MOSFET
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EXPERIMENT 09: N-KANAL MOSFET-AUSGANG UND
ÜBERTRAGUNGSEIGENSCHAFTEN
ZIEL: Die Übertragungs- und Ausgangscharakteristik eines n-Kanal-Metalloxid zu untersuchen
Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) in gemeinsamer Quelle-Konfiguration.
APPARATUS:MOSFET (2N7000),Bread board, resistor (1KΩ, 100KΩ),
Verbindungskabel, Amperemeter (0‐10mA/ 0‐25mA), Gleichstromversorgung (0‐30V) und
Multimeter.
CIRCUIT DIAGRAM:
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THEORIE:
Der MOSFET ist tatsächlich ein Vierleitergerät, dessen Substrat- oder Gehäuseterminal immer angeschlossen sein muss.
bei einer der extremen Spannungen im Schaltkreis gehalten, entweder die positivste für den PMOS oder die meisten
negativ für das NMOS. Eine einzigartige Eigenschaft des MOSFET ist, dass das Gate keinen messbaren Strom zieht.
aktuell.
1) Erklären Sie die Konstruktionsdetails des n-Kanal E-MOSFET.
2) Erklären Sie das Funktionsprinzip des n-Kanal E-MOSFET.
3) Nennen Sie verschiedene Typen von MOSFETs und Anwendungen von MOSFETs
HINWEIS: Beantworten Sie die oben genannten Fragen und formulieren Sie es als Theorie dieses Experiments.
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VERFAHREN:
AUSGANGS-/ENDEMERKMALE:
1. Schließen Sie den Schaltkreis gemäß dem gegebenen Diagramm korrekt an.
2. Halte VGSkonstant bei einem Wert von sagen wir 1,1 V durch Variieren von VGG
3. Variiere VDSin
Schritten von 1V bis 10 Volt und messe den Drainstrom IDTabellieren Sie alle Messwerte.
4. Wiederholen Sie das obige Verfahren für VGSals 1.2V, 1.3V, 1.4V, 1.5V usw.
TRANSFER CHARACTERISTICS:
1. Schließen Sie den Schaltkreis gemäß dem gegebenen Diagramm ordnungsgemäß an.
2. Stellen Sie die Spannung V einDS konstant bei 10 V.
3. Variiere VGSdurch Variieren von VGGIn Schritten von 0,1 bis 1,55 V und notieren Sie den Wert des Drainstroms.
IchD. Tabellen Sie alle Messwerte.
4. Zeichnen Sie die Ausgangscharakteristik VDSvs IchDund Übertragungseigenschaften VGSvs ichD.
5. Berechne VT, gm, rd oder ro aus den Grafiken und überprüfen Sie es anhand des Datenblatts
BEOBACHTUNGSTABELLE:
AUSGANGS- / ABLAUFCHARAKTERISTIKEN
VGS= 1,1 V VGS1.2 V VGS= 1,3 V VGS= 1,4 V VGS= 1,5 V
VDS(V) IchD(mA) VDS(V) IchD(mA) VDS(V) IchD(mA) VDS(V) IchD (mA) VDS(V) IchD(mA)
0 0 0 0 0
1 1 1 1 1
2 2 2 2 2
. . . . .
. . . . .
. . . . .
Bis zu 10 Bis zu 10 Bis zu 10 Bis zu 10 Bis zu 10
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ÜBERTRAGUNGSEIGENSCHAFTEN
VDS= 10 V
VGS(V) IchD(mA)
0,1
1.1
1.2
1.3
1.4
1,5
1,55
CALCULATION:
Schwellenspannung VTTor-zu-Quelle-Spannung, bei der der Drainstrom zu fließen beginnt.
2. Transkonduktanz gm: Verhältnis der kleinen Änderung des Ablassstroms (Δ I)D) zu dem entsprechenden
Änderung der Tor- zu Quellenspannung (ΔVGS) für ein konstantes VDS.
gm= Δ ID/ ΔVGSbei konstantem VDS
3. Ausgangs-Abflusswiderstand: Er wird durch die Beziehung einer kleinen Veränderung im Drain zu Source gegeben.
Spannung (Δ VDS) zum entsprechenden Wechsel im Drainstrom (ΔID) für ein konstantes VGS.
rdor ro = ΔVDS / Δ IDbei konstantem VGS
RESULTS:
1. VT ________
2. gm : ________
3. ro : ________
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CONCLUSION:
POST LAB QUESTIONS:
1. Was sind die Vorteile von MOSFET gegenüber JFET?
2. Wie viel Spannung ist erforderlich, um NMOS–E zu aktivieren?
3. Warum wird eine Eingangscharakteristik eines MOSFET nicht dargestellt?
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