt hier
dk
ℏ = F(r, t) = q [E(r, t) + v(k) × B(r, t)] (3.41)
dt
wobei ℏk als Quasi-Impuls zu verstehen ist, also jederzeit ein reziproker
Gittervektor G addiert werden kann. Die Ladung des Elektrons ist q = −e.
Eine äußere Kraft führt also zu einer Bewegung des Elektrons im reziproken
Raum.
Nun beschaffen wir uns einen Term für die Masse des so beschriebenen
Elektrons. Die Masse ist die Proportionalitätskonstante zwischen Kraft
und Beschleunigung und damit die zentrale Größe für die Bewegung eines
Teilchens. Wir starten mit der zeitlichen Ableitung von Gl. 3.40
∂v 1 ∂ 2 E(k) 1 ∂ 2 En (k) 1 ∂ 2 En (k)
= = 2 ℏk̇ = 2 F (3.42)
∂t ℏ ∂t∂k ℏ ∂k∂k ℏ ∂k∂k
wobei wir im zweiten Schritt Zähler und Nenner mit ∂k erweitert und dann die
Ableitungen umsortiert haben. Das können wir in den cartesischen Kompo-
nenten schreiben
1 X ∂ 2 E(k) X 1  1 ∂ 2 E(k)
 
1
v̇i = 2 Fj = F j mit =
ℏ j ∂ki ∂kj j
m⋆ ij m⋆ ij ℏ2 ∂ki ∂kj
(3.43)

Den Tensor m⋆ nennt man effektive Masse. Er beschreibt die dynamischen

Eigenschaften des Elektrons im Kristall und ist gegeben durch die Krümmung
(also zweite Ableitung) der Dispersionsrelation. Der Tensor ist symmetrisch
und lässt sich auf drei Hauptachsen transformieren. Wenn die alle gleich
groß sind, dann vereinfacht sich alles zu
ℏ2
m⋆ (k) = . (3.44)
∂ 2 E(k)/∂k 2
38 Festkörperphysik II

Das ist beispielsweise in der Nähe der Ober- und Unterkanten eines Bandes
der Fall, wo wir die Dispersionsrelation nähern können als

ℏ2
kx2 + ky2 + kz2


Ek = E0 ± ⋆
. (3.45)
2m
Die effektive Masse ist also der Parameter, der die (inverse) Breite eines
parabelförmigen Bandes beschreibt. Stark gekrümmte Bänder haben eine
geringe effektive Masse, und andersherum.
Was ist hier passiert? Wir haben den Einfluss der vielen Coulomb-Potentiale
um die Atomkerne im Kristall zusammengefasst und in eine Eigenschaft des
Elektrons gesteckt. Die (effektive) Masse des Elektrons hängt nun vom Kris-
tall ab, in dem es sich bewegt. Das erlaubt es uns aber, das komplizierte
Problem ’Elektron zwischen vielen Kernen’ in ein einfaches Teilchen-Modell
zu überführen. Nur müssen wir uns von der klassischen Vorstellung einer
Masse lösen. Die effektive Masse hängt von der Krümmung des Bandes ab.
Die kann aber Null werden (die Masse dadurch unendlich), oder auch negativ.
Im ’tight binding’ Modell ist die Dispersionsrelation

ℏ2
E(k) = − cos(ka) und somit m⋆ (k) = (3.46)
a2 cos(ka)

an der Grenze der Brillouinzone (k = π/a) ist also m⋆ = −ℏ2 /a2 . Die
Masse ist nur der Proportionalitätsfaktor zwischen Kraft und Beschleuni-
gung. Hier wirkt die Kraft in eine Richtung, die Beschleunigung geht in die
entgegengesetzte.

Zur Selbstkontrolle

10. Man kann die Bewegung einer Kugel in einer Flüssigkeit als Analogon zur Bewe-
gung eines Elektrons im Festkörper sehen. Die Reibung mit der Flüssigkeit ändert
die effektive Masse der Kugel. Skizzieren Sie diese effektive Masse.

11. Tensorielle Massen sind gewöhnungsbedürftig. Beschreiben Sie die Wirkung des
Kiels eines Segelschiffes als tensorielle Masse.

Nebenbemerkung: Bloch-Oszillationen

Das sich ändernde Vorzeichen der Masse führt zu Bloch-Oszillationen, zumin-

dest in idealen Systemen. Ein konstantes äußeres elektrisches Feld führt via
3.41 zu einer gleichmäßigen Bewegung des Elektrons im reziproken Raum.
Dabei werden auch Grenzen der Brillouinzonen überschritten. Alles ändert
sich also periodisch, und damit auch die Geschwindigkeit und Bewegungs-
richtung der Elektronen. Das sind die Bloch-Oszillationen. Die Periodendauer
TB lässt sich ausrechnen als die Zeit, die das Elektron braucht, einmal die
Brillouinzone zu durchqueren, also

2π/a h
TB = = . (3.47)
eE/ℏ aeE

Bei einem elektrischen Feld E = 1 kV/m und einer Gitterkonstante a = 2 Å

ergibt sich eine Periodendauer TB = 20 ms. Bei einer Fermi-Geschwindigkeit
v = 106 m/s beträgt die räumliche Amplitude der Bewegung etwa 5 mm.
 Elektronen in Festkörpern 39

Dieser Effekt tritt so nicht auf. Elektronen stoßen selbst in reinen Kris-
tallen typischerweise alle 10 fs oder 10 nm Weglänge. Selbst in idealen
Kristallen würde das Elektron noch mit anderen Elektronen stoßen. Man
kann aber Modellsysteme herstellen, in denen Bloch-Oszillationen gezeigt
wurden. Dazu baut man die Potentiale der Atome durch Kastenpotentiale in
Halbleiter-Heterostrukturen auf einer größeren Längenskala nach. Damit wird
die Gitterkonstante a viel größer und die Periodendauer TB und somit auch
die Auslenkung viel kleiner.

Löcher

Wir hatten schon den Effekt von Coulomb-Potentialen in die Masse der Elek-
tronen verschoben. Jetzt werden wir fehlende Elektronen mit einer positiven
Ladung versehen und auch als Teilchen behandeln. Unser Ziel ist es, den
Ladungstransport in einem Material zu beschrieben, dessen Bandstruktur
wir kennen. Jedes Elektron trägt dazu mit seiner Geschwindigkeit (Gl. 3.40)
bei. Wir integrieren einfach über alle Elektronen, um die Stromdichte9 j zu 9
Strom pro Fläche
bekommen
−e 2V −e
Z Z
j= v(k) f (E, T ) dk = v(k) f (E, T ) dk (3.48)
V [Link] (2π)3 4π 3 [Link]

mit dem Kristall-Volumen V und der Fermi-Dirac-Verteilung f (E, T ). Der

erste Term im ersten Integral ist die Zustandsdichte im reziproken Raum. Wir
vereinfachen die Gleichung weiter, indem wir T = 0 annehmen, wodurch die
Fermi-Verteilung eine Stufenfunktion wird
−e −e
Z Z
j= v(k) dk = ∇k E(k) dk . (3.49)
4π 3 besetzt 4π 3 ℏ besetzt
Dieses Integral wird Null, wenn das Band vollständig besetzt ist. Dann gibt es
aufgrund der Punktsymmetrie des reziproken Gitters für jedes Elektron mit k
eines mit −k, das also bei ansonsten gleicher Energie und Geschwindigkeit
in die entgegengesetzte Richtung läuft. Ein voll besetztes Band trägt nicht
zum Ladungstransport bei! Damit können wir aber schreiben
−e
Z
j= 3 v(k) dk (3.50)
4π besetzt
−e
Z Z 
= 3 v(k) dk − v(k) dk (3.51)
4π
Z [Link] leer
+e
= 3 v(k) dk (3.52)
4π leer
weil eben das Integral über die komplette erste Brillouinzone Null ergibt.
Anstatt über alle besetzten Zustände zu integrieren und mit einer negativen
Ladung zu multiplizieren können wir auch über alle unbesetzten Zustände
integrieren und mit einer positiven Ladung multiplizieren. Wir nennen die
unbesetzten Zustände für Elektronen Löcher und weisen ihnen eine positive
Elementarladung zu.
Das hat große Vorteile, weil wir oft über nahezu volle Bänder integrieren
müssen. Dann ist es einfacher, nur über den leeren Anteil der Löcher zu
integrieren, insbesondere auch, weil wir dann in der Nähe des Maximums des
Bandes10 das Band wie in GL. 3.45 parabolisch nähern können. 10
Löcher sind wie Luftblasen und steigen
nach oben
40 Festkörperphysik II

Um Elektronen von Löchern zu unterscheiden kennzeichnen wir erstere

mit dem Index ’n’ (wie negativ geladen), letztere mit einem ’p’ (wie positiv
geladen). Weil voll kdk = 0 ist ein Loch immer das Gegenteil des Elektrons,
R

dessen Stelle es einnimmt, also

kp = −kn Ep (k) = −En (k) m⋆p = −m⋆n qp = −qn = +e

(3.53)

aber
vp (k) = vn (k) (3.54)

weil dabei zweimal das Vorzeichen gewechselt wird. Ein Loch wirkt wie ein
Teilchen mit positiver Ladung. Bei einem angelegten elektrischen Feld haben
wir also Ladungstransport durch Elektronen, die sich in die eine Richtung
bewegen, und Löcher, die sich in die andere Richtung bewegen. Die Summe
aus beiden bildet den beobachteten Strom.
Das Konzept ’Loch’ sieht harmlos aus, ist aber für die Festkörperphysik
von zentraler Bedeutung! Es vereinfacht die Beschreibung der 1023 Elektro-
nen in einem Festkörper erheblich.

Zur Selbstkontrolle
12. Finden Sie Analogien zum ’Loch’ in der Festkörperphysik und wie diese helfen,
Dinge zu vereinfachen.

Von Sommerfeld zu Bloch

Lassen Sie uns hier noch einmal die wesentlichen Eigenschaften des Elek-
trons als freies Elektron nach Sommerfeld und als Elektron im Kristall nach
Bloch gegenüberstellen, inspiriert durch Kap. 9 von Gross und Marx, 2023.

Sommerfeld Bloch
frei im Kristall
Quantenzahlen k k, n
Bedeutung von ℏk Impuls Kristallimpuls
Wertebereich k beliebig 1. BZ
Anzahl Zustände in 1. BZ NEZ NEZ
E(k) = ℏ 2m
2 2
Energie |k|
En (k) = E(k + Gn )
ℏk
Geschwindigkeit v = ℏ1 ∂E
∂k = m v = ℏ1 ∂E
∂k
n

Masse m m⋆
Wellenfunktion ebene Welle Bloch-Welle
ikr
ψk (r) = e√V ψk,n (r) = uk,n (r) eikr
uk,n (r) = uk,n (r + R) Tabelle 3.1: Gegenüberstellung des freien
Elektrons mit dem Kristall-Elektron.
 Elektronen in Festkörpern 41

Zusammenfassung

Schreiben Sie hier ihre persönliche Zusammenfassung des Kapitels auf. Kon-
zentrieren Sie sich auf die wichtigsten Aspekte und die am Anfang genannten
Ziele des Kapitels.

Literatur

Czycholl, Gerd (2016). Theoretische Festkörperphysik, Band 1. 4. Aufl. Sprin-

ger. .
Gross, Rudolf und Achim Marx (2023). Festkörperphysik. 4. De Gruyter. .
Polakovic, Tomas (2022). Computational Physics for the Masses. Part 3: Solid
Stuff. CC-BY-NC 4.0. .
Segall, Benjamin (1961). “Energy bands of aluminum”. In: Physical Review
124.6, S. 1797.
Kapitel 4
Kristall-Elektronen im Magnetfeld
Markus Lippitz
21. Mai 2025

Ziele

• Sie können Methoden zur Vermessung der Fermi-Oberfläche wie beispiels-

weise die Zyklotron-Resonanz oder die De Haas-van Alphén-Oszillationen
erklären und auf einfache Beispiele anwenden.

• Sie können das Konzept der Landau-Niveaus benutzen, um den hier darge-
stellten Quanten-Hall-Effekt phänomenologisch zu erklären.

15 Abbildung 4.1: Quanten-Hall-Effekt in einem

p=2 effektiv zweidimensionalen Elektronengas
(Klaus v. Klitzing, 1984). Der Querwiderstand
ρxy
Widerstand (kΩ)

ρxy nimmt nur diskrete Werte 25812 Ω/p

10
3 an, wobei p die Anzahl der voll besetzen
Landau-Niveaus ist. An diesen Plateaus
4
5 verschwindet der Längswiderstand ρxx .
5 ρxx × 10

0
0 1 2 3 4 5 6 7
Magnetfeld B (T)

Überblick

Im vorigen Kapitel haben wir die Bandstruktur besprochen, die die mögli-
chen Zustände eines Elektrons als Funktion des Wellenvektors k und des
Bandindex n beschreibt. Mit Hilfe eines externen Magnetfeldes können wir
bestimmte Eigenschaften der Bandstruktur experimentell bestimmen. Dieses
Kapitel kann daher als experimentelle Verifizierung des vorangegangenen
Kapitels angesehen werden. Außerdem führt ein starkes Magnetfeld zu einer
weiteren Quantisierung der Elektronenzustände.
Für diese Phänomene würde man idealerweise die zeitabhängige Schrö-
dingergleichung verwenden, aber diese ist zu komplex. Daher verwenden wir
Dieses Werk ist lizenziert unter einer Creative Commons “Namensnennung –
Weitergabe unter gleichen Bedingungen 4.0 International” Lizenz.
44 Festkörperphysik II

semiklassische Modelle, die die Elektronenzustände quantenmechanisch

beschreiben, während der Einfluss äußerer Kräfte klassisch behandelt wird.
Ziel ist es zu verstehen, wie sich Elektronen in einem Magnetfeld bewegen
und wie ihre Energieniveaus beeinflusst werden.

Fermi-Flächen

Bevor wir uns der Bewegung der Elektronen unter dem Einfluss eines magne-
tischen Feldes zuwenden, müssen wir die Form der Fermiflächen diskutieren,
die dabei eine Rolle spielen. Nur Elektronen in der Nähe der Fermifläche tra-
gen zum Transport bei, wie wir im Drude-Sommerfeld-Modell gesehen haben.
In einem freien Elektronengas und T = 0 sind alle Zustände unterhalb einer
charakteristischen Energie EF und damit auch unterhalb eines charakteris-
tischen Wellenvektors kF = (3π 2 n)1/3 vollständig besetzt. Im reziproken
Raum entspricht dies einer Kugel mit dem Radius kF , der Fermi-Kugel.
Die Bandstruktur führt dazu, dass die Form von einer Kugel abweichen
wird. Wir bezeichnen dann als Fermi-Fläche die Fläche im reziproken Raum,
die genau alle besetzten Zustände bei T = 0 einschließt. Die möglichen
Werte des Wellenvektors k sind diskret. Die Gesamtzahl der k-Werte in
der ersten Brillouinzone entspricht der Anzahl primitiver Einheitszellen im
Kristall. Weil ein Elektron zwei verschiedene Spin-Eigenwerte annehmen
kann, gibt es in der ersten Brillouinzone also doppelt so viele Zustände für
Elektronen wie Atome im Kristall, falls nur ein Atom in der Einheitszelle ist.
Falls jedes Atom ein Elektron zum quasi-freien Elektronengas beisteuert,
dann ist das Band nur halb gefüllt und damit kF knapp unterhalb der Grenze
der Brillouinzone bei π/a. Wenn die Bandstruktur isotrop ist, dann nimmt
die Fermi-Fläche auch hier die Form einer Kugel an. Ansonsten ’verbeult’ die
Form etwas. Beispiele sind die Alkali-Metalle.
[Link]
Bei zwei Elektronen pro Atom würden zwar genügend Zustände innerhalb
der ersten Brillouinzone existieren. Bei einer isotropen Bandstruktur ist der
[Link]

Kugel-Radius kF aber größer als π/a. Eine Kugel reicht etwas über den
Quader gleichen Volumens hinaus. Im reduzieren Zonenschema findet man
2.
BZ

also freie Zustände in den Ecken des ersten Bandes und besetzte Zustände [Link]
[Link]

in Taschen an den Kanten des zweiten Bandes (siehe Abbildung 4.2), die man
sich durch Rückfaltung entstanden vorstellen kann.
An der Grenze der Brillouinzone, wo diese Rückfaltung stattfindet, ent-
[Link]

steht durch das periodische Potential aber auch die Bandlücke. Dort ist die
Komponente der Gruppengeschwindigkeit Senkrecht zur Zonengrenze Null, Abbildung 4.2: Wenn die Fermi-Kugel die
Grenze der ersten Brillouinzone erreicht
also entstehen freie Zustände in den Ecken des
∂ω 1 ersten Bandes und besetzte Zustände in
vg,⊥ = = ∇k ⊥ E = 0 . (4.1) Taschen an den Kanten des zweiten Bandes.
∂k⊥ ℏ

Der Gradient der Energie verläuft also parallel zur Grenze der Brillouinzone
und damit die Linien konstanter Energie und so die Fermi-Fläche senkrecht
auf die Grenze der Brillouinzone. Dies führt lokal zu einer Abweichung von
der (zurückgefalteten) Kugelform.
Im ausgedehnten Zonenschema findet man so durch ’Hälse’ verbundene
Flächen, die sich periodisch wiederholen.
 Kristall-Elektronen im Magnetfeld 45

Abbildung 4.3: Fermi-Oberflächen von K, Ca

und Cu (von links). Choy u. a., 2000

Zur Selbstkontrolle
1. Machen Sie sich klar welche Formen von Fermi-Flächen durch den Kontakt mit der
Grenze der Brillouinzone entstehen können, wenn man das periodische Zonen-
schema benutzt.

Zyklotron-Resonanz

Die Zyklotron-Resonanz ist eine experimentelle Methode, mit der die Form der
Fermi-Fläche bestimmt werden kann. Man legt ein statisches Magnetfeld B
an und bestimmt die Absorption einer Radiowelle variabler Frequenz.1 Man 1
Eigentlich macht man es genau umgekehrt:
findet charakteristische Frequenzen, bei denen die Absorption besonders konstante Frequenz, variables Feld. Aber so
ist es einfacher zu erklären.
hoch ist. Aus diesen Zyklotronresonanzfrequenzen kann man den Umfang
der Fermi-Fläche bestimmen, die von einer Ebene senkrecht zum Magnetfeld
geschnitten wird.
Betrachten wir zunächst klassische freie Elektronen im Magnetfeld. Die
Bewegungsgleichung ist

dk
ℏ = F(r, t) = q [E(r, t) + v(k) × B(r, t)] . (4.2)
dt
Wir haben hier kein elektrisches Feld und setzten B = B0 êz . Damit ist die
Bewegung in z-Richtung frei und wir erhalten ein Gleichungssystem für die
Bewegung in der xy-Ebene

mv̇x = −eB0 vy (4.3)

mv̇y = +eB0 vx . (4.4)

Die Lösung ist eine kreisförmige Bahn mit der Zyklotron-Frequenz ωc

eB
ωc = . (4.5)
m
Im Kristall wird nun aus der Geschwindigkeit v die Gruppengeschwindig-
keit vg und die Bewegungsgleichung
e
dk = − [∇k E(k) × B] dt . (4.6)
ℏ2
Die Änderung des Wellenvektors steht also senkrecht auf dem Magnetfeld
und dem Gradienten der Energie. Das Elektron bewegt sich auf einer Bahn,
die senkrecht auf dem Magnetfeld steht und entlang konstanter Energie
E(k) = const. geht. Wir führen einen Vektor dk⊥ ein, der senkrecht auf B
und dk steht. Seine Länge ist dk⊥ . Damit erhalten wir wir
e
|dk| = B |dE/dk⊥ | dt . (4.7)
ℏ2
 ky
46 Festkörperphysik II S(E + dE) dk⊥

S(E) dk

kx
Die Umlaufzeit T ist
ℏ2 |dk| ℏ2 dk⊥ |dk| ℏ2 dS
I I I
T = dt = = = (4.8)
eB |dE/dk⊥ | eB dE eB dE Abbildung 4.4: Die Fläche dS ist ein Kreisin-
tegral über |dk| mit der ’Dicke’ dk⊥ .
mit der Änderung der umschlossenen Fläche im reziproken Raum
I
dS = dk⊥ |dk| . (4.9)

Beim freien Elektron ändert sich die Länge des Wellenvektors k nicht. Die
umschlossene Fläche ist also S = πk 2 und die Energie E = (ℏk)2 /2m.
Damit wird
dS 2πm 2π eB
= 2 und ωc = = . (4.10)
dE ℏ T m̃
Nur im Fall freier Elektronen ist die Masse m̃ die Ruhemasse des Elektrons.
Ansonsten behält man aber diesen Zusammenhang bei und steckt das Ergeb-
nis von Gl. 4.8 in die Zyklotron-Masse, die sich von der effektivem Masse m⋆
unterscheidet.
Bis hierher haben wir zwar Kreisfrequenzen, aber noch keine Absorption.
Alle Elektronen bewegen sich auf geschlossenen Bahnen, nehmen aber
keine Energie auf, weil eben E(k) = const. gilt. Nun werden Mikrowellen
mit der Frequenz ωRF = ωc eingestrahlt. Nur Elektronen in der Nähe der
Fermikante können Energie aufnehmen. Die Zyklotronresonanz misst also die
Länge der Bahnen auf der Fermifläche; je nach Orientierung des Magenfeldes
verlaufen die Bahnen in unterschiedlichen Bereichen. Scharfe Resonanzen
erhält man nur, wenn die mittlere Stoßzeit groß gegenüber der Umlaufzeit ist,
also mehrere Umläufe ungestört durchlaufen werden können. Man verwendet
daher hohe Magnetfelder und damit hohe Umlauffrequenzen sowie tiefe
Temperaturen und reine Substanzen.
Weiterhin tragen nur extremale Bahnen bei. Dies sind Bahnen, bei denen es
viele Bahnen mit ähnlicher Frequenz gibt oder umgekehrt, bei denen sich die
Frequenz nur wenig ändert, wenn sich die Komponenten des Wellenvektors
parallel zum Magnetfeld ändern. Die Bahnen sind also stabil gegenüber
Störungen.
Abbildung 4.5: Nur extremale Bahnen (blau)
entlang der Fermi-Oberfläche sind stabile
Zur Selbstkontrolle tragen zur Zyklotron-Resonanz bei. Die rot
gezeichneten Bahnen sind instabil.
2. Welche extremale Bahnen erwarten Sie in den in Abb. 4.3 gezeigten Fermi-
Flächen?
K
X

Beispiel: Germanium L
Γ
K X
Germanium (Ge) ist ein indirekter Halbleiter mit kubisch-flächenzentrierter
(fcc) Kristallstruktur. Die Fermi-Energie eines Halbleiters liegt in der Band-
Abbildung 4.6: Brillouinzone eines fcc
lücke, so dass eine Fermi-Fläche nicht definiert werden kann. Daher betrach-
Kristalls.
ten wir hier eine Isoenergiefläche für angeregte Elektronen im Leitungsband.
Von der Idee her ist dies aber identisch mit der Spektroskopie von Fermi-
Flächen. Die Bandstruktur von Germanium ist etwas speziell. Insbesondere
liegt das Minimum des Leitungsbandes nicht am Γ-Punkt, sondern an den
L-Punkten am Rand der Brillouin-Zone. Die iso-Energieflächen haben die Form
 Kristall-Elektronen im Magnetfeld 47

von Ellipsoiden, deren Mittelpunkt in den L-Punkten liegt und deren lange
Achse zum Γ-Punkt zeigt. Obwohl es 8 L-Punkte gibt, liegt die Hälfte der Ellip-
soide außerhalb der ersten Brillouin-Zone, so dass effektiv nur 4 vollständige
Ellipsoide betrachtet werden müssen.

e− e− Abbildung 4.7: links: Zyklotron-Resonanz-

e − 0.3
+ Spektrum von Germanium bei einem Winkel
Absorption

Bres (T)
0.2 θ = 60◦ zur [001]-Achse. rechts: Resonanz-
Feldstärke B als Funktion von Θ.

h+ 0.1
0
0 0.2 0.4 0 20 40 60 80
Magnetfeld B (T) Winkel θ (deg)

Die Form dieser Iso-Energie-Fläche wurde von Dresselhaus, Kip und Kittel,
1955 durch Zyklotronresonanz bestimmt. Im Experiment ist es viel einfacher,
den Mikrowellengenerator mit konstanter Frequenz zu betreiben und die
Amplitude und Richtung des Magnetfeldes zu variieren. Die Frequenz ist dann
immer ωc = 2π · 24 GHz. Abbildung 4.7(links) zeigt das Resonanzspektrum
für eine bestimmte Orientierung des Magnetfeldes relativ zur Probe. Man
findet fünf Resonanzen, von denen die drei mittleren den Elektronen im
Leitungsband zugeordnet werden können. Bei der gewählten Anordnung
von Probe und Magnetfeld sind zwei der vier Ellipsoide äquivalent, so dass
effektiv drei verschiedene Ellipsoide sichtbar sind, die jeweils eine Resonanz
im Spektrum ergeben.
Dann wird die Richtung des Magnetfeldes in der (110)-Ebene variiert.2 . 2
Siehe Festkörperphysik I zur Definition
Angegeben ist jeweils der Winkel θ zur [001]-Achse. Mit dem Winkel ändert von Ebenen und Richtungen. Insbesondere
werden Richtungen in fcc-Kristallen mit
sich die Schnittebene, auf der die Zyklotronbahnen verlaufen, und damit ihre sc-Koordinaten bezeichnet.
Fläche. Die Ellipsoide können durch zwei effektive Massen ml , mt in Längs-
und Querrichtung beschrieben werden. Für einen Winkel α zwischen dem
Magnetfeld und der Längsachse des Ellipsoids ergibt sich eine effektive
Masse mell
2
cos2 α sin2 α

1
= + (4.11)
mell m2t mt ml
Diese effektive Masse bestimmt die Lage der Zyklotronresonanz. Der ge-
samte Datensatz in Abb. 4.7(rechts) kann daher durch ml = 1.58 me und
mt = 0.082 me beschrieben werden, wobei me die Masse des freien Elek-
trons ist.

Zur Selbstkontrolle

3. Wie hängt die effektive Masse mit der Form der Ellipsoiden zusammen?

Landau-Niveaus

Bei der Zyklotronresonanz haben wir die Elektronenbahnen klassisch behan-

delt. In der Quantenmechanik erwartet man eine einzige Wellenfunktion pro
Bahn, d.h. insbesondere, dass sich die Phase nur um ein Vielfaches von 2π
pro Umlauf ändert. Dies führt zu quantisierten Bahnen und einer Aufspaltung
48 Festkörperphysik II

der Zustände in Landau-Niveaus. Wir vernachlässigen den Energiebeitrag der

Elektronenspins im Magnetfeld.
Wir müssen also das Magnetfeld B in die Schrödingergleichung einbezie-
hen3 . Dies geschieht über das zugehörige Vektorpotential A 3
siehe Kap. 9.3.2 in Hunklinger, 2014 und
Kap. 9.6.1 in Yu und Cardona, 2010
2
ℏ

1
∇ − qA ψ = Eψ . (4.12)
2m i

Wir wählen die Eichung

   
A = 0 Bx 0 und somit B= 0 0 B . (4.13)

Damit ist die Schrödingergleichung separierbar in einen z-Anteil und einen für
xy. Der z-Anteil entspricht einem freien Teilchen, also

ℏ2 2
ψ(z) ∝ e±i kz z und Ez = k . (4.14)
2m z
Für den xy-Anteil machen wir den Ansatz

ψ(x, y) ∝ u(x)ei ky y (4.15)

und erhalten eine eindimensionale Gleichung für u(x)

2
ℏ2 ∂ 2 u m ℏky

eB
− + x− u = (E − Ez )u . (4.16)
2m ∂x2 2 m m

Das ist ein eindimensionaler harmonischer Oszillator in einem parabolischen

Potential, dessen Gleichgewichtslage bei

ℏ2 k y
x0 = (4.17)
mωc
liegt. Die Eigenfrequenz ist ω = ωc = eB/m, mit m wieder der Zyklotron-
Masse. Die Gesamtenergie hat die Eigenwerte

ℏ2 2
 
1
E = n+ ℏωc + k . (4.18)
2 2m z
E
Insgesamt gibt es eine freie Bewegung in z-Richtung, d.h. in Richtung des
Magnetfeldes, und eine quantisierte geschlossene Kreisbahn in der xy-
Ebene. Abbildung 4.8 zeigt die Dispersionsrelation entlang kz . In Metallen
liegen die Zustände jedoch viel dichter beieinander: Bei einem Magnetfeld
von 1 T beträgt ℏωc etwa 0.1 meV, verglichen mit EF ≈ 10 eV. ~ωc
Die x und y-Komponente des Wellenvektors sind nicht mehr zeitlich
konstant, und nicht mehr Eigenwerte des Hamilton-Operators. Dies sind keine kz

’guten’ Quantenzahlen mehr. Die Energie ist gegeben durch die Komponente Abbildung 4.8: Dispersionsrelation ent-
lang kz ohne Magnetfeld (fett) und nach
k⊥ senkrecht zum Magnetfeld Quantisierung der Kreisbahnen (dünn).
s  
2m 1
k⊥,n = n + ℏωc . (4.19)
ℏ2 2

Damit wird die Energie

ℏ2
k 2 + kz2


E= . (4.20)
2m ⊥,n

Abbildung 4.9: Durch das Magnetfeld in

z-Richtung ändert sich die Anordnung der
Zustände im reziproken Raum kx –ky .
 Kristall-Elektronen im Magnetfeld 49

In der xy-Ebene des reziproken Raums sind die Zustände also konzen-
trische Kreise, deren Durchmesser proportional zu n + 1/2 ansteigt
p

(Abb. 4.9). Der Kreis mit der Quantenzahl n hat im reziproken Raum die
Fläche  
2 2πeB 1
Sn = πk⊥,n = n+ . (4.21)
ℏ 2
Die Fläche zwischen zwei Kreisen ist im reziproken Raum für alle Kreise
gleich
2πeB
∆S = Sn+1 − Sn = . (4.22)
ℏ
Ohne Magnetfeld ist sind Zustände im reziproken Raum homogen verteilt, die
Zustandsdichte konstant. Mit Magnetfeld werden die Zustände so umverteilt,
dass sie in der xy-Ebene auf Kreisen liegen, und zwar auf jedem Kreis gleich
viele. Das sind gerade die, die innerhalb des Kreises bis zum vorangegangen
liegen würden. Der Entartungsgrad ge lässt sich schreiben als
L2 eBL2 Φ
ge = ∆S = = (4.23)
(2π)2 h 2Φ0
mit der Fläche der Probe L2 senkrecht zum Magnetfeld, dem magnetischen
Fluss Φ = L2 B und dem magnetischem Flussquant Φ0
h
Φ0 = . (4.24)
2e
Der Begriff Flussquant greift dem Kapitel über die Supraleitung vorweg.
Dort wird auch der Faktor 2 deutlich, da die Elektronen dort paarweise auf-
treten. Die Stärke des Magnetfeldes kann (bei gegebener Probengröße) in
Flussquanten gemessen werden. Genau diese Zahl bestimmt die Anzahl der
Zustände auf den Landau-Kreisen, also deren Entartung.
In z-Richtung hat das Magnetfeld keinen Einfluss. Hier liegen die Zustände
weiterhin homogen. Es bilden sich konzentrische Zylinder, die bis zur Fermi-
Fläche mit Elektronen besetzt sind. Die Landau-Kreise sind also eigentlich
Landau-Zylinder.

Zur Selbstkontrolle
4. Skizzieren Sie, wie in 3 Dimensionen die Landau-Zylinder in der Fermi-Kugel liegen,
oder suche Sie solch ein Bild im Internet.

Dimensionalität und Zustandsdichte

Betrachten wir zunächst die Zustandsdichte ohne Magnetfeld, aber mit re-
duzierter Dimensionalität, bevor wir zum Magnetfeld zurückkehren. Der
Einfachheit halber nehmen wir ein freies Elektronengas an. Die Gruppenge-
schwindigkeit ist vg = ℏk/m. Damit ist die Zustandsdichte in n Dimensio-
nen
Ln m
Z
(n)
D(E) dE = 2 dE dSE (4.25)
ℏ(2π)n ℏk E=const.
und somit
(2m)3/2 3 1/2
D(E)(3d) = 2π 2 ℏ3 L E (4.26)

D(E)(2d) = πℏ2 L = const.

m 2
(4.27)
(1d) 1 −1/2
D(E) = πℏ L E . (4.28)
50 Festkörperphysik II

Für punktförmige Objekte, also null Dimensionen erhält man wie für Atome
diskrete Zustände
D(E)(0d) = 2 δ(E − E0 ) . (4.29)

Nun kehren wir zum Magnetfeld zurück. Ein angelegtes Magnetfeld lässt
auch im Dreidimensionalen eine freie Bewegung nur noch in der z-Richtung
zu. Damit ändert sich effektiv die Dimensionalität der Probe. Nicht mehr
alle drei Dimensionen sind relevant, sondern nur noch eine. Dies sieht man
auch in der Zustandsdichte. Die Gesamtenergie jedes Zustands lässt sich
aufspalten in die Energie der Kreisbewegung und die der freien Bewegung

ℏ2 2
 
1
E = En + Ez = n + ℏωc + k . (4.30)
2 2m z

Dann verschiebt En die Energieskala, die in D(E)(1) eingeht. Die Gesamt-

Zustandsdichte für 3 Dimensionen plus Magnetfeld ist also4 4
Czycholl, 2016.

(2m)3/2 3 X ℏωc
D(E)(3d+B) = L √ Θ(E − En ) (4.31)
4π ℏ
2 3
n
E − En

wobei durch die Stufenfunktion Θ nur Summanden mit E ≥ En beitragen.

Abbildung 4.10 zeigt diese Zustandsdichte im Vergleich zum Fall B = 0. Die
Flächen unter den Kurven sind identisch. Bei kleiner werdendem Magnetfeld
wird die Zyklotron-Frequenz ωc kleiner und damit der Abstand der Peaks
kleiner. Wenn man dann über ein kleines Energieintervall mittelt5 gehen beide 5
beispielsweise durch thermische Einflüsse
Fälle ineinander über. via kB T

Wenn wir von einer zweidimensionalen Probe ausgehen, dann ist ohne D(3)
Magnetfeld die Zustandsdichte konstant. Mit Magnetfeld bleibt nur eine
äquidistante Reihe von Delta-Funktionen δ(E − En ) bei den Zyklotron- ~ωc
Energien En , da keine freie Bewegung mit variabler Energie mehr möglich
ist X
E
D(E)(2d+B) ∝ δ(E − En ) . (4.32)
n D(2)

Innere Energie
~ωc

Die Änderung der Zustandsdichte durch das Magnetfeld hat einen überra- E
schenden Einfluss auf die innere Energie. Wir diskutieren dies für eine zweidi- Abbildung 4.10: Zustandsdichte in 2 und
mensionale Probe. Man kann sich die dreidimensionale Zustandsdichte aber 3 Dimensionen ohne (fett) und mit (dünn)
angelegtem Magnetfeld.
als etwas ausgeschmierte 2d Dichte vorstellen und erwartet somit ähnliche
Ergebnisse.
Wenn kein Magnetfeld anliegt, sind alle Zustände bis zur Fermi-Energie
EF gefüllt (bei T = 0), alle darüber leer. Jetzt schalten wir das Magnetfeld
ein und wählen seine Stärke gerade so, dass die Entartung ge (Gl. 4.23)
passend ist (siehe Abb. 4.11), nämlich die Gesamtzahl N der Elektronen ein
ganzzahliges Vielfaches des Entartungsgrads ist

N = p ge mit p∈N . (4.33)

In diesem Fall ändert sich die innere Energie nicht. Die Zustände ändern
zwar ihre Energie, weil alle auf die Landau-Niveaus verschoben werden,
aber gleich viele werden angehoben wie abgesenkt: die bis zum Abstand
 Kristall-Elektronen im Magnetfeld 51

ℏωc /2 unterhalb des Niveaus werden angehoben; die bis zu diesem Abstand
darüber werden abgesenkt. E E E
Ist aber die Feldstärke B anders, d.h. die Entartung ge ist nicht genau EF

gleich wie von Gl. 4.33 gefordert, so liegt ein nur teilweise besetztes Landau-
Niveau vor. Beim allmählichen Füllen dieses letzten Niveaus werden jedoch
zunächst nur Energien angehoben. Erst nach der halben Besetzung werden
Energien abgesenkt. Insgesamt bleibt unabhängig von B immer eine Anhe-
ℏωc
bung übrig.
Die innere Energie oszilliert also mit der Zahl der besetzten Niveaus p, ℏωc /2
wobei ein nicht-ganzzahliges p nun eine teilweise Besetzung bedeutet. Das f (E) · D(E) f (E) · D(E) f (E) · D(E)
Minimum der inneren Energie ist bei EF (B = 0). Weil B=0 B>0 B′ > B
Abbildung 4.11: Zustandsdichte in zwei
eℏB Dimensionen. Bei gewissen Feldstärken B
EF ≈ pℏωc = p (4.34)
m ist die innere Energie größer als ohne Feld.

treten die Minima mit einer Periode des reziproken Feldes

 
1 eℏ
δ = (4.35)
B m EF

auf.
Interessanter ist jedoch die Größe des höchsten besetzten Landau-
Niveaus im reziproken Raum, die wir mit SF bezeichnen. Dies ist der Schnitt
durch die Fermi-Fläche in einer Ebene senkrecht zum Magnetfeld und er-
laubt somit die Fermi-Fläche auszumessen. Für ein Feld Bn seien gerade n
Landau-Niveaus besetzt. Die Größe SF des obersten Niveaus im reziproken
Raum wird durch Gl. 4.21 gegeben:
   
2πeBn 1 ! 2πeBn+1 1
SF = n+ = n+1+ (4.36)
ℏ 2 ℏ 2

so dass  
1 2πe
δ = . (4.37)
B ℏ SF
Die innere Energie variiert also periodisch im 1/B. Die Periodenlänge
δ (1/B) erlaubt es, die Größe SF der Fermi-Fläche geschnitten senkrecht
zum Magnetfeld zu bestimmen.

Zur Selbstkontrolle

5. Machen Sie sich klar, was in Abb. 4.11 passiert. Wie ändert sich die Besetzung der
Landau-Niveaus und die innere Energie, wenn man die magnetische Feldstärke
variiert? Das ist der zentrale Punkt für den Rest des Kapitels.

De Haas-van Alphén-Effekt

Viele messbaren Größen hängen mit der inneren Energie zusammen. Man
findet diese Oszillationen mit 1/B beispielsweise in der Wärmekapazität und
in der Magnetisierung. Die Wärmekapazität ist
 
∂U
Cv = (4.38)
∂T V
52 Festkörperphysik II

und die Magnetisierung M ist die Ableitung der freien Energie F bzw. (bei
T = 0) der inneren Energie U nach B:
   
1 ∂F 1 ∂U
M =− =− . (4.39)
V ∂B T,V V ∂B T =0,V

Die Oszillation von M mit 1/B nennt man De Haas-van Alphén-Effekt nach
W.J. de Haas und P.M. van Alphén.

Abbildung 4.12: Relative Änderung der

6 Wärmekapazität von Beryllium (Be) mit dem
∆C/C (10−3 )

2πe Magnetfeld (Sullivan und Seidel, 1968). Das

~ SF Feld ist parallel zur kristallographischen
4 c-Achse.

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
∆(1/B) (10 −3
/T )

Im Fall von Wärmekapazität Beryllium (Abb. 4.12) misst man bei passen-
der Orientierung des Magnetfeldes die Querschnittstfläche der zigarrenförmi-
gen Fermi-Flächen am Rand der Brillouinzone.

Zur Selbstkontrolle
Abbildung 4.13: Fermi-Flächen von Beryllium
6. Wie hängt die Oszillation in der Wärmekapazität von der Orientierung des Magnet- (Choy u. a., 2000).
feldes ab?

Hall-Effekt

Im letzten Teil dieses Kapitels verlassen wir die Resonanzen an der Oberflä-
che der Fermi-Fläche und betrachten den Hall-Effekt, aber wieder bei tiefen
Temperaturen und hohen Magnetfeldern. Die Landau-Niveaus werden also
weiterhin eine Rolle spielen. Ziel ist es, den Verlauf der Längs- und Querwi-
derstände in der Abbildung am Anfang des Kapitels zu erklären, eben den
Quanten-Hall-Effekt.
Zunächst verlassen wir für einen Moment die quantenmechanische Be-
schreibung und betrachten den klassischen Hall-Effekt. Er erlaubt uns, die B
Ladungsträgerkonzentration zu bestimmen und zwischen Elektronen und
Löchern zu unterscheiden. Er dient uns aber auch als Grundlage für den
Quanten-Hall-Effekt im nächsten Abschnitt.
Wir betrachten die Bewegung eines quasi-freien Elektrons (q = −e) unter UH
U0
elektrischen und magnetischen Feldern und berücksichtigen Stöße wie im I
Drude-Modell. Relevant ist die mittlere (Drift-) Geschwindigkeit vd = ⟨v⟩, bei Abbildung 4.14: Geometrie zum Hall-Effekt.
der also die thermische Bewegung herausgemittelt ist. Für diese gilt

d ⟨v⟩ ⟨v⟩
m⋆ = −e [E + ⟨v⟩ × B] − m⋆ . (4.40)
dt τ
Das Magnetfeld zeigt in z-Richtung und wir sind nur am stationären Fall
 Kristall-Elektronen im Magnetfeld 53

interessiert (d ⟨v⟩ /dt = 0). Dann erhalten wir

eτ
vd,x = − (Ex + vd,y B) (4.41)
m⋆
eτ
vd,y = − ⋆ (Ey − vd,x B) (4.42)
m
eτ
vd,z = − ⋆ Ez . (4.43)
m
Mit der Definition der Stromdichte j = −envd = σE und der Zyklotron-
Frequenz ωc = eB/m⋆ bekommen wir den Leitfähigkeitstensor σ
 
1 −ωc τ 0
σ0
σ= ωc τ 1 0 (4.44)
 
1 + ωc2 τ 2

2 2
0 0 1 + ωc τ

wobei gerade σzz = σ0 = ne2 τ /m⋆ die Leitfähigkeit bei B = 0 ist. Man
benutzt immer flache Proben, ohne elektrisches Feld oder Stromfluss in z-
Richtung. Aus Symmetriegründen reicht es aus σxx = σyy und σxy = −σyx
zu betrachten.
Wir machen das Experiment so, dass nur Strom in x-Richtung fliesst, also
jy = 0. Damit wird

jx
Ey = −ωc τ Ex = −ωc τ = RH B jx . (4.45)
σ0

Das Magnetfeld bewirkt also ein elektrisches Hall-Feld in y-Richtung, obwohl

der Strom in x-Richtung fliesst. Die Hall-Konstante RH ist definiert als
Ey 1
RH = =− . (4.46)
jx B ne Element Li Na Be Al
Wertigkeit 1 1 2 3
Da sich Ey , jx und B messen lassen, kann man so die Ladungsträgerdichte n n/Atom 0.8 1.2 -0.4 -0.9
bestimmen und auch ihr Vorzeichen. Tabelle 4.1: Ladungträgerdichte n be-
Falls sowohl Elektronen als auch Löcher zum Ladungstransport beitragen, stimmt aus der Hall-Konstanten RH (aus
Hunklinger, 2014). Ein negatives Vorzeichen
dann werden deren Konzentrationen n und p mit der Beweglichkeit6 µn und bedeutet Löcherleitung.
µp gewichtet 6
µ = eτ /m, siehe Gl. 2.24.
pµ2p − nµ2n
RH = . (4.47)
e(pµp + nµn )2
Analog zum Querwiderstand ρxy = RH B ist später auch der Längswider-
stand
Ex B 1 m⋆
ρxx = = = 2 (4.48)
jx ne ωc τ ne τ
interessant.

Zur Selbstkontrolle
7. Wahrscheinlich ist Ihnen der klassische Hall-Effekt schon früher einmal begegnet.
Vergleichen Sie die damalige Darstellung (unter Umständen ohne Leitfähigkeits-
tensor) mit dieser hier.

Quanten-Hall-Effekt

Beim klassischen Hall-Effekt hatten wir gefordert, dass die Probe flach ist,
also kein Feld oder Stromfluss in z-Richtung geschieht. Das verschärfen wir
54 Festkörperphysik II

jetzt und fordern eine quantenmechanisch-zweidimensionale Probe, also

eine, bei der in z-Richtung keine Quantenzahlen mehr relevant sind, insbeson-
dere kein kz . Solche Strukturen nennt man zweidimensionales Elektronengas
(2DEG) und kann sie an Grenzflächen zwischen zwei Halbleitern erzeugen.
Wenn wir ein starkes Magnetfeld anlegen und die Proben rein genug
sind, so dass ωc τ ≫ 1, und die Temperatur T kalt genug, dann erhalten
wir wie oben besprochen (Gl. 4.32) als Zustandsdichte eine äquidistante
Reihe von Delta-Funktionen δ(E − En ). Bei manchen Magnetfeldern B sind
dann alle Landau-Niveaus vollständig gefüllt und das nächste Niveau ℏωc
in der Energie entfernt. Damit sind keine Streuprozesse möglich und τ wird
unendlich. Wir wiederholen hier die relevanten x und y-Komponenten des
Leitfähigkeitstensors (Gl. 4.44 )
!
ne2 τ 1 −ωc τ
σ= ⋆ (4.49)
m (1 + ωc2 τ 2 ) ωc τ 1

Für τ → ∞ wird daraus

!
0 −σ∞
στ →∞ = . (4.50)
σ∞ 0

Die Diagonal-Einträge verschwinden. σxx = σyy = 0. Die Kreuz-Terme σxy

und σyx bleiben aber von Null verschieden. Der Widerstandstensor ist das
Inverse7 des Leitfähigkeitstensors 7
Man invertiert den Tensor (die Matrix),
! nicht jedes Element!
−1 0 1/σ∞
ρτ →∞ = στ →∞ = . (4.51)
−1/σ∞ 0

Das Längsfeld Ex verschwindet, weil zwar jx ̸= 0 aber σxx = 0 und wie

immer jy = 0. Damit wird auch der Längs-Widerstand ρxx = 0. Das Hall-Feld
Ey bewirkt den Stromfluss in x-Richtung.
Das hat Klaus von Klitzing 1980 auch genau so gefunden8 . Etwas neuere 8
siehe Klitzing, Dorda und Pepper, 1980.
Daten sind in Abbildung 4.1 gezeigt. An den Stellen, an denen der Längs- Nobelpreis K. von Klitzing 1985

Widerstand ρxx verschwindet, also gerade alle Landau-Niveaus vollständig

gefüllt sind, ist die Elektronendichte
N pge peB
n= = 2 = (4.52)
L2 L h
mit ganzzahligem p. Der Quer-Widerstand wird somit
B 1 h 1
ρxy = RH B = − = = RK (4.53)
ne p e2 p
mit der Naturkonstanten RK = 25812, 8 . . . Ω, die als von Klitzing-
Widerstand bezeichnet wird. Dies wird heute als Widerstandsnormal genutzt,
auch um die Sommerfeld’sche Feinstrukturkonstante α zu bestimmen
µ0 c e2 µ0 c 1 1
α= = ≈ . (4.54)
2 h 2 RK 137
Überraschend war jedoch, dass sich Plateaus ausbilden, also ρxx und
ρxy über ein gewisses Intervall von B einen konstanten Wert annehmen. Ei-
gentlich sollte ja nur für genau einen Wert von B alle Landau-Niveaus gefüllt
sein. Der Längswiderstand ρxx ist in Abbildung 4.1 aber beinahe durch-
gängig Null. Eine einfache phänomenologische Erklärung findet sich in der
 Kristall-Elektronen im Magnetfeld 55

Zustandsdichte einer realen Probe. In Wirklichkeit wird die nicht allein eine
Sequenz von Delta-Funktionen sein. Defekte und Verunreinigungen führen zu
einer kontinuierlichen Verteilung von Zuständen auf der Energieskala. Diese
Defekt-Zustände sind aber im Gegensatz zu den Landau-Niveaus im Raum
lokalisiert und tragen nicht zur Leitfähigkeit bei, aber zur Fermi-Energie. Wenn
das Magnetfeld etwas erhöht wird, sollte in einer idealen Probe sofort das
nächst tiefere Landau-Niveau depopuliert werden, weil die Fermi-Energie
direkt zu diesem Niveau springt. In einer realen Probe werden aber zunächst
alle Defekt-Zustände dazwischen depopuliert und das Landau-Niveau bleibt
vollständig besetzt. Solange es also noch besetzte Defekt-Zustände zwi-
schen zwei Landau-Niveaus gibt, bleibt der Quanten-Hall-Effekt bestehen.
Tiefergehende Erklärungen verwenden ’skipping orbits’ in den Randkanä-
len (am Rand der Probe). In gewissem Sinne ist es auch hier die Abweichung
von der unendlich ausgedehnten Idealform, die den Quanten-Hall-Effekt er-
zeugt. Heutzutage wird der Quanten-Hall-Effekt als ein topologischer Effekt
gesehen, der also unter stetigen Verformungen erhalten bleibt. Er wird auch
als ganzzahliger Quanten-Hall-Effekt bezeichnet, weil es auch einen ’fractio-
nal quantum Hall effect’ gibt, bei dem p rationale Zahlen annimmt. Für diesen
haben Robert Laughlin, Horst Störmer und Daniel Tsui 1998 den Nobelpreis
bekommen. Mehr zum Quanten-Hall-Effekt findet sich in Kapitel 10.5 von
Gross und Marx, 2023 oder Kapitel 4.6 von Czycholl, 2017.

Zur Selbstkontrolle
8. Warum muss die Probe zweidimensional sein, damit der Quanten-Hall-Effekt
auftritt?
56 Festkörperphysik II

Zusammenfassung

Schreiben Sie hier ihre persönliche Zusammenfassung des Kapitels auf. Kon-
zentrieren Sie sich auf die wichtigsten Aspekte und die am Anfang genannten
Ziele des Kapitels.

Literatur

Choy, T.-S. u. a. (2000). “A database of fermi surface in virtual reality mode-

ling language (vrml)”. In: Bulletin of The American Physical Society 45.1,
S. L36–42. .
Czycholl, Gerd (2016). Theoretische Festkörperphysik, Band 1. 4. Aufl. Sprin-
ger. .
– (2017). Theoretische Festkörperphysik, Band 2. 4. Aufl. Springer. .
Dresselhaus, G, AF Kip und C Kittel (1955). “Cyclotron resonance of electrons
and holes in silicon and germanium crystals”. In: Physical Review 98.2,
S. 368. .
Gross, Rudolf und Achim Marx (2023). Festkörperphysik. 4. De Gruyter. .
Hunklinger, Siegfried (2014). Festkörperphysik. 4. aktualisierte Auflage.
München: De Gruyter. .
Klitzing, K, G Dorda und M Pepper (1980). “New method for high-accuracy
determination of the fine-structure constant based on quantized Hall
resistance”. In: Phys. Rev. Lett. 45.6, S. 494–497. .
Klitzing, Klaus v. (1984). “The quantized hall effect”. In: Physica B+C 126.1,
S. 242–249. .
Sullivan, Paul F. und G. Seidel (1968). “Steady-State, ac-Temperature Calori-
metry”. In: Phys. Rev. 173 (3), S. 679–685. .
 Kristall-Elektronen im Magnetfeld 57

Yu, Peter Y. und Manuel Cardona (2010). Fundamentals of semiconductors.

Springer. .
Kapitel 5
Halbleiter
Markus Lippitz
3. Juni 2025

Ziele

• Sie können die Ladungsträgerdichten in dotierten und undotierten Halb-

leitern im Zusammenspiel von Zustandsdichte und Fermi-Dirac-Verteilung
erklären und so beispielsweise die unten gezeigten Messungen an Germa-
nium interpretieren.

• Sie können die Strom-Spannungs-Kennlinie eines p-n-Kontakts und die

zugrundeliegende Bandstruktur erklären.

Abbildung 5.1: Dichte der Elektronen im

1016 nD Leitungsband von Germanium, gemessen
mit dem Hall-Effekt, als Funktion der
Dichte n (1/cm)

1015 Konzentration der Arsen-Donatoren. Daten

aus Conwell, 1952. Zum Vergleich ist
1014 pi (T ) = ni (T ) (gestrichelt) und p(T, nD )
(grau) eingezeichnet.
1013
1012 ni (T ) p(T, nD )

1011
0 50 100 150 200 250 300 350 400
Temperatur T (K)

Überblick

Wir haben bereits im Kapitel zur Bandstruktur gesehen, dass der Übergang
zwischen Isolator und Halbleiter fließend ist. Beide haben ein voll besetztes
Valenzband und ein unbesetztes Leitungsband mit der Bandlücke Eg . Ther-
mische Anregung führt zu einer Besetzung des Leitungsbandes proportional
zu exp(−Eg /2kb T ), wie wir weiter unten sehen werden. Beispielsweise
werden bei Raumtemperatur je nach Bandlücke 10−5 (bei Eg = 0.5 eV) oder
10−26 (bei Eg = 3 eV) aller Ladungsträger angeregt sein. Dies führt zu einer
von Null verschiedenen Leitfähigkeit. Als Halbleiter bezeichnet man ein Ma-
terial, dessen spezifische Widerstand bei Raumtemperatur zwischen 10−2
Dieses Werk ist lizenziert unter einer Creative Commons “Namensnennung –
Weitergabe unter gleichen Bedingungen 4.0 International” Lizenz.
60 Festkörperphysik II

und 109 Ωm liegt. Halbleiter können nach verschiedenen Eigenschaften

klassifiziert werden:

intrinsisch oder dotiert Wenn man ein Material gezielt mit einer Verunrei-
nigung versieht, also dotiert, dann kann dies zu mehr freien Ladungsträgern
führen, weil diese dann vom Fremdatom stammen. Bei intrinsischen Halblei-
tern stammen die Elektronen im Leitungsband immer aus dem Valenzband.

direkt oder indirekt In einem direkten Halbleiter befindet sich das Maxi-
mum des Valenzbandes an der gleichen Stelle im reziproken Raum wie das
Minimum des Leitungsbandes. Dies ermöglicht optische Übergänge ohne
Änderung des Wellenvektors bei niedrigen Energien. Bei indirekten Halblei-
tern ist dies nicht der Fall. Optische Übergänge benötigen hier die Beteiligung
eines Phonons.

kristallin oder amorph Eine perfekte periodische Kristallstruktur ist nicht

unbedingt erforderlich (α-Silizium ist für Solarzellen relevant), aber wir be-
trachten hier nur kristalline Materialien.

organisch oder anorganisch Wir betrachten hier anorganische Halbleiter,

die aus einem oder zwei Elementen bestehen. Organische Halbleiter auf der
Basis von Kohlenstoffverbindungen organischer Moleküle sind ein Thema für
sich.

Intrinsische kristalline Halbleiter

Die Bandstruktur und die Lage der Fermi-Energie hängt sowohl in der ’empty
lattice approximation’ als auch im ’tight binding’ Modell von der Elektronen-
konfiguration der beteiligten Atome ab. Es ist daher nicht verwunderlich, dass
Halbleiter aus im Periodensystem benachbarten Atomen gebildet werden.
Dies sind zum einen die Elemente der Gruppe IV, also Kohlenstoff (C), Silizi-
um (Si) und Germanium (Ge). Die Bandlücken betragen 5.47 eV, 1.12 eV und
0.66 eV und sind jeweils indirekt. Diamant ist also ein Isolator.
Verbindungshalbleiter bestehen aus zwei Elementen, deren Elektronenzahl
sich gerade auf die Gruppe IV mittelt. III-V-Halbleiter sind beispielsweise GaP
(2.26 eV, indirekt), GaAs (1.43 eV, direkt), InSb (0.18 eV, direkt). II-VI-Halbleiter
sind beispielsweise ZnS (sc: 3.54 eV) und CdSe (1.74 eV).

Zur Selbstkontrolle
1. Warum ist die Bandlücke von Silizium größer als die von Germanium, obwohl beide
Elemente in der gleichen Gruppe des Periodensystems stehen?

Optische Übergänge

Als Beispiel für den Unterschied zwischen direkten und indirekten Halbleitern
möchte ich hier dem späteren Kapitel über optische Eigenschaften vorgrei-
fen und optische Übergänge diskutieren. Ein Photon wird absorbiert und
transportiert ein Elektron vom Valenzband in das Leitungsband. Dies wird als
 Halbleiter 61

Interbandübergang bezeichnet. Gleichzeitig kann ein Phonon absorbiert oder

emittiert werden. Die Energie- und Impulserhaltung lautet dann

Eg =ℏωγ (kγ ) ± ℏΩ(q) (5.1)

ℏ∆k =ℏkγ ± ℏq . (5.2)

Größen des Photons sind mit γ gekennzeichnet. Das eventuell beteiligte

Phonon hat die Frequenz Ω und den Impuls q. Das Elektron ändert seine
Energie um Eg und seinen Impuls um ∆k.
Betrachten wir zunächst direkte Übergänge, also Prozesse ohne Beteili-
gung eines Phonons. Der Impuls eines Photons ist viel kleiner als relevante
Impulse von Elektronen in der Brillouinzone:
2π 2π π π
kγ = ≈ ≪ kBZ = ≈ . (5.3)
λ 500 nm a 0.5 nm

Photonen ermöglichen also nur senkrechte Übergänge in der Elektronen-

Dispersionsrelation bei quasi konstantem Elektronen-Impuls k (ℏ∆k ≈ 0).
Diese direkten Prozesse dominieren in direkten Halbleitern. Bei gegebenem k
ist die Energiedifferenz zwischen Valenz- und Leitungsband in der Nähe der
Extrema
ℏ k ℏ2 k 2
  2 2
1 1
∆E = ℏωγ = Ec (k) − Ev (k) = + ⋆ = (5.4)
me ⋆ mh 2 2m⋆komb Eg

Absorptionskoeffizienten α (1/cm)
104
mit der kombinierten effektiven Masse m⋆komb einer kombinierten Bandstruk- p
~ωγ − Eg
tur ∆E(k). Für diese können wir auch eine kombinierte Zustandsdichte
angeben
103

2m⋆komb 3/2
 
V p
Dkomb (∆E) = ∆E − Eg . (5.5)
2π 2 ℏ2
102
Diese Zustandsdichte bestimmt über Fermis Goldener Regel
2π
Γif = ⟨f |Ĥ ′ |i⟩ D(∆E) (5.6) 0.2 0.4 0.6
ℏ ~ωγ (eV)
die Übergangsrate Γif und damit den Absorptionskoeffizienten α ∝ Γif . Abbildung 5.2: Absorption von Indiumanti-
monid (InSb), einem direkten Halbleiter, in
Dieser beschreibt die verbleibende Intensität I, nachdem ein Lichtstrahl
der Nähe der Bandkante (Johnson, 1967).
gegebener Frequenz eine Probe der Dicke L durchquert hat

I(ωγ ) = I0 e−α(ωγ )L . (5.7) 8

α (cm−0.5 )

Insgesamt bekommen wir also mit

6
290 K

K 20

(m⋆komb )3/2 ℏωγ − Eg

p
α(ωγ ) ∝ (5.8)
T =
T =
√

4
Absorption

einen wurzelförmigen Verlauf des Absorptionsspektrums, der bei der Energie

der Bandlücke einsetzt. Dabei haben wir die Annahme gemacht, dass das
2
Übergangs-Dipolmoment ⟨f |Ĥ ′ |i⟩ im relevanten Frequenzbereich konstant
ist.
Bei indirekten Übergängen unter Beteiligung eines Phonons wird die Rech- 0
1.1 1.2 1.3
nung aufwändiger. Man muss über alle Ausgangs- und Endzustände der ~ωγ (eV)
Elektronen integrieren, die über irgendein Phonon verbunden sind. Außerdem Abbildung 5.3: Absorption von Silizium (Si),
kann die Reihenfolge der Wechselwirkung mit Photon und Phonon getauscht einem indirekten Halbleiter, in der Nähe der
Bandkante (Macfarlane und Roberts, 1955).
62 Festkörperphysik II

werden und beide Möglichkeiten interferieren in der Quantenmechanik.1 Das 1

siehe zB Yu und Cardona, 2010
Ergebnis der Rechnung ist

für
2
α(ωγ ) ∝ (ℏωγ − (Eg ± ℏΩ)) ℏωγ > Eg ± ℏΩ , (5.9)

je nachdem, ob ein Phonon absorbiert oder emittiert wird. Die Absorption

setzt also mit einem quadratischen Verlauf bei der indirekten Bandlücke
ein. Der Anstieg ist mit steigender Frequenz also viel flacher als bei einer
direkten Bandlücke. Auch bei indirekten Halbleitern gibt es ab einer gewissen
Energie direkte Übergänge. Diese benötigen keine Phononen und sind somit
wahrscheinlicher. Ab der direkten Bandlücke dominiert dann also auch der
wurzelförmige Verlauf.

Zur Selbstkontrolle
2. Warum ist die Absorption bei direkten Halbleitern bei der Bandkante so viel stärker
als bei indirekten Halbleitern?

Thermische Besetzung der Bänder

Am absoluten Nullpunkt der Temperatur ist das Valenzband vollständig ge-

füllt, das Leitungsband vollständig leer. Durch thermische Anregung gelangen
aber Elektronen von Valenz- ins Leitungsband. Wir berechnen nun, wie vie-
le das sind. Dabei behandeln wir Elektronen und Löcher immer parallel zu
einander.
Die Dichte n der Elektronen im Leitungsband bzw. die Dichte p der Löcher
im Valenzband können wir einfach durch Integration über die Zustandsdichte
D (im jeweiligen Band) und die Fermi-Dirac-Funktion fF D bestimmen
Z ∞
n = fF D (E, T ) Dc (E) dE (5.10)
Ec
Z Ev
p = (1 − fF D (E, T )) Dv (E) dE . (5.11)
−∞

Die Energien Ev,c bezeichnen die jeweiligen Bandkanten (Eg = Ec − Ev ).

Bei den Löchern integrieren wir über 1−fF D , weil diese ja gerade unbesetzte
Elektronenzustände sind. Die Zustandsdichte ist jeweils

(2m⋆n )3/2 p
Dc (E) = E − Ec für E > Ec (5.12)
2π 2 ℏ3
(2m⋆p )3/2 p
Dv (E) = Ev − E für E < Ev , (5.13)
2π 2 ℏ3
wobei die Massen hier die jeweiligen effektiven Massen an der Bandkante
sind.
Nun müssen wir noch die Fermi-Dirac-Funktion fF D geeignet nähern
und dazu zunächst die Unterscheidung zwischen Fermi-Energie und Fermi-
Niveau einführen. In der Fermi-Dirac-Funktion steht eigentlich das chemische
Potential µ. Die Fermi-Energie hatten wir als EF = µ(T = 0) definiert.
Hier interessieren uns aber höhere Temperaturen. Gross und Marx, 2023
verwendet direkt das chemische Potential µ(T ), Hunklinger, 2014 führt den
Begriff des Ferminiveaus als Äquivalent zum chemischen Potential ein. Um
 Halbleiter 63

Verwechslungen mit der Beweglichkeit zu vermeiden, wird dort EF (T ) statt

µ verwendet. Ich folge hier Hunklinger.
Wir machen die Annahme, dass das Fermi-Niveau EF (T ) weit2 von den 2
auf einer kb T -Skala
Bandkanten entfernt ist. Dies ist die Näherung der Nichtentartung und gilt bei
intrinsischen oder nur schwach dotierten Halbleitern. Sie gilt bei stark dotier-
ten (entarteten) Halbleitern nicht. Dazu mehr unten. Wenn diese Näherung
also gemacht werden kann, also |E − EF | ≫ kb T für die relevanten Werte
von E ist, dann können wir die Fermi-Dirac-Verteilungen als Boltzmann-
Verteilungen nähern:
1
fF D = ≈ e−(E−EF )/kB T für E > EF (5.14)
e(E−EF )/kB T +1
1
1 − fF D = ≈ e−(EF −E)/kB T für E < EF . (5.15)
e(EF −E)/kB T +1

Damit können wir nun alles einsetzen und die Integrale berechnen:3 3
Man integriert
R √über−y
x = (E − EF )/kb T
√
und benutzt ye = π/2.
3/2
kb T m⋆n

n = 2 e−(Ec −EF )/kb T = N e−(Ec −EF )/kb T (5.16)
2πℏ2
3/2
kb T m⋆p

p = 2 e+(Ev −EF )/kb T = P e+(Ev −EF )/kb T . (5.17)
2πℏ2

Wir haben die effektiven (’zugänglichen’) Zustandsdichten N und P einge-

führt, die nur schwach von der Temperatur abhängen. Wenn wir sie als kon-
stant annehmen, haben wir die beiden Bänder zu zwei diskreten Zuständen
vereinfacht, die bei den Energien Ec bzw. Ev liegen. Dies wird im Folgenden
vieles vereinfachen.

Abbildung 5.4: Thermische Besetzung der

Dv Zustände eines intrinsischen Halbleiters
Dc mit m⋆p = 1.5m⋆n und Eg = kb T . Die
EF besetzten Zustände sind grau unterlegt.
Dv (1 − fF D ) Dc fF D Man erkennt n = p.
0
fF D (E)

0
Energie

Zur Selbstkontrolle
3. Wie beeinflusst das Verhältnis der effektiven Massen m⋆p /m⋆n die Lage des
Fermi-Niveaus EF (T ) im undotierten Halbleiter?

Massenwirkungsgesetz

Interessant ist, dass sowohl n als auch p von der Lage des Fermi-Niveaus
EF abhängt, deren Produkt aber nicht

n p = N P e−Eg /kb T = W T 3 e−Eg /kb T . (5.18)

Das Produkt np hängt nur von Materialparametern und der Temperatur ab.
Die Beziehung np = const. wird in Analogie zu einer chemischen Reaktion
64 Festkörperphysik II

Massenwirkungsgesetz genannt. Bei einer Reaktion der Form

A+B⇌C+D (5.19)

ergibt sich in stark verdünnter Lösung eine Gleichgewichtskonstante K mit

[C] [D]
K= , (5.20)
[A] [B]
wobei eckige Klammern hier die Konzentration der jeweiligen Stoffe bezeich-
nen. Man kann die Existenz von Elektronen im Leitungsband und Löchern im
Valenzband als chemische Reaktion der Art

<nichts> ⇌ Elektronen + Löcher (5.21)

sehen. Durch thermische Anregung entstehen Elektronen (im Leitungsband)

und Löcher (im Valenzband) aus dem Nichts. Die rechte Seite von Gl. 5.18
entspricht also der Gleichgewichtskonstante K.
Man beachte, dass zwar np = const., aber bislang noch nicht n = p
gefordert wurde. Das Massenwirkungsgesetz np = const gilt also auch für
dotierte Halbleiter.

Zur Selbstkontrolle
4. Warum ist die Beziehung np = const. unabhängig von der Lage des Fermi-
Niveaus EF ?

Intrinsische Ladungsträgerdichte

Bei dotierten Halbleitern (s.u.) kann ein Elektron nicht nur aus dem Valenz-
band, sondern auch von einem Fremdatom stammen. Für intrinsische, d.h.
undotierte Halbleiter gilt jedoch, dass für jedes Elektron im Leitungsband ein
Loch im Valenzband entstehen muss, d.h. n = p. Die Dichte der so paar-
weise erzeugten Ladungsträger wird als intrinsische Ladungsträgerdichte
ni = pi bezeichnet. Sie ergibt sich aus dem Massenwirkungsgesetz
√ √
ni = pi = np = N P e−Eg /2kb T . (5.22)

Diese Gleichung hatten wir in der Einführung schon verwendet, um Ladungs-

trägerdichten abzuschätzen. Man beachte hier die Zwei im Exponenten. Die
Bandlücke erscheint nur halb so groß, weil wir gleichzeitig ein Elektron und
ein Loch aus dem Nichts erzeugen.

Temperaturabhängigkeit des Fermi-Niveaus

Wir können uns einen Zusammenhang für die Temperaturabhängigkeit des

Fermi-Niveaus undotierter Halbleiter beschaffen, in dem wir ni = pi umfor-
men zu  ⋆ 3/2
P mn
= = e(2EF −Ec −Ev )/(kb T ) (5.23)
N m⋆p
und dann nach EF auflösen
m⋆p
 
Ec + Ev 3
EF (T ) = + kB T ln . (5.24)
2 4 m⋆n
 Halbleiter 65

Bei T = 0 liegt das Fermi-Niveau also in der Mitte der Bandlücke. Falls
Leitungs- und Valenzband gleich stark gekrümmt sind, also Elektronen- und
Loch-Masse identisch, dann bleibt es dort auch bei steigender Temperatur.
Unterscheiden sich die Massen, dann bewegt sich das Fermi-Niveau leicht
in Richtung der leichteren Ladungsträger. Da kB T ≪ Eg ist dies aber ein
kleiner Effekt.

Zur Selbstkontrolle

5. Warum ist die Temperaturabhängigkeit des Fermi-Niveaus EF (T ) bei Halblei-

tern mit stark unterschiedlichen effektiven Massen m⋆n und m⋆p größer als bei
Halbleitern mit ähnlichen Massen?

Dotierung

Kein Halbleiterkristall ist wirklich rein, sondern enthält immer Fremdato-

me. Diese Fremdatome verursachen zusätzliche Ladungsträger, Elektronen
oder Löcher und beeinflussen damit die Leitfähigkeit. In einem idealen GaAs
beträgt die intrinsische Ladungsträgerdichte bei Raumtemperatur beispiels-
weise ni ≈ 107 cm−3 . Aber selbst in den besten GaAs-Kristallen findet man
n ≈ 1016 cm−3 . Daher kann man einen Kristall gezielt dotieren (eigentlich
’verunreinigen’), um die Ladungsträgerdichte einzustellen. Man unterscheidet
zwischen n- und p-Dotierung, da man ein Atom der Valenz V im Ausgangsma-
terial durch ein Fremdatom der Valenz V + 1 oder V − 1 ersetzen kann. Im
Fall V + 1 spricht man von Donatoren, also Atomen, die Elektronen abgeben,
oder von n-Dotierung. Im Fall von V − 1 spricht man von Akzeptoren (Atome,
die Elektronen aufnehmen) oder p-Dotierung.
Ein Donator-Atom ist für ’sein’ Elektron ähnlich einem Proton für das
Elektron im Wasserstoff-Atom, und analog ein Akzeptor für das Loch. Wir
können also die Beschreibung des Wasserstoff-Atoms benutzen und müssen
nur die effektive Masse des Ladungsträgers und die relative Permittivität ϵr
des Materials anpassen. Für einen Donator sind die Energie-Eigenwerte also

1 m⋆e e4 1 m⋆e 1 13.6 eV

En = − = − (5.25)
2 (4πϵr ϵ0 )2 ℏ2 n2 mfrei ϵ2r n2

mit n hier der Quantenzahl und nicht der Ladungsträgerdichte. Der Bohr-
Radius ist
ϵr
rBohr = ⋆ 0.53 Å . (5.26)
me /mfrei
Für Silizium findet man mit m⋆e = 0.1mfrei und ϵr = 11.7 die Werte
E1 = −10 meV und rBohr = 62 Å. Der Betrag der Bindungsenergie ist
also viel kleiner als die Bandlücke (1.14 eV) und kleiner als kb T (25 meV)
bei Raumtemperatur. Der Bohr-Radius ist viel größer als die Gitterkonstan-
te (5.4 Å). Es liegen also sehr viele Silizium-Atome innerhalb der Bahn des
Elektrons um das eine Donator-Fremdatom.
Welche Bedeutung hat die Bindungsenergie des Donator-Elektrons für die
Bandstruktur? Die Ionisation des Wasserstoffatoms entspricht dem Über-
gang des gebundenen Donator-Elektrons in das Leitungsband. Dort kann
es sich frei bewegen. Die Donatorzustände liegen daher im Abstand En
66 Festkörperphysik II

unterhalb der Unterkante des Leitungsbandes. Analog dazu liegen die Akzep-
torzustände etwas oberhalb der Oberkante des Valenzbandes. In unserem
Wasserstoffmodell sind die Bindungsenergien (Abstände der Zustände von
der Bandkante) unabhängig vom Fremdatom, es gehen nur die Eigenschaften
des Ausgangsmaterials ein. Dies ist in der Realität auch fast so, da der Bohr-
radius so groß ist, dass Details der Elektronenkonfiguration des Fremdatoms
nur sehr schwach eingehen.
Bei Raumtemperatur sind die Störstellen mit großer Wahrscheinlichkeit
ionisiert. Bei tiefen Temperaturen kann man durch Infrarotabsorption die
Lage der Donator- und Akzeptor-Niveaus bestimmen.

Zur Selbstkontrolle

6. Warum ist die Bindungsenergie der Donatoren und Akzeptoren in Halbleitern so

viel kleiner als die Bandlücke?

7. Warum ist sie unabhängig von der Art des Fremdatoms? Und warum ist sie unab-
hängig von der Temperatur?

Temperaturabhängigkeit der Ladungsträgerdichte

Durch die Dotierung lässt sich die Ladungsträgerdichte einstellen, die dann
aber natürlich stark temperaturabhängig ist, weil die Bindungsenergie der
Störstellen relativ klein ist. Dies werden wir nun etwas genauer betrach-
ten. Wir machen weiterhin die Näherung der Nichtentartung, also dass das
Fermi-Niveau4 weit genug von der Bandkante entfernt ist, so dass wir die 4
=chemisches Potential µ
Fermi-Dirac-Verteilung mit einer Boltzmann-Verteilung nähern können. Die
Ladungsträgerdichten im Leitungsband (n) und Valenzband (p) sind also wie
oben

n = N e−(Ec −EF )/kb T und p = P e+(Ev −EF )/kb T , (5.27)

unabhängig davon, ob die Ladungsträger aus dem gegenüberliegen Band

oder aus Störstellen stammen. Die intrinsischen Dichten hatten wir erst
später eingeführt.
Jedes Donator- und Akzeptor-Niveau kann nur mit einem Ladungsträger
besetzt werden. Ein unterschiedlicher Spin reicht nicht aus, weil die Coulomb-
Abstoßung der Ladungsträger größer ist also die Bindungsenergie.5 Sei nD 5
Man darf nicht die Lage der Zustände im
also die Dichte der Donatoren, die entweder besetzt (neutral) sein können H-Atom vergleichen, sondern die zwischen H
und H– oder He und He+.
(n0D ) oder ionisiert (n+
D ) und damit natürlich

nD = n0D + n+
D und nA = n0A + n−
A . (5.28)

Für deren Temperaturabhängigkeit kann man die Fermi-Dirac-Verteilung nicht

mehr durch eine Boltzmann-Verteilung nähern, sondern muss schreiben

n0D 1 n0A 1
= (E −E )/k T und = (E −E )/k T . (5.29)
nD e D F b +1 nA e F A b +1

Alle Ladungen im Halbleiter müssen sich jederzeit neutralisieren, also

n + n− +
A = p + nD . (5.30)
 Halbleiter 67

Diese vier Gleichungen beschreiben zusammen die Temperaturabhängig-

keit. Wir nehmen nun einen n-Halbleiter an, also dass viel mehr Donatoren
als Akzeptoren vorhanden sind, also nD ≫ nA . In diesem Fall findet sich
sicherlich für jeden Akzeptor ein Elektron aus einem Donator, so dass alle Ak-
zeptoren negativ geladen sind (nA ≈ n− A ). Und wir nehmen an, dass die Do-
tierung so stark ist, dass sie die Leitfähigkeit dominiert (Störstellenleitung).
Dies ist dann der Fall, wenn n+ D ≫ p, also viel mehr Donatoren ionisiert sind
als Löcher vorhanden, oder die Mehrzahl der Elektronen im Leitungsband von
Donatoren stammt, also die intrinsische Dichte vernachlässigt werden kann
(ni ≪ n+ D ). Damit wird die Dichte n der Elektronen im Leitungsband

n = p + n+ − n− + 0
A ≈ nD − nA = (nD − nD ) − nA (5.31)
D 
1
= nD 1 − (E −E )/k T − nA . (5.32)
e D F b +1

Das Fermi-Niveau EF können wir durch Umformen mit Gl. 5.27 entfernen

n(nA + n)
= N e−Ed /kb T , (5.33)
nD − nA − n

wobei Ed = Ec − ED der energetische Abstand der Donator-Niveaus von

der Unterkante der Leitungsbandes ist. Aus dieser Gleichung kann man bei
gegebener Fremdatom-Konzentrationen nA , nD und Energien die Ladungs-
trägerdichte n berechnen. Zusammen mit Gl. 5.27 erhält man dann auch die
Lage der Fermi-Niveaus EF . Dies ist in Abb. 5.5 als Funktion der reziproken
Temperatur T gezeigt und in der Abb. 5.1 am Anfang des Kapitels linear. Man
findet vier Temperaturbereiche, die im Folgenden mit steigender Temperatur
diskutiert werden.

103 Abbildung 5.5: Temperaturabhängigkeit

rel. Dichte n/nD

n ≈ nD der Ladungsträgerdichte n. In dieser

100 e−Ed /2kb T Darstellung ist Ed = Eg /10 gewählt.
−Eg /2kb T
e nA
10−3 e−Ed /kb T
10−6
Ed
0.9
EF /Eg

Eg /2

0.5
0 5 10 15 20 25
rel. reziproke Temperatur Ed /kb T

Kompensationsbereich Bei sehr tiefen Temperaturen ist kb T ≪ Ed und

nur sehr wenige Ladungsträger sind im Leitungsband, also n ≪ nA ≪ nD
und Gl. 5.33 wird
nD N −Ed /kb T
n≈ e . (5.34)
nA
Das Fermi-Niveau wird mit Gl. 5.27
 
nD
EF ≈ Ec − Ed + kb T ln . (5.35)
nA
68 Festkörperphysik II

Wenn es nur kalt genug ist, liegt das Fermi-Niveau auf den Donator-Zuständen.
Die Donatoren sind teilweise geladen, aber nicht so sehr, weil deren Ladungs-
träger im Leitungsband sind, sondern weil sie die Akzeptoren besetzt haben
und diese keine Löcher mehr liefern können. Die Akzeptoren werden also
kompensiert. Wenn T größer wird, dann verschiebt sich EF in Richtung
Bandkante und mehr Ladungsträger gelangen ins Leitungsband.

Störstellenreserve Mit steigender Temperatur ist dann der Punkt erreicht,

dass nA ≪ n ≪ nD . Damit wird Gl. 5.33

n ≈ nD N e−Ed /2kb T
p
(5.36)

(man beachte die 2 im Exponenten) und das Fermi-Niveau wird

N
 
Ed kb T
EF ≈ Ec − − ln . (5.37)
2 2 nD
Das Fermi-Niveau ist als in etwa in der Mitte zwischen Leitungsband-
Unterkante und Donator-Niveau. Es sind noch nicht alle Donatoren ionisiert.
Die Donatoren übernehmen die Rolle des Valenzbandes bei intrinsischen
Halbeleitern und Ed die Rolle der Bandlücke.

Störstellenerschöpfung Jetzt erreichen wir Raumtemperatur und kb T ≈ Ed .

Damit wird Gl. 5.33
n2
≈N bzw. n ≈ nD = const. (5.38)
nD − n
weil n ≪ N und
N
 
EF ≈ Ec − kb T ln . (5.39)
nD
Alle Störstellen sind ionisiert, aber die direkte Anregung von Elektronen aus
dem Valenz- ins Leitungsband spielt noch keine Rolle.

Eigenleitung Die Temperatur ist schließlich so hoch, dass kb T ≫ Ed .

Ladungsträger werden vom Valenz- ins Leitungsband angeregt und die An-
nahme p ≪ nD gilt nicht mehr. Die Dotierung spielt keine Rolle mehr und der
Halbleiter verhält sich wie ein intrinsischer Halbleiter mit den Gleichungen
5.17 und 5.24 für n und EF . p dotiert n dotiert
- h+ e− +
h+ - + e− +
Zur Selbstkontrolle - - +
- + e−
8. Warum ist die Beziehung np = const. auch für dotierte Halbleiter gültig? h+ - - +
h+ e− +

- ion. Akzeptor + ion. Donor

p-n-Übergang
h+ Loch e− Elektron
ρ
Die Dotierung eines Halbleiter-Kristalls kann räumlich variieren. Dazu kann
man beispielsweise durch UV-Lithographie eine Maske erzeugen, die das Ein-
dringen von Fremdatomen an manchen Stellen verhindert. Wir betrachten hier ln x
einen Kristall, bei dem sich auf einer Längenskala von wenigen Nanometern p n
die Dotierung von p nach n ändert. Seien die Konzentration der Störstellen Abbildung 5.6: Räumliche Verteilung der
beispielsweise festen und beweglichen Ladungen an
einem p-n-Übergang und das sich daraus
nA (x) = nA Θ(x) und nD (x) = nD Θ(−x) (5.40) ergebende Potential.
 Halbleiter 69
p dotiert n dotiert
C C
mit der Stufenfunktion Θ. Der dabei entstehende p-n-Übergang besitzt einen D
EF
charakteristischen Verlauf der Bandkanten und dient technologisch beispiels-
weise als Diode.
EF
Stellen wir uns zunächst vor, dass die beiden Bereiche nicht miteinander A
in Verbindung stünden. Im p-dotierten Bereich gibt es bei Raumtempera- V V
tur viel mehr Löcher im Valenzband als Elektronen im Leitungsband, im
n-dotierten Bereich ist es gerade anders herum. Wenn man die beiden Berei-
che miteinander verbindet, dann diffundieren die Ladungsträger jeweils in
C
den anderen Bereich, um die Konzentration auszugleichen. Dort rekombinie-
e VD
ren aber Elektronen und Löcher und vernichten sich so gegenseitig. In den
C
Ausgangsbereichen bleiben die gegenteilig geladenen immobilen Störstellen
D
zurück. Dadurch bildet sich im p-dotierten Bereich eine negative Raumla- EF
A
dung, im n-dotierten eine positive. Diese wirkt der Diffusion entgegen und
V
ein Gleichgewicht stellt sich ein. Die dabei entstehende Potentialdifferenz
nennt man Diffusionsspannung VD . Diese verschiebt die Gesamtenergie der
V
Elektronen um den Beitrag −e VD und verbiegt so die Bänder, im n-dotierten
Abbildung 5.7: Bandstruktur und Lage des
Bereich hin zu niedrigeren Energien. Die Raumladungszone nennt man auch Fermi-Niveaus vor und nach dem Verbin-
Verarmungszone, weil dort fast keine mobilen Ladungsträger mehr vorhanden den von zwei unterschiedlich dotierten
Halbleitern.
sind.6 6
Das Massenwirkungsgesetz fordert
Man kommt zum gleichen Ergebnis auch mit einer anderen Argumentati- n · p =const, aber n + p kann stark
on. Vor dem Zusammenführen hat man im p-dotierten Bereich bei Raumtem- variieren.

peratur ein Fermi-Niveau etwas oberhalb des Akzeptor-Niveaus, weil wir im

Bereich der Störstellenerschöpfung sind. Im n-dotierten Teil ist die Bandlücke
identisch, weil es dasselbe Halbleiter-Material ist. Nur liegt dort das Fermi-
Niveau etwas unterhalb der Donator-Niveaus. Im thermischen Gleichgewicht
kann es aber nur ein Fermi-Niveau (= chemisches Potential) geben.7 Es bildet 7
In der Chemie pro Stoff, hier aber alles
sich also ein Makropotential ϕ(x), das zur potentiellen Energie qϕ(x) der Elektronen.

Ladungsträger (q = ±e) beiträgt, so dass das Fermi-Niveau wieder räumlich

konstant ist.8 8
Wenn man eine externe Spannung anlegt,
Die Diffusionsspannung VD ergibt sich also aus der Differenz der Fermi- so wird dieses externe Potential typi-
scherweise als separat vom Fermi-Niveau
Niveaus im unverbundenen Zustand. In erster Näherung ist also eVD ≈ Eg . angesehen. Dann ist das Fermi-Niveau
Im Bereich der Störstellenerschöpfung ist sie durch Gl. 5.39 gegeben nicht mehr räumlich konsant. Die Trennung
zwischen Makropotential und externem
Potential ist aber nur Konvention.
e VD = EFn − EFp (5.41)

N P
   
= Ec − kb T ln − Ev − kb T ln (5.42)
nD nA
NP
 
= Eg − kb T ln (5.43)
nD nA
 
nD nA
= kb T ln . (5.44)
n2i
Die Ladungsträgerdichten sind weiterhin durch die Lage des Fermi-
Niveaus (Gl. 5.17) gegeben, nur dass sich dieses nun aus einem konstanten
Anteil EF und einem räumlich variablen Anteil eϕ(x) zusammensetzt. Wir
erhalten also

n(x) = N e−(Ec −EF −eϕ(x))/kb T und p(x) = P e+(Ev −EF −eϕ(x))/kb T .

(5.45)

Die Raumladungsdichte ρ(x) ist damit

ρ(x) = e (nD (x) − nA (x) − n(x) + p(x)) , (5.46)

70 Festkörperphysik II

wenn man annimmt, dass alle Störstellen ionisiert sind. Zusammen mit der
Poisson-Gleichung
1
−∇2 ϕ(x) = ρ(x) (5.47)
ϵr ϵ0
haben wir ein nichtlineares gekoppeltes System von Differentialgleichungen
für ρ(x) und ϕ(x), das sich nur numerisch lösen lässt.

Schottky-Modell der Raumladungszone

Im Schottky-Modell nähert man den graduellen Verlauf der Ladungsträger-

dichten durch Rechteck-Funktionen.9 In einem Intervall der Breite dp befinden 9
Das geht, weil die beweglichen Ladungs-
sich nicht durch freie Ladungsträger kompensierte Akzeptoren der Konzen- träger in ihrer Dichte exponentiell variieren,
also sehr schnell irrelevant werden, siehe
tration nA und andersherum für den n-dotierten Bereich. Wenn das Koordina- z.B. Ashcroft und Mermin, 2013.
tensystem so ist, dass x = 0 an der p-n-Grenzfläche, dann ist beispielsweise
ρ(x) = −enA im Bereich −dp < x < 0 und ρ(x) = 0 für x < −dp . Durch
Integration der Poisson-Gleichung bekommt man dann einen parabelförmigen
Verlauf
enA
für
2
ϕ(x) = ϕ−∞ + (dp + x) − dp < x < 0 , (5.48)
ϵr ϵ0

wobei ϕ−∞ das konstante Makropotential tief im p-dotierten Bereich ist und
VD = ϕ+∞ − ϕ−∞ . Das Potential erfüllt so schon die Stetigkeitsbedin-
gungen im Übergang zu ϕ±∞ . Bei x = 0 muss ebenfalls die erste Ableitung
stetig sein, also
nD dn = nA dp (5.49)

was der Forderung nach Gesamt-Neutralität entspricht. Aus der Stetigkeit von
ϕ selbst ergibt sich eine weitere Bedingung
e
nD d2n + nA d2p = ϕ+∞ − ϕ−∞ = VD


. (5.50)
2ϵr ϵ0

Damit erhalten wir s

2ϵr ϵ0 VD nA /nD
dn = (5.51)
e nA + nD
und dp analog. typischerweise ist eVD ≈ Eg ≈ 1 eV, und nA,D ≈
1014 . . . 1018 cm−3 . Also liegen dp,n bei 10 bis 1000 nm.

Zur Selbstkontrolle
9. Warum ist die Breite der Raumladungszone d unabhängig von der Temperatur?

Externe Spannung und Strom-Spannungs-Kennlinie

Nun legen wir eine externe Spannung an den p-n-Übergang an. Wir nennen die
Spannung U positiv, wenn sie das Potential der p-dotierten Seite anhebt. Nur
innerhalb der Verarmungszone ist die Leitfähigkeit relativ niedrig, so dass
die Spannung im Wesentlichen hier abfällt. Die Bänder ändern sich also nur
im Bereich der Verarmungszone, außerhalb bleibt alles unverändert. Damit
bleiben auch die Gleichungen aus dem letzten Abschnitt gültig, wenn wir
jeweils VD durch VD − U ersetzen.
 Halbleiter 71

nD Abbildung 5.8: Schottky-Modell der Raumla-

Rauml. ρ

+ dungszone

0
-
nA
0
Feld Ex
Potential φ

φ+∞
VD
φ−∞

−dp 0 +dn
Ort x

Durch Anlegen der externen Spannung ändert sich die Breite der Raumla-
dungszone r
U
d = dp + dn = d(U = 0) 1 − . (5.52)
VD
Positive Spannungen (in Durchlassrichtung) reduzieren die Breite der Raum-
ladungszone (=Verarmungszone), negative Spannung (Sperrrichtung) vergrö-
ßern sie.
Um die Wirkungsweise eines p-n-Übergangs als Diode zu verstehen sind
die beteiligten Ströme10 relevant. 10
Gross und Marx, 2023 unterscheidet zwei
Paare von Strömen: diff & drift sowie gen
& rec. Die Vorzeichen sind aber anders
Rekombinationsstrom j rec Aufgrund des Konzentrationsunterschieds links definiert: diff + drift = 0 aber gen = rec !
und rechts der Grenzfläche diffundieren beispielsweise Elektronen aus dem
n-dotierten Bereich in den p-dotierten und rekombinieren mit den dort in
großer Zahl vorhandenen Löchern. Dieser Strom wird auch Diffusionsstrom
genannt.

Generationsstrom j gen Die Raumladungszone bildet einen Kondensator, in

dem Ladungsträger beschleunigt werden. Thermisch erzeugte Elektronen
im p-dotierten Bereich driften durch das Raumladungs-Feld in Richtung n-
dotierten Bereich. Dieser Strom wird auch Driftstrom oder Feldstrom genannt.
Im thermischen Gleichgewicht sind beide Ströme gleich groß und kom-
pensieren sich gerade jnrec = jngen . Und natürlich kann man genau so mit
Löchern argumentieren, so dass es beide Ströme auch mit dem Index p gibt.
Die Gesamt-Ströme sind die Summe der beiden Ladungsträger.
Der Diffusionsstrom fließt entgegen der Raumladungs-Potentialschwelle.
Die Wahrscheinlichkeit, dass dies gelingt, enthält einen Boltzmann-Faktor

jnrec (U ) = a(T ) e−e(VD −U )/kb T = jnrec (0) eeU/kb T = jngen eeU/kb T . (5.53)

Bei angelegter Spannung besteht kein thermisches Gleichgewicht mehr, so

dass jnrec = jngen nicht mehr gilt, sondern

jn (U ) = jnrec (U ) − jngen = jngen eeU/kb T − 1

 
, (5.54)

beziehungsweise für beide Ladungsträger zusammen

 
j(U ) = js eeU/kb T − 1 (5.55)
72 Festkörperphysik II

mit dem Sättigungsstrom js = jngen + jpgen .

Zur Selbstkontrolle
10. Warum ist der Diffusionsstrom exponentiell von der Spannung U abhängig?

Zusammenfassung

Schreiben Sie hier ihre persönliche Zusammenfassung des Kapitels auf. Kon-
zentrieren Sie sich auf die wichtigsten Aspekte und die am Anfang genannten
Ziele des Kapitels.

Literatur

Ashcroft, Neil W. und N. David Mermin (2013). Festkörperphysik. München:

Oldenbourg.
Conwell, Esther M (1952). “Properties of silicon and germanium”. In: Procee-
dings of the IRE 40.11, S. 1327–1337. .
Gross, Rudolf und Achim Marx (2023). Festkörperphysik. 4. De Gruyter. .
Hunklinger, Siegfried (2014). Festkörperphysik. 4. aktualisierte Auflage.
München: De Gruyter. .
Johnson, Earnest J. (1967). “Absorption near the Fundamental Edge”. In:
Hrsg. von R.K. Willardson und Albert C. Beer. Bd. 3. Semiconductors and
Semimetals. Elsevier, S. 153–258. .
Macfarlane, GG und V Roberts (1955). “Infrared absorption of silicon near the
lattice edge”. In: Physical Review 98.6, S. 1865. .
Yu, Peter Y. und Manuel Cardona (2010). Fundamentals of semiconductors.
Springer. .
Kapitel 6
Supraleiter
Markus Lippitz
16. Juni 2025

Ziele

• Sie können das Konzept der Cooper-Paare im Rahmen der BCS-Theorie

benutzen, um grundlegende Eigenschaften von Supraleitern zu erklären.

• Sie können das Konzept der makroskopischen Wellenfunktion benutzen,

um die Flussquantisierung und die Quanteninterferenz in Josephson-
Kontakten wie unten dargestellt zu beschreiben.

1 Abbildung 6.1: Quanteninterferenz des

Stromes durch zwei parallel geschaltete
Josephson-Kontakte (Sn/SnOx/Sn) als Funk-
Strom (mA)

tion des Magnetfelds B im supraleitenden

0.5 Zustand (T = 2K). Daten aus Jaklevic u. a.,
1965.

0
−40 −20 0 20 40 60
Magnetfeld B (µT)

Überblick

In diesem Kapitel gehen wir einen Schritt zurück in unserer Beschreibung der
Festkörper und vernachlässigen Details der Bandstruktur, indem wir wieder
von einem quasi-freien Elektronengas ausgehen. Dafür gehen wir dann aber
auch einen Schritt weiter, indem wir nun erstmals Korrelationen zwischen
Elektronen berücksichtigen. Es wird nicht mehr ausreichen, ein einziges Elek-
tron zu betrachten, sondern ’synchronisierte’ Paare von Elektronen werden
wichtig werden.
Wir beginnen mit einem Überblick über experimentelle Beobachtungen
an Supraleitern, um dann zunächst ein phänomenologisches Modell und
schließlich ein mikroskopisches Modell zur Beschreibung einzuführen.
Dieses Werk ist lizenziert unter einer Creative Commons “Namensnennung –
Weitergabe unter gleichen Bedingungen 4.0 International” Lizenz.
74 Festkörperphysik II

Idealer Leiter

Ein Supraleiter ist zunächst einmal ein idealer Leiter, in dem Strom wider-
standsfrei fließt. Dies wurde 1911 von Heike Kamerlingh Onnes entdeckt.
Nachdem ihm 1908 die Verflüssigung von Helium gelungen war, wollte er
eigentlich den Grenzwert der Leitfähigkeit bei tiefen Temperaturen untersu-
chen, analog zu unserem Kapitel 2. Er verwendete sehr reines Quecksilber
(Hg) und fand bei 4.2 K einen sprunghaften Übergang zu einem dann von ihm
supraleitend genannten Zustand.1 1
Zur Geschichte der Helium-Verflüssigung
Im supraleitenden Zustand ist der Widerstand nicht nur sehr klein, son- und der Supraleitung siehe Van Delft, 2008
und Van Delft und Kes, 2010.
dern tatsächlich null. Man kann einen Ringstrom in einer geschlossenen
Leiterschleife induzieren. Dieser würde mehr als 100 000 Jahre anhalten. Der
Widerstand fällt um mehr als 14 Größenordnungen.

Widerstand (mΩ)
100
Sehr viele Materialien sind supraleitend. Reine Elemente zeigen eine
Sprungtemperatur von unter 10 K, Legierungen liegen etwas höher. Oxyde mit
50
vier oder fünf verschiedenen Elementen bilden sogenannte Hochtemperatur-
Supraleiter mit einer Sprungtemperatur von bis zu 135 K. Bei sehr hohen
Drücken werden noch höhere Werte erreicht. 0
4 4.1 4.2 4.3 4.4
Auffällig ist, dass gerade ’gute’ Metalle keine hohe Sprungtemperatur Temperatur (K)
besitzen. Eher ist die Tendenz so, das schlechte Leiter gute Supraleiter sind. Abbildung 6.2: Sprung des Widerstands
von Quecksilber (Hg) beim Übergang in
den supraleitenden Zustand. Daten aus
Meißner-Ochsenfeld-Effekt Kamerling Onnes, 1911.

Supraleiter sind perfekte Diamagnete. Ihr Inneres ist immer frei von einem
magnetischen Feld. Dies wurde 1933 von Walter Meißner und Robert Och-
senfeld gefunden, als sie das magnetische Feld um einen supraleitenden
Zylinder untersuchten2 . Dies ist eine Eigenschaft, die über die eines idealen 2
Meissner und Ochsenfeld, 1933.
Leiters hinausgeht.
Wir betrachten den durch die Temperatur T und das Magnetfeld B auf-
gespannten Phasenraum. Oberhalb einer gewissen Temperatur Tc ist das
Material normalleitend, darunter entweder supraleitend oder ideal leitend. Wir
gehen von Zustand (T > Tc ; B = 0) zum Zustand (T < Tc ; B > 0). Dabei
können wir aber die Reihenfolge von Temperatur- und Magnetfeld-Änderung
vertauschen.
Beim idealen Leiter ist das Magnetfeld im inneren zeitlich konstant. Dies
ergibt sich aus dem Induktionsgesetz

∂B
− =∇×E =0 , (6.1)
∂t
weil E = 0 im Inneren eines idealen Leiter sein muss. Wenn man also
zunächst das B-Feld einschaltet und dann die Temperatur reduziert, dann
bleibt im Inneren ein Feld. Wenn man es andersherum macht, dann bleibt
das Innere feldfrei. Beim Einschalten des B-Feldes wird ein Kreisstrom an der
Oberfläche des idealen Leiters induziert, der gerade das B-Feld kompensiert.
Für Supraleiter haben nun Meißner und Ochsenfeld gemessen, dass das
Innere immer feldfrei ist3 , egal welchen der beiden Wege man geht. Für das 3
Eigentlich haben sie das Feld außerhalb
Magnetfeld Bi im Inneren gilt also des Zylinders gemessen und dann auf das
innerhalb geschlossen.

Bi = Bext + µ0 M = Bext (1 + χ) = 0 , (6.2)

 Supraleiter 75

also ist die magnetische Suszeptibilität χ = −1, Supraleiter also perfekte

Diamagnete.
Wir können aus dem Meißner-Ochsenfeld-Effekt weiterhin folgern, dass
der supraleitende Zustand ein wirklicher thermodynamischer Zustand ist,
also nur von den Zustandsgrößen abhängt und nicht vom Weg dahin.

Zur Selbstkontrolle

1. Suchen Sie im Internet nach graphischen Darstellungen der Prozessführung im

Meissner-Ochsenfeld-Effekt und vergewissern Sie sich, dass alle den gleichen
Effekt zeigen, obwohl er manchmal etwas anders dargestellt ist.

Kritisches Magnetfeld

Man beobachtet, dass die Abschirmung des externen Magnetfelds nur bis zu
einer gewissen kritischen Feldstärke Bc gelingt und darüber der supraleiten-
de Zustand zusammenbricht. Es gilt also
(
Bext falls Bext < Bc supraleitend
−µ0 M = . (6.3)
0 falls Bext ≥ Bc normalleitend
80
Für die kritische Feldstärke Bc findet man empirisch den Zusammenhang Pb

Magnetfeld Bc (mT)
"  2 # 60
T
Bc (T ) = Bc (0) 1 − (6.4) Hg
Tc 40

Sn
mit der Sprungtemperatur Tc . 20
Al
Typische kritische Magnetfeldstärken reiner Metalle liegen im Bereich 0
von 10 bis 100 mT. Das ist insbesondere für technische Anwendungen sehr 0 2 4 6
Temperatur (K)
wenig. Ein supraleitender Magnet wäre so nicht zu realisieren. Bei Über-
Abbildung 6.3: Kritisches Magnetfeld
gangsmetallen und Legierungen findet man allerdings ein anderes Verhalten, für verschiedene Supraleiter (Daten aus
das als Typ-II-Supraleitung bezeichnet wird. Dabei tritt eine sogenannte Hunklinger, 2014).
Shubnikov-Phase oder auch Vortex-Phase zwischen dem supraleitenden
und normalleitenden Zustand auf. In dieser Phase bilden sich normalleiten-
de Röhren innerhalb des Supraleiters, die das Magnetfeld hindurch leiten.
Die eine kritische Feldstärke Bc wird also durch zwei Feldstärken Bc1 und
Bc2 ersetzt, die die Grenze der Vortex-Phase beschreiben. Solche Typ-II-
Supraleiter sind die, die heute technologisch verwendet werden. Zur Beschrei-
bung benutzt man die Ginzburg-Landau-Theorie, auf die wir hier wie auf die
Typ-II-Supraleitung insgesamt nicht näher eingehen können.

Flussquantisierung

Der von einem supraleitenden Zylinder oder einer supraleitenden geschlos-

senen Leiterschleife umschlossene magnetische Fluss4 ist quantisiert. Dies 4
Feldstärke mal Fläche
haben 1961 gleichzeitig R. Doll & M. Näbauer in München und B.S. Deaver &
W.M. Fairbank in Stanford experimentell gefunden.
In den Experimenten bildete ein Bleifilm auf einem dünnen Quarz-Stäbchen
einen supraleitenden Hohlzylinder. Ein axiales Magnetfeld war angelegt
während der Zylinder unter die Sprungtemperatur abgekühlt wurde. Danach
76 Festkörperphysik II

wurde das externe Feld ausgeschaltet. Man beobachtet aber weiterhin ein
magnetisches Moment in Zylinderrichtung. Dessen Größe kann durch ein
Testfeld bestimmt werden. Man findet die Quantisierung des Flusses mit dem 2

Flussquant

mag. Fluss (h/2e)

h
Φ0 = . (6.5)
2e 1
Wie wir unten sehen werden stammt die Zwei von den zwei Elektronen, die
sich korreliert bewegen.
0
0 20 40
Wärmekapazität und Entropie Btrap (µT)
Abbildung 6.4: Flussquantisierung in einem
Die spezifische Wärmekapazität eines Supraleiters weicht deutlich von der supraleitenden Blei-Zylinder (Doll und
Näbauer, 1961).
eines Normalleiters ab. Für ein gewöhnliches Metall hatten wir gefunden (Gl.
2.22), dass
cV = γT + AT 3 (6.6)

mit dem Beitrag der Elektronen proportional zu T und dem der Phononen pro- 4
portional zu T 3 . Bei den hier betrachteten niedrigen Temperaturen spielt der B=0
B>0
Phononen-Beitrag keine Rolle. Aber auch der Elektronen-Beitrag ist anders. 3

cV (mJ/mole K)
Man findet (
e−∆/kb T für T < Tc 2
cV ∝ (6.7)
T für T ≥ Tc
1
mit einer charakteristischen Energie ∆. Tc
Durch Messung von dS/dT = cp kann man die Entropie der supraleiten- 0
0 0.5 1 1.5 2
den Phase bestimmen. Man findet einen kleinen Unterschied im Vergleich zur Temperatur (K)
normalleitenden Phase Abbildung 6.5: Wärmekapazität von Al.
Durch das Magnetfeld kann der supralei-
∆S = SSC − SN < 0 und |∆S| ≈ 10−4 kb T /Atom . (6.8)
tende Zustand unterdrückt werden, so dass
das normalleitende Verhalten sichtbar wird
(Phillips, 1959).
Die supraleitende Phase ist also geordneter als die normalleitende, aber
diese Ordnung betrifft nur sehr wenige Elektronen.

Isotopen-Effekt

Die Sprungtemperatur Tc hängt vom verwendeten Isotop ab. Solange das

√
chemische Element (im Beispiel Zinn) das gleiche bleibt, ändert sich die 3.8 1/ M
elektronische Struktur nicht, sondern nur die Masse des Atomkerns und
damit die Frequenz der Gitterschwingungen. Man findet
Tc (K)

1 3.7
Tc ∝ √ ∝ ωDebye . (6.9)
M

115 120 125

Masse M (u)
London-Modell
Abbildung 6.6: Isotopen-Effekt: Variation der
kritischen Temperatur mit der Atommasse.
Als erstes Modell zur Erklärung der Supraleitung besprechen wir hier das Angegeben ist die mittlere Masse eines
London-Modell, das 1935 von Fritz und Heinz London aufgestellt wurde5 . Isotopengemisches von Zinn (Sn). (Daten
aus Hunklinger, 2014.
Die Idee ist, die Maxwell-Gleichungen beizubehalten und nur die Materie- 5
F. London und H. London, 1935.
Gleichungen so zu modifizieren, dass sie den verschwindenden Widerstand
und den perfekten Diamagnetismus erklären können.
 Supraleiter 77

Für normalleitende Materie haben wir die Materie-Gleichungen

1
H= B D = ϵ0 E j = σE . (6.10)
µ0

Das Postulat ist nun6 , dass in Supraleitern gilt 6

siehe Anhang H.3 in Singleton, 2001

1
j=− A (6.11)
µ0 λ2

mit dem Vektorpotential7 A und der London-Länge 7

mit ∇ × A = B und der London-Eichung
∇ · A = 0 und A⊥ = 0
ms
λ2 = . (6.12)
ns µ0 qs2
Wie wir unten sehen werden sind es nicht direkt die Elektronen, die zur Supra-
leitung führen. Daher sind hier alle Größen mit dem Index ’s’ versehen, um die
supraleitenden Teilchen zu kennzeichnen.
Die zeitliche Ableitung der Stromdichte ist dann8 8
siehe Gross und Marx, 2023 oder Czycholl,
2017
∂j
µ0 λ2 =E . (6.13)
∂t
Dies ist die 1. London-Gleichung. Nicht mehr die Stromdichte, sondern ihre
zeitliche Ableitung ist proportional zum elektrischen Feld. Ohne Feld fließt
also weiterhin Strom. Das ist Supraleitung.
Die Rotation der Stromdichte ist mit dem Magnetfeld verknüpft
1
∇×j =− B . (6.14)
µ0 λ2
Dies ist die 2. London-Gleichung.
Unter Zuhilfenahme der Maxwell-Gleichungen und ein paar weiteren Um-
formungen9 findet man für das magnetische Feld 9
siehe Singleton, 2001 Anhang H.3

1
∇2 B = B . (6.15)
λ2
Betrachten wir dazu eine Grenzfläche zwischen Normalleiter (x < 0) und
Supraleiter (x > 0) bei einem in z-Richtung orientierten Magnetfeld. Im
Normalleiter sei das Feld homogen B0 . Im Supraleiter ist die Lösung von
Gl.6.15 dann
B(x > 0) = B0 e−x/λ . (6.16)

Das Magnetfeld fällt also im Supraleiter mit der London-Länge (auch Lon-
don’sche Eindringtiefe) exponentiell ab. Das Innere eines Supraleiters ist
feldfrei, wie es der Meissner-Ochsenfeld-Effekt zeigt. Typische Werte von λ
liegen im Bereich von 10 bis einige 100 nm.

Cooper-Paare

Die phänomenologische London-Theorie macht keine Aussage über die mi-

kroskopische Begründung für die geänderte Materiegleichung. Dies kommt
erst 1957 mit der BCS-Theorie, nach J. Bardeen, L.N. Cooper und J.R. Schrief-
fer. Ein zentraler Bestandteil der Theorie sind Cooper-Paare. Hier geben wir
nun sowohl die Ein-Elektron-Näherung auf, weil wir zwei korrelierte Elektro-
nen betrachten. Wir verlassen auch die Born-Oppenheimer-Näherung, weil
Elektron-Phonon-Wechselwirkungen wichtig werden.
78 Festkörperphysik II

In einem Gedankenexperiment starten wir von einem freien Elektronengas

bei T = 0. Es sind also alle Zustände für Elektronen bei Energien unterhalb
der Fermi-Energie EF besetzt, bzw. alle Zustände im reziproken Raum inner-
halb der Fermi-Kugel mit dem Radius kF . Dann fügen wir zwei weitere, aber
besondere Elektronen hinzu. Zwischen diesen beiden besonderen Elektronen
soll eine schwach attraktive Wechselwirkung bestehen. Der Isotopen-Effekt
(Abb. 6.6) liefert die Begründung dazu, dass diese Wechselwirkung über
Phononen erfolgt.
Ein anschauliches Bild ist folgendes: ein Elektron bewegt sich durch den
Kristall aus positiven Ionen. Diese werden leicht angezogen und im Kielwas-
ser des Elektrons entsteht eine etwas erhöhte Dichte an Atom-Rümpfen.
Diese etwas höhere Ladung wirkt dann anziehend auf das zweite Elektron.
Der Abstand der beiden Elektronen ist durch die Zeit bestimmt, die die Atom-
Rümpfe brauchen, um sich zu bewegen, also die Phonon-Frequenz. Typische
Werte sind eben in der Größe von 100 nm, wie die London-Länge, und so groß,
dass die Coulomb-Abstoßung der Elektronen nicht ins Gewicht fällt, auch weil
alle anderen Elektronen das Coulomb-Potential abschirmen.
Jenseits des anschaulichen Bildes kann man die Wechselwirkung als Aus-
tausch10 von virtuellen Phononen mit dem Wellenvektor q modellieren. Vor 10
siehe Austausch-Boson-Modell in der
dem Austausch haben die beiden Elektronen die Wellenvektoren k1 und k2 , Kernphysik

nach dem Austausch k1 + q und k2 − q. Der Gesamtimpuls bleibt also erhal-

ten. Wir sind weiterhin am absoluten Temperatur-Nullpunkt und alle Zustände
unterhalb EF durch die ’anderen’ Elektronen besetzt. Die beiden besonderen
Elektronen können also nur Zustände im Bereich EF und EF + ℏωD anneh-
men. Im reziproken Raum entspricht das einer Kugelschale zwischen kF und
kF + mωD /(ℏkF ). Der Überlapp zwischen den Kugelschalen der beiden
Elektronen bestimmt also die Stärke der Wechselwirkung und die Energie-
absenkung. Maximale Absenkung erhalten wir, wenn die Mittelpunkte der
Kugelschalen übereinstimmen, also
k1 k2
K = k1 + k2 = 0 bzw. k1 = −k2 . (6.17)
K

Dabei ist ki der Wellenvektor der Wellenfunktion des i-ten Elektrons, nicht
sein Impuls. Ein Cooper-Paar wird also aus zwei Elektronen gebildet, deren
Wellenvektoren sich gerade gegenüberstehen.
k1
Durch die attraktive Wechselwirkung wird die Energie des Paares um k20
k10
den Betrag ∆ gegenüber den Einzel-Energien abgesenkt. Die Energie eines k2
Cooper-Paares ist also ungefähr
Abbildung 6.7: Der Austausch eines Pho-
E ≈ 2EF − ∆ . (6.18) nons ist möglich im Überlapp der Ringe.
Dieser wird maximal, wenn K = 0.
Mit ein paar Annahmen über die Wechselwirkung kann man ausrechnen11 , 11
siehe Hunklinger, 2014 oder Gross und
dass die Energie-Absenkung ∆ Marx, 2023. Gross diskutiert auch den
manchmal auftretenden Unterschied im
Faktor 2 (oder 4) im Exponenten.
∆ = 2ℏωD e−2/D(EF )V0 (6.19)

beträgt. V0 beschreibt die Stärke der Elektron-Phonon-Wechselwirkung und

D(EF ) die Zustandsdichte an der Fermi-Kante.
Ein Cooper-Paar besteht aus zwei Elektronen mit entgegengesetztem Spin,
die zu einem Gesamtspin S = 0 kombinieren. Von außen gesehen ist ein
Cooper-Paar ein Boson, auch wenn es aus zwei Fermionen aufgebaut ist.
 Supraleiter 79

Der BCS-Grundzustand

Die Unterscheidung zwischen „normalen” und „wechselwirkenden” Elektronen

im letzten Abschnitt ist natürlich nur ein Gedankenexperiment. In Wirklich-
keit wirkt die Elektron-Phonon-Wechselwirkung bei allen Elektronen. Der
Abstand der beiden Elektronen in einem Cooper-Paar ist jedoch viel größer
als der mittlere Abstand zwischen allen Elektronen. An dieser Stelle bricht
das Bild der Cooper-Paare eigentlich zusammen. Man braucht Vielteilchen-
Quantenmechanik.12 . Dabei stellt man fest, dass sehr viele Elektronen einen 12
siehe z.B. Czycholl, 2016
gemeinsamen Quantenzustand besetzen. Das ähnelt der Kondensation von
Bosonen, beispielsweise bei der Bose-Einstein-Kondensation von kalten Ato-
men oder der stimulierten Emission von Photonen (ebenfalls Bosonen) im
Laser. Es ist aber nicht völlig dasselbe, weil natürlich alle Elektronen mit allen
wechselwirken und nicht nur paarweise.
Es sind also alle Elektronen an der Supraleitung beteiligt und die Tempe-
ratur ist am absoluten Nullpunkt. Das ist der BCS-Grundzustand. Ich will hier
nicht auf die Konstruktion der Wellenfunktion eingehen13 , sondern sie nur 13
Siehe dazu Gross und Marx, 2023
allgemein schreiben als
√
ψ(r) = n eiΘ(r) (6.20)

mit der überall konstanten Dichte n = ⟨ψ|ψ⟩ an Cooper-Paaren und der

Phase Θ(r). Die Gesamtenergie reduziert sich bei der Kondensation um

1
EKondensat = − D(EF ) ∆2 . (6.21)
4

Fluss-Quantisierung

Die gemeinsame Wellenfunktion für alle Cooper-Paare kann die Quantisie-

rung des magnetischen Flusses in einem supraleitenden Ring erklären. Dazu
berechnen wir erst den elektrische Strom j von Cooper-Paaren (=2 Elektro-
nen) der Ladung qs = −2e und Masse ms = 2me als Erwartungswert des
Geschwindigkeits-Operators

qs
j= ⟨ψ|v̂|ψ⟩ (6.22)
ms

mit
p̂ = ms v̂ + qs A also mv̂ = −iℏ∇ − qs A . (6.23)

Damit erhalten wir alles zusammen14 14

Der Gradient liefert das i, das sich somit
aufhebt.
ℏ
λ2 µ0 j = ∇Θ(r) − A (6.24)
qs

mit der London-Länge λ2 = m/(nµ0 q) wie oben. Von hier kommt man also
zur London-Theorie zurück. Eine makroskopische Wellenfunktion ist dazu
ausreichend.
Nun betrachten wir einen supraleitenden Torus, der von einem Magnetfeld
durchsetzt ist. Das Innere des Supraleiters ist frei von Feldern und Strömen,
80 Festkörperphysik II

also ist Gl. 6.24 Null und wir schreiben

ℏ ∇Θ(r) = qs A (6.25)
I I
ℏ ∇Θ(r) = qs A (6.26)
Z
ℏ(Θ2 − Θ1 ) = qs B (6.27)

ℏ 2π s = qs Φ s∈N , (6.28)

wobei wir im zweiten Schritt den Satz von Stokes ausgenutzt haben und im
dritten, dass |Ψ| nach einem Umlauf in Kreis eindeutig definiert sein muss,
sich die Phase also nur um 2π unterscheiden darf. Damit bekommen wir die
Flussquantisierung (qs = −2e)

h
Φ= s = s Φ0 mit s∈N . (6.29)
2e

Zustandsdichte

Die Zustandsdichte freier Elektronen in einem Normal-Leiter ist DN L ∝

√
E. Weil aber der hier interessierende Energiebereich nur wenige meV
um die Fermi-Energie beträgt, können wir DN L als konstant annehmen.
Welche Form hat die Zustandsdichte in einem Supraleiter? Dabei müssen
wir aufpassen, welche Teilchen wir betrachten. Cooper-Paare bestehen aus
zwei korrelierten Elektronen. Diese können wir nicht direkt mit einzelnen
Elektronen vergleichen.15 Wir sprechen von Einteilchen- und Zweiteilchen- 15
Die Wellenfunktion ist entweder eine Funk-
tion von einer oder von zwei Ortskoordinaten
Zustandsdichten.
Die Zweiteilchen-Zustandsdichte hat zunächst einen deltaförmigen Zu-
stand an der BCS-Grundzustandsenergie, in dem sich alle Cooper-Paare befin-
den. Wenn man ein Cooper-Paar anregt, dann wird es zerstört. Um weiterhin
im Zweiteilchen-Bild bleiben zu können, betrachten man nun unkorrelierte
Paare aus zwei Elektronen oder aus einem Elektron und einem Loch. Dieses
Elektron-Loch-Zweiteilchen ist ein Quasiteilchen, das man manchmal Bogolon
nennt16 . Ein einzelnes Elektron (oder Loch) kann nicht im BCS-Grundzustand 16
Kopitzki, 2017.
verbleiben. Die minimale Energie, um ein Cooper-Paar aufzubrechen ist al-
so 2∆. Näher an der Fermi-Energie ist kein Zustand für die unkorrelierten
DSL

Elektronen frei.
DN L
Durch die Supraleitung darf sich die Summe der Zustände nicht ändern.
0 ∆
Damit ergibt sich für die Bogolonen Energie Ek

DN L √ Ek
für
(
Ek > ∆
DSL

DSL (Ek ) = Ek2 −∆2 (6.30)

0 sonst
−∆ 0 +∆
mit der Zweiteilchen-Energie Ek . Die Cooper-Paare sind in dieser Darstellung Energie E − EF
eine Delta-Funktion bei Ek = 0 (rot in Abb. 6.8). Abbildung 6.8: Zustandsdichte eines
Wenn man darauf verzichtet, die Cooper-Paare einzuzeichnen, dann kann Supraleiters im Zweiteilchen-Modell (oben)
und im Einteilchen-Modell (unten).
man auch eine Einteilchen-Zustandsdichte zeichnen, die dann eine Lücke
im Bereich EF − ∆ bis EF + ∆ besitzt und außerhalb analog zu Gl. 6.30
verläuft.
 Supraleiter 81

Kritische Temperatur, Strom, Magnetfeld

Sobald wir nicht mehr am absoluten Nullpunkt der Temperatur sind, existie-
ren Cooper-Paare und Bogolonen gleichzeitig. Mit steigender Temperatur
nimmt die Dichte der Cooper-Paare ab. Je weniger Cooper-Paare es aber gibt,
desto schlechter ist die Kondensation, und die Energieabsenkung pro Paar
wird geringer. ∆ wird temperaturabhängig. Man findet durch numerisches
Lösen einer nichtlinearen Differentialgleichung17 für T ≈ Tc 17
Gross und Marx, 2023.
r
∆(T ) T
≈ 1.74 1 − (6.31)
∆(T = 0) Tc

und einen Zusammenhang zwischen kritischer Temperatur und Bandlücke bei

T =0
2∆(0) = 3.52 kb Tc . (6.32)

Ebenso bricht die Supraleitung zusammen, wenn der Strom im Supraleiter

zu groß wird. Sobald die kinetische Energie der Cooper-Paare die durch
die Kondensation gewonnene Energie (Gl. 6.21) übersteigt, lösen sich die
Cooper-Paare selbst auf. Dann wird die kritische Geschwindigkeit vc erreicht,
bei der
ms vc2 1
Ekin = ns = |EKondensat | = D(EF ) ∆2 . (6.33)
2 4
Der zugehörige kritische Strom ist
√
6 e ns
jc = −ns qs vc = ∆ , (6.34)
ℏkF

wobei wir D(EF ) durch kF ausgedrückt haben. Dieser kritische Strom

produziert ein Magnetfeld an der Oberfläche des Drahtes (R ≫ λ), wodurch
wir eine kritische Feldstärke erhalten von18 18
Hunklinger, 2014.

Bc = µ0 λ jc ∝ ∆ . (6.35)

Die Bandlücke ∆ des Supraleiters in der BCS-Theorie ist also ausreichend,

um alle obengenannten kritischen Temperaturen, Ströme und Magnetfelder
zu erklären.

Tunneln von Elektronen

Die Zustandsdichte in der Nähe des Fermi-Niveaus und insbesondere die

Lücke darin lässt sich sehr elegant durch die Tunnelspektroskopie unter-
suchen. Dazu benötigt man einen Tunnel-Kontakt zwischen zwei Leitern.
Technisch einfach geht das, wenn man erst einen Streifen des ersten Mate-
rials aufdampft, dann einen dünnen (wenige Nanometer) Isolator, und dann
quer dazu einen Streifen des anderen Materials. So kann man beide Streifen
einzeln kontaktieren, eine Potentialdifferenz U über den Isolator anlegen und
einen Tunnel-Strom I fließen lassen. Man misst dann den Strom als Funktion
der angelegten Potentialdifferenz.
Mikroskopisch gesehen verschiebt die Spannung U die Fermi-Niveaus
rechts und links der Tunnel-Barriere gegeneinander. Dadurch kommen be-
setzte Niveaus auf der einen Seite energetisch auf die gleiche Höhe wie
82 Festkörperphysik II

unbesetzte Niveaus auf der anderen Seite. In diesem Fall können die Elek-
tronen mit einer gewissen Wahrscheinlichkeit durch die Barriere tunneln
4
und ein Strom fließt. Der Strom ist also das Integral über die gegeneinander T > Tc

verschobenen Zustandsdichten multipliziert mit ihrer jeweiligen Besetzung

Strom I
Z
2
IL → R ∝ DL (E)f (E) DR (E + eU )[1 − f (E + eU )] dE . (6.36)

T  Tc
Genauso kann auch ein Strom von rechts nach links fließen, so dass der
Netto-Strom die Differenz der beiden ist: 0

Z
2
I ∝ DL (E) DR (E + eU ) [f (E) − f (E + eU )] dE . (6.37)

Gns /Gnn
Üblicherweise ist eU ≪ EF , und bei Normalleitern kann die Zustands-
1
dichte im relevanten Energiebereich als konstant angesehen werden, also
Dn (EF ) ≈ Dn (EF + eU ). Damit erhalten wir

Inn ∝ Dn (EF )Dn (EF ) eU = Gnn U . (6.38) 0

0 2 4
Potential U (mV)
Das ist ein Ohm’scher Verlauf mit dem konstanten Leitwert Gnn zwischen
Abbildung 6.9: Tunnelstrom durch einen
zwei Normalleitern. Al/Al2O3/Pb - Tunnelkontakt bei 4.2 K bzw
Nun ersetzen wir einen der beiden Normalleiter durch einen Supraleiter mit 1.6 K. Im zweiten Fall ist Pb supraleitend.
dI/dV ist proportional zur Zustandsdichte,
der Zustandsdichte nach Gl. 6.30. Der Strom ist dann ausgeschmiert mit kb T (Giaever, 1960).
Der Sprung in der Zustandsdichte ist bei
Ds (E)
Z
Ins ∝ Dn (EF ) Dn (EF ) [f (E) − f (E + eU )] dE (6.39) E = ∆.
Dn (EF )
Gnn Ds (E)
Z
= [f (E) − f (E + eU )] dE . (6.40)
e Dn (EF )

Wir betrachten wieder den Leitwert, hier Gns

 
dIns Ds (E) ∂f (E + eU )
Z
Gns = = Gnn − dE (6.41)
dU Dn (EF ) ∂(eU )
( )
Ds (eU ) eU
≈ Gnn = Gnn ℜ p . (6.42)
Dn (EF ) (eU )2 − ∆2 (eU )

Der Term in eckigen Klammern ist ähnlich einer Delta-Funktion bei eU mit
einer Breite 4kb T und Fläche Eins und löst so das Integral auf. Im zweiten
Schritt haben wir T → 0 angenommen. Der Leitwert beim Tunnel, also
dI/dU , liefert somit bei tiefen Temperaturen direkt die Zustandsdichte, ggf.
ausgeschmiert mit 2kb T .

Josephson-Effekt

Nun liegt es nahe, auch zwei Supraleitern durch einen Tunnelkontakt zu

verbinden und dann nicht Elektronen, sondern Cooper-Paare tunneln zu
lassen, wenn die Barriere dünn genug ist19 . Dabei müssen wir dann aber die 19
Nobelpreis Brian David Josephson 1973
makroskopische Wellenfunktion berücksichtigen. Wir nehmen an, dass beide
Supraleiter identisch sind. Jede Seite (i = 1, 2) wird beschrieben durch die
Wellenfunktion
√
Ψi = ni eiΘi . (6.43)
 Supraleiter 83

In der Schrödinger-Gleichung gibt es einen schwachen Kopplungsterm T , der

die Wellenfunktionen nicht wesentlich ändern soll, so dass wir Störungstheo-
rie betreiben können:

iℏΨ̇1 = E1 Ψ1 + T Ψ2 (6.44)

iℏΨ̇2 = E2 Ψ2 + T Ψ1 . (6.45)

Die Potentialdifferenz über die Tunnelbarriere verschiebt die Energie-Eigenwerte,

also E2 − E1 = 2eU (weil qs = −2e) Das setzen wir alles ein und sepa-
rieren nach Real- und Imaginärteil. Wir erhalten mit der Phasendifferenz
δ = Θ2 − Θ1

2T √
ṅ1 = n1 n2 sin(δ) (6.46)
ℏ
2T √
ṅ2 = − n1 n2 sin(δ) (6.47)
ℏ
r
T n2 E1
Θ̇1 = cos(δ) − (6.48)
ℏ n1 ℏ 3
r
T n1 E2
Θ̇2 = cos(δ) + . (6.49)
ℏ n2 ℏ
2

Strom I (mA)
Die Differenz der letzten beiden Gleichungen ergibt
1
ℏδ̇ = ℏ(Θ̇2 − Θ̇1 ) = −(E2 − E1 ) = 2eU . (6.50)

0
Beim Experiment in Abbildung 6.10 wird die Spannung Uext einer Strom-
0 1 2 3 4
quelle variiert und dabei der Strom I durch den Tunnelkontakt und die Po- Potential U (mV)
tentialdifferenz U über den Kontakt gemessen. Der Stromkreis und die Span- Abbildung 6.10: Strom durch einen Pb/P-
nungsquelle besitzen einen (Innen-) Widerstand, der den Strom limitiert. bOx/Pb Tunnelkontakt (Daten aus Lan-
Betrachten wir zunächst die Situation, dass keine Potentialdifferenz U genberg, Scalapino und B. Taylor, 1966).
Der Sprung in der Zustandsdichte ist bei
über die Barriere gemessen wird. Damit ist die Phasendifferenz δ zeitlich kon- eU = 2∆.
stant und ṅ1 = −ṅ2 . Es fließt ein Suprastrom (Strom von Cooper-Paaren),
ohne dass ein Potential an der Barriere abfällt. Der Strom hängt periodisch
von der Phasendifferenz der beiden makroskopischen Wellenfunktionen ab:

Js (δ) = Jc sin δ . (6.51)

Dies ist der Josephson-Gleichstrom-Effekt (Josephson-DC-Effekt). Die Ma-

ximalstromstärke Jc ist durch die Stärke T des Tunnelkontakts gegeben.
Die beobachtete Stromstärke I wird von der Stromquelle bestimmt. Diese
stellt die Phasendifferenz δ ein. Gleichung 6.51 ist also kausal rückwärts zu
verstehen.
Nun erhöhen wir die externe Spannung Uext , der Strom steigt und über-
steigt irgendwann Jc . Ab dann ist die gemessene Potentialdifferenz U nicht
mehr Null, und die Phasendifferenz δ wird zeitabhängig:

2eU
δ(t) = t + δ(0) = ωJ t + δ(0) . (6.52)
ℏ
Es fließen nun zwei Ströme gleichzeitig durch den Tunnelkontakt: weiterhin
ein Suprastrom aus Cooper-Paaren, der zeitlich oszilliert mit

Js (t) = Jc sin(ωJ t + δ(0)) . (6.53)

84 Festkörperphysik II

Hinzu kommt ein Strom aus Quasiteilchen (Bogolonen). Dieser berechnet

sich analog zu Gleichung 6.40, wenn man für jeden Kontakt die Zustands-
dichte des Supraleiters einsetzt. Die Kante in der Strom-Spannungs-Kennlinie
liegt daher bei eU = 2∆. In Abbildung 6.10 ist nur dieser zeitlich konstante
Strom zu sehen, da die zeitliche Oszillation des Suprastroms viel zu schnell
ist. Im Experiment muss berücksichtigt werden, dass der Tunnelkontakt
zusätzlich eine Kapazität und einen ohmschen Widerstand aufweist. Dies
führt zur Hysterese in der Kennlinie. Die schnelle zeitliche Oszillation des
Suprastroms wird als Josephson-Wechselstrom-Effekt (Josephson-AC-Effekt)
bezeichnet. Dabei treten sehr hohe Frequenzen auf. Bei 100 µV werden bei-
spielsweise Frequenzen von 50 GHz erreicht. Dadurch kann einerseits e/h
bestimmt werden und andererseits kann die Spannung sehr genau über eine
Frequenzmessung ermittelt werden.
Beschleunigte Ladungen emittieren Strahlung. Ein hochfrequenter
Wechselstrom ist demnach ein Emitter. Die tunnelnden Cooper-Paare im
Josephson-AC-Effekt werden in der Potentialdifferenz U über die Tunnelbar-
riere beschleunigt. Da die Zustandsdichte deltaförmig ist, können sie diese
Energie jedoch nicht aufnehmen. Daher strahlen sie die Energiedifferenz als
Radiofrequenz-Photon ab.

Quanteninterferenz

Nun schalten wir zwei Josephson-Kontakte parallel: zwischen den Kontakten

A
1 und 2 gibt es zwei supraleitenden Pfade, je über die Tunnelkontakte A
und B. Uns interessiert der (Tunnel-) Strom zwischen 1 und 2. Gleichzeitig 1 B 2
durchsetzt ein Magnetfeld die so gebildete Leiterschleife.
B
Sei δA der Phasenunterschied der makroskopischen Wellenfunktion der
Cooper-Paare auf dem Pfad 1–A–2, und δB analog über Tunnelkontakt B.
Dann ist die Phasendifferenz entlang des geschlossenen Kreises 1–A–2–B–1 Abbildung 6.11: Zwei parallel geschaltete
Josephson-Kontakte.
δA − δB und die Flussquantisierung verlangt
2e Φ
δA − δB = Φ = 2π (6.54)
ℏ Φ0
mit dem magnetischen Fluss Φ durch die Schleife. Damit können wir jede der
beiden Phasen schreiben als
e Φ
δA,B = δ0 ± Φ = δ0 ± π (6.55)
ℏ Φ0
mit einer mittleren Phase δ0 . Der Gesamtstrom durch dieses Konstrukt ist
nun die Summe der Ströme über die Tunnelkontakte A und B, wie im letzten
Abschnitt, also
 
πΦ
I = IA + IB = Jc (sin δA + sin δB ) = 2Jc sin δ0 cos . (6.56)
Φ0

Die Oszillationen im Strom zählen also die Flussquanten in der Schleife.

Abbildung 6.1 am Anfang des Kapitels zeigt ein Beispiel.
Diese Anordnung nennt man ’superconducting quantum interference
device’ (SQUID). Sie wird zur sehr empfindlichen Messung von Magnetfeldern
benutzt, beispielsweise in der Medizin (Hirnströme!) oder der Archäologie.
 Supraleiter 85

Zusammenfassung

Schreiben Sie hier ihre persönliche Zusammenfassung des Kapitels auf. Kon-
zentrieren Sie sich auf die wichtigsten Aspekte und die am Anfang genannten
Ziele des Kapitels.

Literatur

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ger. .
– (2017). Theoretische Festkörperphysik, Band 2. 4. Aufl. Springer. .
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Kopitzki, Konrad (2017). Einführung in die Festkörperphysik. Hrsg. von Peter
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86 Festkörperphysik II

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Van Delft, Dirk und Peter Kes (2010). “The discovery of superconductivity”. In:
Physics today 63.9, S. 38–43. .
Kapitel 7
Magnetismus
Markus Lippitz
7. Juli 2025

Ziele

• Sie können die Temperaturabhängigkeit der Magnetisierung und magneti-

sche Ordnungsphänomene durch mikroskopische Modelle erklären.

• Sie können diese Modelle benutzen, um beispielsweise die unten gezeig-

ten Beugungsmuster zu erklären.

Abbildung 7.1: Neutronenstreuung an MnO,

das bei tiefen Temperaturen antiferroma-
Intensität (willk.E.)

(111) (311) gnetische ist, bei Raumtemperatur para-

magnetisch. Die der kristallographischen
80 K Bezeichnung der Peaks zugrundeliegende
Gitterkonstante ist a0 = 8.85 Å bei 80 K,
und 4.43 Å bei Raumtemperatur. Daten aus
(111) (311) Shull, Strauser und Wollan, 1951.
293 K

0 10 20 30 40 50
Streuwinkel (deg)

Überblick

In diesem Kapitel soll Magnetismus mikroskopisch beschrieben werden, also

unter Bezug auf die atomare Struktur der Materie. Die Maxwell-Gleichungen
beschreiben auch Magnetismus, allerdings rein makroskopisch. Wie schafft
es eine Ansammlung von Atomen, mal diamagnetische, mal paramagnetisch,
mal ferromagnetisch zu sein, je nach Element und Temperatur? Wir beginnen
mit einem Rückblick auf die makroskopische Beschreibung und auf magne-
tische Momente in Atomen. Auf diese aufbauend werden wir zunächst Dia-
und Paramagnetismus in Isolatoren und Metallen beschreiben. In diesen
Fällen verhält sich ein Festkörper beinahe wie ein Ensemble von Atomen.
Es gibt keine Wechselwirkung der magnetischen Momente untereinander,
nur die Elektronen formen in Metallen Bänder. Im zweiten Teil erlauben wir
Dieses Werk ist lizenziert unter einer Creative Commons “Namensnennung –
Weitergabe unter gleichen Bedingungen 4.0 International” Lizenz.
88 Festkörperphysik II

dann Wechselwirkung zwischen den magnetischen Momenten, was zu räum-

licher Ordnung in der Orientierung der Momente führen wird. Dies ist Ferro-,
Antiferro- und Ferrimagnetismus.

Makroskopische Beschreibung

Makroskopisch, also ohne die atomare Struktur der Materie zu berücksichti-

gen, kann man Magnetismus über die Maxwell-Gleichungen beschreiben. Es
gilt I
∇ · B = 0 bzw. B dS = 0 (7.1)

mit der magnetischen Flussdichte1 B. Das Integral ist ein Oberflächenin- 1

Die Nomenklatur Flussdichte B und
tegral über eine geschlossene Oberfläche mit dem Flächenelement dS. Es Magnetfeld H ist historisch bedingt. Ich
habe die Tendenz, auch B Magnetfeld zu
gibt also keine magnetischen Monopole. Magnetischer Fluss geht von Dipo- nennen, oder gleich B-Feld.
len aus. Über die Materie-Gleichungen besteht ein Zusammenhang mit dem
Magnetfeld H
B = µ0 H (7.2)

im Vakuum, mit der magnetischen Permeabilität µ0 . In Materie wird dies

B = µ0 (H + M ) = B0 + µ0 M = B0 (1 + χ) (7.3)

mit der Magnetisierung M und der (magnetischen) Suszeptibilität χ. Das

Ziel dieses Kapitels ist es, mikroskopische Modelle für den Verlauf von χ(B)
zu finden.

Magnetisches Dipol-Moment

Magnetische Dipole sind die Quelle von magnetischem Fluss. Makrosko-

pisch entstehen magnetische Dipole beispielsweise durch Strom in einer
Leiterschleife:
I
Z
µ= r × dr = IS (7.4)
2 Schleife

mit dem Dipolmoment µ, dem Strom I und der Fläche2 S der Leiterschleife. 2
inkl. Richtung der Flächen-Normalen
Die Ladungsträger besitzen eine Masse. Daher ist der Stromfluss durch die
Schleife mit einem Drehimpuls L verknüpft und wir können das Dipolmoment
schreiben als
µ=γL (7.5)

mit dem gyromagnetischen Verhältnis γ, das für Elektronen natürlich negativ

ist.
Wir können auch die Bahn des Elektrons im Wasserstoffatom als Leiter-
schleife auffassen. Sei der Bahndrehimpuls l quantisiert und in einem p-
Zustand
|l| = me ωr2 = ℏ (7.6)

mit der Umlauffrequenz ω und dem Bahnradius r. Der Strom ist in diesem
Bild
−e ω
I= = −e (7.7)
T 2π
 Magnetismus 89

mit der Umlaufzeit T . Alles zusammen ergibt das ein magnetisches Dipolmo-
ment
−e eℏ
|µ| = |l| = − = −µB (7.8)
2me 2me
mit dem Bohrschen Magneton µB ≈ 5.8 · 10−5 eV/T.
Damit können wir das (makroskopische) gyromagnetischen Verhältnis γ
verknüpfen mit den (mikroskopischen) Bohrschen Magneton
µB
γ=g (7.9)
ℏ
mit dem einheitenfreien Landé-g-Faktor. Für den Bahndrehimpuls eines
Elektrons ist gl = 1, für den Elektronen-Spin gs ≈ 2.
Die Kombination von magnetischem Moment und Drehimpuls ist der
Grund für die Präzession. Die Energie E eines magnetischen Dipols µm
im Magnetfeld B ist analog zur Energie eines elektrischen Dipols µe im
elektrischen Feld E

E = −µm · B bzw. E = −µe · E . (7.10)

Ebenso wirkt auf beide Dipole ein Drehmoment G

G = µm × B bzw. G = µe × E . (7.11)

Aber im elektrischen Fall dreht dieses Drehmoment den Dipol einfach in Rich-
tung der Feldlinien, und minimiert so die Energie. Bei einem magnetischen
Dipol wirkt aber der assoziierte Drehimpuls

dL
=G (7.12)
dt
so dass
dµm
= γ µm × B . (7.13)
dt
Die Richtung des magnetischen Dipolmoments ändert sich senkrecht zu
µm und B. Dies entspricht einer Kreisbewegung der Spitze von µm um die
Richtung, die durch B vorgegeben ist, eben der Präzession.

Klassifizierung

Wir unterscheiden verschiedene mikroskopischen Ursachen für Magnetis-

mus:

Diamagnetismus Ohne äußeres Magnetfeld zeigen diamagnetische Ma-

terialien kein magnetisches Moment. Wenn man dann ein Feld anlegt, dann
wirkt die induzierte Magnetisierung dem externen Feld entgegen. Die in-
duzierten Momente sind entgegen dem externen Feld ausgerichtet. Die
magnetische Suszeptibilität ist negativ

χdia < 0 . (7.14)

Diamagnetismus tritt in allen Materialien auf, weil er durch die gebundenen

(Isolatoren) und freien (Metalle) Elektronen verursacht wird. Er ist allerdings
ein schwacher Effekt, so dass die folgenden dominieren können.
90 Festkörperphysik II

Paramagnetismus In paramagnetischen Materialien gibt es permanent

vorhandene magnetische Dipolmomente, ebenfalls wieder aufgrund der
gebundenen oder freien Elektronen. Ein externes Magnetfeld richtet diese
Dipolmomente in Richtung des Feldes aus, so dass die magnetische Suszep-
tibilität positiv ist
χpara > 0 . (7.15)

Die magnetischen Momente wechselwirken aber nicht miteinander. Nur das

thermische Gleichgewicht bestimmt die Verteilung der Ausrichtung.

Ferro-, Antiferro- und Ferri-Magnetismus In diesen Materialien wirkt es eine

quantenmechanische Austausch-Wechselwirkung zwischen den magneti-
schen Momenten. Es stellt sich eine Ordnung in der Orientierung ein, wenn
die Temperatur unterhalb eines kritischen Wertes liegt.
Wir betrachten zunächst Dia- und Paramagnetismus in Isolatoren und
Metallen, der also auf die gebundenen oder freien Elektronen zurückgeht.
Danach beschäftigen wir uns mit den Ordnungsphänomenen aufgrund der
Austausch-Wechselwirkung.

Isolator Metall Tabelle 7.1: Die Modelle zum Dia- und

Para-Magnetismus sind oft nach den
Diamagnetismus Joseph Larmor Lev Landau
Wissenshaftlern benannt.
Paramagnetismus Paul Langevin Wolfgang Pauli

Atome im Magnetfeld

Uns interessiert die Energie eines Atoms mit Z Elektronen im Magnetfeld,

verglichen mit demselben Atom ohne Feld. Das externe Magnetfeld B gibt
eine Richtung vor, die wie immer z ist.
Die Energie des Gesamt-Elektronen-Spins S im Magnetfeld ist

Ĥspin = g µB B · S . (7.16)

Der Gesamt-Hamilton-Operator mit dem kanonischen Impuls und dem Vektor-

potential A ist
Z 2
X [pi + eA(ri )]
Ĥ = Ĥspin + + Vi , (7.17)
i=1
2me

wobei Vi das für das i-te Elektron relevante Potential bezeichnet. Die Coulomb-
Eichung des Vektorpotentials liefert
B×r
A(t) = . (7.18)
2
Dies setzen wir ein und multiplizieren aus
Z 2
X p2i e e2 [B × ri ]
Ĥ = Ĥspin + + Vi + pi · B × ri + . (7.19)
i=1
2me 2me 8me

Den mittleren Term kann man durch den Gesamt-Bahndrehimpuls L als

Summe der Einzel-Drehimpulse
Z
X
L= r i × pi (7.20)
i=1
 Magnetismus 91

ersetzen, so dass wir erhalten

Z
µB e2 X 2
Ĥ − Ĥ0 = (L + gS) · B + [B × ri ] . (7.21)
ℏ 8me i=1

Der erste Term der Abweichung von der feldfreien Energie Ĥ0 hängt von den
atomaren Spin- und Bahndrehimpulsen ab, bzw. von den damit verknüpften
magnetischen Momenten. Er beschreibt also atomaren Paramagnetismus.
Der zweite Term beschreibt atomaren Diamagnetismus, weil hier kein Dipol-
moment eingeht.
Die Suszeptibilität χ kann man über eine thermodynamische Betrachtung
erhalten. Die freie Energie F ist

F = U − TS . (7.22)

Das Differential der inneren Energie ist, wenn man den magnetischen Beitrag
hier berücksichtigt,

dU = T dS − pdV − V M · dB (7.23)

so dass

dF = dU − SdT − T dS = −SdT − pdV − V M · dB (7.24)

also
∂F N ∂(Ĥ − Ĥ0 )
M =− =− (7.25)
∂B V ∂B
und (falls |χ| ≪ 1)
M M µ0 N ∂(Ĥ − Ĥ0 )
χ= ≈ µ0 =− . (7.26)
H B BV ∂B 102
I-
Die magnetische Suszeptibilität ist also proportional zur Ableitung der Ener- Xe
−χ (10−11 m3 /mol)

Cs+Br-
Kr
gie nach dem Magnetfeld. K+
Ar

101 F-
Ne
Na+

Larmor-Diamagnetismus He

100
Wir betrachten zunächst einen rein atomaren Effekt. Es ist also egal, ob
Li+

das Atom in der Gasphase oder in einem Kristall vorliegt. Wir verlangen nur 100 101 102
vollständig gefüllte Schalen. Dann ist ein Festkörper ein Isolator. Für das Za ra2 (Å2 )

Atom gilt S = L = 0 und nur der diamagnetische Term in Gl. 7.21 trägt bei. Abbildung 7.2: Atomare diamagnetische
Suszeptibilität im Vergleich mit Gl. 7.29.
Weil B in z-Richtung orientiert ist, vereinfacht sich das zu Daten aus Gross und Marx, 2023 und
Z Z Blundell, 2006.
e2 X 2 e2 X
Ĥdia = [B × ri ] = B2 (x2i + yi2 ) . (7.27)
8me i=1 8me i=1

Die Wellenfunktion ist aufgrund der gefüllten Schalen kugelsymmetrisch, so

dass
1
⟨x2i ⟩ = ⟨yi2 ⟩ = ⟨ri2 ⟩ . (7.28)
3
Alles zusammen also
Z
N e2 µ0 X 2 N e2 µ0
χ=− ⟨ri ⟩ ≈ − Za ra2 . (7.29)
V 6me i=1 V 6me

Im letzten Schritt haben wir ausgenutzt, dass durch die r2 -Abhängigkeit die
Za Elektronen in der äußeren Schale mit dem Radius ra dominieren. Dies
beschreibt die experimentell gefundenen Werte erstaunlich gut.
92 Festkörperphysik II

Langevin-Paramagnetismus

Wir bleiben bei der atomaren Betrachtung, erlauben aber teilweise gefüllte
Schalen. Dann wird die Bestimmung von S, L und J notwendig. Die Spin-
Bahn-Kopplung muss berücksichtigt werden und die Hund’schen Regeln
liefern den Zustand mit der niedrigsten Energie. Bei vielen Atomen ist die
Spin-Bahn-Wechselwirkung schwach und die L-S-Kopplung (Russel-Saunders-
Kopplung) ein passendes Modell. Dabei werden erst alle li und si zu einem
L bzw. S addiert, bevor diese sich zu J addieren.
In der L-S-Kopplung berechnet sich der Landé-g-Faktor für den Gesamt-
Drehimpuls J nach
J(J + 1) + S(S + 1) − L(L + 1)
gJ = 1 + . (7.30)
2J(J + 1)
Das magnetische Moment ist also
J
µJ = −gJ µB (7.31)
ℏ
bzw. p
µJ = |µJ | = gJ µB J(J + 1) . (7.32)

Hier ist nun also ein permanentes magnetisches Moment µJ ̸= 0 vorhan-

den. Die Ausrichtung von diesem Moment im externen Magnetfeld dominiert
die Magnetisierung über den ebenfalls vorhandenen Diamagnetismus der
tieferliegenden gefüllten Schalen. Das ist also der Term in Gl. 7.21, der linear
in B ist.

Semi-klassische Beschreibung

Wir ignorieren für einen Augenblick die Quantisierung von Jz und damit die
von µz und nehmen ein klassisches Dipolmoment µ an. Dessen Energie im
externen Feld ist

E = −µ · B = −µ B cos θ = E(θ) . (7.33)

Verschiedene Winkel θ zwischen magnetischem Moment und Magnetfeld-

richtung liefern also verschiedene Energien. Diese Zustände sind bei einer
Temperatur T nach der Boltzmann-Statistik besetzt. Die Wahrscheinlichkeit
p(θ) ist
1
p(θ)dΩ = e−E(θ)/kb T (7.34)
Z
mit dem Raumwinkelelement dΩ und der Zustandssumme Z, die dafür sorgt,
dass p(θ) normiert ist. Das mittlere magnetische Moment in z-Richtung ⟨µz ⟩
ist also
µ
Z
⟨µz ⟩ = p(θ) cos θ dΩ . (7.35)
4π
Mit der Abkürzung
µB
y= (7.36)
kb T
erhält man durch Integration3 die Langevin-Funktion L(y) 3
siehe Gross und Marx, 2023 oder Blundell,
2006
⟨µz ⟩ 1
= coth y − = L(y) . (7.37)
µ y
 Magnetismus 93

Die Magnetisierung ist dann

N
M= ⟨µz ⟩ = n ⟨µz ⟩ = nµL(y) . (7.38)
V
Für kleine y kann man den coth nähern und erhält die magnetische Suszepti-
bilität
∂M µ0 nµ2 1
χ = µ0 = ∝ . (7.39)
∂B 3kb T T
Wir haben damit das Curie-Gesetz4 gefunden, nach dem die Suszeptibilität 4
Pierre Curie, 1859–1906, Nobelpreis 1903
reziprok mit der Temperatur fällt. Wie wir unten sehen werden, gilt dies bei
miteinander wechselwirkenden Dipolmomenten nicht mehr.

Quantenmechanische Behandlung

In der Quantenmechanik kann ein Drehimpuls nicht mehr jede beliebige

Orientierung relativ zur Vorzugsachse einnehmen. Damit sind die Werte von
µz quantisiert und es gibt nur noch 2J + 1 verschiedene Möglichkeiten

mJ = −J, −J + 1, . . . , J − 1, J . (7.40)

Die Rechnung ist analog zum klassischen Fall, nur dass Integrale über θ
durch Summen über mJ ersetzt werden. Mit den Abkürzungen5 5
µB /kb ≈ 2/3 K/T.

gJ µB B
y= J und Msat = n gJ µB J (7.41)
kb T
erhält man für die Magnetisierung M
   
M 2J + 1 2J + 1 1 1
= BJ (y) = coth y − coth y (7.42) 1 J = 1/2
Msat 2J J 2J 2J
mit der Brillouin-Funktion BJ (y). Für J → ∞ geht sie in die Langevin-
J = ∞
BJ (y)

Funktion über. Wir können wieder den coth für y ≪ 1 nähern, um die Suszep-
0.5
tibilität zu erhalten
∂M µ0 nJ(J + 1)gJ2 µ2 µ0 np2 µ2 1
χ = µ0 = = ∝ (7.43)
∂B 3kb T 3kb T T 0
0 2 4 6 8 10
mit der effektiven Magnetonenzahl y
p Abbildung 7.3: Brillouin-Funktion BJ (y) für
p = gJ J(J + 1) . (7.44) J = 1/2, 1, 2, ∞. Der letzte Fall entspricht
der Langevin-Funktion L(y).

7
Gd3+
Pauli-Paramagnetismus
µ (µB /Ion)

5
Fe3+
Bislang haben wir nur Effekte der einzelnen Atome betrachtet und können
damit nur Isolatoren beschreiben. Nun kommen freie Elektronen und damit 3
Cr3+
Metalle hinzu. Wir hatten bereits in Kapitel 4 freie Elektronen im Magnetfeld
behandelt und die Landau-Niveaus eingeführt. Die Energie der Elektronen-
0
Zustände ist in diesem Formalismus 0 1 2 3 4
B/T (T/K)
ℏ2 2
 
1
E = n+ ℏωc + k ± µB B (7.45) Abbildung 7.4: Paramagnetische Antwort
2 2me z einiger Ionen im Vergleich zur Brillouin-
Funktion. Daten aus Henry, 1952.
wobei wir gs ms ≈ 1 angenommen haben. Die Niveaus spalten also je nach
Spin-Richtung der Elektronen noch einmal auf.
94 Festkörperphysik II

Wir könnten jetzt argumentieren, dass Elektronen Spin-1/2-Systeme sind

und darum Gl. 7.43 mit J = 1/2 verwendet werden kann. Dies würde χ ∝
1/T liefern, was aber experimentell nicht gefunden wird. Der Grund liegt in
der Fermi-Statistik. Bei üblichen Magnetfeldern ist µB B ≪ kb T ≪ kb TF .
Die Magnetisierung, also die Verteilung der Elektronen auf spin-up (n+ ) und
spin-down (n− ), bzw.
M = (n+ − n− )µB (7.46)

kann sich nur sehr wenig ändern, wenn sich das Magnetfeld ändert. Es sind
schlicht alle Zustände besetzt, so dass die Elektronen ihren Spin nicht um-
drehen können. Der Anteil der Elektronen in passender Entfernung zur Fermi-
Energie ist in etwa T /TF , so dass
1 T 1
χ∝ = = const. . (7.47)
T TF TF
Etwas genauer als diese Abschätzung ist es, wenn wir n± ausrechnen
Z ∞
1
n± = D(E ± µB B) f (E) dE (7.48)
2V 0
mit der Zustandsdichte D. Man bildet also für die Magnetisierung die Diffe-
renz der Zustandsdichte über ein kleines Energieintervall ±µB B ≪ kb T .
Dort können wir die Zustandsdichte Taylor-entwickeln und schreiben
µ2B B ∞ ∂D
Z
M = (n+ − n− )µB = f (E) dE (7.49)
V 0 ∂E
µ2 B ∞ ∂f
Z
=− B D(E) dE (7.50)
V 0 ∂E
µ2 B
≈ B D(EF ) (7.51)
V
wobei wir im zweiten Schritt partielle Integration verwendet haben. Im dritten
haben wir angenommen, dass T ≪ TF und damit die Ableitung von f
quasi eine Deltafunktion bei EF ist. Zusammen mit der Zustandsdichte freier
Elektronen erhalten wir
D(EF ) 3µ0 µ2B
χPauli = µ0 µ2B =n = const. . (7.52)
V 2kb TF
Die überschlägige Abschätzung zuvor war also nicht so schlecht. Nur der
Faktor T /TF ist der Unterschied zu Gl. 7.43. Auch bei höheren Temperaturen,
wenn die Näherung als Delta-Funktion nicht mehr ganz so gut ist, ändert sich
wenig. Insbesondere bleibt die Suszeptibilität temperaturunabhängig.

Landau-Diamagnetismus

Der Vollständigkeit halber soll nicht unerwähnt bleiben, dass auch freie
Elektronen Diamagnetismus zeigen. In Kapitel 4 hatten wir bereits gesehen,
dass die innere Energie eines freien Elektronengases periodisch mit dem
Magnetfeld variiert und deswegen diverse von der inneren Energie abge-
leitete Größen ebenfalls. Für die Magnetisierung ist dies der de Haas-van
Alphén-Effekt. Die damit verbundene Suszeptibilität ist gerade −1/3 des
Pauli-Paramagnetismus. Weil beides ja immer zusammen auftritt, beobach-
tet man effektiv 2/3 χPauli . Die effektive Masse der Elektronen m⋆ geht als
zusätzlicher Faktor (me /m⋆ )2 ein.
 Magnetismus 95

Magnetische Ordnung

Manche Materialien zeigen ohne anliegendes externes Magnetfeld unterhalb

einer kritischen Temperatur eine Ordnung in der Orientierung der magneti-
schen Momente und damit fast immer auch eine Magnetisierung. Um dieses
Phänomen zu erklären werden wir im nächsten Abschnitt eine Wechselwir-
kung zwischen den mikroskopischen magnetischen Momenten einführen. Wir
unterscheiden verschiedene Muster in der Ordnung:

Ferromagnetismus Alle magnetischen Momente zeigen in dieselbe Rich-

tung. Die Amplitude kann unterschiedlich sein, oder nur eine Vektor-Komponente
ist identisch. In Summe ergibt das einen von Null verschiedenen Wert, also
eine Magnetisierung.

Antiferromagnetismus Die Momente summieren sich zu Null, sind aber

trotzdem geordnet. Nach außen hin erscheint das Material paramagnetisch.

Ferrimagnetismus Die magnetischen Momente sind ebenfalls antiparallel

ausgerichtet, aber unterschiedlich groß, so dass die Summe nicht Null ergibt
und Magnetisierung ohne externes Feld sichtbar ist.

Helikale Ordnung Magnetische Ordnungsphänomene sind sehr vielfältig.

Die magnetischen Momente können beispielsweise auf einer Helix (Schrau-
benlinie) liegen.6 6
wie der Propeller eines fliegenden Flug-
zeugs mit einem Stroboskop fotografiert

Zur Selbstkontrolle
1. Suchen Sie in Lehrbüchern oder im Internet nach grafischen Darstellungen magne-
tischer Ordnung und sortieren Sie diese in obigen Kategorien ein.

Austauschwechselwirkung

Die für die Ordnung verantwortliche Wechselwirkung ist die Austausch-

wechselwirkung, die schon beim H2+-Molekül für die Bindung gesorgt hatte.
Magnetische Dipol-Dipol-Wechselwirkung wäre zwar auch denkbar, ist aber
viel zu schwach. Typische Energien entsprechen einer Temperatur von 1 K, so
dass so Ordnung bei Raumtemperatur nicht beobachtbar wäre.
Wir diskutieren ein einfaches Modell: Zwei Elektronen (i = 1, 2) sind an
den Orten r1 und r2 , und in den Zuständen ϕA und ϕB . Daraus können wir
wie in der Molekülphysik einen symmetrischen (+) und antisymmetrischen
(−) Orts-Anteil der Gesamt-Wellenfunkton herstellen:7 7
zusammen mit dem Spin-Teil dann immer
anti-symmetrisch
Ψ± ∝ ϕa (r1 )ϕb (r2 ) ± ϕa (r2 )ϕb (r1 ) . (7.53)

Die Eigen-Energien sind dann

E± = ⟨Ψ± |Ĥ|Ψ± ⟩ (7.54)

und die Energie-Differenz ist die Austausch-Konstante JA

ZZ
JA = E+ − E− ∝ ϕ⋆a (r1 )ϕ⋆b (r2 ) Ĥ ϕa (r2 )ϕb (r1 ) dr1 dr2 . (7.55)
96 Festkörperphysik II

Nun nehmen wir den Spin der Elektronen hinzu. Damit die Gesamt-Wellenfunktion
antisymmetrisch ist, muss die symmetrische Wellenfunktion Ψ+ eine anti-
symmetrische (Singulett, S = 0) Spin-Wellenfunktion besitzen. Ebenso muss
Ψ− ein Triplett-Zustand (S = 1) sein. Die Unterscheidung kann man mit den
Einzel-Spin-Operatoren si des i-ten Elektrons schreiben. Durch Ausmultiplizie-
ren von S 2 = (s1 + s2 )2 findet man, dass
(
s1 · s2 − 34 für Singulett S=0
= . (7.56)
ℏ2 + 41 für Triplett S=1
Damit können wir die Gesamtenergie kompakt schreiben als
1 s1 · s2
Ĥ = (E+ + 3E− ) − JA . (7.57)
4 ℏ2
Wenn JA positiv ist, dann sind Triplett-Zustände energetisch bevorzugt, also
eine parallele Anordnung der Spins wie im Ferromagnetismus. Bei negativen
JA spricht man von antiferromagnetischer Kopplung.

Heisenberg- und Ising-Modell

Wir haben die Austausch-Wechselwirkung mit Elektronen-Spins eingeführt,

aber man kann analog natürlich mit allen magnetischen Momenten bzw.
Drehimpuls-Äquivalenten arbeiten, und auch auf mehr als zwei Spins erwei-
tern. Der erste Summand in Gl. 7.57 liefert nur einen konstanten Energie-
Offset, den wir nun weglassen. Für allgemeine Drehimpuls-artige Größen Si
ergibt der zweite Teil das Heisenberg-Modell der magnetischen Ordnung mit
X ij Si · Sj
ĤA = − JA . (7.58)
i>j
ℏ2

Die Summe läuft dabei so, dass alle Paare von Indizes i und j einmal genom-
men werden. Man nimmt an, dass die magnetischen Dipole auf einem Gitter
angeordnet sind, und der Index den Gitterplatz bezeichnet. Die Austausch-
Konstante JA ij
hängt dann beispielsweise vom räumlichen Abstand der
Gitterplätze i und j ab.
Das Ising-Modell nimmt wieder Elektronen-Spins als Drehimpuls-artige
Größe, erlaubt also nur die Möglichkeit ’up’ und ’down’. Dadurch wird das
Skalarprodukt von Vektoren in Gl. 7.58 eine Multiplikation von Skalaren.

Molekularfeldnäherung

Im Ising- oder Heisenberg-Modell koppelt die Austauschwechselwirkung

alle magnetischen Momente miteinander, was die Rechnung aufwändig
macht. Einfacher wird es, wenn man den Beitrag aller anderen magnetischen
Momente zum Magnetfeld am Ort i zusammenfasst zu einem effektiven
mittleren Austausch- oder Molekularfeld. Dieser Ansatz von Pierre Weiss ist
historisch älter als die Austauschwechselwirkung.
Wir nehmen an, dass die Austauschwechselwirkung nur zwischen den
nächsten Nachbarn wirkt, und dass sie für alle z Nachbarn identisch ist.
Dann ist der Energiebeintrag am Ort i
z
Ja X Ja
Ei = − Si · Sj ≈ −z ⟨Sj ⟩ · Si , (7.59)
ℏ j=1 ℏ
 Magnetismus 97

mit dem mittleren Drehimpuls ⟨Sj ⟩ aller Nachbarn. Wir gehen zu makroskopi-
schen Größen über, indem wir dies umschreiben als Produkt der Magnetisie-
rung M und des magnetischen Momentes µ via
⟨Sj ⟩ Si
M = −n gJ µB und µi = −gJ µB (7.60)
ℏ ℏ
und erhalten
Ja
Ei = −z µi · M = −µi · BA (7.61)
n gJ2 µ2B
mit dem Molekularfeld BA und der Molekularfeld-Konstante γ
z Ja
BA = M = µ0 γ M . (7.62)
n gJ2 µ2B

Ferromagnetismus

In der Molekularfeldnäherung ist das effektive Feld in der Probe die Summe
aus dem extern angelegten Feld und dem Molekularfeld

Beff = Bext + µ0 γ M . (7.63)

Wir berücksichtigen die Austauschwechselwirkung also, indem wir überall

B durch Beff ersetzen. Ferromagnetismus ist damit ein System von nicht
wechselwirkenden magnetischen Momenten (durch die Brillouin-Funktion
beschrieben) plus Molekularfeld. Die Magnetisierung M ist nach Gl. 7.42
 
gj µB J(Bext + µ0 γM )
M = n gJ µB J BJ (y) = n gJ µB J BJ (7.64)
kb T 1

nur dass für y jetzt Beff statt B verwendet wird. Leider erscheint M auf
M/MS

beiden Seiten des Gleichheitszeichens. Wir lösen das grafisch, indem wir 0.5
beides

M (y) = n gJ µB J BJ (y) (7.65) Bext > 0

0
kb T Bext 0 2 4
M (y) = µ0 γgJ µB J y − µ0 γ (7.66) y

als Funktion von y zeichnen und Schnittpunkte suchen. T > TC

T = TC
T < TC

Bei Bext = 0 hängt es von der Steigung der beiden Kurven ab, ob diese 1

sich schneiden. Bei hohen Temperaturen T > TC ist Gl. 7.65 steiler als die
M/MS

Asymptote an Gl. 7.66 und nur der triviale Schnittpunkt bei M = 0 bleibt.
0.5
Es gibt also spontane Magnetisierung nur unterhalb einer bestimmten Tem-
peratur. Die charakteristische Temperatur TC nennt man ferromagnetische
Bext = 0
Curie-Temperatur 0
0 2 4
µ0 gJ2 J(J + 1)µ2B y
TC = nγ = γC (7.67)
Abbildung 7.5: Grafische Bestimmung der
3kb
Magnetisierung eines Ferromagneten.
mit der Curie-Konstanten C.
Bei angelegtem externen Feld Bext > 0 findet sich immer ein Schnitt-
punkt, also eine von Null verschiedene Magnetisierung, unabhängig von der
Temperatur. Das unterscheidet sich nicht von einem Paramagneten. Aus
χ ≈ µ0 M/Bext erhält man im paramagnetischen Bereich T > TC das
Curie-Weiss’schen Gesetz der magnetischen Suszeptibilität
C
χ= . (7.68)
T − TC
98 Festkörperphysik II

Material TC (K) µ/µB

Fe 1043 2.2
Für Temperaturen T < TC im ferromagnetischen Bereich hängt die Magne- Co 1394 1.7
Ni 631 0.6
tisierung von der Vorgeschichte der Probe ab und nicht nur vom aktuellen
Gd 289 7.5
externen Magnetfeld. Daher hilft hier die Beschreibung durch eine Suszeptibi- EuO 70 6.9
lität nicht. Tabelle 7.2: Ferromagnete (Daten aus
Blundell, 2006)

Untergitter: Ferri- und Antiferromagnetismus

Um Antiferromagnetismus und Ferrimagnetismus zu beschreiben führen wir

zwei Untergitter ein. Ähnlich einem Schachbrett gehört jede Position des
physikalischen Gitters entweder zu dem einen oder dem anderen Untergitter,
gerade so, dass die nächsten Nachbarn immer dem anderen Untergitter
angehören. Für jedes Untergitter definieren wir eine Magnetisierung MA,B
und Molekularfeld-Konstanten γij , die die Wechselwirkung innerhalb und
zwischen den Untergittern beschreiben. Die jeweiligen Molekularfeld B a sind
also
a
BA = µ0 γAA MA + µ0 γAB MB (7.69)
a
BB = µ0 γBA MA + µ0 γBB MB . (7.70)

Aus Symmetriegründen ist γAB = γBA . Antiferromagnetismus und Ferrima-

gnetismus unterscheiden sich in den γij , die aber alle negativ sind, weil die
zugehörige Austauschwechselwirkung JA im Gegensatz zum Ferromagnetis-
mus negativ ist.

Ferrimagnetismus Der Name wurde durch Louis Néel bei der Beschreibung
des Magnetismus von Ferriten (eine Form der Eisen-Oxyde) geprägt. In diesen
Materialien sind die beiden Untergitter nicht identisch. Es gibt zweimal soviel
B-Gitterpunkte wie A-Gitterpunkte, und beide Gitter sind durch unterschiedli-
che Atome besetzt. Wir beschreiben die magnetischen Eigenschaften jedes
Untergitters durch seine Curie-Konstante CA,B (Gl. 7.67). Analog zu Gl. 7.67
ergibt8 sich dann eine ferrimagnetische Curie-Temperatur 8
siehe Gross und Marx, 2023
p
TC = |γAB | CA CB (7.71)

und eine Suszeptibilität oberhalb von TC zu

(CA + CB )T − 2|γAB |CA CB
χ= . (7.72)
T 2 − TC2 Material TC (K) µ/µB
Fe3O4 858 4.1
Ferrimagnete zeigen also einen besonderen, charakteristischen Tempe- CoFe2O3 793 3.7
raturverlauf der Suszeptibilität, der deutlich von dem Curie-Weiss-Gesetz Y3Fe5O12 560 5.0
abweicht. Unterhalb von TC verbleibt eine beobachtbare spontane Magneti- Ho3Fe5O12 567 15.2
Tabelle 7.3: Ferrimagnete (Daten aus
sierung, weil die beiden Untergitter sich nicht vollständig kompensieren. Blundell, 2006)
Material TN (K) J
Antiferromagnetismus Hier sind die beiden Untergitter identisch (γAA = MnF2 67 5/2
MnO 122
γBB ), aber die magnetischen Momente antiparallel orientiert, also MA = 5/2
CoO 292 3/2
−MB . Die kritische Temperatur, hier Néel-Temperatur, ist Cr2O3 307 3/2
α Fe2O3 950 5/2
TN = |γAB − γAA |C , (7.73) Tabelle 7.4: Antiferromagnete (Daten aus
Blundell, 2006)
wobei C die Curie-Konstante eines der Untergitter ist. Oberhalb der Néel-
Temperatur TN ist die Suszeptibilität
2C
χ= . (7.74)
T + TN
 Magnetismus 99

Es gibt auch unterhalb von TN keine spontane Magnetisierung, weil die

beiden Untergitter sich vollständig kompensieren. Die Suszeptibilität ist in
diesem Bereich9 abhängig von der Orientierung des Magnetfelds, 9
siehe bspw. Gross und Marx, 2023

Magnetische Ordnung und Suszeptibilität Die Temperaturabhängigkeit der

Suszeptibilität ist für Para-, Ferro- und Antiferromagnete ähnlich. Sie folgt
1
χ∝ . (7.75)
T −Θ
Man kann diese Gleichung an den experimentell gefundenen Verlauf anpas-

χ
sen und so die kritische Temperatur Θ bestimmen. Falls Θ = 0, so ist das
Material ein Paramagnet. Falls Θ > 0, dann liegt ein Ferromagnet vor und
TC = Θ. Falls Θ < 0, dann ist es ein Antiferromagnet und TN = −Θ.
Θ T
Abbildung 7.6: Temperaturabhängigkeit
Neutronenstreuung der Suszeptibilität χ für Paramagnete
(fett), Ferromagnete (obere Kurven) und
Antiferromagnete (untere Kurve). Unterhalb
Neutronenstreuung ist die Methode der Wahl, um magnetische Ordnung von T = Θ liegt die geordnete Phase
zu detektieren. Die (de Broglie-) Wellenlänge ist viel kleiner als der Gitter- des (Anti-)Ferromagnets vor. Oberhalb sind
abstand. Beugung am Kristall-Gitter ist also möglich. Gleichzeitig hat das beide paramagnetisch.

Neutron auch einen Spin 1/2, d.h. es wechselwirkt mit den magnetischen
Momenten. Es gibt im Beugungsmuster also nicht nur einen Beitrag der Ker-
ne des Gitters, sondern auch der Elektronen, wenn diese ein magnetisches
Moment besitzen. Beide Effekte addieren sich.
Im Experiment10 von Shull11 , Strauser und Wollan, das in Abbildung 7.1 ge- Shull, Strauser und Wollan, 1951.
10

zeigt ist, wurden Neutronen an MnO gebeugt. Oberhalb der Néel-Temperatur Clifford Glenwood Shull, 1915–2001,
11

Nobelpreis 1994
ist das Material paramagnetisch. Man findet Peaks entsprechend dem Mn–
Mn Abstand von 4.43 Å bei einer NaCl-Kristallstruktur (fcc).
Unterhalb der Néel-Temperatur stellt sich antiferromagnetische Ordnung
ein. Die magnetischen Momente der Mangan-Ionen sind alternierend antipar-
allel orientiert. Der Streuquerschnitt der magnetischen Neutronenstreuung
hängt von der Orientierung der Spins relativ zur Bahnebene der Neutronen
ab. Daher erscheinen nun die Mn-Ionen unterschiedlich und das Gitter wird
effektiv doppelt so groß mit a0 = 8.85 Å. Die zusätzlichen Peaks können
in der neuen Gitterkonstante indizierter werden, in der alten benötigten sie
halbzahlige Indizes.
Man erkennt in Abbildung 7.1 auch, dass die neu hinzukommenden Peaks
in der Amplitude mit steigendem Streuwinkel θ kleiner werden. Eine solche
Winkelabhängigkeit im Formfaktor gibt es bei Streuung an den Kernen nicht.
Die Winkelabhängigkeit ergibt sich aus der Fourier-Transformation der räum-
lichen Verteilung der Streudichte. Bei den Kernen ist diese stark lokalisiert, Abbildung 7.7: Kristallstruktur von MnO. In
nach Fourier-Transformation also quasi konstant. Bei den Elektronen ist dies der antiferromagnetischen Phase sind die
Spins der Mangan-Ionen entweder parallel
nicht mehr der Fall. Der Amplitudenabfall spiegelt also die Ausdehnung der (rot) oder antiparallel (grün) zur Feldrichtung
Elektronenwolke um das Mn-Ion wider. orientiert. Die Sauerstoff-Ionen (grau)
tragen nicht zum Signal bei. Bei höheren
Temperaturen verschwindet die Spin-
Orientierung. Die Unterscheidung zwischen
rot und grün fällt weg. Die Einheitszelle wird
dadurch kleiner.
100 Festkörperphysik II

Zusammenfassung

Schreiben Sie hier ihre persönliche Zusammenfassung des Kapitels auf. Kon-
zentrieren Sie sich auf die wichtigsten Aspekte und die am Anfang genannten
Ziele des Kapitels.

Literatur

Blundell, Stephen (2006). Magnetism in condensed matter. Oxford Univ.

Press.
Gross, Rudolf und Achim Marx (2023). Festkörperphysik. 4. De Gruyter. .
Henry, Warren E (1952). “Spin paramagnetism of Cr+++ , Fe+++ , and Gd+++
at liquid helium temperatures and in strong magnetic fields”. In: Physical
Review 88.3, S. 559. .
Shull, C Gi, WA Strauser und EO Wollan (1951). “Neutron diffraction by para-
magnetic and antiferromagnetic substances”. In: Physical Review 83.2,
S. 333. .
Kapitel 8
Optische Eigenschaften
Markus Lippitz
10. Juli 2023

Ziele

• Sie können die Quasiteilchen Phonon, Plasmon und Exziton sowie die
zugehörigen Polaritonen benutzen, um optische Eigenschaften von Fest-
körpern wie die unten dargestellte Messung zu erklären.

80 ωL
(2) Abbildung 8.1: Dispersion der Phonon-
Polaritonen in Bi4Ti3O12, gemessen via THz-
Spektroskopie. Für bestimmte Frequenzen
Wellenzahl ν̃ (cm−1 )

(2)
ωT
60 (grau unterlegt) können elektromagnetische
Wellen nicht in diesem Medium propagieren.
Die Dispersionsrelation ergibt sich aus der
40 ωL
(1) Kopplung von freier elektromagnetischer
Strahlung (diagonal, strichliert) mit opti-
(1) schen Phononen (waagerecht, grau). Daten
ωT
20 aus Kojima u. a., 2003.

0
0 500 1,000 1,500 2,000 2,500 3,000
Wellenvektor k (cm−1 )

Überblick

Das verbindende Thema dieses Kapitels ist die Wechselwirkung von Festkör-
pern mit elektromagnetischer Strahlung, also die optischen Eigenschaften
der Materie. Genauso gut hätte man das Kapitel auch ’Quasiteilchen’ oder
’Quasiteilchen aus Quasiteilchen’ nennen können. Wir werden neben den Pho-
nonen noch zwei weitere Quasiteilchen einführen, und diese dann jeweils mit
Photonen zu einem neuen Teilchen verbinden. Wir gehen hier beim Photon
analog zum Kristall-Elektron vor, in das wir die Wechselwirkung mit dem Feld
der Kerne projiziert hatten.
Dieses Werk ist lizenziert unter einer Creative Commons “Namensnennung –
Weitergabe unter gleichen Bedingungen 4.0 International” Lizenz.
102 Festkörperphysik II

Wiederholung

Optische Eigenschaften kondensierter Materie wurden schon einmal im

Zusammenhang mit der Molekülspektroskopie besprochen. Schauen Sie
noch einmal in Ihre Notizen zur Vorlesung EPC1, oder alternativ in mein
Skript1 in Kapitel 4. 1
Lippitz, 2022.

Makroskopische Maxwell-Gleichungen Wir beschreiben die Wechselwirkung

von Licht mit Materie durch die Maxwell-Gleichungen und die zugehöri-
gen Materie-Gleichungen. Interessante Größen sind die Polarisation P , die
Suszeptibilität χ und die dielektrische ’Konstante’ (besser: Funktion) ϵ. Ich
benutze die Form D = ϵϵ0 E, also ein einheitenfreies ϵ. Manche Bücher
machen das aber auch anders.

Verschiebungs- und Orientierungs-Polarisation Ladungsträger können sich

verschieben und Moleküle umorientieren, wenn ein elektrisches Feld anliegt.
Die Umorientierung ist identisch mit unserer Beschreibung des Paramagnetis-
mus, also ebenfalls mit der Langevin-Funktion.

Lorentz-Oszillator-Modell Dieses Modell der geladenen Masse an einer

Feder ist zentral für viele Vorstellungen. Es liefert insbesondere die Lorentz-
förmige Linienform einer Absorptionslinie.

Lokales Feld Ein externes elektrisches Feld Eext verschiebt die umgebenden
Ladungen und ändert so das lokale Feld Eloc an dem Ort, der uns eigentlich
interessiert. Dies wird durch die Lorentz-Beziehung beschrieben und mündet
in der Clausius-Mossotti-Beziehung.

Kramers-Kronig-Beziehung Real- und Imaginärteil vieler Größen, insbe-

sondere der dielektrischen Funktion oder der Suszeptibilität, sind nicht un-
abhängig voneinander sondern ineinander umrechenbar. Dies liegt an der
Kausalität, dass also Materie erst nach Einschalten des elektrischen Feldes
antworten kann, und wird in den Kramers-Kronig-Beziehungen zusammenge-
fasst.

Messbare Größen Wir diskutieren die Phänomene oft im Rahmen der kom-
plexwertigen dielektrische Funktion ϵ(ω). Messbar ist aber eigentlich der
(komplexwertige) Brechungsindex ñ(ω), die Reflektivität R bei senkrechtem
Einfall und der Absorptionskoeffizient K. Schauen Sie sich die Zusammen-
hänge noch einmal an.

Lokales Feld

Wir gehen noch etwas auf das lokale Feld in einer Probe ein. In der Lorentz-
Methode werde alle Moleküle zusammen als ein homogenes Medium mit der
dielektrischen Konstante ϵ angesehen. Aus diesem Medium schneidet man
eine Kugel aus, die gerade das einzelne, zu betrachtende Molekül oder Atom
umschließt. In die so entstandene Aushöhlung setzt man das Molekül in Va-
kuum. Das externe elektrische Feld induziert eine Polarisation P , nur kennen
 Optische Eigenschaften 103

wir deren Größe noch nicht. Diese Polarisation bewirkt Oberflächenladungen

am Rand der Kugel, die das lokale Feld in der Kugel modifizieren2 2
Die Rechnung ist typischerweise eine
Übungsaufgabe in der Elektrodynamik.
P
Eloc = Eext + . (8.1)
3ϵ0
In Festkörpern müssen wir aber auch berücksichtigen, dass die Probe irgend-
wo endet. Auch an dieser Oberfläche können Ladungen induziert werden, die
dem internen Feld entgegenstehen. Dieses Feld von der Oberfläche nennt
man Depolarisationsfeld EN . Man schreibt es auch in der Form
N
EN = − P (8.2)
ϵ0
mit dem Depolarisationsfaktor N , der von der Form der Probe abhängt. Für
Kugeln ist N = 1/3, für eine dünne Scheibe senkrecht bzw. parallel zum
elektrischen Feld ist N = 1 bzw. N = 0. Insgesamt haben wir also
 
P 1
Eloc = Eext − N− . (8.3)
ϵ0 3

Optische Phononen

Im ersten Teil der Festkörperphysik hatten Sie optische Phononen kennen-

gelernt, also Schwingungen der Atomrümpfe in einem Gitter mit einer min-
destens zweiatomigen Basis. Als Modell wird eigentlich immer die lineare
zweiatomige Kette diskutiert. Im Grenzfall k → 0 bzw. unendlich langer
Wellenlängen bewegen sich einfach zwei Ebenen von Atomen gegeneinander.
Die Frequenz der Bewegung ist
r
2c
ω0 = (8.4)
µ
mit der reduzierten Masse µ und der Kraftkonstanten c. Da alle Ionen glei-
cher Ladung q derselben Bewegung folgen ist die Differentialgleichung
einfach und kommt ohne Index für das Atom aus

M1 ü1 − 2c(u1 − u2 ) = + qEloc (8.5)

M2 ü2 − 2c(u2 − u1 ) = − qEloc . (8.6)

Wir komprimieren dies auf eine Gleichung für den Abstand der Ebenen u =
u1 − u2
µü + µω02 u = qEloc . (8.7)

Diese Bewegung u ist mit Ladung verknüpft und bewirkt so eine sich ändern-
de Polarisation P , die wiederum auf das lokale elektrische Feld wirkt. Mit der
Dichte n der Ionen-Paaren ist die Polarisation aufgrund der Ionen selbst

Pion = nqu = ϵ0 nαion Eloc (8.8)

mit der Polarisierbarkeit der Ionen αion . Weiter unten werden wir diese
Polarisierbarkeit im statischen Grenzfall benötigen, also für Frequenzen
gegen Null. Dazu lösen wir zunächst nach αion auf, und setzen dann die
Lösung der Differentialgleichung für ω = 0 ein, um u zu entfernen. Das ergibt
qu q2
αion (0) = = . (8.9)
ϵ0 Eloc ϵ0 ω02 µ
104 Festkörperphysik II

Zusätzlich gibt es aber auch noch Elektronenwolken um jedes Ion. Auch

diese sind polarisierbar mit der Polarisierbarkeit je Ion αel
+
und αel
−
. Wir
führen eine effektive Polarisierbarkeit des Ionenpaars ein αel = αel + −
+ αel
und erhalten
Pel = ϵ0 n αel Eloc . (8.10)

Insgesamt ergibt dies

P = Pion + Pel = nqu + ϵ0 n αel Eloc . (8.11)

Nun fehlt noch ein Ausdruck für den Zusammenhang zwischen Polarisati-
on P und lokalem elektrischen Feld Eloc . Dazu betrachten wir hier zunächst
Eigenschwingungen, legen also kein externes Feld an. Im nächsten Abschnitt
kommt dann das externe Feld hinzu.
Das Schwingungsmuster der Ionen im Kristall wird durch die Phasenfron-
ten der ebenen Wellen bestimmt. Wir betrachten nun eine dünne Scheibe des
Kristalls, die parallel zur Phasenfront, also senkrecht zum Wellenvektor ist.

Longitudinale Schwingungen Bei einer longitudinalen Schwingung bewegen

sich die Ionen in Richtung Scheibenoberfläche. Die Polarisation P steht also
senkrecht auf der Scheibe. Damit ist der Depolarisationsfaktor N = 1 und
das lokale Feld ist nach Gl. 8.3
2
Eloc = − P . (8.12)
3ϵ0
Dies setzen wir in Gl. 8.11 ein und eliminieren P
2 2
Eloc = − nαel Eloc − nqu . (8.13)
3 3ϵ0
Mittels der Definition von αion (0) lässt sich dies schreiben als
2
1 nαion (0)
Eloc = − µω02 3 2 u . (8.14)
q 1 + 3 nαel
Damit haben wir den ’treibenden’ Term in der Differentialgleichung gefunden,
die hier eine freie Schwingung beschreibt, weil wir ja oben Eext = 0 gesetzt
haben. Die Eigenfrequenz dieser Schwingung ist
s
2
nαion (0)
ωL = ω0 1 + 3 2 . (8.15)
1 + 3 nαel (0)
Hier wurde auch der statische Grenzfall der elektronischen Polarisierbarkeit
eingesetzt, weil die sich ergebenden Frequenz im infraroten Spektralbereich
für Elektronen schon quasi Null sind, diese also instantan folgen.

Transversale Schwingungen Bei einer transversalen Schwingung bewegen

sich die Ionen in parallel zur Scheibenoberfläche. Die Polarisation P ist
parallel zur Scheibe. Damit ist der Depolarisationsfaktor N = 0 und das
lokale Feld ist nach Gl. 8.3
1
Eloc = + P . (8.16)
3ϵ0
Die analoge Rechnung zu oben ergibt
s
1
3 nαion (0)
ωT = ω0 1− . (8.17)
1 − 13 nαel (0)
 Optische Eigenschaften 105

Die Eigenfrequenz optischer Phononen spaltet sich also in der Nähe von
k ≈ 0 auf in zwei verschiedene Werte für die transversale und longitudinale
Mode, wenn die sich bewegenden Massen geladen sind. Dann erzeugen diese
Ladungen nämlich eine Polarisation, die durch ein lokales Feld zurückwirkt
auf die Ladungen selbst. Diese Rückwirkung hängt von der Orientierung
der Polarisation relativ zur Phasenfront ab. Dies macht die rückstellende
Feder effektiv weicher bzw. härter. Optische Phononen ungeladener Massen
beispielsweise in Gittern mit zweiatomiger Basis aber nur einer Atomsorte
zeigen diese Aufspaltung nicht.

Lyddane-Sachs-Teller-Relation

Die Terme für die beiden neuen Eigenfrequenzen sind sehr ähnlich. Das
Verhältnis ωL
2
/ωT2 ist

2
  −1
ωL n [αel (0) + αion (0)] nαel (0)
= 1+ 1+ . (8.18)
ωT2 1 − 13 n [αel (0) + αion (0)] 1 − 31 nαel (0)

Beide Terme sind ähnlich zur nach ϵ aufgelösten Clausius-Mossotti-Beziehung3 3

siehe z.B. EPC1

nα
ϵ=1+ (8.19)
1 − 13 nα

und unterscheiden sich nur darin, dass im zweiten der Beitrag αion (0) fehlt.
Wir identifizieren also den ersten Term als dielektrische Funktion bei der
Frequenz 0, also ϵ(0). Für Frequenzen im sichtbaren Spektralbereich, also
oberhalb der der optischen Phononen (ω ≫ ω0 ), trägt die ionische Polari-
sierbarkeit nicht mehr bei. Die schweren Kerne können dem Feld nicht mehr
folgen. Diese Frequenz ist aber immer noch klein gegen die Eigenfrequenz
der Elektronenwolke im Ultravioletten, so dass αel (0) immer noch gerecht-
fertigt ist. Wir identifizieren den zweiten Term also mit der dielektrischen
Funktion im Sichtbaren ϵ(ωs ). Damit erhalten wir die Lyddane-Sachs-Teller-
Relation (LST-Relation)
2
ωL ϵ(0)
2 = . (8.20)
ωT ϵ(ωs )
Da ϵ(ωs ) ≈ 1 bedeutet ein kleines ωT ein sehr hohes ϵ(0). Für PbTe wird
beispielsweise ϵ(0) ≈ 1500 erreicht.

Erzwungene Schwingungen von Ionenkristallen

Mit der Lyddane-Sachs-Teller-Relation haben wir eigentlich schon den Bereich

Eext = 0 verlassen, weil die dielektrische Funktion natürlich die Wechselwir-
kung von externen elektromagnetischen Wellen mit der Materie beschreibt.
Dies soll hier etwas genauer betrachtet werden. Wir wiederholen also die
Argumentation von oben, nur verlangen jetzt Eext ̸= 0. Elektromagnetische
Wellen sind transversale Wellen, die auch nur mit transversalen optischen
Phononen koppeln. Wir ersetzen also Gl. 8.16 durch

1
Eloc = Eext + P (8.21)
3ϵ0
106 Festkörperphysik II

und erhalten dann analog zur mit longitudinalen Phononen vorgeführten

Rechnung

1 1 2 31 nαion (0)
Eloc = E ext + µω . (8.22)
1 − 13 nαel q 0 1 − 31 nαel

In der Differentialgleichung verbleibt damit ein treibender Term mit Eext und
man bekommt die Lösung
q 1 1
u= 1 2 Eext (8.23)
µ 1 − 3 nαel ωT − ω 2

wenn ω die Frequenz des Lichtfeldes Eext ist. Über

Pion = nqu = ϵ0 χion Eext (8.24)

erhalten wird die optische Suszeptibilität der Ionen

nq 2 1 1 ωT2 ω2
χion = 1 2 2 2
= χion (0) 2 T 2 . (8.25)
ϵ0 µ 1 − 3 nαel ωT ωT − ω ωT − ω

Die dielektrische Funktion für Elektronen und Ionen zusammen ist

ωT2
ϵ(ω) =1 + χel + χion = ϵ(ωs ) + [ϵ(0) − ϵ(ωs )] (8.26)
ωT2 − ω2
100
ω2 − ω2 =()
=ϵ(ωs ) L (8.27)
ωT2 − ω 2 50

wobei wir im ersten Schritt die Definition von ϵ(ωs ) = 1 + χel (0) und im zwei- (ω) (0) (ωs )
0
ten die Lyddane-Sachs-Teller-Relation ausgenutzt haben. Die dielektrische <()
Funktion ϵ(ω) hat zwei Nullstellen, bei ω = ωT und bei ωL . Dazwischen ist 1
R(ω)

sie negativ. Der Reflexionskoeffizient bei senkrechtem Einfall ist

√ 0
2 0 1 2
ϵ−1
R= √ . (8.28) rel. Frequenz ω/ωT
ϵ+1
Abbildung 8.2: Dielektrische Funktion
Für das Bereich zwischen ωT und ωL ist also R = 1. Eine elektromagne- (oben) und Reflektivität (unten) aufgrund
optischer Phononen in einem ionischen
tische Welle kann nicht in die Probe eindringen sondern wird vollständig Kristall. strichliert: R für Γ = 0. Hier ist
reflektiert. Diesen Bereich nennt man Reststrahlenbande. Außerhalb dieses ωL = 1.5ωT und γ = 0.1ωT gewählt.
Bereichs fällt die Reflektivität ab. Bei ϵ(ω) = 1 ist sie Null und eine Welle
dringt verlustfrei in das Medium ein.
Die Ausgangs-Differentialgleichung hatte keinen Dämpfungsterm. Wenn 1
wir den einführen4 , dann erhalten wir ωL
Reflektivität R

2
− ωT2
 
ωL
ϵ(ω) = ϵ(ωs ) 1 + 2 . (8.29) 0.5
ωT − ω 2 − iΓω

Abbildung 8.2 zeigt den Real- und Imaginärteil. Die Beschreibung ändert sich
ωT
nicht wesentlich. Wir erhalten einen stark absorbierenden Bereich bei ωT und
0
die Reflektivität in der Reststrahlenbande ist nicht perfekt. 200 250
Typische Werte von ωL und ωT liegen bei einigen 1013 Hz, also im Infra- Wellenzahl ν̃ (cm−1 )
roten. Man kann die hohe und spektral schmale Reflektivität der optischen Abbildung 8.3: Reflektivität von InAs bei
Phononen ausnutzen, um sie als selektive Spiegel zu verwenden. Nach mehr- T = 4 K im Vergleich zum Modell. Daten
aus Yu und Cardona, 2010
facher Reflektion an solch einem Material wird ein ursprünglich breites infra- 4
siehe Gross und Marx, 2023 und Yu und
rotes Schwarzkörper-Spektrum spektral schmal. Diese Reststrahlen hat man Cardona, 2010
früher zur Spektroskopie anderer Materialien verwendet.
 Optische Eigenschaften 107

Phonon-Polariton

Wir wollen die Ausbreitung von Licht in einem Ionen-Kristall noch etwas
genauer betrachten und dabei ein weiteres Quasiteilchen einführen, das
Polariton, genauer das Phonon-Polariton. Die Dispersionsrelation von Licht in
einem Medium mit der dielektrischen Funktion ϵ(ω) ist
c0
ω = ck = p k . (8.30)
ϵ(ω)
Wir setzen für ϵ(ω) den dämpfungsfreien Ausdruck Gl. 8.27 ein und quadrie-
ren der Einfachheit halber
ωT2 − ω 2
ω2 = 2 2
2 − ω 2 ) c0 k . (8.31)
ϵ(ωs )(ωL 3
Abbildung 8.4 zeigt die Dispersionsrelation ω(k). In der Reststrahlenbande

rel. Frequenz ω/ωT

wird ω 2 negativ, ist also kein reelwertiges ω möglich. Dies beschreibt den ex- 2
ponentiellen Abfall der Welle an der Grenzfläche. Außerhalb dieser Bandlücke
ωL
finden wir zwei Äste, das untere und obere Polariton. Diese folgen strecken- ωT
1
weise der linearen Dispersionsrelation von Licht mit ω = cn0 k, streckenweise
der konstanten horizontalen Dispersionsrelation der Phononen ω ≈ const.
Der hier dargestellte Bereich des Wellenvektor k ist ja viel kleiner als π/a 0
0 1 2 3 4
der Phononen. Das untere Polaritonen wechselt also mit steigendem k von √
Wellenvektor kc0 /ωT s
Photon-ähnlich zu Phonon-ähnlich, das obere andersherum. In den Über- Abbildung 8.4: Dispersionsrelation von
gangsbereichen, in denen Frequenz und Wellenlänge von Phonon und Photon Phonon-Polaritonen (fett) als Kopplung von
Licht (diagonal) und optischen Phononen
gut übereinstimmen, da koppeln diese und bilden ein neues, hybrides System, (waagerecht). Hier ist ωL = 1.5ωT
das durch das Quasiteilchen Polariton beschrieben wird. gewählt.
Allgemein sind Polaritonen Quasiteilchen aus Photonen und einer An-
regung, die an elektromagnetischen Wellen koppelt, also Ladung oder ma-
gnetische Momente besitzt. Wir werden unten noch das Plasmon-Polariton
diskutieren. Ähnlich wie bei der effektiven Masse des Kristall-Elektrons wer-
den nun dem Photon Eigenschaften des Kristalls zugeschrieben, nämlich
die aus der Oszillation der geladenen Ionen, die an sich ja schon als Phonon
quantisiert waren.

Beispiel: Bi4Ti3O12

Als Beispiel für Phonon-Polaritonen ist in Abb. 8.1 am Anfang des Kapitels
Bismut-Titanat (Bi4Ti3O12) gezeigt. Die Dispersionsrelation von Photonen ω ∝
k ist, im Vergleich zu Phononen, sehr steil, weil die Wellenlänge viel größer
als die Gitterkonstante ist. Die Abbildung zeigt also nur einen Ausschnitt in
der Nähe von k ≈ 0.
Um die Dispersionsrelation experimentell zu bestimmen muss man ei-
gentlich nur nach Gl. 8.30 die dielektrische Funktion ϵ(ω) kennen, bzw. den
√
Brechungsindex n = ϵ. Allerdings ist der Realteil, der dispersive Teil des
Brechungsindex relevant, nicht die Absorption, die durch den Imaginärteil
beschrieben wird. Der interessante Frequenzbereich ist im Infraroten, bei
ω ≈ 1 THz bzw. einer Wellenzahl ν̃ = 50cm−1 . Kojima et al. verwenden
darum THz-Spektroskopie.
Ein gepulster Laser (100 fs Pulsdauer, 780 nm Wellenlänge, entspricht
385 THz) erzeugt über einen nichtlinearen optischen Prozess infrarote Strah-
108 Festkörperphysik II

lung einer Frequenz von etwa 1 THz. Bei dieser Frequenz ist die Wellenlänge
so lang, dass innerhalb der Pulslänge quasi nur eine Oszillation des elektri-
schen Feldes stattfindet. Dieser THz-Puls wird durch die Probe geleitet und
dann durch den inversen nichtlinearen Prozess abgetastet. Besonders dabei
ist, dass so das Feld E(t) und nicht die Intensität I(t) ∝ |E(t)|2 des trans-
mittierten THz-Pulses bestimmt werden kann. Durch Fourier-Transformation
erhalt man
E(ω) = |E(ω)|eiϕ(ω) (8.32)

und daraus die Phasendifferenz ϕ(ω) des Wegs durch die Probe verglichen
mt Vakuum (siehe Abbildung 8.5). Diese beinhaltet gerade die Zeitverzöge- 60
rung der Transmission durch die Probe, also den Brechungsindex, und so
k(ω):

Phase φ (rad)
  40
2π 2π ω
ϕ= d− d = k(ω) − d . (8.33)
λ λ0 c0
20
In Abbildung Abb. 8.1 ist also ω über k(ω) aufgetragen.
Das eingezeichnete Modell ist in Wesentlichen Gl. 8.31, nur dass be-
rücksichtigt werden muss, dass zwei optische Phonon-Moden in Bi4Ti3O12 0
0 20 40
existieren. Die Dispersionsrelation ist dann Wellenzahl ν̃ (cm−1 )

(1)
2 
(2)
2 Abbildung 8.5: Phase des durch die Probe
c 2 2
k ωT − ω2 ωT − ω2 transmittierten THz-Feldes.
2 0
ω = ·  2 ·  2 . (8.34)
ϵ(ωs ) (1) (2)
ωL − ω2 ωL − ω2

Obwohl das zweite Phonon höherenergetisch ist, beeinflusst es noch die

Messung. Wenn man es vernachlässigen würde müsste der obere Polariton-
Ast steiler ansteigen (gepunktet).

Optische Antwort freier Elektronen in Metallen

Wir können die freien Elektronen in Metallen analog zu den optischen Pho-
nonen beschreiben. Da bei freien Elektronen die Rückstellkraft Null ist ver-
schwindet ωT . Die Rolle von ωL übernimmt hier die Plasma-Frequenz ωP .
Der konstante Beitrag der gebundenen Elektronen wird hier ϵ∞ genannt.
Damit wird Gl. 8.29 zu
!
ωp2
ϵ = ϵ∞ 1 − . (8.35)
ω(ω + iγ)

Für kleine Dämpfung bzw. genügend hohe Frequenzen kann der Imaginärteil
40
vernachlässigt werden =()
20
! ∞
ωp2
(ω)

ϵ ≈ ϵ∞ 1 − 2 . (8.36) 0
ω
−20 <()
Für Frequenzen ω < ωP ist auch hier ϵ negativ und somit die Reflektivität 1
R(ω)

R = 1, falls γ = 0 angenommen wurde. Metalle reflektieren Licht über einen 0.5

breiten Spektralbereich. Typische Werte von ωP liegen im Ultravioletten, 0
0 1 2
beispielsweise bei 7.5 eV für Kupfer. Gleichzeitig gibt es in Metallen auch rel. Frequenz ω/ωP
noch Interband-Übergänge, die zu einer charakteristischen Absorption und Abbildung 8.6: Dielektrische Funktion und
somit beispielsweise zur Farbe von Gold oder Kupfer verglichen mit Silber Reflektivität eines freien Elektronengases

führen.
 Optische Eigenschaften 109

Die Bedeutung der Plasma-Frequenz ωP als Analogon zur longitudinalen ωP

Resonanz in ionischen Kristallen ergibt sich aus folgender Überlegung: Wir
ωSP
betrachten eine dünne Metallplatte im langwelligen Grenzfall einer longitudi-

Intensität
nalen Welle. Das bedeutet, dass wir alle Leitungs-Elektronen gleichförmig um
die Distanz s in Richtung Plattenoberseite auslenken. Da die positiv gelade-
nen Atom-Rümpfe stehen bleiben, ergibt sich oben eine Flächenladung

0 20 40
ρA = −n e s (8.37)
Energieverlust ∆E (eV)
und unten gerade die gegenteilige Ladung. Dadurch entsteht ein elektrisches Abbildung 8.7: Energieverlust eines Elektro-
Feld nenstrahls beim Durchgang durch Al. Daten
nes aus Powell und Swan, 1959.
E= (8.38)
ϵ∞ ϵ0 1

wobei ϵ∞ die dielektrische Antwort der gebundenen Elektronen beschreibt.

Das Feld bewirkt eine rückstellende Kraft. Die Bewegungsgleichung der freien

Reflektivität R
Elektronen ist also 0.5
ne2
m⋆ s̈ + s=0 (8.39)
ϵ∞ ϵ0
mit der Eigenfrequenz ωP
0
s 0 1000 2000
ne2 Wellenzahl ν̃ (cm−1 )
ωP = . (8.40)
ϵ∞ ϵ0 m⋆ Abbildung 8.8: Reflektivität von verschieden
stark n-dotieren InSb. Daten aus Spitzer und
Dies ist die charakteristische Frequenz aus Gl. 8.35. Bei dieser Resonanz Fan, 1957.
bewegen sich alle freien Elektronen kollektiv in Phase, ähnlich zu den Atom-
rümpfen bei den Phononen. Die Anregung ist wiederum quantisiert und
die Quanten werden Plasmon genannt. Plasmonen sind Longitudinalwel-
len und dadurch, zumindest in der hier beschriebenen Form der Volumen-
Plasmonen, nicht durch Licht anregbar. Sie wechselwirken aber mit den
Elektronen eines Elektronenstrahls, beispielsweise in einem Transmissions-
Elektronenmikroskop. Dadurch entsteht ein charakteristischer Energieverlust
im Elektronenstrahl, der spektroskopiert5 werden kann. Abb. 8.7 zeigt ein sol- 5
electron energy loss spectroscopy, EELS
ches Energie-Verlust-Spektrum. Man sieht den Peak beim Volumen-Plasmon 3
(15.3 eV) und das unten eingeführte Oberflächen-Plasmon bei 10.8 eV.
rel. Frequenz ω/ωP

Plasmonen eistieren nicht nur in Metallen, sondern auch in anderen freien

2
Elektronengasen, beispielsweise in hoch dotierten Halbleitern (Abb. 8.8). √
∝ 1/ ∞
Dann hängt die Plasma-Frequenz ωP von der Ladungsträgerdichte bzw.
Dotierung und der effektiven Elektronenmasse ab. 1
ωP
Analog zur Diskussion der Phonon-Polaritonen können wir auch Plasmon-
Polaritonen einführen. Abb. 8.9 zeigt die Dispersionsrelation von Licht in 0
0 1 2 3
einem Metall, dass durch die dielektrische Funktion Gl. 8.35 beschrieben √
rel. Wellenvektor kc0 /ωP ∞
ist. Wir finden wieder eine Bandlücke unterhalb von ωP und die Kopplung Abbildung 8.9: Dispersionsrelation eines
zwischen dem Plasmon bei ω = ωP = const. und dem Photon mit ω = (Volumen-)Plasmon-Polaritons.
√
c0 k/ ϵ∞ .

Oberflächen- und Partikel-Plasmon-Polaritonen

Kollektive Bewegungen der freien Elektronen gibt es nicht nur im Volumen

eines Metalls, sondern auch an seiner Oberfläche. Man findet diese als
Lösung der Maxwell-Gleichung, die an die Oberfläche gebunden sind, bei
110 Festkörperphysik II

denen das Feld also exponentiell mit dem Abstand abfällt. Die Rechnung ist
beispielsweise in Maier, 2007 dargestellt.
Hier will ich es kürzer machen. Die Resonanz des Volumen-Plasmons ha-
ben wir oben bei der Frequenz ωP gefunden, bei der gerade die dielektrische
Funktion des Metalls ϵ(m) nach Gl. 8.35 Null wurde, also

ϵ(m) (ωP ) = 0 . (8.41)

Bei einer Oberfläche sollte aber auch die dielektrische Funktion des anderen,
dielektrischen Halbraums eingehen. Es verwundert darum nicht, dass die
Bedingung für die Oberflächen-Plasmon-Resonanz ist

ϵ(m) (ωSP ) + ϵ(d) (ωSP ) = 0 . (8.42)

Bei einem Dielektrikum ändert sich ϵ(d) nur sehr langsam mit der Frequenz.
Wir nehmen es hier als konstant an. Wenn wir die dämpfungsfreie metalli-
sche dielektrische Funktion einsetzen finden wir
ωP
ωSP = p . (8.43)
1 + ϵ(d) /ϵ∞
Die Dispersionsrelation lautet
r 1.5
ϵ(m) + ϵ(d)
ω = kc0 . (8.44)

rel. Frequenz ω/ωP

ϵ(m) ϵ(d)
1
An Oberflächen kommt also ein erlaubter Zustand, eine erlaubte optische Mo-
ωSP
de unterhalb von ωP hinzu. Wieder finden wir die charakteristische
√ Kopplung 0.5
zwischen Plasmon bei konstantem ωSP und Licht bei ω = kc0 / ϵ(d) .
Der Vollständigkeit halber seien noch Partikel-Plasmonen erwähnt, eben
gebundene Lösungen der Maxwell-Gleichungen an metallischen Partikeln. 0
0 0.5 1 1.5 2
Für Durchmesser (viel) kleiner als die optische Wellenlänge kann man das rel. Wellenvektor kc0 /ωP
√
(d)
quasi-statisch rechnen. Die Resonanzbedingung ist dann Abbildung 8.10: Dispersionsrelation eines
Oberflächen-Plasmon-Polaritons.
ϵ(m) (ωP P ) + 2ϵ(d) (ωP P ) = 0 (8.45)

was
ωP
ωP P = p (8.46)
1 + 2ϵ(d) /ϵ∞
ergibt. Eine Dispersionsrelation macht bei einem punktförmigen System kei-
nen Sinn mehr. Das Streu-Spektrum ist durch die Rayleigh-Streuung gegeben
2
8πc40 ω 4 6 ϵ(m) − ϵ(d)
σscat (ω) = R , (8.47)
3 ϵ(m) + 2ϵ(d)
die wie erwartet eine Resonanz bei ωP P zeigt.

Exzitonen in Halbleitern

Bereits bei der Einführung der Halbleiter hatten wir das Absorptionsspektrum
besprochen und den Absorptionskoeffizient Gl. 5.8

α(ωγ ) ∝ (m⋆komb )3/2 ℏωγ − Eg

p
(8.48)

gefunden. Die Absorption sollte also mit der Bandkante einsetzen und steil
ansteigen.
 Optische Eigenschaften 111

Im Experiment findet sich aber insbesondere bei tiefen Temperaturen ein

oder mehrerer Peaks in der Absorption bereits bei etwas niedrigeren Ener-
gien. Der Grund dafür sind Exzitonen. Dies sind Quasiteilchen aus einem
gebundenen Elektron-Loch-Paar. Bei der Beschreibung in Kapitel 5 hatten

Absorption
wir ja die Ein-Elektron-Näherung verwendet, also insbesondere Wechsel-
wirkungen und Korrelationen zwischen Elektronen vernachlässigt. In dieser
Näherung gibt es Exzitonen nicht.
Man unterscheidet stark gebundene Exzitonen, sogenannte Frenkel- 0
Exzitonen, und schwach gebundene Wannier-Mott-Exzitonen. Der erste Fall 1.5 1.52 1.54 1.56
Energie (eV)
tritt vorwiegend bei organischen Halbleitern mit kleiner dielektrischer Funk-
Abbildung 8.11: Absorption
p von GaAs bei
tion auf. Hier sind Elektron und Loch am gleichen Gitterpunkt (= Molekül). 21 K, im Vergleich zum E − Eg -Modell.
Bei anorganischen Halbleitern ist die dielektrische Abschirmung zwischen Daten aus Sturge, 1962.
Elektron und Loch viel größer (ϵ ≈ 10), so dass die Bindung schwächer
ist, typischerweise einige meV. Hier betrachten wir nur die Wannier-Mott-
Exzitonen.
Nun erlauben wir also eine Coulomb-Wechselwirkung zwischen Elektronen
E
und Löchern. Die Konsequenzen sind wie beim Wasserstoff-Atom oder bei
der Dotierung: Elektron und Loch kreisen um den gemeinsamen Schwerpunkt.
Die Aufteilung Relativ- und Schwerpunkt-Koordinaten liefert die Energien

1 µ⋆ e4 1 ℏ2 K 2
En,K = Eg − Ex + Ekin = Eg − + (8.49) k
2 (4πϵϵ0 ) ℏ n
2 2 2 2(m⋆e + m⋆h )

mit der effektiven reduzierten Masse µ⋆ , dem Schwerpunkts-Impuls K und

der Quantenzahl n = 1, 2, . . . . Exzitonen-Zustände liegen also unterhalb der E
Bandkante und folgen der parabelförmigen Dispersionsrelation.
Wie bei den Cooper-Paaren muss man auch hier vorsichtig sein, wie
man das darstellt. Exzitonen sind Zwei-Teilchen-Zustände, die man nicht
in Ein-Teilchen-Dispersionsrelation von Elektronen und Löcher einzeichnen
kann bzw. sollte. Man zeichnet also eine Zwei-Teilchen-Dispersionsrelation
von unkorrelierten Elektronen und Löchern, mit der kombinierten effektiven k
Masse m⋆komb von oben und um die Exziton-Bindungsenergie Ex darunter Abbildung 8.12: Einteilchen (oben) und
die Parabeln der Exzitonen. Eine genauere Diskussion findet sich in Yu und Zweiteilchen (unten) Dispersionsrelation
im Halbleiter. Unten sind die Exzitonen-
Cardona, 2010.
Zustände eingezeichnet.
Dies erklärt in erster Näherung die gemessenen Absorptionsspektren.
Wenn man genauer hinschaut, dann sieht man, dass nicht nur exzitonische
Peaks der direkten Absorption vorgelagert sind, sondern dass auch der
eigentlich wurzelförmige Verlauf modifiziert wird. Dies ist eine Folge von
den Exziton-Polaritonen. Wieder gibt es Hybride aus Exzitonen und Photonen
und die Dispersionsrelation spaltet an den Kreuzungspunkten auf. Dadurch
verändert sich das Absorptionsspektrum.6 6
siehe Yu und Cardona, 2010
112 Festkörperphysik II

Zusammenfassung

Schreiben Sie hier ihre persönliche Zusammenfassung des Kapitels auf. Kon-
zentrieren Sie sich auf die wichtigsten Aspekte und die am Anfang genannten
Ziele des Kapitels.

Literatur

Gross, Rudolf und Achim Marx (2023). Festkörperphysik. 4. De Gruyter. .

Kojima, Seiji u. a. (2003). “Far-infrared phonon-polariton dispersion probed by
terahertz time-domain spectroscopy”. In: Physical Review B 67.3. .
Lippitz, Markus (2022). Lecture notes ’Molekülphysik und Festkörperphysik I’.
Version v22.2. CC-BY-SA 4.0. .
Maier, Stefan A. (2007). Plasmonics. New York, NY: Springer. .
Powell, CJ und JB Swan (1959). “Origin of the characteristic electron energy
losses in aluminum”. In: Physical Review 115.4, S. 869. .
Spitzer, WG und HY Fan (1957). “Determination of optical constants and
carrier effective mass of semiconductors”. In: Physical Review 106.5,
S. 882. .
Sturge, M.D. (1962). “Optical absorption of gallium arsenide between 0.6 and
2.75 eV”. In: Physical Review 127.3, S. 768. .
Yu, Peter Y. und Manuel Cardona (2010). Fundamentals of semiconductors.
Springer. .
Kapitel 9
ωP

Nanostrukturen
Markus Lippitz
15. Juli 2025 ωSP

Ziele

• Sie können Beispiele von durch reduzierte Dimensionalität verursachte

Effekte der Festkörperphysik nennen, beschreiben und in groben Zügen
erklären.

• Sie können erklären, wie es in einem Zwei-Niveau-System zum unten

gezeigten anti-bunching im Photonenstrom kommt und Beispiele für die
Anwendung dieses Phänomens nennen.

Abbildung 9.1: Photon-Antibunching ei-

Autokorrelation g (2)

1.5 nes GaAs Quantenpunkts. Das Modell

berücksichtigt die Abweichung zum Zwei-
Niveau-System. Daten ähnlich zu Wu u. a.,
1 2017

0.5

0
−20 −15 −10 −5 0 5 10 15 20
Verzögerung τ (ns)

Überblick

In den letzten Kapiteln haben wir Festkörper besprochen, die in drei oder zu-
mindest zwei Dimensionen unendlich ausgedehnt sind. Hier sollen Strukturen
niedrigerer Dimension besprochen werden, nämlich null- oder eindimensiona-
le Nanostrukturen. Das findet natürlich weiterhin in einem dreidimensionalen
Raum statt, so dass die Ausdehnung in zwei oder drei Raumrichtungen ’klein’
ist. Was als ’klein’ gilt hängt vom betrachteten Phänomen ab, das eine cha-
rakteristische Längenskala besitzt. Typischerweise sind dies hier etwa 1 bis
100 nm.
Wir werden optische und elektronische Eigenschaften diskutieren, die
durch die niedrige Dimensionalität verursacht werden. In anderen Fällen spie-
Dieses Werk ist lizenziert unter einer Creative Commons “Namensnennung –
Weitergabe unter gleichen Bedingungen 4.0 International” Lizenz.
114 Festkörperphysik II

len die Atome an der Oberfläche der Nanostruktur eine besondere Rolle, weil
diese zum Beispiel weniger stark gebunden sind, oder weil sie besonders gu-
te Katalysatoren sind. Bei Nanostrukturen gibt es besonders viel Oberfläche:
Nsurface 3a
≈ (9.1)
Ntotal R
mit der Gitterkonstanten a und dem Kugelradius R. Bei einer Kugel von
R = 1 nm sind etwa 50 % der Atome an der Oberfläche!

Herstellung von Nanostrukturen

Man unterscheidet generell zwei Wege zur Herstellung von Nanostruktu-

ren. Im top-down Verfahren werden Strukturen von außen durch passende
Maschinen quasi ingenieurwissenschaftlich vorgegeben. Beispiele sind die
optische Lithographie oder die Elektronenstrahl-Lithographie. Dabei wird
ein Lack durch Licht bzw. Elektronen belichtet und die so entstehenden
Strukturen dann durch weitere Schritte (ätzen, aufdampfen, abscheiden) in
das Ziel-Material übersetzt. Strukturgrößen sind durch die Strahlen auf ca.
10 nm (Elektronen) bzw. 100 nm (UV-Licht) gegeben. Im bottom-up Verfahren
werden Nanostrukturen wie in der Chemie synthetisiert. Atome beginnen
in einem Lösemittel beispielsweise Kristallite zu bilden, die dann wachsen.
Wenn man die Randbedingungen passend einstellt, können verschiedenen
Formen entstehen (Kugel, Stäbchen, Platten). Die Reaktion bricht ab, wenn
das Ausgangsmaterial aufgebraucht ist oder beispielsweise die Temperatur
geändert wird. Dieser Ansatz erlaubt sehr kleine Strukturen. Ordnung auf
langen Skalen (ca. > 100 nm) ist aber schwierig zu erreichen.

Zweidimensionales Elektronengas

Insbesondere für elektrische Messungen an niedrigdimensionalen Halbleiter-

Strukturen ist das zweidimensionale Elektronengas (2DEG) von besonderer
Bedeutung. Man schränkt damit die freien Elektronen in einem Halbleiter
zunächst einmal auf zwei Dimensionen ein, um dann in weiteren Schritten
zu noch kleineren Strukturen überzugehen. Die Grundidee ist, an einer Grenz-
fläche gleichzeitig die Dotierung und die Bandlücke zu ändern. Dies ist in
Abb. 9.2 dargestellt. Links befindet sich ein nur schwach dotiertes Material
mit kleiner Bandlücke, so dass sich das Fermi-Niveau in der Mitte der Lücke
befindet. Rechts verwendet man ein Material mit größerer Bandlücke, das
stark n-dotiert ist, das Fermi-Niveau sich also in der Nähe des Leitungsbands
befindet. Dann bewirkt die Ladungsträger-Diffusion wie beim pn-Übergang
eine Verbiegung des Bandes. Zusammen mit der abrupten Änderung der
2DEG EF
Bandlücke führt dies dazu, dass ein in eine Dimension kleiner Bereich unter
das Fermi-Niveau fällt. Dort befinde sich also metallische Elektronen. Die
Ausdehnung in Wachstumsrichtung ist allein durch die Materialparameter
gegeben, nicht durch technische Strukturgrößen. So können sehr dünne, also
Wachstumsrichtung z
zweidimensionale Elektronengase hergestellt werden.
Abbildung 9.2: Am Übergang zwischen zwei
Im nächsten Schritt schneidet man aus diesem 2d Elektronengas willkür- Halbleitern verschiedener Bandlücke und
liche Formen aus, in dem man Elektroden auf der Oberfläche des Halbleiters Dotierung bildet sich ein 2DEG.
durch Nanostrukturierung anbringt. Diese bilden zusammen mit einem im
 Nanostrukturen 115

Vergleich zu Abb. 9.2 tiefer in der Probe liegenden Bereich eine Art Platten-
kondensator, mit dem die Energie der Elektronen im 2DEG angehoben oder
abgesenkt werden kann. Insbesondere kann so an manchen Positionen das
2DEG komplett über das Fermi-Niveau angehoben also beseitigt werden. Auf
diese Wiese können beliebige Drähte, Punkte und Kontakte aus dem 2DEG
ausgeschnitten werden.

Elektronische Struktur von eindimensionalen Drähten

Wir betrachten einen dünnen metallischen Draht, beispielsweise aus ei-

nem 2deg ’ausgeschnitten’. Dünn bedeutet, dass seine Ausdehnung in xy-
Richtung vergleichbar mit der de Broglie-Wellenlänge der Elektronen ist,
also nur wenige Nanometer beträgt. In diese Richtung nimmt die Elektronen-
Wellenfunktion dann die Form von stehenden Wellen an. Die Quantenzahlen
sind die Anzahl der Knoten i und j in x und y-Richtung und Eij die zugehöri-
ge Energie. In Richtung des Drahtes sind die Elektronen nicht eingeschränkt
und weiterhin durch ebene Wellen und deren kinetische Energie beschrieben.
Gesamtenergie und Wellenfunktion sind

ℏ2 k 2
Eges = Eij + und Ψ(x, y, z) = Ψij (x, y) eikz . (9.2)
2m
Das hatten wir bereits völlig analog in Kapitel 4 im Zusammenhang mit den
Landau-Zylindern gesehen, nur dass dort die Quantisierung in xy-Richtung
durch das Magnetfeld bewirkt wurde. Die Dispersionsrelation ist darum
ebenfalls eine Schar von um Eij versetzte Parabeln und die Zustandsdichte
s
2 L X 2m 4L X 1
D(E)(1) = Θ(E − Eij ) = Θ(E − Eij )
ℏ 2π ij E − Eij h ij vij
(9.3)
mit der Gruppengeschwindigkeit vij
r
∂ω 2
vij = = (E − Eij ) . (9.4)
∂k m
In einer Dimension ist die Zustandsdichte also reziprok zur Gruppenge-
schwindigkeit und divergiert bei den Eij . Diese charakteristische Form der
Zustandsdichte kann man beispielsweise durch Tunnelspektroskopie in
Kohlenstoff-Nanoröhrchen (CNT) nachweisen.

Quantisierung der Leitfähigkeit

Nun kontaktieren wir solch einen eindimensionalen metallischen Draht der

Länge L an beiden Seiten mit ’normalen’ dreidimensionalen Leitern, die als
Elektronen-Reservoire bei den Fermi-Energie EF,1 und EF,2 dienen.1 Die 1
sieh Kap. 7.5.1 in Gross und Marx, 2023
Länge des Drahts L sei kleiner als die mittlere freie Weglänge der Elektronen. oder Kap. 18 in Charles Kittel, 2006

Dadurch stoßen die Elektronen im Draht nicht. Jedes Elektron, dass links
eintritt, verlässt den Draht recht mit Sicherheit. Dies nennt man ballistischen
Transport. Wegen der fehlenden Streuung sind die Elektronen auf ihrem Weg
durch den Draht auch nicht im thermischen Gleichgewicht. Sie behalten
daher die Fermi-Energie des Reservoirs, von dem sie stammen, und die
116 Festkörperphysik II

Potentialdifferenz eU = EF,1 − EF,2 fällt an den Kontakten Draht–Reservoir

ab. Schließlich nehmen wir noch an, dass der Draht so dünn ist, dass nur die
niedrigste Parabel in der Zustandsdichte besetzt ist und so die Summe über
ij wegfallen kann.
Der Strom durch den Draht von links nach rechts ist mit der mittleren
Gruppengeschwindigkeit ⟨v⟩
Z ∞
e
ILR = − en ⟨v⟩ = − v(E)D(E)f (E − EF ) dE (9.5)
2L 0
2e ∞
Z
=− f (E − EF ) dE , (9.6)
h 0
wobei ein Faktor 1/2 in der Zustandsdichte nur die von links nach rechts
R
zeigenden Wellenvektoren berücksichtigt.2 Der Gesamtstrom ist die Differenz 2
und n = N/L sowie ⟨v⟩ = (1/N ) v
der gegenläufigen Ströme, die aber eine unterschiedliche Fermi-Energie
besitzen:
2e ∞ 2e2 2
Z
I=− f (E − EF,1 ) − f (E − EF,2 ) dE = U= U , (9.7)
h 0 h RK
wobei das Integral über die Differenz der leicht verschiedenen Fermi-Funktionen
gerade −eU ergibt. Damit haben wir wieder das Widerstands-Quantum oder
von Klitzing-Konstante RK = e2 /h gefunden, die wir beim Quanten-Hall-
Effekt schon gesehen hatten

RK = 25 812.807 . . . Ω . (9.8)

Zur Bestimmung von RK bzw. 2e2 /h braucht es also kein hohes Magnet-
feld. Ein eindimensionaler Leiter reicht aus. Weil ohne Magnetfeld aber die
Spins entartet sind, tritt ein zusätzlicher Faktor 2 in Gl. 9.7 auf. Wenn die
Wahrscheinlichkeit der Transmission eines Elektrons durch den Draht nicht
Leitfähigkeit G (2e2 /h)

10
genau eins sondern T ist, also Elektronen auch an den Kontrakten reflektiert
werden, dann ist der Widerstand
RK 5
R= . (9.9)
2T

0
−2 −1.5 −1
Resonantes Tunneln
Gate-Spannung Ug (V)
Abbildung 9.3: Quantisierung der Leitfä-
Bislang war der eindimensionale Leiter an beiden Enden ideal kontaktiert. higkeit in einem dünnen Kanal. Daten aus
Nun nehmen wir an, dass die Kontakte durch Tunneln von Elektronen durch Van Wees u. a., 1988
beispielsweise eine dünne Oxidschicht gebildet werden. In diesem Abschnitt
nehmen wir wie oben an, dass die Elektronen im dünnen Draht nicht streuen,
also durch eine kohärente Wellenfunktion beschrieben werden können. Da
Wellenfunktionen und elektromagnetische Wellen sich sehr ähnlich verhalten
ist der Weg und das Ergebnis identisch zum Fabry-Perot-Interferometer.
Wir beschreiben das Tunneln der Elektronen durch die dünne Isola-
torschicht durch einen komplexwertigen Transmissionskoeffizienten ti
(i = 1, 2) der Wellenfunktion. Analog gibt es einen komplexwertigen Refle-
xionskoeffizient ri . Da aber nicht Amplituden von Wellenfunktionen, sondern
nur deren Quadrate physikalische Bedeutung haben, gilt nicht rt + ti = 1,
sondern
|ri |2 + |ti |2 = 1 . (9.10)
 Nanostrukturen 117

Wir setzen die Amplitude der von links einlaufenden Welle auf eins. Die direkt
durch beide Barrieren transmittierte Welle hat die komplexwertige Amplitude

adir = t1 t2 eiϕ/2 mit ϕ = 2kL , (9.11)

wobei ϕ die Phase aufgrund der Propagation beschreibt. Nun kann die Welle
nicht nur direkt transmittiert werden, sondern zusätzlich auch noch zuerst
an der zweiten und dann an der ersten Barriere reflektiert werden, was einem
zusätzlichen Umlauf entspricht. Ebenso gibt es Pfade mit zwei, drei, vier etc.
Umläufen. Jeder Pfad beinhaltet also n Reflektionen an jeder Barriere und
eine Transmission durch jede Barriere. In Summe ist das also

ages =t1 t2 eiϕ/2 1 + r1 r2 eiϕ + (r1 r2 eiϕ )2 + · · ·

(9.12)
iϕ/2
t1 t2 e
= . (9.13)
1 − r1 r2 eiϕ
Die Transmissionswahrscheinlichkeit für Elektronen ist das Betragsquadrat
von ages
|t1 |2 |t2 |2
T = |ages |2 = (9.14)
1 + |r1 |2 |r2 |2 − 2|r1 ||r2 | cos ϕ⋆
mit ϕ⋆ = ϕ + arg r1 + arg r2 . Die effektive Phase ist also die Summe aus
der geometrischen Phase (ϕ = 2kL) und den aus den komplexwertigen3 3
arg(aeib ) = b für reelwertige a, b.
Reflexionskoeffizienten ri .
Die Transmission kommt zu einem Maximum, wenn die effektive Phase ϕ⋆
gerade ein ganzzahliges Vielfaches von 2π ist. Falls beide Barrieren gleich
sind, also t1 = t2 , dann ist

|t1 |4
T (ϕ⋆ = 2πn) = =1 . (9.15)
(1 − |r1 |2 )2

Obwohl die Transmission durch jede einzelne Barriere mit einer Wahrschein-
lichkeit (deutlich) kleiner als Eins erfolgt, ist die Transmission durch beide
Barrieren zusammen perfekt. Dies nennt man resonantes Tunneln.
Die Resonanzbedingung

ϕ⋆ = 2πn = ϕ + arg r1 + arg r2 = 2kL + arg r1 + arg r2 (9.16)

ist bei gegebener Struktur eine Bedingung an den Wellenvektor k. Wenn k so

ist, dass eine stehende Welle zwischen den beiden Barrieren entsteht, dann
wird die Transmission maximal. Wir können die stehende Welle als Teilchen
im Kasten sehen. Das bedeutet, dass es für gewisse k und damit gewissen
Energien Zustände in diesem Kasten (Draht-Stück) gibt. Tunneln ist dann
besonders effizient, wenn es ’innen’ gerade einen Zustand passender Energie
gibt.

Resonante Tunneldiode

Für das resonante Tunneln war es nicht notwendig, dass das Material zwi-
schen den beiden Tunnel-Kontakten eindimensional ist. Es muss nur kurz
genug sein, damit die Quantisierung von k relevante Energien liefert. Und es
muss kalt und störstellenfrei sein, damit sich eine kohärente Wellenfunktion
ausbildet.
118 Festkörperphysik II

Eine Möglichkeit der Realisierung sind Halbleiter-Heterostrukturen, also

Halbleiter, deren Zusammensetzung und Dotierung sich in eine Raumrichtung
(die Wachstumsrichtung) ändert. Resonante Tunneldioden wurden durch
Esaki und Tsu realisiert (Model: Tsu und Esaki, 1973, Experiment: Chang,
Esaki und Tsu, 1974). Eine stark n-dotierte Schicht GaAs bildet die beiden
quasi metallischen Kontakte nach außen. Das Fermi-Niveau liegt hier nahe
an der Bandkante. Den Isolator für die Tunnelkontakte bildet ein dünner (80
Å) Bereich aus AlGaAs, das eine größere Bandlücke besitzt und so für die
Elektronen eine Barriere von 0.4 eV bildet. In der Mitte befindet sich wieder
GaAs mit einer geringeren Dotierung. Die Breite von 50 Å ist so eingestellt,
dass sich zwei Zustände E1 = 78 meV und E2 = 285 meV über der
Bandkante bilden.
Nun wird außen eine Potentialdifferenz U angelegt. Das Potential fällt
jeweils über die Barrieren ab, aber nicht über den mittleren Bereich, weil
dort die Wellenfunktion ja kohärent sein soll. Aus Symmetriegründen ist der
Kasten energetisch also genau in der Mitte zwischen den beiden Kontakten,
also um eU/2 gegenüber jedem verschoben. Es kommt zur Resonanz im
Tunnelstrom, wenn

eU 2Ei
= Ei bzw. U = . (9.17)
2 e

Abbildung 9.4 zeigt die Daten als Tunnelstrom I und Leitwert G ∝

dI/dV . In diesen ersten Experimenten ist dem Effekt noch ein zusätzlicher
Tunnelstrom überlagert. Das resonante Tunneln bewirkt die scharfen Minima
im Leitwert G. Diese wären eigentlich bei U1 = ±0.16 V und U2 = ±0.56 V
zu erwarten, hier aber zu etwas positiveren Werten verschoben.
Technologisch relevant ist der negative differentielle Widerstand. Wenn 0.2
man ausgehend von der Resonanz im Tunnelstrom die angelegte Potentialdif-
ferenz weiter erhöht, dann wird der Strom geringer. Der Widerstand als lokale 0.1
Strom I (mA)

Ableitung von Spannung nach Strom (daher ’differentiell’) ist hier negativ.
Dies kann benutzt werden, um interne Widerstände in Oszillator-Schaltkreisen 0

zu kompensieren. Da Tunneln instantan ist, sind Tunneldioden sehr schnell.

−0.1
So können Hochfrequenz-Oszillatoren aufgebaut werden.
−0.5 0 0.5 1
Spannung U (V)
Coulomb-Blockade Abbildung 9.4: Resonantes Tunneln (fett)
durch eine Doppel-Barriere in AlGaAS/GaAs.
Der Leitwert G ∝ dI/dV ist dünn
Wir betrachten noch eine weitere Variation des Themas ’kleiner Leiter mit
gezeichnet und willkürlich skaliert. Daten
Kontakten’. Bislang hatten wir gefordert, dass im Leiter eine kohärente Wel- aus Chang, Esaki und Tsu, 1974.
lenfunktion der Elektronen vorliegen soll, er also klein und störstellenfrei
sein muss. Diese Anforderung an die Kohärenz lassen wir nun fallen. Wir
betrachten eine kleine metallische Insel, die über zwei Tunnelkontakte mit
makroskopischen Leitern verbunden ist. Das ist wie bei dem Experiment von
Esaki und Tsu, nur dass hier die Kleinheit wichtig, die Kohärenz aber nicht
notwendig ist.
In diesem Fall können wir die kleine metallische Insel als Kondensator-
Kugel auffassen, auf die wir Ladung bringen können. Die elektrostatische
Energie der Insel ist
Q2
E= − QUG (9.18)
2C
 Nanostrukturen 119

mit der Ladung Q, der Kapazität C und dem Potential am Boden des Topfes
UG (wie Gate-Spannung). Wir zählen die Elektronen (Q = N e) und ignorieren
alle Terme, die von N unabhängig sind. Damit erhalten wir
2
e2

CUG
E(N ) = Ec N− mit Ec = . (9.19)
e 2C

Wir finden also wieder eine Sequenz von diskreten Zuständen auf der Insel.
Damit deren energetische Abstand relevant wird, muss die Kapazität C klein
genug (≈ 1 fF) und die Temperatur niedrig genug (≈ 1 K) sein. Das erreicht
man mit metallischen Inseln von etwa 100 nm Größe. Die charakteristische
Energie Ec liegt dann bei etwa 100 µeV.
Der Effekt ist rein klassisch. Wenn bereits eine passende Anzahl Elek-
tronen auf der Insel sind, dann liegt der nächste Zustand höher als die
Fermi-Energie der Zuleitungen und kann nicht erreicht werden. Die Elek-
tronen blockierten sich gegenseitig durch Coulomb-Abstoßung. Auf diese
Weise kann man beispielsweise Elektronen zählen, in dem man schrittweise
die Gate-Spannung Ug und damit die zugänglichen Zustände auf der Insel
verändert.

Optische Eigenschaften von Quantenpunkten

Als zweite Kategorie von Experimenten sollen hier die optischen Eigenschaf-
ten von Quantenpunkten besprochen werden. Quantenpunkte sind quasi
nulldimensionale Einschlüsse eines Halbleiters mit einer kleinen Bandlücke in
einer umgebenden Matrix, die aus einem Halbleiter mit größeren Bandlücke
gebildet wird. Dadurch erhält man ein ’Teilchen im Kasten’ für elektronische
Zustände. Die Herstellung erfolgt durch Epitaxie, also der Abscheidung eines
kristallinen Films auf einem kristallinen Substrat. Dazu wird ein Substrat,
typischerweise der ’äußere’ Halbleiter, in einem sehr guten Vakuum (UHV,
10−9 Pa) mit dem anderen Halbleiter bedampft. Es bildet sich ein wenige
Atomlagen dicker Film, der auf verschiedene Weisen die Oberfläche benetzt.
Je nach Oberflächen- und Grenzflächenspannung unterscheidet man drei
Fälle:

Frank-van der Merwe Wachstum Das aufgebrachte Material benutzt das

Substrat vollständig und es bildet sich ein glatter Film.

Volmer-Weber Wachstum Das aufgebrachte Material bildet Tröpfchen auf

der Oberfläche, um so den Kontakt mit dem Substrat zu reduzieren.

Stranki-Krastanow Wachstum Zunächst bildet sich ein wenige Monolagen

dicker Film. Weil aber die Gitterkonstante der Materialien verschieden ist, ist
es bald energetisch günstiger, Tröpfchen zu bilden.
In sehr vielen Fällen wird Stranki-Krastanow Wachstum verwendet. Man
kann aber auch erst eine Art Opfer-Töpfchen wachsen, dann die Zwischen-
räume füllen, die Opfer-Tröpfchen durch Ätzen wieder entfernen und in die
sich so ergebenden Vertiefungen die eigentlichen Quantenpunkte wachsen
lassen.
120 Festkörperphysik II

Sowohl die Bandlücke als auch die Gitterkonstante von Halbleitern unter-
scheiden sich. Wir betrachten hier Systeme aus AlAs und GaAs. Beide haben
eine ähnliche Gitterkonstante aber eine andere Bandlücke: 1.42 eV (GaAs)
protec�ve layer antenna
bzw 2.16 eV (AlAs). Durch die Zusammensetzung x in AlxGa1–xAs lassen sich capping
Zwischenwerte in der Bandlücke einstellen. So entsteht also ein ’Teilchen im quantum dot
AlGaAs
Kasten’.
GaAs
Wie beim Atom nennt man die Zustände energetisch aufsteigend s, p, d, 20 nm
etc. Der s-Zustand kann zwei Elektronen unterschiedlichen Spins aufneh-
Abbildung 9.5: TEM-Querschnitt durch einen
men. Man unterscheidet daher zwei Exzitonen |01⟩ und |10⟩. Den durch zwei Quantenpunkte (hier mit plasmonischer
Elektronen besetzten Zustand nennt man Biexziton4 |11⟩. Dies ist gebunde- Antenne). Daten aus Pfeiffer u. a., 2014.
ner Zustand aus zwei Exzitonen und liegt um die Bindungsenergie ∆EXX
4
Man kürzt auch ab: Exziton (X) und
Biexziton (XX).
unter der Summe der beiden Exziton-Anregungsenergien. Die beiden Exziton-
Übergänge unterschieden sich in ihrer Polarisationsrichtung und leicht in der
Anregungsenergie aufgrund der Feinstruktur-Aufspaltung.

Zur Selbstkontrolle

1. Suchen Sie im Internet oder Lehrbuchen nach grafischen Darstellungen der drei
Wachstumsarten. Abbildung 9.6: Emissionsspektren eines
GaAs Quantenpunkts als Funktion der
Polarisationsrichtung in der Detektion.
Daten aus Wolpert u. a., 2012.
Einzelphotonenquelle

Obwohl wir bereits vier5 Zustände eingeführt haben und es noch viele wei- 5
mit dem Grundzustand |00⟩
tere gibt, kann man durch passende Wahl der Anregungs-Wellenlänge und
-Leistung und ggf. einem spektralen Filter in der Detektion den Quantenpunkt
als Zwei-Niveau-System betrachten. Dies gilt ebenso für Atome und Farbstoff-
Moleküle. Eine wichtige Eigenschaft von optischen Zwei-Niveau-Systemen
ist, dass sie Einzelphotonenquellen sind. Ein solches System kann zu jedem
beliebigen Zeitpunkt nur ein einziges Photon emittieren. Direkt nach der
Emission ist das System bestimmt im Grundzustand, weil es ja keine weite-
ren Zustände gibt. Aus dem Grundzustand heraus kann aber nicht emittiert
werden, weil dies der energetisch niedrigste Zustand ist. Also vergeht bis
zur nächsten Emission mindestens der Zeitraum, der zur erneuten Anregung
notwendig ist.
Ein Laser hingegen ist keine Einzelphotonenquelle. Die Wahrscheinlichkeit,
n Photonen in einem Zeitintervall T zu detektieren, ist bei kohärentem Licht
Poisson-verteilt, also
λn −λ
P (n) = e (9.20)
n!
wobei λ hier nicht die Wellenlänge, sondern die mittlere Photonenzahl im
Intervall T bezeichnet. Unabhängig von λ ist P (n > 1) nie Null. Egal wie
sehr man einen Laser abschwächt, egal wie kurz man T wählt, es gibt immer
eine gewisse Wahrscheinlichkeit, zwei oder mehr Photonen zu detektieren.
Genau das ist bei einer Einzelphotonenquelle nicht der Fall.
Einzelphotonenquelle zeigen also keine Poisson-Verteilung in der Photo-
nenstatistik, sondern antibunching. Kurze Zeitabstände kommen seltener vor,
als nach der Poisson-Verteilung erwartet. Glühlampen-Licht zeigt das Gegen-
teil: bunching. Hier kommen kurze Abstände häufiger vor als in Laser-Licht
gleicher Intensität.
 Nanostrukturen 121

Die Methode der Wahl zur Beschreibung dieses Phänomens ist die
Intensitäts-Autokorrelation. Man vergleicht die Intensität I(t) ∝ |E(t)|2
eines Lichtstrahls zu Zeitpunkt t dem der um die Zeit τ verschobenen:
⟨I(t)I(t + τ )⟩ G(τ )
g (2) (τ ) = 2 = (9.21)
⟨I(t)⟩ ⟨I(t)⟩

wobei wir angenommen haben, dass ⟨I(t)⟩ konstant ist, die Intensität sich
also auf langsamen Zeitskalen nicht ändert. Der Index (2) verweist auf das
Quadrat des elektrischen Feldes. G(τ ) ist nicht-normierte Korrelationsfunk-
tion, also die Häufigkeit, mit der zwei Photonen im Abstand τ zu finden sind.
Für kohärentes Licht ist
(2)
gkohärent (τ ) = 1 . (9.22)

Man kann I(t) für Licht bestimmen, in dem man Photonen innerhalb eines
kurzen Intervalls T zählt und dann g (2) (τ ) mit der Zählrate n(t) schreibt.
Um antibunching zu detektiere, muss T dann aber sehr klein sein (ca. 100
ps). Gleichzeitig erfordert die Mittelung eine lange Gesamtzeit, also sehr
viele Daten. Das ist in aktuellen Experimenten möglich. Datensparsamer
und daher früher verwendet ist die Näherung, nicht beliebige Paare von
Photonen in G(τ ) zu betrachten, sondern nur Paare von zeitlich aufeinander
folgenden Photonen, die mit der Häufigkeit C(τ ) auftreten. Diese Größen
sind miteinander verknüpft:
Z τ
G(τ ) = C(τ ) + C(τ ′ )C(τ − τ ′ )dτ ′ + . . . . (9.23)
0

Das Integral behandelt dabei alle Fälle, bei denen genau ein Photon zum
Zeitpunkt τ ′ zwischen den Photonen-Paar in G(τ ) ist. Weitere Doppel-,
Probe
stop
Dreifach- etc. Integrale würden dann zwei, drei etc. Photonen dazwischen Laser det
beschreiben. Falls die Photonen-Rate klein genug bzw. die interessierende
Zeit τ kurz genug ist, können wir G(τ ) ≈ C(τ ) annehmen. det
start
Diese Abstände zwischen zeitlich benachbarten Photonen-Paaren be- Abbildung 9.7: Hanbury Brown–Twiss
stimmt man durch ein Experiment, das nach Robert Hanbury Brown und Experiment. Man bestimmt den zeitlichen
Abstand τ zwischen zwei Photonen.
Richard Q. Twiss HBT-Experiment genannt wird. Abbildung 9.7 zeigt eine Skiz-
ze. Aufgrund der Totzeit nach der Detektion eines Photons in einem Detektor
kann man kleine Abstände nicht mit einem einzigen Detektor messen. Man
teilt den Photonenstrom auf zwei Detektoren auf und bestimmt die Verteilung
der zeitlichen Abstände von Detektionsereignissen.
Für ein Zwei-Niveau-System lässt sich C(τ ) leicht bestimmen. Direkt nach
dem ersten Photon ist man mit absoluter Sicherheit im Grundzustand. In den
angeregten Zustand kommt man mit der Anregungsrate WP , von dort wieder
zurück in den Grundzustand mit der Rate Γ der spontanen Emission. Die
charakteristische Zeit td ist das Reziproke der Gesamt-Rate für einen Zyklus
1
und so
(2)
td = gTLS (τ ) ≈ 1 − ae−τ /td . (9.24)
WP + Γ
Die Amplitude a ist im idealen Fall a = 1. In Wirklichkeit bewirken Dunkelrau-
schen und Hintergrund-Photonen a < 1. Der Fall a > 0.5 kann aber nur durch
eine Einzelphotonenquelle bzw. einen einzelnes Zwei-Niveau-System erzeugt
werden kann.
Ein solches Experiment ist in Abb. 9.1 am Anfang des Kapitels für einen
GaAs Quantenpunkt gezeigt. Die optische Anregung erfolgte hier über den
122 Festkörperphysik II

umgebenden Halbleiter, nicht direkt über das Exziton. Dies führt zu den
’Überschwingern’ mit g > 1, die im Modell berücksichtigt sind.

Quantum Key Distribution

Eine zunehmend auch technologisch wichtige Anwendung von Einzelphoto-

nenquellen ist die quantenmechanisch sichere Übermittlung eines Chiffrier-
Schlüssels. Es existieren verschiedene Arten zur Verschlüsslung von Nach-
richten. Man kann beispielsweise ausnutzen, dass eine große Zahl nur auf-
wändig in ihre Primfaktoren zerlegt werden kann, der umgekehrt Weg aber
einfach ist. Wie kompliziert das Brechen der Verschlüsselung aber ist hängt
von den zu Verfügung stehenden Technologien ab und ist für die Zukunft evtl.
schwer vorherzusagen. Eine niemals zu brechende Verschlüsselung ist die
exklusiv-oder-Verknüpfung (XOR) des Ausgangstextes mit einem Schlüssel,
der genauso lang ist wie die Nachricht und niemals wieder verwendet wird.
Diesen Schlüssel nennt man ’One-Time-Pad’. Der Empfänger braucht densel-
ben Schlüssel, führt wieder eine XOR-Operation mit der chiffrieren Nachricht
durch, und erhält den Klartext. Damit hat man das Problem der Verschlüsse-
lung aber nur verwandle in das Problem der Übertragung des Schlüssels. Man
könnte beispielsweise Datenträger mit dem (sehr langen) Schlüssel vorab mit
einem vertrauenswürdigen Boten verteilen.
Hier kommt Quantum Key Distribution ins Spiel. Man verteilt den Schlüs-
sel in Form einzelner Photonen, so dass Sender (Alice) und Empfänger (Bob)
später beide denselben Schlüssel verwenden können. Die chiffrierte Nach-
richt kann dann über einen normalen Kanal übermittelt werden.
Ich beschreibe hier das BB84-Protokoll6 von Charles Bennett und Gilles 6
siehe auch Kap. 11.8.2 in Gerry und Knight,
Brassard. Wir benutzen vier lineare Polarisationszustände von Licht: hori- 2005, Original in Bennett und Brassard,
2014.
zontal (|h⟩) und vertikal (|v⟩), diagonal (|+⟩) und anti-diagonal (|−⟩). Die
sind nicht unabhängig voneinander, aber |h⟩ und |v⟩ sowie |+⟩ und |−⟩
bilden eine Basis. Alice sendet jetzt Photonen an Bob und wählt für jedes
Photon zufällig einen der vier Zustände. Bob weiß davon nichts, entscheidet
sich zufällig für eine der beiden Basen, und misst in dieser Basis den Po-
larisationszustand des ankommenden Photons, beispielsweise mit einem
Polarisations-Strahlteiler und zwei Photodetektor. Die Wahl der Basen könnte
über eine passend gedrehte Wellenplatte erfolgen. Wenn Alice und Bob mit
Senden und Messen fertig sind, dann übermittelt Alice über einen offenen Ka-
nal die von ihr gewählte Basis, nicht den Polarisationszustand. Bob vergleicht
dies mit seiner Liste und teilt Alice ebenfalls per offenen Kanal mit, wann
sie übereinstimmend gewählt haben. Beide streichen die anderen Photonen.
Nun haben beide aber eine Liste von Polarisationszuständen, die Bob in der
gleichen Basis gemessen hat, in der Alice gesendet hat. Der Zustand ist jetzt
ein Bit des Schlüssels.
Hierzu sind unabdingbar einzelne Photonen erforderlich. Andernfalls könn-
te die lauschende Eve einen Teil des Strahls abfangen und selbst messen,
womöglich gar in beiden Basen gleichzeitig. Nur wenn es ein einziges Photon
ist, dann ist sicher, dass die Messung den Zustand zerstört und dieser nicht
ein zweites Mal gemessen werden kann.
 Nanostrukturen 123

Zusammenfassung

Schreiben Sie hier ihre persönliche Zusammenfassung des Kapitels auf. Kon-
zentrieren Sie sich auf die wichtigsten Aspekte und die am Anfang genannten
Ziele des Kapitels.

Literatur

Bennett, Charles H. und Gilles Brassard (2014). “Quantum cryptography:

Public key distribution and coin tossing [reprint]”. In: Theoretical Computer
Science 560, S. 7–11. .
Chang, L. L., L. Esaki und R. Tsu (1974). “Resonant tunneling in semiconduc-
tor double barriers”. In: Appl. Phys. Lett. 24.12, S. 593–595. .
Gerry, Christopher C. und Peter L. Knight (2005). Introductory quantum optics.
1. publ. Cambridge Univ. Press. .
Gross, Rudolf und Achim Marx (2023). Festkörperphysik. 4. De Gruyter. .
Kittel, Charles (2006). Einführung in die Festkörperphysik. Hrsg. von Siegfried
Hunklinger. 14. Oldenbourg.
Pfeiffer, Markus u. a. (2014). “Eleven Nanometer Alignment Precision of a
Plasmonic Nanoantenna with a Self-Assembled GaAs Quantum Dot”. In:
Nano Letters 14.1, S. 197–201. .
Tsu, R. und L. Esaki (1973). “Tunneling in a finite superlattice”. In: Appl. Phys.
Lett. 22.11, S. 562–564. .
Van Wees, BJ u. a. (1988). “Quantized conductance of point contacts in a
two-dimensional electron gas”. In: Phys. Rev. Lett. 60.9, S. 848. .
Wolpert, Christian u. a. (2012). “Ultrafast coherent spectroscopy of a single
self-assembled quantum dot”. In: physica status solidi (b) 249.4, S. 721–
730. .
Wu, Xiaofei u. a. (2017). “On-Chip Single-Plasmon Nanocircuit Driven by a
Self-Assembled Quantum Dot”. In: Nano Letters 17.7, S. 4291–4296. .
Anhang
Anhang A
Fourier-Transformation
Markus Lippitz
17. Februar 2022

Überblick

Der reziproke Raum in der Festkörperphysik ist die Fourier-Transformierte

des Realraums. Es ist daher sinnvoll und hilfreich, einen intuitiven Zugang zur
Fourier-Transformation zu haben. Im Endeffekt muss man in der Experimen-
talphysik nur selten eine Fourier-Transformation wirklich ausrechnen. Sehr
oft reicht es, ein paar oft vorkommende Fourier-Paare zu kennen und diese
mit einfachen Regeln zu kombinieren. Dies möchte ich hier kurz vorstellen.
Eine sehr schöne und viel detailliertere Darstellung findet sich in Butz, 2011.
Ich folge hier seiner Notation.
Bevor wir zu den Fourier-Paaren kommen, müssen allerdings doch erst ein
paar Grundlagen gelegt werden.

Fourier-Reihen: eine periodische Funktion und deren Fourier-Koeffizienten

Wir betrachten hier alles erst einmal eindimensional im Zeit- bzw. Frequenz-
raum mit den Variablen t und ω = 2πν. Die Funktion f (t) sei periodisch in
der Zeit mit der Periodendauer T , also

f (t) = f (t + T ) (A.1)

Dann kann man diese als Fourier-Reihe schreiben

∞
2π k
mit
X
f (t) = Ck ei ωk t ωk = (A.2)
T
k=−∞

und den Fourier-Koeffizienten

T /2
1
Z
Ck = f (t) e−i ωk t dt (A.3)
T −T /2

Man beachte das negative Vorzeichen in der Exponentialfunktion im Ge-

gensatz zur Gleichung davor. Für reellwertige Funktionen f (t) sind ’gegen-
überliegende’ Ck konjugiert-komplex, also Ck = C−k ⋆
. Für k < 0 sind die
Frequenzen ωk negativ, was aber kein Problem darstellt.1 Der nullte Koeffizi- 1
Man könnte alternativ k ≥ 0 verlangen und
ent C0 ist also gerade der zeitliche Mittelwert der Funktion f (t). eine sin und cos Reihe ansetzen.

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128 Festkörperphysik II

Eine beliebige Funktion und deren Fourier-Transformierte

Nun heben wir die Einschränkung auf periodische Funktionen f (t) auf, indem
wir die Periodendauer T gegen unendlich gehen lassen. Dadurch wird aus der
Summe ein Integral und die diskreten ωk werden kontinuierlich. Damit wird

Z +∞
F (ω) = f (t) e−iω t dt (A.4)
−∞
+∞
1
Z
f (t) = F (ω) e+iω t dω (A.5)
2π −∞

Die erste Gleichung ist dabei die Hintransformation (minus-Zeichen im Ex-

ponenten), die zweite die Rücktransformation (plus-Zeichen im Exponenten).
Die Symmetrie wird durch das 2π gebrochen. Dies ist aber notwendig, wenn
R
man weiterhin F (ω = 0) als Mittelwert2 behalten will. Alternativ könnte man 2
F (0) = f (t) dt ohne 1/T davor ist hier
das alles mit ν statt ω formulieren, hätte dann aber an viel mehr Stellen ein von Butz als Mittelwert gemeint!

2π, wenn auch nicht vor dem Integral.

Mit dieser Form werden wir gleich weiterarbeiten.

Diskrete FT: eine periodische Zahlenfolge und deren Fourier-Transformierte

Zahlenfolge

Zunächst noch eine Nebenbemerkung zur diskreten Fourier-Transformation.

Insbesondere wenn man mit einem Computer Messwerte erfasst und auswer-
tet, dann kennt man die gemessene Funktion f (t) weder auf einer kontinuier-
lichen Achse t, sondern nur zu diskreten Zeiten tk = k ∆t, noch kennt man
die Funktion von t = −∞ bis t = +∞. Als Ausgangspunkt hat man also nur
eine Zahlenfolge fk endlicher Länge.
Weil wir die Zahlenfolge außerhalb des gemessenen Intervalls nicht ken-
nen machen wir die Annahme, dass sie periodisch ist. Bei N gemessenen
Werte ist die Periodendauer also T = N ∆t. Der Einfachheit halber definie-
ren wir auch fk = fk+N und somit f−k = fN −k mit k = 0, 1, . . . , N − 1.
Damit wird die Fourier-Transformation

N −1
1 X
Fj = fk e−k j 2πi/N (A.6)
N
k=0
N
X −1
fk = Fj e+k j 2πi/N (A.7)
j=0

Die Definition ist wieder so, dass F0 dem Mittelwert entspricht. Wegen
f−k = fN −k liegen die positiven Frequenzen mit steigender Frequenz in
der ersten Hälfte von Fj . Danach kommen die negativen Frequenzen, begin-
nend bei der ’negativsten’ Frequenz steigend mit zur letzten Frequenz vor der
Frequenz Null. Die maximal darstellbare Frequenz ist also die Nyquist-(Kreis-
)Frequenz
π
ΩNyquist = (A.8)
∆t
 Fourier-Transformation 129

Nebenbemerkung: Delta-Funktion

Die Delta-Funktion kann geschrieben werden als

(
a falls |x| < 1
δ(x) = lim fa (x) mit fa (x) = 2a (A.9)
a→0 0 sonst

oder als
+∞
1
Z
δ(x) = e+i x y dy (A.10)
2π −∞

Eine wichtige Eigenschaft ist, dass die delta-Funktion einen Wert selektiert,
also Z +∞
δ(x) f (x) dx = f (0) (A.11)
−∞

Wichtige Fourier-Paare

Es ist sehr oft ausreichend, die folgenden Paare von Funktionen und deren
Fourier-Transformierten zu kennen. Ich schreibe sie hier, Butz folgend, als
Paare in t und ω (nicht ν = ω/(2π)). Genauso hätte man auch Paare
in x und k schreiben können. Wichtig ist dabei die Frage, ob ein 2π in der
Exponentialfunktion der ebenen Welle auftaucht oder nicht. Also

eiωt und eikx , aber ei2πνt (A.12)

Weiterhin folge ich hier der oben gemachten Konvention zu asymmetri-

schen Verteilung der 2π zwischen Hin- und Rück-Transformation. Wenn man
die anders verteilt, dann ändern sich natürlich auch die Vorfaktoren. Eine gu-
te Übersicht über noch viel mehr Fourier-Paare in diversen ’2π’-Konventionen
findet sich in der englischen Wikipedia unter ’Fourier transform’. In deren
Nomenklatur ist die hier benutzte Konvention von Butz ’non-unitary, angular
frequency’.

Konstante und Delta-Funktion Aus f (t) = a wird F (ω) = a 2π δ(ω) und

aus f (t) = a δ(t) wird F (ω) = a. Das ist wieder das asymmetrische 2π.

Rechteck und sinc Aus der Rechteckfunktion der Breite b wird ein sinc, der
sinus cardinalis. Also aus
(
1 für |t| < b/2
f (t) = rectb (t) = (A.13)
0 sonst

wird 3 3
Manchmal wird sinc(x) = sin(πx)/(πx)
sin ωb/2 definiert, insbesondere wenn ν und nicht ω
F (ω) = b = b sinc(ωb/2) (A.14)
als konjugierte Variable benutzt wird.
ωb/2

Gauss Die Gauss-Funktion bleibt unter Fourier-Transformation erhalten. Ihre

Breite geht in den reziproken Wert über. Also aus einer Gauss-Funktion der
Fläche Eins
1 1 t 2
f (t) = √ e− 2 ( σ ) (A.15)
σ 2π
wird
1 2
F (ω) = e− 2 (σ ω) (A.16)
130 Festkörperphysik II

(beidseitiger) Exponentialzerfall und Lorentz-Kurve Aus einer sowohl zu

positiven als auch zu negativen Zeiten exponentiell abfallenden Kurve

f (t) = e−|t|/τ (A.17)

wird die Lorentz-Kurve

2τ
F (ω) = (A.18)
1 + ω2 τ 2

Einseitiger Exponentialzerfall Als Nebenbemerkung hier der einseitige

Exponentialzerfall, also
(
e−λt für t > 0
f (t) = (A.19)
0 sonst

Der wird zu
1
F (ω) = (A.20)
λ + iω
ist also komplexwertig. Sein Betrags-Quadrat ist wieder eine Lorentz-
Funktion
1
|F (ω)|2 = 2 (A.21)
λ + ω2
und die Phase ist ϕ = −ω/λ.

Eindimensionales Punktgitter Eine äquidistante Kette von Punkten bzw.

Delta-Funktionen geht bei Fourier-Transformation wieder in eine solche über.
Die Abstände nehmen dabei den reziproken Wert an. Also aus
X
f (t) = δ(t − ∆t n) (A.22)
n

wird  
2π X 2π
F (ω) = δ ω−n (A.23)
∆t n ∆t

Dreidimensionale kubische Gitter Ein dreidimensionales primitives kubi-

sches Gitter der Kantenlänge a geht über in primitiv-kubisches Gitter der Kan-
tenlänge 2π/a. Ein kubisch-flächenzentriertes Gitter mit der Gitterkonstante
a der konventionellen Einheitszelle geht über in ein kubisch-raumzentriertes
Gitter mit der Gitterkonstanten 4π/a und umgekehrt.

Sätze und Eigenschaften der Fourier-Transformation

Neben den Fourier-Paaren braucht man noch ein paar Eigenschaften der
Fourier-Transformation. Im Folgende seien f (t) und F (ω) Fourier-konjugierte
und ebenso g und G.

Linearität Die Fourier-Transformation ist linear

a f (t) + b g(t) ↔ a F (ω) + b G(ω) (A.24)

Verschiebung Eine Verschiebung in der Zeit bedeutet eine Modulation in der

Frequenz und andersherum

f (t − a) ↔ F (ω) e−iωa (A.25)

−iω0 t
f (t) e ↔ F (ω + ω0 ) (A.26)
 Fourier-Transformation 131

Skalierung
1 ω
f (a t) ↔ F (A.27)
|a| a

Faltung und Multiplikation Die Faltung geht in ein Produkt über, und anders-
herum.
Z
f (t) ⊗ g(t) = f (ζ)g(t − ζ)dζ ↔ F (ω) G(ω) (A.28)

und
1
f (t) g(t) ↔ F (ω) ⊗ G(ω) (A.29)
2π

Parsevals Theorem Die Gesamt-Leistung ist im Zeit- wie im Frequenzraum

die gleiche
1
Z Z
2
|f (t)| dt = |F (ω)|2 dω (A.30)
2π

Zeitliche Ableitungen
d f (t)
↔ iω F (ω) (A.31)
dt

Beispiel: Beugung am Doppelspalt

Als Beispiel betrachten wir die Fourier-Transformierte eines Doppelspalts,

die gerade sein Beugungsbild beschreibt. Die Spalten haben eine Breite b und
einem Mitten-Abstand d. Damit wird der Spalt beschrieben durch eine Faltung
der Rechteck-Funktion mit zwei Delta-Funktionen im Abstand d
f (x) = rectb (x) ⊗ (δ(x − d/2) + δ(x + d/2)) (A.32)

Die Fourier-Transformierte der Rechteck-Funktion ist der sinc, die der delta-
Funktionen eine Konstante. Die Verschiebung im Ort bewirkt allerdings eine
Modulation im k-Raum. Aus der Summe der beiden Delta-Funktionen wird
also
FT {δ(x − d/2) + δ(x + d/2)} = e−ikd/2 +e+ikd/2 = 2 cos(kd/2) (A.33)

Die Faltung mit der Rechteck-Funktion geht über in eine Multiplikation mit
dem sinc. Zusammen erhalten wir somit
sin(kb/2) 4
FT {f (x)} = b 2 cos(kd/2) = sin(kb/2) cos(kd/2) (A.34)
kb/2 k
Die Intensität in Richtung k ist dann das Betragsquadrat davon.

Zweidimensionale Fourier-Transformation

Wir können die Definition der Fourier-Transformation auf zwei und mehr
Dimensionen erweitern. Die konjugierten Variablen sind (x, y) und (kx , ky ),
anstelle von t und ω. Der Wellenvektor ki = 2π/λi enthält den Faktor von 2π
wie in der Kreisfrequenz ω. Wir definieren
Z Z +∞
F (kx , ky ) = f (x, y) e−i(kx x+ky y) dx dy (A.35)
−∞
+∞
1
ZZ
f (x, y) = F (kx , ky ) e+i(kx x+ky y) dkx dky . (A.36)
(2π)2 −∞
132 Festkörperphysik II

Wenn wir die Funktion f (x, y) in ein Produkt von eindimensionalen Funk-
tionen zerlegen können, dann ist die Fourier-Transformation einfach das
Produkt der einzelnen Fourier-Transformationen

f (x, y) = g(x) · h(y) ↔ F (kx , ky ) = G(kx ) · H(ky ) . (A.37)

Ein Rechteck der Größe a × b wird in ein Produkt von Sinc-Funktionen

umgewandelt

(x, y) =recta (x) · rectb (y) (A.38)

↔ F (kx , ky ) =ab sinc(kx a/2) sinc(ky b/2) . (A.39)

Ein Spezialfall davon ist die rotationssymmetrische zweidimensionale

Gaußsche Funktion
1 x2 +y 2 σ2
(kx2 +ky2 )
f (x, y) = 2
e− 2σ2 ↔ F (kx , ky ) = e− 2 . (A.40)
2πσ
Eine wichtige Funktion kann nicht in ein Produkt eindimensionaler Funktio-
nen zerlegt werden: eine Scheibe mit dem Radius a
(
1 für x2 + y 2 < a
f (x, y) = (A.41)
0 sonst

wird transformiert in
J1 (π a ρ) q
F (kx , ky ) = a width ρ = kx2 + ky2 (A.42)
ρ

und der (zylindrischen) Besselfunktion erster Art J1 (x)

1 π
Z
J1 (x) = cos(τ − x sin τ ) dτ , (A.43)
π 0

die das zylindrische Analogon einer Sinc-Funktion ist.

Literatur

Butz, Tilman (2011). Fouriertransformation für Fußgänger. Springer. .

Anhang B
Zustandsdichte
Markus Lippitz
6. Mai 2025

Zustandsdichte für Phononen im reziproken Raum D(k) dk

Zunächst betrachten wir nicht die eigentlich benötigte Zustandsdichte im

Frequenzraum D(ω)dω, sondern die im reziproken Raum D(k)dk. Die Ar-
gumentation und die Rechenschritte sind dabei dieselben, die auch bei der
Herleitung der optischen Modendichte bei der Schwarzkörperstrahlung ver-
wendet wurde1 . 1
z.B. Vorlesung EPB2 Atome, Kerne,
Wir betrachten eine lineare Kette von Atomen mit periodischen Randbe- Teilchen

dingungen, also eine ringförmige Kette mit der Auslenkung u0 = uN bei

N Atomen in der Kette. Die Auslenkung der Masse am Index s ist mit dem
Ansatz der ebenen Welle

us = u e−iω t eis ka (B.1)

mit der Länge k des Wellenvektors im reziproken Raum und der Länge a des
Gittervektors im Realraum. Die Randbedingung u0 = uN erfordert dann

N k a = 2π n , (B.2)

wobei n eine beliebige ganze Zahl ist. Die Gesamtlänge der Kette ist L =
N a. Damit kann k nur diskrete Werte annehmen, die den Abstand ∆k haben
2π
∆k = . (B.3)
L
Die Dichte D(k) dk der möglichen Werte von k auf der k-Achse ist ein Wert
pro ∆k, also
L
D(k) dk = dk . (B.4)
2π
Die Zustandsdichte ist im k-Raum also konstant. Analog kann man im Zwei-
oder Dreidimensionalen verfahren, also bei Quadraten oder Kuben der Kan-
tenlänge L. Die Zustandsdichte ist
 d
NPEZ VKristall L
D(k) = = = (B.5)
VBZ (2π)d 2π

mit der Dimensionalität d und der Anzahl der primitiven Einheitszellen NPEZ .
Das ist wie oben die Zustandsdichte für eine Art der Bewegung (transversal
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134 Festkörperphysik II

oder longitudinal, akustisch oder optisch). Bei p Atomen je Einheitszelle gibt

es 3p Äste in der Dispersionsrelation und die Gesamt-Zustandsdichte im
Dreidimensional ist entsprechend größer:
 3
L
D3D,ges (k) = 3 p . (B.6)
2π
Was ist hier passiert? Die physikalisch sinnvollen Werte von k waren schon
nach oben beschränkt, weil es nicht hilft, wenn die Welle schneller oszilliert
als der Abstand der Atome ist. Bei einem Ring von Atomen ist nun aber
auch nicht jede Wellenlänge wählbar, da nur stehende Wellen auf dem Ring
möglich sind.2 Mögliche Werte der Wellenlänge haben die Form λ0 /n, und 2
Analog stehende Wellen auf einer endli-
damit mögliche Werte des Wellenvektors n/λ0 . Dadurch wird die k-Achse chen Kette mit freien / festen Randbedingun-
gen
diskret. Dies spielt aber nur bei der Zustandsdichte eine Rolle, da die Punkte
so dicht liegen, dass dies höchstens bei sehr kleinen Kristallen auflösbar ist.
Aus dem Blickwinkel der Normalmoden findet sich das gleiche Ergebnis.
Bei p Atomen je primitiver Einheitszelle und NPEZ primitiven Einheitszellen
im Kristall erwarten wir 3p NPEZ Normalmoden. In der Dispersionsrelation
der Phononen gibt es dann 3p Äste und NPEZ diskrete Werte auf der k-Achse,
also ebenso viele Zustände für Phononen wie Normalmoden.

Zustandsdichte im Frequenz-Raum D(ω) dω

Eine Zustandsdichte ist die Anzahl von Zuständen in einem festen Intervall,
bisher einem festen Intervall auf der k-Achse, jetzt auf der ω-Achse. Da der
Zusammenhang zwischen Wellenvektor und Frequenz kein konstanter Faktor
ist, ist dies nicht völlig trivial. Die Wahl des Intervalls ist typischerweise in der
Variablen der Zustandsdichte kodiert, also D(x) meint eigentlich D(x) dx.
Es ist trotzdem sinnvoll, das dx möglichst oft explizit mitzuschreiben. Frequenz ω
Im Eindimensionalen können wir einfach mit dω erweitern
L dk L 1
D(k) dk = dω = dω = D(ω) dω (B.7)
2π dω 2π vg
Zustandsdichte D 0 π/a
mit der Gruppengeschwindigkeit vg = dω/dk.
Wellenvektor k
Im Zwei- oder Dreidimensionalen gehen wir einen anderen Weg. Wir nut- Abbildung B.1: Lineare zweiatomige Kette:
zen aus, dass im reziproken Raum die Zustände äquidistant sind, die Zu- Zustandsdichte (links) und Dispersions-
standsdichte also konstant ist. Alle Zustände bei gegebenem, festem ω relation (rechts). Zustände (Kreise) sind
3 äquidistant auf der k-Achse, aber nicht
bilden die Fläche S(ω). Die Zustände bei ω + ∆ω bilden eine weitere Flä- mehr auf de ω-Achse. Die Zustandsdichte
che. Wir zählen somit die Zustände im Intervall ∆ω, indem wir das Volumen divergiert an den Van-Hove-Singularitäten,
wenn die Gruppengeschwindigkeit Null wird.
zwischen den beiden Flächen bestimmen und mit der Zustandsdichte im 3
in 3D, sonst Kurve in 2D
k-Raum multiplizieren
Z ω+∆ω Z k(ω+∆ω)  d Z k(ω+∆ω)
L
D(ω)∆ω = D(ω) dω = D(k) dk = dk .
ω k(ω) 2π k(ω)
(B.8)

Das Volumenelement dk teilen wir auf in einen Teil entlang der Fläche kon-
stanter Frequenz S(ω) und einem Teil senkrecht dazu: dk = dk⊥ dSω . Weil
sich ω in Richtung dSω nicht ändert, kann man dann die Gruppengeschwin-
digkeit schreiben als
s
2  2
dω dω dω dω
vg = = |gradk ω| = |∇k ω| = + = (B.9)
dk dSω dk⊥ dk⊥
 Zustandsdichte 135

und so
dω
dk = dk⊥ dSω = dSω . (B.10)
|vg |
ky
Damit erhalten wir S(ω + dω) dk⊥
 d
L 1
Z
S(ω) dSω
D(ω)dω = dω dSω . (B.11)
2π ω=const. |vg |
kx
Wir müssen also nur noch ein Oberflächenintegral über eine Fläche kon-
stanter Frequenz ω ausführen und dabei den Kehrwert der Gruppengeschwin- 2π/L
digkeit integrieren. Einfach wird dies im isotropen Fall, wenn die Frequenz Abbildung B.2: Skizze zur Bestimmung der
ω der Phononen nur vom Betrag des Wellenvektors k abhängt und nicht von Zustandsdichte im Frequenzraum.
seiner Richtung. Damit sind die Flächen konstanter Frequenz Kugeln mit dem
Radius k. Die Gruppengeschwindigkeit ist dann natürlich auch konstant über
die Kugeloberfläche. Wir erhalten dann
3
4π k 2

L
D(ω)dω = dω , (B.12)
2π |vg |

wobei k hier als k(ω) zu verstehen ist.4 4

Das ist immer noch die Zustandsdichte
Sowohl im eindimensionalen als auch im dreidimensionalen Fall geht die pro Ast in der Dispersionsrelation. Bei
p Atomen pro Einheitszelle kommt in
Gruppengeschwindigkeit als Kehrwert ein. In der zweiatomigen Kette bei- Dreidimensionalen also noch der Faktor 3p
spielsweise geht diese asymptotisch gegen Null in der Nähe der Bandlücke, hinzu, um die Gesamt-Zustandsdichte zu
erhalten.
wodurch der Integrand in Gl. B.11 divergiert. Diese Punkte nennt man Van-
Hove-Singularitäten. Im Eindimensionalen divergiert hier die Zustandsdichte.
In zwei und drei Dimensionen finden sich davon noch endlich hohe Spitzen.
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