Bachelor

Elektronikpraktikum
– Universität Göttingen –

Anleitung zum Versuch Nr. 2 – Teil A

Bipolartransistor und FET:

Funktionsweise und Kennlinien
Fakultät für Physik

Version 0009– Stand 16.2.2009

 Betreuer:
Dr. Kevin Kröninger – [Link]@[Link]
Dr. Thomas Kurz – tkurz@[Link]

Version 0009– Stand 16.2.2009

Inhaltsverzeichnis

1 Einleitung 1

2 Der Bipolartransistor 1

2.1 Aufbau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

2.2 Funktionsweise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

2.3 Großsignalmodell . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

2.4 Kennlinien des Bipolartransistors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

2.4.1 Eingangskennlinie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

2.4.2 Steuerkennlinien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

2.4.3 Ausgangskennlinien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

2.4.4 Vierquadrantendarstellung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

2.5 Temperaturabhängigkeit des Arbeitspunktes . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

2.6 Transistorkenndaten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

3 Der Feldeffekttransistor 11

3.1 Prinzipieller Aufbau eines FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

3.2 FET-Typen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

3.3 Funktionsweise des n-Kanal Sperrschicht-FET . . . . . . . . . . . . . . . . 13

3.4 Kennlinien des n-Kanal Sperrschicht-FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

4 Versuchsablauf 16

I
II
1 Einleitung

Bipolartransistoren (BJTs1 ) und Feldeffekttransistoren (FETs) sind aktive, steuerbare

Bauelemente, die eine Verstärkung und nichtlineare Verarbeitung (incl. Schalten) von elek-
trischen Signalen ermöglichen. Ihre Arbeitsweise besteht darin, dass kleine Änderungen von
Strom bzw. Spannung in einem Eingangskreis größere Signaländerungen in einem Aus-
gangskreis hervorrufen. Transistoren haben daher üblicherweise drei Anschlüsse (Dreipol),
von denen einer beiden Kreisen zugehört.

Elektronische Schaltungen werden heute nicht mehr oft mit diskreten Transistoren aufge-
baut, v. a. noch im Bereich der Leistungselektronik und in Hochfrequenzsystemen - meis-
tens verwendet man integrierte Schaltungen (ICs2 ), z. B. Operationsverstärker. Die Grund-
lage zum Verständnis der ICs bildet aber die Beschäftigung mit dem Einzeltransistor und
seiner Schaltungstechnik.

2 Der Bipolartransistor

2.1 Aufbau

Bipolartransistoren sind aus drei Halbleiterzonen in alternierender Dotierungsfolge aufge-

baut, dem Emitter, der Basis und dem Kollektor. Diese Struktur ergibt zwei Transistorty-
pen, den npn- und den pnp-Transistor (Abb. 1). Im folgenden wird wegen seiner größeren
technischen Bedeutung nur der npn-Transistor behandelt, alle Aussagen lassen sich sinn-
gemäß auf den pnp-Typen übertragen. Als Halbleitermaterial findet vorwiegend Silizium
Verwendung.
C C

UCB IC UCB IC
C C
n IB p IB
B UCE B UCE
B p B n

n E p E
UBE IE UBE IE

E E

npn−Transistor pnp−Transistor

Abbildung 1: Prinzipieller Aufbau von npn- und pnp-Transistoren und ihre Schaltzeichen. Die
Anschlüsse lauten E=Emitter, B=Basis, C=Kollektor. Weiterhin sind die positiven Zählrichtun-
gen der Klemmenspannungen und -ströme und die Polarität der im normalen Vorwärtsbetrieb an-
liegenden Spannungen eingezeichnet. Die hier gewählte Zählrichtung für Ströme und Spannungen
führt zu durchgängig positiven Werten für den npn- und negativen Werten für den pnp-Transistor.

Der Aufbau des BJT ist nicht symmetrisch (Abb. 2). Der Emitter ist hoch dotiert (n+ ), die
Basiszone ist schwächer dotiert und sehr dünn (1 . . . 10 µm) – für die Transistorfunktion
wichtige Eigenschaften. Der Kollektor ist ebenfalls nur schwach dotiert. Im normalen Be-
trieb (Vorwärtsbetrieb) arbeitet die Basis-Emitterstrecke in Durchlassrichtung, die Basis-
1
BJT=’bipolar junction transistor’
2
IC=’integrated circuit’

1
 B E B
SiO2

n+
p p

n−Epischicht
Anschlussgebiet innerer
Transistor

n+ −Substrat

C
Abbildung 2: Physikalischer Aufbau eines npn-Planartransistors. Die n- und p-Gebiete werden
durch maskengesteuerte Diffusion oder Ionenimplantation von Dotierstoffen erzeugt.

Kollektorstrecke ist hingegen gesperrt. Das heisst, dass beim Si-npn-Transistor die Basis
gegenüber dem Emitter um die typische Diodendurchlassspannung von ca. 0.7 V positiver
ist, und am Kollektor gegenüber dem Emitter eine i.A. höhere positive Spannung anliegt.
Mit den gewählten Zählrichtungen sind beim npn-Transistor neben den Spannungen auch
alle Ströme positiv, und es gilt

IE = IC + IB , UCE = UCB + UBE . (2.1)

D. h., wegen der Kirchhoffschen Gesetze sind nur zwei der drei Spannungen bzw. Ströme
unabhängig.

2.2 Funktionsweise

In der in Durchlaßrichtung betriebenen BE-Diode werden aus der stark dotierten Emit-
terzone Elektronen in die Basiszone injiziert. Die Dicke der Basisschicht ist kleiner als die
Rekombinationslänge im p-Material, so dass die Elektronen mit nur kleinen Rekombinati-
onsverlusten durch die Basis, in der sie die Minoritätsträger darstellen, diffundieren können.
Erreichen sie die CB-Sperrschicht, werden sie aufgrund des hohen elektrischen Feldes zum
Kollektor hin abgezogen und bilden den Transferstrom IT , der praktisch gleich dem Kol-
lektorstrom IC ist. Die Ladungsinjektion in die Basis und damit der Kollektorstrom kann
durch die Basis-Emitterspannung UBE in weiten Grenzen gesteuert werden.

Abb. 3 stellt die wesentlichen Stromkomponenten im Transistor schematisch dar. Der Ba-
sisstrom IB ist zunächst praktisch ein reiner Löcherstrom, der sich aus drei Anteilen zu-
sammensetzt:
IB = IBE + IBB − ICB0 . (2.2)
Der Diodenstrom IBE entsteht durch die Injektion von Löchern aus der Basis in die BE-
Sperrschicht, die dort oder im Emitterbahngebiet rekombinieren. Die Löcherinjektion, also
IBE , wird durch die geringe Dotierung der Basis klein gegen IE gehalten. Die Stromkom-
ponente IBB beruht auf der Rekombination der vom Emitter kommenden Elektronen im
Basisgebiet. Der vom Kollektor zur Basis fließende Sperrstrom ICB0 der CB-Diode ist
durch die thermischen Generation von Elektron-Loch-Paaren in der CB-Sperrschicht ver-
ursacht und kann von der BE-Spannung nicht beeinflusst werden. Im normalen Betrieb
gilt IBB ≪ IB und ICB0 ≪ IB , d. h.

IB ≈ IBE . (2.3)

2
 E[n+ ] B[p] C[n]

IT
IE IBB IC
Rek.

IBE Rek. th. Gen. ICB0

UBE >0

UCE > UBE > 0 IB

Abbildung 3: Teilströme im eindimensionalen Modell eines npn-Transistors im Vorwärtsbetrieb.

Durchgezogene Linien: Elektronenstrom, gepunktete Linien: Löcherstrom, Rek. = Rekombinati-
on, th. Gen. = thermische Generation von Elektron-Loch-Paaren.

Die vom Emitter zum Kollektor gelangenden Elektronen bilden den Transferstrom IT , der
im normalen Betrieb praktisch gleich dem Kollektorstrom ist,

IT = IC − ICB0 ≈ IC . (2.4)

Der Transferstrom ist etwas kleiner als der Emitterstrom,

IE ≈ IT + IBE oder IT = AIE , (2.5)

wobei A ≈ 0.96 . . . 0.995 die Stromverstärkung der Basisschaltung ist. Mit IE = IB + IC

und IE = IT /A = (IC − ICB0 )/A folgt

A ICB0
IC = IB + =: BIB + ICE0 . (2.6)
1−A 1−A

B = A/(1 − A) bezeichnet die Stromverstärkung in Emitterschaltung, ICE0 den Kollektor-

Emitter-Reststrom, der nicht durch die Basis steuerbar ist und sehr viel größer als der
Sperrstrom ICB0 ist (da der Sperrstrom die BE-Steuerstrecke beeinflusst). Die Strom-
verstärkungen A und B hängen vom Arbeitspunkt ab.

Die Beziehungen (2.5) bzw. (2.6) legen nahe, den BJT als stromverstärkendes Bauteil zu
betrachten. Es ist jedoch sinnvoller, den Transistor als spannungsgesteuerte Stromquelle
aufzufassen (Transkonduktanz-Bauelement), da die Basis-Emitterspannung den Diffusi-
onsstrom durch die BE-Diode steuert. Der BJT ist somit im Gegensatz zum FET ein
diffusionsbasiertes Bauelement, wobei die in der Basis gespeicherte Diffusionsladung QB
der Arbeitsgeschwindigkeit des Transistors Grenzen setzt.

2.3 Großsignalmodell

Aufgrund der Steuerwirkung der BE-Diode wird auch der Transistor durch eine i. W. expo-
nentielle Steuerkennlinie beschrieben. Ein einfaches mathematisches Modell für den Tran-
sistor (Reisch, Kap. 7) ergibt für den Transferstrom
    
IS UBE UBC ICE − IEC
IT = exp − exp =: . (2.7)
qB UT UT qB

3
 (I CE−IEC )/qB

IE I BE =I CE /BF I BC=I EC /BR IC

E C
DE DC
UEB IB UCB

B
Abbildung 4: Großsignalmodell des npn-Transistors nach Gummel und Poon. Das Modell be-
steht aus zwei idealen Dioden und einer gesteuerten Stromquelle, die den Transferstrom erzeugt.

UT = kT /e bezeichnet die Thermospannung3 , IS den Transfersättigungsstrom, der sich aus

der Transistorgeometrie und den Materialeigenschaften des dotierten Halbleiters berechnet.
Die Größe
QB (UBE , UBC )
qB = (2.8)
QB0
ist die normierte Basisladung, d.h. die arbeitspunktabhängige Basisladung bezogen auf die
Basisladung im spannungslosen Zustand. qB weist eine komplizierte Abhängigkeit von UBE
und UCE auf und kann nur näherungsweise berechnet werden.

Nach Gl. (2.7) kann der Transferstrom als die Differenz eines von der BE-Diode gesteuerten
Stroms    
ICE IS UBE
= exp −1 (2.9)
qB qB UT
und eines von der CB-Diode gesteuerten Stroms
   
IEC IS UBC
= exp −1 (2.10)
qB qB UT
aufgefasst werden, wobei im bisher betrachteten Vorwärtsbetrieb IEC ≈ 0 gilt.

Das den Gln. (2.7-2.10) entsprechende Großsignalmodell nach Gummel und Poon ist in
Abb. 4 dargestellt. Man denkt sich den Transistor aus zwei gegeneinandergeschalteten
idealen Dioden und einer Stromquelle, die den Transferstrom erzeugt, dargestellt. Durch
die Dioden fließen die Ströme
IEC ICE
IBE = bzw. IBC = ,, (2.11)
BF BR
wobei ICE , IEC durch Gln. (2.9, 2.10) gegeben sind und BF die Vorwärtsstromverstärkung
(oben einfach B genannt), BR die Rückwärtsstromverstärkung bezeichnen. Wegen des un-
symmetrischen Transistoraufbaus ist BR ≪ BF .

Die Basisladung QB und damit qB sind von der BC-Spannung abhängig, denn UBC be-
einflusst die Breite der BC-Sperrschicht. Dieser Early-Effekt genannte Einfluss auf die
Kennlinie kann angenähert berechnet werden und führt zu folgender Darstellung des Trans-
ferstroms
     
ICE − IEC UCE UBE UBC
IT = ≈ IS 1 + exp − exp . (2.12)
qB UA UT UT
3
ca 26 mV bei Zimmertemperatur

4
Der Parameter UA ist die Early-Spannung; es gilt typischerweise UA ≫ UCE .

Im hier untersuchten Vorwärtsbetrieb des BJT vereinfacht sich die Transistorcharakteristik

zu einer exponentiellen Kennlinie mit Early-Korrektur:
   
UCE UBE
IC ≈ IS 1 + exp . (2.13)
UA UT

UA ist ein Maß für die Abhängigkeit des Kollektorstroms von UCE bei fester Steuerspannung
UBE , bestimmt also den Ausgangswiderstand.

2.4 Kennlinien des Bipolartransistors

Kennlinien geben allgemein den Zusammenhang zwischen den an einem Bauelement anlie-
genden Spannungen und den durch seine Klemmen fließenden Strömen an. Die Kenntnis
der Transistorkennlinien und ihre modellmäßige Beschreibung ist für den Entwurf und die
Analyse von Halbleiterschaltungen wichtig.

Für die Aufnahme von Kennlinien kann man jede der Differenzspannungen UBE , UCE und
UCB und jeden der drei Ströme IC , IE und IB auswählen. Wegen Gl. (2.1) und der Tatsache,
dass die Physik des Transistors Zusammenhänge zwischen Strom und Spannung bedingt,
können letztlich nur zwei der elektrischen Klemmengrößen unabhängig gewählt werden,
z.B. der Basisstrom IB bzw. die Basis-Emitter-Spannung UBE und die Kollektor-Emitter-
Spannung UCE . Daher wird der BJT i. A. durch folgende Kennlinien charakterisiert:

• die Eingangskennlinien UBE = UBE (IB ; UCE ) ,

• die Steuerkennlinien IC = IC (IB ; UCE ) oder IC = IC (UBE ; UCE ) ,
• die Ausgangskennlinien IC = IC (UCE ; IB ) oder IC = IC (UCE ; UBE ) ,
• die Rückwirkungskennlinien UBE = UBE (UCE ; IB ) oder IB = IB (UCE ; UBE ) .

In einer zweidimensionalen Darstellung der Kennlinie gibt das erste Argument die va-
riierte Größe, das zweite Argument die festgehaltene Größe (den Kurvenparameter) an.
Die Rückwirkung des Ausgangs auf den Eingang ist für Niederfrequenzanwendungen i. A.
vernachlässigbar und wird hier nicht behandelt.

2.4.1 Eingangskennlinie

Abbildung 5 gibt ein Beispiel für die Eingangskennlinie IB (UBE ) eines npn-Transistors für
UCE = const. Wie man aus der halblogarithmischen Auftragung erkennt, stimmt sie in
einem gewissen Intervall von UBE in guter Näherung mit der exponentiellen Kennlinie der
BE-Diode überein:    
UBE
IB = IBE0 exp −1 . (2.14)
UT
IBE0 bezeichnet den Sperrstrom der Diode (siehe Versuch 1). Für kleine BE-Spannungen
geht die Kurve in Abb. 5 durch Null und es fließt ein Strom aus der Basis heraus (Sperr-
strom der CB-Diode). Für große Basisströme ergeben sich Abweichungen von Gl. (2.14)
durch den Ohmschen Widerstand der Basisschicht (Basisbahnwiderstand). Die Eingangs-
kennlinie ist leicht von der CE-Spannung abhängig.

5
 300 1000
500
IB [ µA] IB [ µA]
200 UCE =10 V 100 UCE =10 V
50

100 10
5

0 1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 0 0.2 0.4 0.6 0.8
UBE [V] UBE [V]

Abbildung 5: Eingangskennlinie eines npn- Siliziumtransistors, links: linear, rechts: halblogarith-

misch aufgetragen. Die Kurve wurde bei festem Wert der Kollektor-Emitter-Spannung UCE = 10
V aufgenommen.

Der differentielle Eingangswiderstand rBE der Basis-Emitterstrecke entspricht der rezipro-

ken Steigung der Tangente an die Eingangskennlinie,
  −1
∂UBE IBE0 UBE UT
rBE |UCE =const =: h11 = |UCE = exp ≈ für IBE0 ≪ IB .
∂IB UT UT IB
(2.15)
Der Eingangswiderstand ist also stark vom Basisstrom abhängig.

2.4.2 Steuerkennlinien

Ein Beispiel für die Steuerkennlinien eines npn-Transistors zeigt Abb. 6. In der linken
Graphik wird der Transistor spannungsgesteuert, d.h. die Basis-Emitter-Spannung wird
eingeprägt. Im Verlauf dieser Kennlinie findet sich der exponentielle Zusammenhang der

10 10
5V
2V
IC [ mA] 8 IC [ mA] 8
UCE =10V UCE =10V 2V
6 6

4 4

2 2

0 0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0 0.1 0.2 0.3 0.4
UBE [V] I B [mA]

Abbildung 6: Steuerkennlinien eines npn- Siliziumtransistors - links für Spannungssteuerung:

Kollektorstrom IC gegen Basis-Emitter-Spannung UBE mit UCE als Parameter, rechts für Strom-
steuerung: Kollektorstrom IC gegen Basisstrom IB mit UCE als Parameter.

6
 150

UCE =10 V
β ,B
β
100
B

50

0
0.01 0.1 1 10 100
IC [mA]

Abbildung 7: Stromverstärkung B und differentielle Stromverstärkung β eines npn-Transistors

als Funktion der Kollektorstromstärke.

Gl. (2.13) wieder, die demnach die Spannungssteuerkennlinie darstellt. Für höhere Ströme
ergeben sich aber Abweichungen, insbesondere im Sättigungsgebiet des Transistors (s.u.).

Die Verstärkungswirkung des Transistors wird an dieser Kennlinie offensichtlich. Kleine

Änderungen der Basis-Emitter-Spannung bewirken große Änderungen des Kollektorstroms.
Ein wichtiger Parameter zur Beschreibung der Verstärkung ist die Steilheit (Transkonduk-
tanz):
∂IC
g =: |U . (2.16)
∂UBE CE
Mit Gl. (2.13) erhält man sofort
UT
g= (2.17)
IC
als Faustformel zur Berechnung der Steilheit.

In der rechten Graphik von Abb. 6 sieht man die Stromsteuerkennlinie (eingeprägter Ba-
sisstrom), die i. A. nicht linear verläuft. Daher sind die Gleichstromverstärkung B = IC /IB
und die differentielle Stromverstärkung
dIC
β =: h21 = |U (2.18)
dIB CE
vom Kollektorstrom abhängig, wie Abb. 7 exemplarisch zeigt.

Der differentielle Ausgangswiderstand am Emitter des Transistors4 ist definiert durch

∂UBE ∂UBE 1 UT
rE = |UCE ≈ |UCE = = . (2.19)
∂IE ∂IC g IC
Für Kollektorströme von einigen mA beträgt der Emitterausgangswiderstand also nur we-
nige Ohm. Er hängt mit dem differentiellen Widerstand der Basis-Emitter-Strecke, rBE ,
über die differentielle Stromverstärkung zusammen:
∂UBE ∂UBE ∂IC β
rBE = |UCE = |UCE |UCE = = rE β . (2.20)
∂IB ∂IC ∂IB g
4
=Ausgangswiderstand des Transistors in Kollektorschaltung, siehe Versuch 2B.

7
2.4.3 Ausgangskennlinien

Das Ausgangskennlinienfeld eines npn-Transistors ist in Abb. 8 gezeigt. Hier wird der Kol-
lektorstrom IC als Funktion der Kollektor-Emitter-Spannung UCE aufgetragen, mit UBE
oder IB als Kurvenparameter. Im Ausgangskennlinienfeld sind drei Bereiche zu unterschei-
den: Für kleine Kollektorspannungen UCE steigt der Kollektorstrom sehr schnell und prak-
tisch linear mit UCE an. In diesem Sättigungsbereich ist die Kollektor-Emitter-Spannung
klein (UCE,sat ) und hängt bei hinreichender Aussteuerung kaum vom Kollektorstrom ab.
Die CB-Diode verliert im Sättigungsgebiet ihre Sperrwirkung.

Die Kennlinien knicken für UCE > UCE,sat ab und steigen insbesondere bei Spannungsan-
steuerung an der Basis kaum noch an. Der Transistor wirkt in diesem Bereich wie eine

1000 10
0.61V 0.67V

800 8
IC [ µ A ] 0.60V IC [ mA]
0.66V
600 6
0.59V
400 0.58V 4
0.57V 0.65V
0.56V 0.64V
200 2
0.55V
0.54V 0.62V 0.63V
0 0.52V 0.53V 0
0 1 2 3 4 5 0 10 20
UCE [V] UCE [V]

1000 100
4.0 µ A 3.5 µ A 0.35 mA
0.30 mA
800 3.0 µ A 80 0.25 mA
IC [ µ A ] IC [mA] 0.20 mA
2.5 µ A
600 60
2.0 µ A 0.15 mA
400 1.5 µ A 40 0.10 mA

1.0 µ A 0.05 mA
200 20
0.5 µ A

0 0
0 1 2 3 4 5 0 10 20
UCE [V] UCE [V]

Abbildung 8: Ausgangskennlinienfeld eines Si-npn-Transistors bei Spannungssteuerung der Ba-

sis (obere Reihe, UBE als Kurvenparameter) und bei Stromsteuerung der Basis (untere Reihe, IB
als Kurvenparameter.

8
hochohmige Stromquelle mit dem differentiellen Ausgangswiderstand
1 ∂UCE
rC =: = |UBE . (2.21)
h22 ∂IC
Der Ausgangswiderstand kann je nach Early-Spannung mehrere hundert kΩ betragen.

Wird UCE noch weiter erhöht, findet ein Durchbruch der BC-Strecke statt (in der Abb.
nicht gezeigt). Der Strom steigt aufgrund des Avalanche-Effekts in der Sperrzone schnell
an. Dies kann zur Zerstörung des Transistors führen. Bis auf Spezialanwendungen sollte
daher die CE-Spannung unter der Durchbruchsschwelle liegen. Diese Schwelle hängt vom
äußeren Widerstand zwischen Basis und Emitter ab.

2.4.4 Vierquadrantendarstellung

Eine nützliche Darstellung der Transistorkennlinien bietet die Vierquadrantendarstellung

(Abb. 9). In jedem Quadrant wird eine Kennlinie bzw. Kennlinienschar dargestellt, wobei
benachbarte Quadranten sich jeweils eine der Achsen UCE , IC , IB und UBE teilen.

IC
Stromsteuerkennlinie Ausgangskennlinienfeld

UCE =const IB =const

IB UCE

UCE =const IB =const

Eingangskennlinie UBE Spannungsrückwirkung

Abbildung 9: Vierquadrantendarstellung der Kennlinien eines npn-Transistors mit Kennzei-

chung des Arbeitspunktes. Die Rückwirkungskennlinien werden hier nicht weiter betrachtet.

2.5 Temperaturabhängigkeit des Arbeitspunktes

Die Eigenschaften des BJT sind stark temperaturabhängig. In Gl. (2.13) sind die Thermo-
spannung UT und vor allem der Sättigungsstrom IS temperaturabhängig. Eine genauere
Darstellung übersteigt den Rahmen dieser Anleitung. Für die BE-Diode ergeben sich ty-
pische Werte von  
∂UBE
≈ −2 . . . 2.5 mV/K . (2.22)
∂T IC

9
Auch die Stromverstärkung ist temperaturabhängig mit einer Zunahme von ca. 0.66%/K
bei Zimmertemperatur. Damit sich der Arbeitspunkt und damit die Eigenschaften einer
Transistorschaltung mit der Temperatur nicht zu stark ändern, wird das Prinzip der Ge-
genkopplung eingesetzt (Teil 2B).

2.6 Transistorkenndaten

Neben den Kennlinien gibt es noch einige wichtige Kenndaten, die den Transistor charakte-
risieren und die in Datenblättern aufgeführt sind. Dazu gehören die zulässigen Grenzwerte
für Spannungen, Ströme und die Verlustleistung bzw. Chiptemperatur, und auch dynami-
sche Parameter wie die Rückwirkungskapazität, die Grenzfrequenz oder Schaltzeiten.

Als Beispiel sei die Verlustleistung PV ≈ IC UCE des Transistors betrachtet, die kleiner als
die maximale Verlustleistung Ptot sein muss. Ptot hängt von der Umgebungstemperatur und
dem thermischen Widerstand zwischen Chip und Umgebung ab (der durch Einsatz von
Kühlkörpern vermindert werden kann). Ptot wird oft für eine Umgebungstemperatur von
TAN = 25◦ C angegeben und definiert im Ausgangskennlinienfeld eine Leistungshyperbel,
die im Dauerbetrieb nicht überschritten werden darf (Abb. 10, links). Bei höheren Umge-
bungstemperaturen sinkt die zulässige Verlustleistung, da nicht mehr genügend Leistung
durch Wärmeleitung abgeführt werden kann, ohne die maximale Chiptemperatur Tmax zu
überschreiten (Derating, Abb. 10, rechts).

Das unter der Leistungshyperbel liegende Gebiet ist eine Obermenge der ’safe operating
area’ (SOAR) des Transistors, die durch die Bedingungen UCE ≤ UCE,max , IC ≤ IC,max ,
PV ≤ Ptot und die Linie für den sog. zweiten Durchbruch5 gebildet wird.
IC PV

P>Ptot Ptot

UCE TAN Tmax T

Abbildung 10: Links: Grenzhyperbel der zulässigen Verlustleistung im Ausgangskennlinienfeld

des Bipolartransistors; rechts: Derating – Absinken der zulässigen Verlustleistung mit der Umge-
bungstemperatur T .

5
dabei kommt es zu lokaler Stromeinschnürung und Überhitzung im Transistor

10
3 Der Feldeffekttransistor

Feldeffekttransistoren sind Bauteile, bei denen ein Halbleiter-Stromkanal durch ein elek-
trisches Querfeld, das von einer lateralen Steuerelektrode (Gate) erzeugt wird, beeinflusst
wird. Der Stromkanal wirkt wie ein steuerbarer Widerstand. Die Stromleitung erfolgt nur
durch die Majoritätsträger, d. h. Ladungsträger mit nur einer Polarität. FETs sind also
Unipolartransistoren, Ladungsträgerdiffusion spielt im Kanal keine Rolle.

3.1 Prinzipieller Aufbau eines FET

Abb. 11 zeigt schematisch den prinzipiellen Aufbau eines FET mit einem halbleitendem
Kanal der Länge L, Querschnitt A = 2ab, Anschlusselektroden Source (S) und Drain (D)
und der Steuerelektrode Gate (G).

G
b

Abbildung 11: Prinzipieller Aufbau eines FET als halbleitender Kanal mit Anschlusselektroden
Drain (D) und Source (S) sowie Steuerelektrode (G).

Mit der Leitfähigkeit σ des Halbleitermaterials ist der Kanalleitwert gegeben durch
abσ Aσ
G= = . (3.1)
L L
Die Steuerung von G ist über zwei Effekte möglich, die zu zwei Typen von Feldeffekttran-
sistoren führen:

1. Veränderung des Kanalquerschnitts A = A(UG ). Dies wird im Sperrschicht-FET

(JFET) durch einen in Sperrrichtung gepolten pn-Übergang (oder Metall-Halbleiter-
Übergang) als Kanalgrenze realisiert. (Abb. 12). Die Breite der Verarmungszone d
hängt von der Gate-Spannung ab, d. h. eine höhere Sperrspannung führt zur Kanal-
einschnürung.
2. Veränderung der Leitfähigkeit des Kanals durch Steuerung der Oberflächenladung Q
auf dem Gate. Dies wird z. B. im MOSFET realisiert, bei dem das Gate durch eine
Si O2 -Schicht isoliert aufgebracht ist. Gegenüber dem Gate bildet sich eine Influenz-
ladung (Oberflächenladung) aus, Q = Q(UG ), die σ steuert.

11
 S G D
SiO2

p+
Sperrschicht n
Kanal d

p−Substrat

Abbildung 12: Physikalischer Aufbau eines n-Kanal Sperrschicht-FETs in Planartechnologie.

FETs weisen gegenüber den BJTs einige Vorteile auf, die sie heute zur bevorzugten Tech-
nologie v. a. für integrierte Schaltungen machen:

• relativ einfach herstellbar, erfordern weniger Fläche als ein BJT, d. h. hohe Packungs-
dichten in integrierten Schaltungen.
• Günstige Eigenschaften als Schalter: schnelle Schaltzeiten, da keine Minortitätsspei-
cherladungen vorhanden sind. FETs sind aber auch als lineare Signalschalter gut
einsetzbar.
• FETs haben einen hohen Eingangswiderstand (Spannungssteuerung), das bedeutet
praktisch leistungslose Ansteuerung im Niederfrequenzbereich.
• Die quadratische Transferkennlinie ist weniger nichtlinear als beim BJT, das bedeutet
geringere Verzerrungen und höhere Aussteuerbarkeit.
• Günstigeres Temperaturverhalten, geringes Rauschen beim JFET und Fehlen des
zweiten Durchbruchs.

Allerdings besitzen FETs gegenüber dem BJTs eine geringere Steilheit.

3.2 FET-Typen

Unabhängig vom Grundtypen kann man FETs einteilen in:

1. n-Kanal-Typ (donatordotiert) oder p-Kanal-Typ (akzeptordotiert);

2. selbstsperrend (Anreicherungstyp, enhancement type, ‘normally off’-Typ) oder selbst-
leitend (Verarmungstyp, depletion-type,‘normally on’-Typ) bei UGS = 0.

Die Schaltzeichen dieser FETs sind in Abb. 13 zu finden. Als Beispiel soll im folgenden nur
der selbstleitende n-Kanal JFET besprochen werden. Es ist auch möglich, selbstsperrende
JFETs herzustellen, diese werden in der Praxis aber wenig verwendet.

MOSFETs werden in der modernen integrierten Digitaltechnik fast ausschließlich einge-

setzt. Ihr Kennlinien sind denen des JFET ähnlich. Die Funktionsweise und Kenngrößen
von MOSFETs sollte man sich durch eigenes Literaturstudium aneignen.

12
 JFET MOSFET MOSFET
selbstleitend selbstleitend selbstsperrend
D D D
n−Kanal G G G
S S S
D D D
p−Kanal G G G
S S S

Abbildung 13: Schaltzeichen der verschiedenen Ausführungen von JFETs und MOSFETs.

3.3 Funktionsweise des n-Kanal Sperrschicht-FET

Abb. 12 zeigt den Aufbau dieses JFET-Typs. Der Kanal wird durch Eindiffusion von
hochdotierten (p+ ) Gebieten erzeugt (beidseitig oder einseitig). Es bildet sich ein flächiger
pn-Übergang mit einer Verarmungszone, die sich hauptsächlich in das n-dotierte Material
erstreckt, aus. Im spannungslosen Zustand ist der Kanal überall gleich breit.

Im normalen Betrieb liegt am Drain-Anschluss D gegenüber dem Source-Anschluss S eine

positive Spannung, am Gate G gegenüber S eine negative Spannung (so dass die GS-
Diode sperrt). Zwischen D und S kann der Strom ID ≈ IS fließen, da der Gate-Strom i. A.
vernachlässigbar gering ist.

Die Breite der Sperrschicht ergibt sich aus der Theorie des abrupten pn-Übergangs zu
p
d(UGS ) = α UD − UGS , (3.2)
wobei UD die Diffusionsspannung des pn-Übergangs und α eine dotierungsabhängige Kon-
stante ist. UGS ist die zwischen Gate und Source liegende Spannung, wobei vorausge-
setzt wurde, dass die Potentialunterschiede entlang des Kanals vernachlässigbar gering
sind (UD ≈ US ), d. h. keine Kanaleinschnürung vorliegt.

Damit folgt für den Kanalleitwert mit der Kanalbreite a = (d0 − d(UGS )) und dem Quer-
schnitt A = (d0 − d(UGS ))b (d0 = gesamte Kanalbreite im spannungslosen Zustand)
 
αp
G = G0 1 − UD − UGS (3.3)
d0
wobei
d0 bσ A0 σ
G0 = = (3.4)
L L
der Leitwert des Kanals im spannungslosen Zustand ist. Bei UGS = 0 liegen die kleinsten
Kanalwiderstände selbstleitender FETs in der Größenordnung Ron ≤ 200 Ω.

Die Kanalbreite wird Null bei der externen Abschnürspannung UGS = UP :

 2
p d0 d0
UD − UP = → UP = UD − UP 0 mit UP 0 = . (3.5)
α α
UP 0 ist die interne Abschnürspannung. Für UGS < UP wird der Kanal hochohmig (Rof f >
10 MΩ).

13
 UGS UDS
S G D SiO2

p+
Sperrschicht n
Kanal d(y)

p−Substrat

01 L

Abbildung 14: Kanaleinschnürung beim n-Kanal Sperrschicht-FET bei Anliegen einer hinrei-
chend hohen positiven Drain-Source Spannung.

Ist UDS ≫ 0 gibt es einen nicht vernachlässigbaren Spannungsabfall entlang des Ka-
nals (Abb. 14), d. h. der Querschnitt ändert sich mit y. Es tritt eine Kanaleinschnürung
auf, eine Verengung gegen den Drain-Anschluss. Selbst bei UGS =const findet daher eine
Abschnürung bei steigender Drain-Spannung statt, der Sättigungsspannung UDS,sat . Im
Abschnürbereich wird der FET hochohmig: Elektronen werden in die Sperrzone injiziert
und durch das elektrische Feld zum Drain hin abgezogen. Der Strom wächst jenseits von
UDS,sat mit UDS nur noch wenig an, weil praktisch die gesamte über UDS,sat hinausgehende
Spannung über der Abschnürzone abfällt. Die Länge der Abschnürzone wächst auch mit
UDS − UDS,sat an, d. h. die elektrische Feldstärke bleibt dort annähernd konstant.

Zur Berechnung der Kennlinie des JFET mit Kanaleinschnürung muss die ortsabhängige
Kanalbreite d(y) berücksichtigt werden. Damit sind die Stromdichte J(y) und die Spannung
U∆ (y) ortsabhängig. Die Formulierung und Lösung einer Differentialgleichung liefert das
folgende Ergebnis:
"  3/2  3/2 #
UDS 2 UDS + UD − UGS 2 UD − UGS
ID = IP − + . (3.6)
UP 0 3 UP 0 3 UP 0

Hier bezeichnet IP = G0 UP 0 den Abschnürstrom.

Linearer Bereich: Für kleine UDS kann man die Kennliniengleichung bis zur ersten Ord-
nung in UDS entwickeln:
r !
UD − UGS
ID = G0 1 − UDS , (3.7)
UP 0

Die lineare Abhängigkeit zeigt: der FET wirkt wie ein Ohmscher Widerstand, dessen Größe
sich durch UGS steuern lässt.

Sättigungsbereich: Betrachtet man ID bei UGS =const als Funktion von UDS , so besitzt
der Strom ein Maximum für
UDS,sat = UP 0 − UD + UGS = UGS − UP , (3.8)
abgeleitet aus der Bedingung ∂ID /∂UDS = 0. Dass die durch obige Gleichung beschriebene
Kennlinie danach wieder abfällt, trifft in Wirklichkeit nicht zu (ID steigt weiterhin schwach
mit UDS an).

14
Für UGS = 0 ergibt sich der sog. Sättigungsstrom
 3/2 !
1 UD 2 UD
IDSS = IP − + . (3.9)
3 UP 0 3 UP 0
Er stellt sich bei Abschnürung des Kanals bei UDS = UDSS = −UP > 0 ein.

Als Funktion von UGS lässt sich der Sättigungsstrom approximierem durch
 2  2
UGS UGS
ID,sat ≈ IDSS 1 − = IDSS 1 + für 0 ≥ UGS ≥ UP (3.10)
UP UDSS
Da der FET im Verstärkerbetrieb im Sättigungsbereich arbeitet (siehe Teil 2B), bedeutet
diese Beziehung eine quadratische, d. h. im Vergleich zum BJT ‘mildere’ Nichtlinearität.

3.4 Kennlinien des n-Kanal Sperrschicht-FET

Die Eingangskennlinie entfällt beim FET. Der JFET z. B. hat einen Eingangswiderstand
von typisch 108 . . . 1010 Ω und Eingangsrestströme im nA Bereich. Beim MOSFET sind die
Eingangswiderstände noch größer. Man beachte allerdings, dass das Gate zum Drain und
Source hin je einen Kondensator bildet, der im Hochfrequenzbereich zu Blindströmen führt
und eine reaktive Eingangsimpedanz darstellt.

Abb. 15 zeigt schematisch die Übertragungskennlinie und die Ausgangskennlinien des n-

Kanal JFET. Eine Ausgangskennline für UGS =const steigt zunächst linear an, weil der
Kanal offen ist und einen Ohmschen Widerstand darstellt. Ab der Abschnürgrenze wächst
der Strom nur noch sehr langsam an. Der dynamische Ausgangswiderstand im Sättigungs-
bereich ist sehr groß, typischerweise 104 . . . 106 Ω.

Die Steilheit des FETs kann man aus der Approximation (3.10) der Transferkennlinie leicht
berechnen:
∂ID,sat IDSS 2 p
g= |UDS = 2 2 (UGS − UP ) = IDSS ID,sat . (3.11)
∂UGS UP UP
p
Die Steilheit wächst ∼ ID,sat , d. h. relativ langsam an und beträgt einige mS bis ca. 10 mS,
im Vergleich zu Transistorsteilheiten bis weit über 100 mS. Die erzielbare Spannungs-
verstärkung ist demnach geringer als beim BJT. Der JFET wird deshalb als Verstärker
vor allem für hochohmige und rauscharme Eingangsstufen eingesetzt.

ID Abschnürgrenze UGS =0V

I DSS

ID,sat −UGS
Durchbruch

−UGS UP UDSS = −UP UDS

Abbildung 15: Transferkennlinie und Ausgangskennlinien des n-Kanal JFET.

15
4 Versuchsablauf

Die Aufgabe in diesem Versuchsteil besteht darin, einige Kenndaten eines npn-Silizium-
transistors vom Typ BC546 und eines n-Kanal Sperrschicht-Feldeffekttransistors vom Typ
BF245A zu bestimmen. Es wird empfohlen, die Transistoren auf eine Experimentierpla-
tine aufzulöten und ihre Anschlüsse auf Stiften herauszuführen. Die Anschlüsse mit den
Elektrodenbezeichungen kennzeichnen (siehe Abb. 16).
BC546 TO−92 Gehäuse BF245A

E: Emitter D: Drain

B: Basis S: Source

1 1

2 2

3 3
C: Kollektor G: Gate

3 2

Ansicht von unten 1 Ansicht von unten

Abbildung 16: Anschlussbelegung des Bipolartransistors BC546 und des Sperrschicht-FETs

BF245A im TO-92 Gehäuse. Der FET ist gegen elektrostatische Aufladungen empfindlich und
sollte entsprechend vorsichtig gehandhabt werden (Lagerung auf leitendem Moosgummi, Anfassen
nur nach Körpererdung).

1. Datenblätter: Man sehe sich die Datenblätter der im Versuch verwendeten Transis-
toren BC546 und BF245A an und versuche, die Angaben zu interpretieren.
2. Transistortest mit dem Multimeter: Prüfen Sie die Durchlassspannungen und die
Sperrfähigkeit der BE- und BC-Strecke des BC546 bzw. der GS- und GD-Strecke
des BF245A mit der Diodentestfunktion des Multimeters. Sind die Transistoren in
Ordnung? Notieren Sie die Durchlassspannungen. Verbinden Sie G und D des FET
und messen Sie den Widerstand der DS-Strecke.
3. Darstellung der Eingangskennlinie des Bipolartransistors auf dem Oszilloskop:
Die Eingangskennlinie IB (UBE ; UCE ) der BE-Strecke wird wie die Kennlinie der Di-
ode in Versuch 1 auf dem Oszilloskop dargestellt. Auf diese Weise kann man den
Einfluss der CE-Spannung auf die Eingangskennlinie qualitativ überprüfen. Für die
Kurvenaufnahme wird jeweils die Kollektor-Emitter-Spannung UCE festgehalten. UCE
wird direkt von einem Kanal des Netzgeräts erzeugt. Da das Netzgerät sehr hohe
Ströme liefern kann, ist es leicht möglich, die zulässige Verlustleistung UCE IC >
Ptot ≈ 500 mW des Transistors zu überschreiten. Es ist daher unbedingt wichtig,
vor einer Messung die Strombegrenzung des Netzgeräts auf IC max = Ptot /UCE ein-
zustellen, damit der Transistor nicht zerstört wird!6 Das Gleiche gilt nachher für die
Messung am FET. Zur Aufnahme wird die Schaltung in Abb. 17 verwendet. Das Os-
zilloskop wird auf XY-Darstellung und unendliche Nachleuchtdauer geschaltet, Kanal
1 (UBE ) wird invertiert. Die Kennlinie wird durch Auf- und Zurückdrehen der Ein-
gangsspannung U1 aufgenommen (U1 wieder auf Null zurückdrehen!). Die Kurven für
6 2
Einstellung der Strombegrenzung: an den Ausgang des Netzgeräts einen Widerstand von R = UCE max /Ptot
(0.5 Watt) anschließen und die Ausgangsspannung auf den maximalen Wert UCE max (hier: 12 V) einstellen. Dann
das Potentiometer der Strombegrenzung so einstellen, dass die Begrenzung gerade einsetzt (LED).

16
 +
BC546
UCE Netzteil U 2
+ 3V, 6V, 12 V
Strombegrenzung!
Netzteil U 1 R=39 k x y
0−20 V CH1 CH2 CH3 CH4

− −
−UBE RI B

Abbildung 17: Qualitative Darstellung der Eingangskennlinien des Bipolartransistors BC546

für die CE-Spannungen 3 V, 6 V und 12 V.

UCE = 3 V, 6 V und 12 V werden auf dem Oszilloskop überlagert. Die Kurve wird nur
bis zum Einsatz der Strombegrenzung aufgenommen. Ergebnisse beschreiben, Kurven
abspeichern und ausdrucken oder abfotografieren.

4. Messung der Stromsteuerkennlinie mit den Multimetern:

Die Messung erfolgt mit der in Abb. 18 gezeigten Schaltung für UCE = 6 V. Durch
Einstellen der Eingangsspannung U1 im Bereich von 0 V bis ca. 20 V kann der Basiss-
trom IB zwischen 0 µA und ca. 500 µA eingestellt werden (in Schritte von ca. 50 µA).
Der Taster T soll immer nur so kurz wie für die Messung nötig gedrückt werden,
damit sich der Transistor nicht erwärmt (evtl. zur Ablesung die HOLD-Taste der
Multimeter benutzen). Insbesondere bei hohen Kollektorströmen den Transistor nur
kurzzeitig belasten. Die Stromsteuerkennlinie soll grafisch dargestellt werden. Bestim-
men Sie die absolute Stromverstärkung B und differentielle Stromverstärkung β für
IC = 5 mA, IC = 20 mA und IC = 50 mA.

5. Messung der Transistorsteilheit mit den Multimetern:

In der leicht modifizierten Messanordnung der Abb. 19 soll die Steilheit des Transis-
tors für die in Punkt 4. angegebenen Werte des Kollektorstroms bestimmt werden
(dazu Messungen mit ∆IC ≈ ±1 mA durchführen und Sekantensteigung nehmen).
Vergleich mit den theoretischen Werten.

6.∗ Ausgangskennlinien des BJT mit dem Kennlinienschreiber

Das Ausgangskennlinienfeld kann auf einem im Praktikum vorhandenen, älteren Kenn-
linienschreiber dargestellt werden. Da nur ein Gerät vorhanden ist, sollten sich für die-
se Demonstration zwei oder drei Gruppen zusammenschließen. Anhand des Schirm-
bilds kann man sich einen Überblick über den Verlauf der Ausgangskennlinien ver-

IC [mA]

+
IB [uA]
BC546
T
39 k UCE Netzteil U 2
+ 6V
Strombegrenzung 80 mA!
Netzteil U 1
0−20 V

− −

Abbildung 18: Anordnung zur Messung der Stromsteuerkennlinie des Bipolartransistors.

17
 IC [mA]

+
BC546
T
39 k UCE Netzteil U 2
+ 6V
Strombegrenzung 80 mA!
Netzteil U 1
0−20 V UBE
[mV]
− −

Abbildung 19: Anordnung zur Messung der Transistorsteilheit des Bipolartransistors.

schaffen (evtl. Bildschirm fotografieren) und den Ausgangswiderstand des Transistors

abschätzen.
7. Übertragungskennlinie des JFET
Für UDS = 15 V wird der Drainstrom ID des BF245A in Abhängigkeit von UGS ≤
0 in der Schaltung von Abb. 20 (links) gemessen. Aus der Übertragungskennlinie
bestimme man die Abschnürspannung UP und die maximale Steilheit des FET und
vergleiche mit den Angaben im Datenblatt.
ID [mA] T + + Ausgang
Konstantstrom ~1 mA
+ −
BF245A Netzteil U 1
D 20V
BF245A D

UDS Netzteil U 2 15V

− Strombegrenzung 50 mA! S
Netzteil U 1 S
0−5 V UGS R
[V]
+ − −

Abbildung 20: Links: Messung der Übertragungskennlinie des JFETs BF245A mit zwei Mul-
timetern bei fester Gate-Source-Spannung (15 V). Der Taster dient dazu, eine Erwärmung des
Transistors durch permanenten Stromfluss zu vermeiden. Rechts: Realisierung einer Stromquelle
mit dem BF245A.

8. Sättigungsstrom
Für UGS = 0 stelle man UDS = −UP ein und messe den Sättigungsstrom IDSS .
9.∗ FET-Stromquelle:
Man realisiere mit dem FET eine Stromquelle nach Abb. 20 (rechts). Wie groß muss
der Widerstand R gewählt werden, damit die Stromquelle ca. 1 mA liefert? Man
messe den Innenwiderstand der Stromquelle durch Verwendung zweier verschiedener
Lastwiderstnde (z. B. RL = 0 Ω und RL = 10 kΩ).

Literatur

[1] M. Reisch, Elektronische Bauelemente, Springer Verlag, Berlin, Heidelberg (1998).

[2] R. Paul, Elektronische Halbleiterbauelemente. Teubner Studienskripten, Teubner Ver-
lag, Stuttgart (1992).

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