Lehrstuhl für Mikrotechnik und Medizingerätetechnik

Prof. Dr. rer. nat. Tim C. Lüth

Skript zur Vorlesung

Mikrotechnische Sensoren/Aktoren

Prof. Dr. rer. nat. Tim C. Lüth

Dipl.-Ing. Markus Kagerer
Konstantin Strübig, M. Sc.
Dr.-Ing. Franz Irlinger

9. Auflage, Urheberrecht:
Lehrstuhl für Mikrotechnik und Medizingerätetechnik
Technische Universität München
Vorwort

Jedes Lebewesen auf der Erde besteht aus einer Vielzahl von Mikrosystemen, den Zellen.
Trotz ihrer geringen Größe von nur einigen Mikrometern werden viele Aufgaben im täglichen
Leben von ihnen übernommen. Sie transportieren, wandeln und erzeugen Energie,
produzieren Bausteine oder kommunizieren mit Nachbarn. Es ergibt sich hieraus, dass
Mikrosysteme ihre jeweiligen Aufgaben besser, preiswerter und schneller erledigen als ihre
großen Vorbilder aus der Makrowelt.
Heutzutage gibt es viele Geräte und Anwendungen, in denen Mikrosysteme eine zentrale Rolle
spielen; und das nahezu unsichtbar und unbemerkt. Als Beispiele werden hierzu mögliche
Einsatzorte in Kraftfahrzeugen aufgelistet. Durch Verwendung eines Drehratensensors (ESP)
werden die Fahrzeuge besonders sicher, durch einen Hochdrucksensor (Benzineinspritzung)
besonders energiesparend und durch einen Luftgütesensor (Klimaregelung) besonders
komfortabel durch den Straßenverkehr geleitet.
Die Entwicklung der Mikrosystemtechnik geht aus der Mikroelektronik hervor. Allein der Name
beschreibt den systemischen Charakter. Allen Systemen gemeinsam ist die Integration von
verschiedenen Funktionen, Materialien und Technologien. Die Mikrosystemtechnik vereint
dabei viele Basistechnologien wie die Mechanik, die Optik, die Fluidik, aber auch neue
Technologien. Aufgrund ihres kleinen Formats sind Mikrosysteme besonders platz- und
gewichtssparend.
Am Anfang der Vorlesung werden die vielfältigen Einsatzbereiche, der Begriff und die
Zielmärkte der Mikrosystemtechnik erörtert. Im nächsten großen Abschnitt werden die
Eigenschaften und die Herstellung ihrer typischen Werkstoffe, wie bspw. Silizium oder Blei-
Zirkonat-Titanat (PZT) beschrieben. Da nur Werkstoffe alleine, ohne einer ein- bzw.
aufgeprägten Struktur keine Möglichkeiten zur Entfaltung des vollen Funktionsspektrums
bieten, widmet sich der dritte Teil der Vorlesung der Mikrostrukturierung. Dabei werden die
Standardprozesse, von Fotolithographie über Ätzprozesse zu Abscheidevorgängen
beschrieben. Da jedes Mikrosystem nach außen hin kontaktiert werden muss, wird im
Anschluss auf die diversen Möglichkeiten hierzu eingegangen. Generell sind die Standard-
Mikrostrukturierungsprozesse sehr aufwendig, langwierig, teuer und schwer zu reproduzieren.
Daher wird im vierten Teil der Vorlesung auf Alternativen aus dem Rapid Prototyping
eingegangen. Nachdem die Grundlagen der Mikrosystemtechnik geschaffen worden sind,
werden die Anwendungsfelder in Aktorik und Sensorik, zusammen mit den jeweils
zugrundeliegenden physikalischen Effekten gezeigt. Den Abschluss der Vorlesung bilden
kurze Ausblicke in die Glasfasertechnik, in die Mikroskopie, in die magnetische Mess- und
Speichertechnik und in die Nanotechnologie.
Im vorliegenden Skript werden die Kernthemen der Vorlesung zusammengefasst und teilweise
mit zusätzlichen Erklärungen erweitert. Nur das Lesen des Skriptes alleine ersetzt keinesfalls
den Besuch der Vorlesung, da hier viele weitere Folien gezeigt, kurze Experimente vorgeführt
und zu vielen einzelnen Kapiteln auch Videofilme zum besseren Verständnis gezeigt werden.
Da eine kontinuierliche Verbesserung an Vorlesung, Übung und Skript nur durch einen aktiven
Dialog zwischen Studenten und Dozenten entsteht, wird zu jeder Zeit gerne um konstruktive
Kritik gebeten.

Vorwort 3
Literaturempfehlung

Titel: Lehrbuch Mikrosystemtechnik: Anwendungen, Grundlagen,

Materialien und Herstellung von Mikrosystemen
Autoren: N. Schwesinger, C. Dehne, F. Adler
Erscheinungsjahr: 2008
ISBN: 3486579290

Titel: Einführung in die Mikrosystemtechnik: Ein Kursbuch für

Studierende
Autoren: G. Gerlach, W. Dötzel
Erscheinungsjahr: 2006
ISBN: 3446225587

Titel: Mikrosystemtechnik für Ingenieure

Autoren: W. Menz, J. Mohr, O. Paul
Erscheinungsjahr: 2005
ISBN: 352730536X

Titel: Praxiswissen Mikrosystemtechnik

Autoren: F. Völklein, T. Zetterer
Erscheinungsjahr: 2006
ISBN: 3528138912

Titel: Mikrosystemtechnik: Prozessschritte, Technologien,

Anwendungen
Autor: U. Hilleringmann
Erscheinungsjahr: 2006
ISBN: 3835100033

Titel: Fundamentals of Microfabrication: The Science of Miniaturization

Autor: M. Madou
Erscheinungsjahr: 2002
ISBN: 0849308267

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Inhalt: Viele Informationen zur Prozesstechnologie in der MST

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4 Literaturempfehlung
Inhaltsverzeichnis

Vorwort ........................................................................................................................3

Literaturempfehlung .....................................................................................................4

Einführung ...........................................................................................................7

Silizium .............................................................................................................. 11

Piezokeramik ..................................................................................................... 23

Piezoanwendungen ........................................................................................... 33

Fertigungsverfahren .......................................................................................... 41

Rapid Prototyping .............................................................................................. 51

Aktoren .............................................................................................................. 63

Sensoren ........................................................................................................... 73

Glasfasern ......................................................................................................... 93

Mikrotechnische Anwendungen ....................................................................... 101

Stichwortverzeichnis ................................................................................................ 122

Inhaltsverzeichnis 5
 Einführung
Die Inhalte der Vorlesung Mikrotechnische Sensoren/Aktoren gliedern sich in vier große
Themengebiete: die Werkstoffe, die Fertigungstechniken, die Aktoren und die Sensoren.
Die Werkstofftechnik behandelt die Gewinnung, die Verarbeitung und Bearbeitung und die
Eigenschaften der wichtigsten Stoffe in der Mikrosystemtechnik. Dabei wird zu jedem
Werkstoff auf seine Eignung als Konstruktions- und/oder Funktionswerkstoff eingegangen.
Ausführlich wird hierbei mono- und polykristallines Silizium, Piezokeramiken und
Formgedächtnislegierungen besprochen.
Ein wichtiger Aspekt in der Mikrosystemtechnik sind die unterschiedlichen
Fertigungsverfahren. Dies betrifft sowohl deren Eignung für den Einsatz in der Mikrotechnik
als auch die dazu notwendigen Voraussetzungen. Eine zentrale Rolle nimmt hierbei das
anisotrope Ätzen von Silizium ein. Die meisten Fertigungsverfahren stammen aus der
Mikroelektronik. Eine ganze Reihe von Verfahren kommt aber auch aus der Feinwerktechnik
und dem Rapid Prototyping.
Die ganze Palette der physikalischen Effekte wird auf die Einsatzmöglichkeiten in Aktoren
und Sensoren der Mikrosystemtechnik beleuchtet. Vertieft wird dabei der Piezoaktor
besprochen. Am Beispiel des Tintendrucks und der Dosiertechnik werden zudem auf weitere
Aktorprinzipien eingegangen.
Im letzten Kapitel werden dann exemplarisch einige Anwendungsbeispiele und neueste
Trends der Mikrosystemtechnik vorgestellt.

Definitionen
Mechatronik: Ingenieurswissenschaft, die zur Verbesserung der Funktionalität von
technischen Systemen und zur Integration von mechanischen, elektronischen und Daten
verarbeitenden Komponenten verwendet wird.
Nanotechnologie: Verfahren und Prozesse zur Strukturierung von Funktionselementen in der
Größenordnung von Nanometern, bspw. Speicherelemente, die aus wenigen Atomen
bestehen.
Mikrotechnik: Technologie, die die Herstellung miniaturisierter mechanischer, optischer und
elektronischer Komponenten und ihre Integration ermöglichen. Fertigungstechnische Basis
der wichtigsten Verfahren ist die Halbleitertechnologie. Typische Größenordnung der
Auflösung liegt im µm-Bereich.
Mikrosystemtechnik: Integration von nichtelektrischen Funktionen in die Mikroelektronik.
Nach der Definition von der VDE/VDI-Gesellschaft ist die „Mikrosystemtechnik der Überbegriff
für die gemeinsame Verwendung verschiedener, mindestens zweier Basistechnologien. Unter
diesen Basistechnologien haben die folgenden drei – Mikroelektronik, Mikromechanik und
Mikrooptik – einen hohen Reifegrad erreicht, der zu ihrer häufigen Anwendung in einem
Mikrosystem führt“.
Batch-Prozess: Fertigungsprozess, bei dem viele Siliziumscheiben, auf denen sich wiederum
viele Chips befinden, gleichzeitig bearbeitet werden.
Sensoren: Elemente, die physikalische, chemische oder biologische Eingangssignale in
elektrische Ausgangssignale umwandeln.
1. Einführung 7
Aktoren: Aktive Verbindungsglieder zwischen dem informationsverarbeitenden Teil von
elektrischen Steuerungen und technischen oder nichttechnischen Prozessen.
MEMS: Micro Electro Mechanical Systems. Amerikanische Bezeichnung für
Mikrosystemtechnik.

Vorteile der Mikrotechnik

Die Vorteile der Mikrosystemtechnik führen dazu, dass sie auf vielen Gebieten zunehmend
zum Einsatz kommt. Die wichtigsten Vorteile sind:
Kostenreduktion, indem viele Prozessschritte in Batchfertigung ablaufen können, was gerade
bei großen Stückzahlen die Fertigungskosten deutlich senken kann. So finden sich aufwendige
Mikrosysteme etwa häufig in der Kraftfahrzeugtechnik, da hier hohe Stückzahlen gewährleistet
sind. Des Weiteren wird durch die Integration von mehreren Funktionen, etwa Elektronik und
Mechanik, eine kostensenkende Komponentenreduktion erreicht.
Baugrößenreduktion durch die mögliche Miniaturisierung schafft, etwa in der Medizintechnik,
völlig neue Einsatzmöglichkeiten.
Zuverlässigkeitssteigerung durch den Einsatz von Mikrosystemen. Ein Grund ist die
Reduzierung der Komponentenzahl, die immer eine Erhöhung der Zuverlässigkeit bedeutet.
Sinkt die Anzahl der Teile, reduziert sich gleichzeitig auch die Anzahl von fehleranfälligen
Kontakten, Steckern und Kabeln.
Funktionserweiterung bestehender Systeme, durch die Integration von Elektronik und
Mechanik. So lässt sich etwa häufig die Genauigkeit erhöhen oder zusätzliche Funktionen, wie
Selbsttests integrieren.
Autonomie von Systemen, durch geringen Energieverbrauch und integrierte
Signalauswertung.
Reaktionsgeschwindigkeit durch kurze Wege, kleine Massen und geringe thermische
Trägheit.

Produkte
Die Abb. 1 zeigt die Marktanteile (sowohl reelle als auch prognostizierte) von verschiedenen
Produkten aus der Mikrosystemtechnik im Zeitraum von 2017 bis 2023.
Größten Anteil hierbei haben Beschleunigungsaufnehmer. Vor allem die Integration von
immer neuen Komponenten in Smartphones oder auch Tablets (bspw. automatisches
Umschalten von Hochkantbild auf Breitkantbild) sind verantwortlich für diesen großen
Marktanteil. Weitere mögliche Anwendungsfelder sind bspw. bei Festplatten zu finden, um
einen Head Crash zu vermeiden oder in der Automobiltechnik, um Airbags auszulösen.
Drucksensoren haben ebenfalls ein breites Einsatzspektrum und stellen somit die zweit meist
verkauften MEMS Produkte dar. Ihr Einsatz kann bspw. die Detektion von Undichtigkeiten in
pneumatischen Systemen, die Messung von Durchflussmengen oder auch die Messung von
Höhenunterschieden (z. B. Flughöhe) sein.

8 1. Einführung
Abb. 1: Umsatz des MEMS und Sensor Markts von 2017 bis 2023 in Billion USD. (Quelle: Status of the
MEMS Industry 2018 report, Yole Développement, Mai 2018)

Gyroskope werden meist im Automotive Bereich für die Navigation verwendet, sofern kein
GPS Signal vorhanden (Straßentunnel, Parkhaus etc.) ist. Weitere wichtige Anwendung findet
sich bei Flugzeugen, um bspw. den künstlichen Horizont zu zeigen.
Darüber hinaus gibt es weitere wichtige Produkte in der Mikrotechnik.
Schreib-Lese-Köpfe für Festplatten, die neben standardisierten PC Anwendungen auch den
Einzug in portable Abspielgeräte wie Smartphones, Videokameras und DVD Rekorder
gefunden haben.
Tintenstrahldruckköpfe bleiben nach wie vor einer der profitabelsten Märkte der
Mikrosystemtechnik, vor allem durch das verstärkte Ausdrucken digitaler Fotos, das wiederum
durch die steigende Anzahl von Kameratelefonen getrieben worden ist. Stark im Trend lag
auch die Integration von wieder verwendbaren Tintenstrahldruckköpfen in Druckern.
Mikrodisplays, wie der DLP-Chip (Digital Light Processing) von Texas Instruments, haben
einen starken Umsatz durch den steigenden Verkauf bspw. von Heimkinoanlagen in
vorliegendem Zeitraum gefunden.
Gänzlich neue Anwendungen in der Mikrosystemtechnik sind bspw. Flüssiglinsen für
Autofokus und Zoom in Kameratelefonen oder auch miniaturisierte Greifer für die
Medizintechnik.

1. Einführung 9
Branchen
Im Wesentlichen beherrschen drei Hauptfelder den Markt der Mikrosystemtechnik. Dies sind
die Datenverarbeitung, die Automobiltechnik und die Unterhaltungselektronik.
Den größten Anteil verbucht hierbei die Unterhaltungselektronik. Die drei treibenden Kräfte
in der Unterhaltungselektronik sind dabei Smartphones, hochauflösende Flachbildschirme und
Speicherplatz in digitalen Geräten.
Die Automobiltechnik stellt ein großes Anwendungsfeld mit einigen sehr umsatzstarken
Produkten wie bspw. Airbag- oder Reifendrucksensoren, dar. Durch die rapide Entwicklung
von autonomem Fahren und dem immensen Sensorbedarf der Technologie, erhält die
Branche weiteren Aufwind.
Die Datenverarbeitung wird hauptsächlich durch den hohen Bedarf an Schreib-Lese-Köpfen
oder auch Speicherbauelementen (Transistoren, Dioden, Kondensatoren etc.) getrieben.
Ein weiterer, sehr schnell wachsender Markt der Mikrosystemtechnik ist die Medizintechnik;
wobei neben der Medizin im Krankenhaus vor allem Systeme zur Unterstützung von älteren
Personen zunehmend wichtiger werden. Aber auch im Bereich der Drohnen und Roboter,
intelligenten Gebäudetechnik und körpergetragenen Geräten ergeben sich in naher Zukunft
weitere Einsatzfelder von Geräten, die Mikrosysteme nutzen.

10 1. Einführung
 Silizium
Einer der wichtigsten Werkstoffe der Mikrosystemtechnik ist Silizium. Es sind sowohl die
guten mechanischen als auch die elektrischen Eigenschaften dafür verantwortlich. Die
elektrische Leitfähigkeit liegt zwischen der von Metallen und der von Dielektrika (Halbleiter).
Wesentlich ist aber, dass sich durch Dotierung mit Fremdatomen diese um mehrere
Größenordnungen verändern lässt.

Gewinnung

Abb. 2: Gewinnung von polykristallinem Silizium. (Quelle: Wehl)

Zur Herstellung von hochreinem Silizium geht man von Quarzsand (SiO2) aus. Er ist neben
Sauerstoff das am häufigsten vorkommende Element in der Erdkruste (27,5 %), welcher durch
Reduktion mit Kohlenstoff zu elementarem Silizium reagiert. Man erhält das Rohsilizium, auch
als „technisches Silizium“ bezeichnet.

1700 − 2300 K
SiO2 + 2C ⎯⎯⎯⎯⎯ → Si + 2CO
Dieses Rohsilizium ist noch stark verunreinigt und enthält ca. 2 % Fremdstoffe. Daher eignet
es sich noch nicht für die Anwendungen in der Mikrosystemtechnik. Zur Erzielung eines
höheren Reinheitsgrades wird das Rohsilizium durch eine Reaktion mit Salzsäure in das
gasförmige Trichlorsilan (SiHCL3) überführt.

Si + 3HCl ⎯⎯⎯
600 K
→ SiHCl3 + H2
Zur Rückgewinnung des reinen Siliziums erfolgt die Umkehrung des Prozesses. Dabei wird
SiHCL3 in Verbindung mit Wasserstoff in eine Quarzglocke geleitet, in der sich
widerstandsbeheizte Siliziumstäbe befinden (sog. „Seelen“). Unter vermindertem Druck
verdampft das Trichlorsilan und wird unter Einwirkung von thermischer Energie dissoziiert.

SiHCl3 + H2 ⎯⎯⎯
1400 K
→ Si + 3HCl
Nur das hochreine elementare Silizium schlägt sich dabei in polykristalliner Form auf den
Siliziumseelen nieder.

2. Silizium 11
Typen von Festkörpern
Da das bislang gewonnene Silizium als polykristalliner Festkörper vorliegt, wird an dieser
Stelle kurz auf die drei verschiedenen Typen von Festkörpern eingegangen.

Abb. 3: Die drei Typen von Festkörpern: amorph (Links), polykristallin (Mitte) und einkristallin (Rechts).
Amorphe Festkörper sind vielschichtig, weil hierunter alle Festkörper zusammengefasst
werden, die keine regelmäßige Struktur besitzen. Die meisten Gläser sind Vertreter dieser
Gattung. Mit dem Verlust einer makroskopischen Struktur gehen auch viele typische
Eigenschaften eines Kristalls verloren. Beispielsweise sind die meisten amorphen Festkörper
schlechte elektrische Leiter.
Bei polykristallinen Festkörpern handelt es sich um Werkstoffe, die aus vielen kleinen
Einzelkristallen bestehen, die durch Korngrenzen voneinander getrennt werden und
gewissermaßen eine Mischform aus einkristallin und amorph darstellen. Sie bestehen aus
einer Ansammlung von kleinen Einkristallen, die ungeordnet zu einem großen Ganzen verbaut
sind. Sie sind in der Herstellung gegenüber Einkristallen sehr viel günstiger und werden oft in
Solarmodulen verwendet.
Einkristalline Festkörper besitzen eine regelmäßige Anordnung ihrer Bausteine. Die Art der
zugrundeliegenden Struktur ist verantwortlich für viele Eigenschaften eines Festkörpers. In der
Technik werden meistens Einkristalle wegen ihren reproduzierbaren Eigenschaften gegenüber
polykristallinen Festkörpern eingesetzt. Da sie nahezu keine Korngrenzen oder andere
Strukturfehler besitzen, erhöhen sich die mechanische Belastbarkeit und der Wirkungsgrad
des Materials. Dabei haben diese Einkristalle eine einheitliche Ausrichtung der Gitterstruktur.
Da in der Mikrosystemtechnik eine hohe mechanische Belastbarkeit, eine gute elektrische
Leitfähigkeit und ein hoher Wirkungsgrad gefordert werden, sind in ihren Anwendungsfeldern
meistens einkristalline Festkörper im Einsatz.

Kristallstruktur von Silizium

Die Kristallstruktur von Silizium entsteht durch zwei um jeweils ¼ Gitterkonstante verschobene
kubisch flächenzentrierte Gitter mit 0,543 nm (= 5,43 Å) Gitterkonstante bei Raumtemperatur.
Eine Elementarzelle besteht demnach aus 8 Siliziumatomen. Vier davon liegen in der
Elementarzelle, sechs sind auf den Würfelaußenflächen und acht sind auf den Ecken. Die
Grundstruktur ist die tetraedische Bindung, das heißt, jedes Siliziumatom ist von vier Nachbarn
umgeben, die einen regelmäßigen Tetraeder bilden. Nur drei Ecken der Elementarzelle sind
12 2. Silizium
zugleich Ecken von Tetraedern, die in der Elementarzelle liegen. Dadurch entsteht eine
Anisotropie (Richtungsabhängigkeit) des Siliziumkristalls, die man bei nasschemischen
Ätzprozessen nutzen kann.

Abb. 4: Das Kristallgitter von Silizium mit innenliegenden Atomen (rot), Außenflächenatomen (gelb)
und Eckatomen (grau).
Die Atomdichte pro Einheitswürfel berechnet sich somit zu:
• 4 Atome vollständig im Inneren des Würfels ➔ 4 Atome
• 6 halbe Atome auf den Würfelaußenflächen (andere Hälfte zählt zum Nachbarwürfel)
➔ 3 Atome
• 8 achtel Atome an den Ecken (ein Eckatom wird von den 8 angrenzenden Würfeln
geteilt) ➔ 1 Atom
• Anzahl der Atome pro Einheitswürfel ist 4 + 3 + 1 = 8
Damit ergibt sich als Atomdichte bei Silizium:
8 𝐴𝑡𝑜𝑚𝑒 8 𝑎𝑡 22
𝑎𝑡
𝑁𝑉 = = = 5 ∙ 10
𝐸𝑖𝑛ℎ𝑒𝑖𝑡𝑠𝑤ü𝑟𝑓𝑒𝑙 (0,543 ∙ 10−7 𝑐𝑚)3 𝑐𝑚3

Millersche Indizes
Zur Beschreibung der Ebenen, Richtungen und zur Charakterisierung der Wafer benutzt man
die Millerschen Indizes. Schneidet eine Kristallebene in einem Koordinatensystem die x-
Achse in a, die y-Achse in b und die z-Achse in c, so werden die reziproken Achsenabschnitte
(1/a, 1/b, 1/c) mit dem kleinsten gemeinsamen Nenner multipliziert. Das Produkt ergibt die
Millerschen Indizes (h k l) der Ebene. Äquivalente Ebenen (Parallelverschiebung) werden mit
{h k l} bezeichnet. [h k l] beschreibt die spezielle Kristallrichtung (Flächennormale), wo
hingegen <h k l> alle äquivalenten Kristallrichtungen beschreibt. Negative Vorzeichen werden
über oder auch unter den Indizes markiert.

2. Silizium 13
Abb. 5: Visualisierung der wichtigsten Millerschen Indizes.

Der Winkel zweier Ebenen mit den Indizes (h k l) und (h’ k’ l’) ergibt sich im kubischen Gitter
zu:

ℎ ∙ ℎ′ + 𝑘 ∙ 𝑘′ + 𝑙 ∙ 𝑙′
cos(𝛼) =
√ℎ2 + 𝑘 2 + 𝑙 2 ) ∙ (ℎ′2 + 𝑘′2 + 𝑙′2 )

Kristallfehler
Als Kristallfehler (auch Gitterfehler) werden Unregelmäßigkeiten in einem sonst periodischen
Kristallgitter bezeichnet. Sie sind von grundlegender Bedeutung für viele Eigenschaften eines
Kristalls, wie seine chemische Reaktivität, Stofftransport und Diffusion im Kristall sowie für
seine mechanischen Eigenschaften. Prinzipiell lassen sich diese statischen Fehler in vier
Kategorien unterteilen.

Abb. 6: Nulldimensionale Kristallfehler.

Nulldimensionale Kristallfehler sind im Allgemeinen Fehlstellen von Atomen im Kristallgitter.
Kennzeichnend für diese Einzelfehlstellen ist, dass sie in allen drei Dimensionen nur eine
atomare Ausdehnung aufweisen. Der Unterschied zu den anderen Gitterfehlern ist nicht nur
die Ausdehnung, sondern auch ihr Auftreten im thermodynamischen Gleichgewicht. Ihre
Häufigkeit ist am absoluten Temperaturnullpunkt nahe Null und nimmt mit steigender
Temperatur exponentiell zu.

14 2. Silizium
Abb. 7: Eindimensionale Kristallfehler.
Eindimensionale Kristallfehler sind linienförmig gestörte Gitterbereiche wie bspw.
Versetzungen. Sie entstehen an den Stellen im Kristall, an denen Ebenen aufeinandertreffen.
Diesen Fehler kann man sich als zusätzlich eingeschobene Atomlage im Kristall vorstellen.
Die entstehende Begrenzungslinie nennt man Stufenversetzung. Falls die
Begrenzungsflächen nicht senkrecht, sondern parallel zueinander um eine Atomlage
verschoben werden, spricht man von einer Schraubenversetzung. Meistens treten beide
Versetzungsarten gemeinsam auf.

Abb. 8: Zweidimensionale Kristallfehler.

Zweidimensionale Kristallfehler liegen vor, wenn benachbarte Kristallbereiche
unterschiedliche Orientierungen aufweisen. Die Berührungsebenen zwischen den Kristalliten
werden Korngrenzen genannt und sind durch starke Störungen der Bindungen benachbarter
Atome gekennzeichnet.

Abb. 9: Dreidimensionale Kristallfehler.

2. Silizium 15
Dreidimensionale Kristallfehler sind kleinste Körper mit anderer Struktur als der
„Wirtskristall“ selbst. Sie bleiben entweder als Verunreinigung beim Schmelzvorgang zurück
oder werden gewollt zur Eigenschaftsänderung des Kristalls (bspw. Verfestigung) eingebaut.
Auch Lufteinschlüsse, so genannte Lunker stellen dreidimensionale Kristallfehler dar.

Einkristallherstellung
Da in der Mikrosystemtechnik eine hohe mechanische Belastbarkeit, eine gute elektrische
Leitfähigkeit und ein hoher Wirkungsgrad gefordert werden, sind in ihren Anwendungsfeldern
meistens einkristalline Festkörper im Einsatz.
Für die Herstellung der einkristallinen Festkörper aus den polykristallinen Festkörpern gibt es
zwei Verfahren:
• Tiegelziehverfahren (Czrochalski-Verfahren)
• Zonenziehverfahren (Float-Zone-Verfahren)

Tiegelziehverfahren
Das von Czrochalski erfundene Tiegelziehverfahren aus dem Jahr 1918, basiert auf dem
Ziehen von einkristallinen Halbleiterstäben aus der Schmelze.
Das polykristalline Silizium wird in einem Tiegel unter Schutzgas-Atmosphäre durch eine
Hochfrequenzheizung zunächst aufgeschmolzen und bis auf ca. 1440 °C weiter erhitzt, um
mögliche Kristallisationskeime zu zerstören. Zur Vermeidung von Verunreinigungen besteht
der drehbare Tiegel aus hochreinem Quarz (aus Halterungsgründen ist dieser meist von einem
Graphittiegel umgeben). Die Temperatur wird anschließend oberhalb des Schmelzpunktes bei
etwa 1425 °C gehalten. An einem drehbar gelagerten Stab (< 1 U/sec), der von oben bis an
die Oberfläche der Schmelze herangeführt wird, befindet sich ein Impfkristall.

Abb. 10: Prozessschema des Tiegelziehverfahrens (Links) und ein fertiger Einkristall (Rechts).
Impfkristalle dienen als Kristallisationskeime, an denen sich das Silizium aus der Schmelze
abscheidet und sich an die vorgegebene Kristallorientierung des Impfkristalls „anbaut“. Dieser
Vorgang wird als „Animpfen“ bezeichnet.

16 2. Silizium
Da die Tiegeltemperatur nur wenig über dem Schmelzpunkt des Materials liegt, wird die
Schmelze am Ort des eingetauchten Keims unterkühlt. Der Keim beginnt zu wachsen, wobei
das sich anlagernde Silizium die Kristallorientierung des Keims übernimmt. Der so
entstehende Stab bewegt sich nun unter ständigem Drehen langsam nach oben, ohne dass
der Kontakt mit der Schmelze unterbrochen wird. So entsteht ein stabförmiger Einkristall,
dessen Durchmesser wesentlich durch die Ziehgeschwindigkeit (einige cm/h) bestimmt wird.
Ist der Enddurchmesser (max. 300 mm) erreicht, wird nur noch die Länge vergrößert. Dabei
sind Längen bis zu 2,5 m möglich. Durchmesser von 450 mm waren bereits in der Entwicklung,
haben sich bisher aber aufgrund der umfangreichen notwendigen Infrastrukturänderungen in
der Waferbearbeitung nicht durchgesetzt.
Durch Hinzufügen von Dotierstoffen und gezielter Temperatureinstellung ist eine Modifikation
der physikalischen Halbleitereigenschaften an dieser Stelle möglich.

Zonenschmelzverfahren
Beim Tiegelziehverfahren lösen sich die Elemente aus dem Tiegel (hauptsächlich Bor,
Kohlenstoff und Sauerstoff) in der Schmelze. Für viele Anwendungen ist daher der Grad der
Verunreinigung zu hoch. Für einige Spezialanwendungen (Forschung, Leistungstransistoren
etc.) sind noch reinere Einkristalle nötig.
Das Zonenschmelzverfahren ist eine Möglichkeit zur Herstellung extrem reiner Einkristalle.
Hierbei wird der polykristalline Siliziumstab, beginnend an einem Impfkristall, langsam durch
eine Hochfrequenzspule gezogen. Die Schmelzzone „wandert“ somit den Stab entlang. Da der
Einbau von Verunreinigungen in dem Kristall energetisch ungünstig ist, reichern sich
Verunreinigungen in der Schmelze an. Wird der Siliziumstab im Vakuum oder unter
Schutzgasatmosphäre bewegt, liegen die Verunreinigungen abschließend unter 1 ppb (1
Fremdatom auf 1 Mrd. Si-Atome).

Abb. 11: Prozessschema des Zonenschmelzverfahrens (Links), die Schmelzzone (Rechts oben) und
eine Ziehanlage (Rechts unten).

2. Silizium 17
In der Praxis wird dieses Verfahren aber nur bis Scheibendurchmesser von etwa 150 mm
angewendet. Bei dickeren polykristallinen Siliziumstäben aus dem Trichlorsilan-Reaktor treten
Risse im polykristallinen Gefüge auf. Diese führen in der Induktionsspule zu Durchschlägen
im Kristall, wobei sich Versetzungen bilden und den Stab unbrauchbar machen.
Eine anwendungsspezifische Modifikation mit Dotierstoffen ist durch Zugabe von gasförmigen
Verbindungen möglich.

Waferherstellung
Um aus den gewonnen Einkristallen Siliziumwafer herzustellen, werden unabhängig vom
vorausgegangenem Einkristallherstellungsverfahren folgende Schritte durchlaufen.

Abb. 12: Funktionsweise und Aufbau der Multidrahtsäge (Links) und der Innenlochsäge (Rechts).
(Quelle: Wehl)
1. Der Einkristall wird mithilfe einer Innenlochsäge in ca. 30 cm lange Stücke geschnitten.
2. Der resultierende Siliziumzylinder wird auf seinen Solldurchmesser geschliffen und die
Kristallorientierung mit einem Flat gekennzeichnet. Hierbei wird der Zylinder parallel
zur gewünschten Kristallebene abgeflacht.
3. Mithilfe der Innenlochsäge oder einer Multidrahtsäge wird der Stab in einzelne Wafer
zersägt. Die Innenlochsäge produziert dank des sehr stabilen Sägeblatts sehr ebene
Wafer, ist durch die Dicke des Blattes allerdings mit Materialverlust behaftet und
erzeugt nur einen Wafer pro Schnitt. Die Multidrahtsäge ermöglicht die simultane
Vereinzelung mehrerer Wafer, die aber unebener sind.
4. Mit diamantbesetzten Scheiben werden die Wafer grob auf die gewünschte Dicke
geschliffen.
5. Ein konkaver Diamantfräser verrundet die Kanten für höhere Robustheit und bessere
Handhabung im folgenden Lithographieprozess.
6. Jeder Wafer wird per Lasergravur nummeriert.
7. Die Wafer werden von beiden Seiten auf eine definierte Dicke und Parallelität geläppt.
8. Zuletzt werden die Wafer nasschemisch gereinigt, chemisch mechanisch poliert (CMP)
und eventuell benötigte Schichten, wie Opfer-, oder Maskierungsschichten, werden
abgeschieden.

18 2. Silizium
Isotropes Ätzen
Beim isotropen Ätzen von Silizium ist die Ätzlösung aus HF/HNO3 (Fluorwasserstoff und
Salpetersäure) so stark, dass die unterschiedlichen Bindungsenergien der Siliziumatome im
Kristall je nach Richtung keine Rolle spielen. Folglich läuft der Prozess isotrop
(richtungsunabhängig) ab. Im Ergebnis bedeutet dies, dass sowohl der vertikale als auch der
horizontale Abtrag gleich sind.

Abb. 13: Das Ätzdreieck für Silizium. (Quelle: Wehl)

Wie das Ätzdreieck zeigt, fördern hohe HF:HNO3 Verhältnisse das ätzratenlimitierte Ätzen von
Silizium mit stark temperaturabhängiger Ätzrate. Kleine HF:HNO3 Verhältnisse fördern
diffusionslimitierte Ätzen geringer Temperatur-abhängigkeit. HNO3 freie Ätzen greifen Silizium
überhaupt nicht an.
𝑎𝑏𝑔𝑒𝑡𝑟𝑎𝑔𝑒𝑛𝑒 𝑆𝑐ℎ𝑖𝑐ℎ𝑡𝑑𝑖𝑐𝑘𝑒
Ätzrate =
Ä𝑡𝑧𝑧𝑒𝑖𝑡
Isotrope Ätzlösungen werden meistens beim Ätzen von Maskierungsschichten wie
Siliziumdioxid bzw. -nitrid oder von Opferschichten verwendet. Ein weiterer Einsatzbereich
findet sich in der Volumenmikromechanik wieder, indem bspw. Ecken in Mikrokanälen durch
isotropes Ätzen für die Mikrofluidik abgerundet werden.
Die Ausstattung, die für diesen Ätzprozess benötigt wird, ist vergleichsweise sehr einfach. Es
reicht ein Ätzbad, ein Waferhalter und die Ätzlösung. Allerdings ist auf Grund der aggressiven
Ätzlösung aus HF/HNO3 auf umfassende Sicherheitsvorkehrungen zu achten.

2. Silizium 19
Anisotropes Ätzen
Stark alkalische Medien (pH > 12) wie wässrige KOH-Laugen ätzen kristallines Silizium über
die Summenformel

Si + 4OH- ⎯
⎯→ Si(OH)4 + 4e-
Da die Si-Atome der verschiedenen Kristallebenen für Ätzreaktionen unterschiedliche
Aktivierungsenergien aufweisen und das KOH-Ätzen von Silizium nicht diffusions- sondern
ätzratenlimitiert ist, erfolgt der Ätzvorgang anisotrop (richtungsabhängig). Es werden hierbei
die {100} Ebenen schneller als die {110} und {111} Ebenen geätzt. Die Erklärung hierzu liegt
an der unterschiedlichen Anzahl der Bindungen, mit denen die Siliziumatome an der
Oberfläche an den Kristall gebunden sind. Atome in {100} Oberflächen weisen zwei freie
Bindungen auf. Im Gegensatz dazu verfügen Atome in {111} Oberflächen nur über eine einzige
freie Bindung. Dies bedeutet, dass die Ätzlösung zwei bzw. drei Bindungen aufbrechen muss,
woraus die niedrigere Ätzrate von {111} Oberflächen zurück zu führen ist. Aber auch die
Flächendichte der Siliziumatome ist für {111} Ebenen höher als für alle anderen Ebenen. Diese
Anisotropie hat beim Ätzen unterschiedlich orientierter Siliziumwafer folgende Auswirkungen:
• <111> orientierte Si-Wafer werden kaum angegriffen
• <100> orientierte Wafer bilden Pyramiden mit quadratischer Grundfläche und {111}
Ebenen als Mantelflächen
• <110> orientierte Wafer bilden rechtwinklige Gräben mit {111} Ebenen als Flanken

Abb. 14: Bindungsanzahl der verschiedenen Kristallebenen in Silizium.

𝑈𝑛𝑡𝑒𝑟ä𝑡𝑧𝑢𝑛𝑔 𝑑𝑒𝑟 𝑀𝑎𝑠𝑘𝑒
Anisotropiegrad = 1 −
𝑆𝑢𝑏𝑠𝑡𝑟𝑎𝑡𝑡𝑖𝑒𝑓𝑒
Ä𝑡𝑧𝑟𝑎𝑡𝑒 𝑀𝑎𝑡𝑒𝑟𝑖𝑎𝑙 1
Selektivität =
Ä𝑡𝑧𝑟𝑎𝑡𝑒 𝑀𝑎𝑡𝑒𝑟𝑖𝑎𝑙 2

20 2. Silizium
Ätzstoppverfahren
Nasschemische Ätzprozesse sind generell in Bezug auf Reproduzierbarkeit sehr schwer zu
prozessieren. Kleinste Veränderungen an Konzentration oder auch Temperatur führen zu
Unregelmäßigkeiten im Endergebnis. Um dennoch einen definierten Tiefenabtrag zu erlangen,
werden verschiedene Ätzstoppverfahren verwendet.
Die beiden einfachsten Ätzstopps stellen die Anisotropie und der Zeitabbruch dar. Die
Anisotropie wird dadurch bestimmt, dass die Ätzrate an Ätzstoppebenen (bspw. {111} Ebene)
automatisch reduziert wird. Bei einem Zeitabbruch werden dagegen die genaue Kenntnis von
Ätzrate, Konzentration, Temperatur u.v.m. benötigt.
Eine weitere einfach realisierbare Technik stellt der natürlich selektive Ätzstopp an
dielektrischen Schichten wie Siliziumdioxid oder -nitrid dar. An diesen Stellen weist die
Kalilauge auch Ätzeigenschaften auf; jedoch mit der hohen Selektivität zwischen Silizium und
Dielektrika, nur gering.

Abb. 15: Zwei Beispiele für Ätzstoppverfahren: Ätzstoppschichten (Links) und der elektrochemische
Ätzstopp (Rechts).
Eine andere Möglichkeit eines Ätzstopps sind hochdotierte p++-Siliziumschichten, an denen
die Ätzrate signifikant abfällt. Allerdings ist diese Art mit Nachteilen verbunden. Durch die hohe
Dotierkonzentration von mehr als 1000 ppm (1000 Fremdatome auf 1 Mil. Si-Atome) und den
kleineren Durchmesser des Boratoms schrumpft die Mikrostruktur. Es kann somit zu
mechanischen Spannungen kommen. Weiterer Nachteil sind die hohen Kosten des
Implantationsprozesses.
Der letztmögliche Ätzstopp ist der elektrochemische. Auf einem n-Silizium befindet sich die
zu ätzende Schicht, die niedrig p-dotiert ist, so dass das p-Silizium gerade noch geätzt wird.
Mit einer elektrischen Kontaktierung ist der pn-Übergang in Sperrrichtung gepolt; es kann nur
ein sehr kleiner Sperrstrom fließen. Dieser dient zur Kontrolle der Ätzung. Eine ätzresistente
Platinelektrode liefert die Elektronen, die über die KOH-Moleküle zum pn-Übergang geleitet
werden. Die KOH-Lösung ätzt erst das p-Silizium. Beim Erreichen der n-Schicht fehlt dem pn-
Übergang das p-Silizium, aus dem sperrenden Übergang ist jetzt ein n-Widerstand geworden.
Der Strom durch den Widerstand steigt stark an. Dieser Stromanstieg wird gemessen und die
Ätzung kann gestoppt werden. Die Nachteile dieser Technik liegen in der Einzelkontaktierung
der Wafer, was im Ergebnis zu keiner Batchfertigung führt.

2. Silizium 21
Angriff an konvexen Ecken
Wie aus dem vorherigen Abschnitt zu erkennen ist, werden beim anisotropen Ätzen von
Siliziumwafern die erforderlichen Maskierungsschichten unterätzt. Allerdings gibt es nach
Form der Ecken Unterschiede:
• Konkave Ecken werden solange unterätzt, bis die Ätzlösung so viel Material
abgetragen hat, dass sie an einer Ätzstoppschicht – {111} Ebene – endet.
• Konvexe Ecken, wie sie in obiger Folie gekennzeichnet sind, werden bei
ausreichender Ätzzeit vollständig unterätzt und verändern hiermit die gewünschte
Form. Zu erklären ist dies, dass in einer konvexen Ecke, kristallografisch betrachtet,
alle Ebenenorientierungen für den Angriff der Ätze zur Verfügung stehen.
Durch die Einführung von Kompensationsstrukturen wird das Unterätzen von konvexen Ecken
deutlich verzögert. Diese sind dabei so berechnet, dass die erhöhte Ätzrate genau dann die
gewünschte Ecke erreicht, wenn die Hauptstruktur den Boden erreicht.

Abb. 16: Visualisierung des Ätzangriffs an konvexen Ecken.

Der Nachteil liegt aber hierbei bei einem höheren Platzbedarf und bei ihrer Formgebung, die
typischer Weise nach dem „Trial and Error“ Prinzip verläuft oder das Ätzsimulationsprogramme
für die Kompensation benutzt werden müssen (Beispiel: [Link]

22 2. Silizium
 Piezokeramik
Piezokeramiken sind Funktionswerkstoffe, die sich aufgrund des Piezoelektrischen Effekts für
viele Anwendungen in der Mikrotechnik eignen.

Piezoelektrischer Effekt
Der piezoelektrische Effekt beschreibt die Änderung der elektrischen Polarisation und somit
das Auftreten einer elektrischen Spannung an Festkörpern, wenn diese elastisch verformt
werden. Umgekehrt verformen sich bestimmte Materialien beim Anlegen einer elektrischen
Spannung.

Abb. 17: Die zwei Ausprägungen des Piezoeffekts für Sensoren und Aktoren.
Der direkte piezoelektrische Effekt ist im Jahr 1880 von den Brüdern Jacques und Pierre
Curie entdeckt worden. Bei Versuchen mit Turmalinkristallen fanden sie heraus, dass sich bei
einer mechanischen Verformung der Kristalle elektrische Ladungen bilden. Diese
entstandenen Ladungen können dann in Form einer elektrischen Spannung abgegriffen
werden. Das Auftreten der elektrischen Spannung eignet sich besonders gut für
Sensoranwendungen, wie Druck-, Beschleunigungs- und Kraftsensoren.
Beim reziproken piezoelektrischen Effekt führt eine angelegte Spannung am Kristall zu
einer Verformung, die für Aktoranwendungen verwendet wird.
Natürliche Piezoelektrika sind Einkristalle wie bspw. Quarze oder Turmalin. Bei diesen ist der
Effekt jedoch sehr gering. Für technische Anwendungen werden deswegen ferroelektrische,
polykristalline Keramiken bevorzugt, deren Zusammensetzung allgemein durch die Perowskit-
Formel beschrieben wird.

A 2+ zweiwertiges Kation ( Pb 2+ , Mg 2+ ,…)

A2+ B 4+ O32− B 4+ vierwertiges Kation ( Zr 4+ , Sn 4+ ,…)

O32− zweiwertiges Sauerstoffanion

Technisch bedeutsame Verbindungen setzen sich aus den o.g. Elementen zusammen, wie
bspw. Bleizirkonattitanat (PZT), das aus Bleizirkonat (PbZrO3) und Bleititanat (PbTiO3)
gesintert wird. Diese Keramik zeichnet sich besonders durch hohe Piezomodule aus.

3. Piezokeramik 23
Anschaulich kann der piezoelektrische Effekt durch die mechanisch induzierte
Polarisationsänderung in Quarz (SiO2) demonstriert werden. Zwischen Silizium und
Sauerstoff besteht eine Ionenbindung mit O--Anionen und Si+-Kationen. Durch die Deformation
der Gitterstruktur werden die Anionen bzw. Kationen verschoben, so dass an der
Kristalloberfläche eine positive bzw. negative Ladungsdichte entsteht. Dies tritt aber nur bei
entsprechender Anisotropie der Kristallstruktur auf, bei der sich auch die
Ladungsschwerpunkte der positiven und der negativen Ionen gegeneinander verschieben.

Abb. 18: Visualisierung der Ladungstrennung, die den Piezoeffekt hervorruft.

Grundsätzlich ist der piezoelektrische Effekt nur in Kristallklassen ohne Punktsymmetrie und
mit Ionenbindung zu beobachten. Bei einigen polykristallinen Werkstoffen (Keramiken) kann
man den Effekt durch Polarisierung in einem starken E-Feld bei erhöhten Temperaturen
erzeugen.
Generell wird der Piezoeffekt in drei Gruppen unterteilt:
Longitudinaler Piezoeffekt Angelegte mechanische Spannung bzw. erzeugte
(„längs“): Dehnung sind parallel zur erzeugten elektrischen
Verschiebung bzw. angelegten elektrischen
Spannung.
Transversaler Piezoeffekt („quer“): Angelegte mechanische Spannung bzw. erzeugte
Dehnung sind quer zur erzeugten elektrischen
Verschiebung bzw. angelegten elektrischen
Spannung.
Scher-Piezoeffekt: Angelegte mechanische Spannung bzw. erzeugte
Dehnung stehen geschert zur erzeugten
elektrischen Verschiebung bzw. angelegten
elektrischen Spannung.

Wie bereits erwähnt, gibt es Einkristalle, die ursprünglich Piezoelektrizität aufweisen.

Allerdings ist hier der Effekt so gering, dass man zu Keramiken greift. Diese müssen allerdings
zuvor noch polarisiert werden.
Generell bestehen diese Keramiken aus einer Vielzahl kleiner Kristallite, die bereits eine
Polarisation aufweisen, welche sich aber in ihrer Wirkung nach außen hin aufhebt. Die
Richtung der jeweiligen Einzelpolarisierung hängt von der Lage des zentralen Ions ab, das bei
Raumtemperatur nicht im Symmetriezentrum des Kristalls Platz findet und in eine der sechs
Raumrichtungen ausweicht. Dadurch wird der Kristall verzerrt und mit einer Polarisierung

24 3. Piezokeramik
versehen. Oberhalb einer bestimmten Temperatur, der Curie-Temperatur1, weist das Gitter ein
hohes Maß an Symmetrie auf, da das zentrale Ion nun im Zentrum des Kristalls Platz findet.

Abb. 19: Die Position des Zentralatoms in Abhängigkeit von der Temperatur (Links) und die Auswirkung
der Polarisation auf die Ausrichtung der Kristallite (Rechts).
Kühlt man die Keramik unter Anlegen eines elektrischen Feldes ab, kann der sonst statistisch
verteilte Prozess so beeinflusst werden, dass die Zentralionen der Polarisationsspannung am
nächsten liegender Raumrichtung ausweichen.
Nach dem Abkühlen der Keramik und dem Abschalten des Feldes bleibt diese Orientierung
erhalten.
Diese Orientierung kann durch folgende Maßnahmen verloren gehen:
• Angelegtes starkes Gegenfeld
• Starke mechanische Belastung
• Erwärmung auf die Curie-Temperatur

Abb. 20: Veranschaulichung des reziproken und des direkten Piezoeffekts, sowie das
Koordinatensystem des Piezomoduls (Mitte).

1
Die Curietemperatur ist die Temperatur, bei der ferromagnetische Materialien ihr Dauermagnetfeld verlieren.
Beim Erhöhen der Temperatur sorgt die Temperaturbewegung für einen gleichmäßigen Durchbruch der Spin-
Anordnung. Bei der Curietemperatur verschwindet die Ordnung, weil die thermische Energie größer als die
Energie der magnetischen Wechselwirkung geworden ist.

3. Piezokeramik 25
Die folgenden Formeln beschreiben die wichtigsten piezoelektrischen Zusammenhänge
zwischen resultierender Dehnung Δl, angelegter elektrischer Spannung U und wirkender Kraft
F. Weitere eingehende Größen sind die Länge des Piezos l, sein E-Modul E, die
Querschnittsfläche A, der Elektrodenabstand d, die Dielektrizitätskonstante ε und das
Piezomodul dij. Die Indizes des Piezomoduls entsprechen der Richtung des elektrischen Felds
(i) und der mechanischen Spannung (j), wobei die Nummerierung dem abgebildeten
Koordinatensystem zu entnehmen ist. Die wichtigsten Piezomodule sind d33 für den
Längseffekt, d31 für den Quereffekt und d15 für den Schereffekt.
Mechanische Dehnung:
∆𝑙 1 𝐹 𝑈
= ∙ + 𝑑𝑖𝑗 ∙
𝑙 𝐸 𝐴 𝑑
Elektrische Verschiebungsdichte
𝑄 𝐹 𝑈
= 𝑑𝑖𝑗 ∙ + 𝜀 ∙
𝐴 𝐴 𝑑

Hieraus lassen sich die meisten Kenngrößen bezüglich Piezoelektrizität berechnen:

Erzeugte Dehnung ohne Gegenkraft
∆𝑙 𝑈
bzw. bei nicht eingespanntem Piezo = 𝑑𝑖𝑗 ∙
𝑙 𝑑
mit angelegter Spannung: 𝐹 = 0

∆𝑙 1 𝐹 𝐴 𝐴
Steifigkeit des Piezoaktors: 𝑈 = 0 = ∙ ⟹ 𝐹 = ∆𝑙 ∙ ∙ 𝐸 = ∆𝑙 ∙ 𝑐 ⟹ 𝑐 = ∙ 𝐸
𝑙 𝐸 𝐴 𝑙 𝑙

Erzeugte elektrische Spannung bei

𝑄 𝐹 𝑈 𝑑𝑖𝑗 ∙ 𝐹
mechanischer Deformation des = 𝑑𝑖𝑗 ∙ + 𝜀 ∙ ⟹ 𝑈=
𝐴 𝐴 𝑑 𝐶
Piezos: 𝑄 = 𝐶 ∙ 𝑈

Piezowandler
Der Längseffekt und der Quereffekt treten immer gemeinsam auf. Der Längseffekt verursacht
den Quereffekt durch die normale Querkontraktion. Mit dem Längseffekt erzielt man
Längenänderungen von ~ 2 ‰, mit dem Quereffekt von ~1 ‰.
Lange dünne Wandler mit den Elektroden auf den Flachseiten ermöglichen durch Nutzung des
Quereffekts große Feldstärken bei kleinen Spannungen (vgl. E = U/d) mit großen wirksamen
Längen (Längsschwinger - Quereffekt).
Um beim Längseffekt mit kleinen Spannungen auszukommen, muss man die Keramik stapeln
und Elektroden zwischen den einzelnen Schichten einbringen. Das bedeutet, dass man bei
gleicher Spannung mit vielen einzelnen Piezos (kleine Elektrodenabstände – Gefahr des
Durchschlags bei hohen Spannungen) einen viel größeren Hub erreicht, da sich die einzelnen
Hübe aufsummieren; im Gegensatz zu einem gleich großen einzelnen Piezoaktor (großer
Elektrodenabstand).

26 3. Piezokeramik
Abb. 21: Verschiedene Bauformen von Piezowandlern.
Verklebt man einen dünnen Wandler mit einem zweiten und steuert einen oder beide Wandler
an (mit unterschiedlicher Polarisierung oder Spannung), so erhält man einen Biegewandler.
Grundlage ist dabei der Bimetalleffekt.
Verklebt man eine Piezoscheibe mit einer Membran, so wölbt sich die Membran, wenn die
Piezoscheibe dicker wird und dabei in radialer Richtung schrumpft.
Piezoröhrchen mit Elektroden an der inneren und äußeren Mantelfläche vergrößern ihre
Wandstärke, wenn man ein Feld in Polarisationsrichtung anlegt. Zugleich werden sie kürzer
und der mittlere Umfang verringert sich. Nachdem sich am Außenradius beide Effekte
überlagern, kann man die Röhrchen so dimensionieren, dass sich beide Effekte aufheben und
der Außenradius konstant bleibt.
Scherwandler benötigen zum Polarisieren eine andere Richtung als beim Betrieb. Deshalb
müssen die Elektroden mit denen polarisiert wird, wieder entfernt werden und zum Ansteuern
neue Elektroden normal zu den ersten angebracht werden. Ein Nachpolarisieren im Betrieb ist
deshalb nicht möglich.

Piezoelektischer Stoßantrieb
Der Wirkungsgrad ist definiert als das Verhältnis von Nutzen zu Aufwand. Am Beispiel eines
piezoelektrischen Stoßantriebs soll der Wirkungsgrad eines Wandlers bestimmt werden.
Der Aufwand ist die elektrische Energie, die an den Anschlussklemmen der Elektroden der
Keramik eingespeist wird.
Als Nutzen wird die mechanische Energie definiert, die als kinetische Energie beim Stoß von
der Keramik an eine Masse abgegeben wird.

3. Piezokeramik 27
Abb. 22: Ein Piezoelektrischer Stoßantrieb zur experimentellen Ermittlung des Wirkungsgrads.
Die Keramik ist als Piezostapelaktor ausgelegt, der an einem Ende fest eingespannt ist. Am
anderen Ende befindet sich eine Kugel, die lose am freien Ende der Keramik anliegt. Die
Keramik lässt sich wie ein Kondensator aufladen. Das elektrische Feld sorgt für eine
mechanische Spannung in der Keramik, die sich durch Dimensionsänderungen wieder
ausgleicht. Da die Keramik an einem Ende eingespannt ist und nur das andere Ende frei ist,
beginnt der Ausgleichsvorgang am freien Ende und läuft als Verdünnungswelle zur
Einspannstelle, um von dort reflektiert zu werden. Vom eingespannten Ende kehrt sie dann
als Verdickungswelle zurück und so fort. Wäre die Kugel nicht vorhanden, dann würde das
freie Ende zufolge der Querkontraktion eine reine Dreieckschwingung ausführen.
Die Kugel wird vom freien Ende beschleunigt. Die dabei abgegebene Energie lässt sich leicht
bestimmen, wenn man die Kugel als Pendel aufhängt, die Masse der Kugel kennt und die
Steighöhe bestimmt, bei der im Umkehrpunkt die kinetische Energie in potentielle Energie
umgesetzt ist.
Der Versuchsaufbau kann auch zur Demonstration des „Aktor-Sensor-Prinzips“ benutzt
werden. Fällt die Kugel nach dem Erreichen der maximalen Steighöhe wieder auf dem
Piezoaktor zurück, so kann die dadurch in der Keramik erzeugte Verdickungswelle durch ein
entsprechendes Spannungssignal sensiert werden. Wartet man die Zeit ab, bis die Welle an
der Einspannstelle angekommen ist, kann der dann homogene Spannungszustand durch
Anlegen einer elektrischen Spannung „herausgenommen“ werden. Nach außen hin macht sich
das dadurch bemerkbar, dass die auftreffende Kugel am Ende der Keramik liegen bleibt und
nicht zurückprallt.

Wirkungsgrad
Die elektrische Energie Wel, die zum Umladen der Keramik nötig ist, lässt sich ermitteln, indem
man Strom und Spannung beim Umladen aufzeichnet und den Wirkanteil errechnet. Auch aus
der Kapazität C der Keramik und der Spannungsdifferenz ∆U kann man die aufgenommene
Energie berechnen.
1
𝑊𝑒𝑙 = ∙ 𝐶 ∙ 𝑈2
2

28 3. Piezokeramik
Die mechanische Energie Wm, die von der Kugel aufgenommen wird, ergibt sich aus der
Kugelmasse m, der Erdbeschleunigung g und der Steighöhe h.
𝑊𝑚 = 𝑚 ∙ 𝑔 ∙ ℎ
Die gemessene Steighöhe ist von der Kugelmasse abhängig. Die Höhe h ist umso größer je
kleiner die Kugelmasse m ist. Das Produkt der beiden steigt mit zunehmender Kugelmasse
zunächst an, erreicht ein flaches Maximum, um dann langsam wieder abzufallen. Im gezeigten
Beispiel wird das Maximum von Wm bei einer Kugelmasse von 3,5 g erreicht. Damit lässt sich
der Wirkungsgrad η bestimmen.
𝑊𝑚
𝜂=
𝑊𝑒𝑙

Abb. 23: Einfluss der Kugelmasse auf die Parameter des Experiments..
Da die aufgenommene elektrische Energie von der Kugelmasse unabhängig ist, erreicht auch
der Wirkungsgrad η bei der Kugelmasse von 3,5 g seinen Maximalwert von etwa 12 %.
Der Wirkungsgrad ist also von der Anpassung der Last an den Wandler abhängig. Das gilt
natürlich nicht nur für den Stoßantrieb, sondern allgemein für elektromechanische Wandler.
Generell besitzen Piezokeramiken einen Wirkungsgrad von 12-15%.

3. Piezokeramik 29
Arbeitsdiagramm
Arbeitsdiagramme von Piezokeramiken zeigen die Beziehung zwischen Verformung und
Kraft in Abhängigkeit des elektrischen Feldes (bzw. elektrischer Spannung) auf. Zusätzlich
sind Steifigkeiten zweier Einspannungen, eingezeichnet.

Abb. 24: Drei Arbeitsdiagramme eines Piezoaktors bei verschiedenen angelegten Spannungen.
Für die markierten Arbeitspunkte kann folgende Aussage getroffen werden: „Bei einer
Steifigkeit von 200 N/µm kann der Piezo bei einer Betriebsspannung von 333 V eine Kraft von
1.000 N mit 5 µm Längenänderung erreichen“. In obiger Abbildung sind für einen Piezoaktor
drei Arbeitsdiagramme bei verschiedenen angelegten Spannungen zu sehen. Die
Ordinatenschnittpunkte zeigen die unbehinderte, freie aktuatorische Verformung (𝐹 = 0) nach
folgender Formel:
𝑈
∆𝑙 = 𝑙 ∙ 𝑑𝑖𝑗 ∙
𝑑
Die Abszissenschnittpunkte zeigen die maximal erzielbare Kraft des Piezos bei „unendlich
steifer“ Einspannung (∆𝑙 = 0) nach folgender Formel:
𝑈
𝐹 = − 𝑑𝑖𝑗 ∙ ∙𝐴∙𝐸
𝑑
In vielen technischen Anwendungen wird als Arbeitsdiagramm nur eine Kurve bei einem
gewissen Spannungswert vorgegeben. Oft ist es wichtig zu wissen, wie viel Spannung
angelegt werden muss, um eine benötigte Kraft oder Auslenkung zu erreichen. Dies berechnet
sich nach folgender Beziehung:
𝐹𝑏𝑒𝑘𝑎𝑛𝑛𝑡 𝑈𝑏𝑒𝑘𝑎𝑛𝑛𝑡 ∆𝑙𝑏𝑒𝑘𝑎𝑛𝑛𝑡
= =
𝐹𝑔𝑒𝑠𝑢𝑐ℎ𝑡 𝑈𝑔𝑒𝑠𝑢𝑐ℎ𝑡 ∆𝑙𝑔𝑒𝑠𝑢𝑐ℎ𝑡

30 3. Piezokeramik
Hystereseverhalten
Wie bereits erwähnt, erhält eine ferroelektrische Piezokeramik erst durch einen Polarisations-
prozess ihre piezoelektrischen Eigenschaften.
Um die elektrische Hysteresekurve zu erklären, wird im Ursprung (1) begonnen, einem
neutralen Punkt auf der Neukurve, in dem die Dipolmomente der einzelnen Domänen
ausgeglichen sind. Die Dipolmomente besitzen im Ursprung die Möglichkeit, sich in alle sechs
Richtungen in der Perowskit-Einheitszelle auszurichten.
Durch Anlegen eines elektrischen Feldes richten sich die Domänen bis zu einer
Sättigungspolarisation (2) in Richtung des elektrischen Feldes aus. Alle Domänen sind
gleich ausgerichtet.

Abb. 25: Die elektrische Hysteresekurve (Links) und die mechanische Hystereskurve (Rechts).
Durch Abnahme des elektrischen Feldes bis auf null geht die Polarisation zwar wieder zurück,
es bleibt aber die sogenannte Remanenzpolarisation (3) erhalten. Jetzt weist die Keramik
piezoelektrische Eigenschaften auf. Die Änderung der Polarisation durch das angelegte
elektrische Feld wird als irreversibel bezeichnet, da sie nach Abschalten des Feldes erhalten
bleibt.
Erst ein Richtungswechsel ruft wieder eine Änderung hervor. In (4) sind die piezoelektrischen
Eigenschaften wieder verloren, da sich die Dipolmomente der einzelnen Domänen
neutralisieren. Dieser Zyklus kann über die Punkte (5), (6), (7) zurück auf (2) wiederholt
werden. Die Neukurve wird allerdings dabei nie mehr durchlaufen.
Da die Polarisationsänderung auch immer mit einer Formänderung verbunden ist, gilt es auch
die mechanische Hysteresekurve zu erklären. Dabei entsprechen die markierten Bereiche
denen der elektrischen Hysteresekurve.
Die Richtung der Ausdehnung bestimmen die vierwertigen Kationen in der Keramik. Wird die
Polarisation durch ein äußeres elektrisches Feld geändert, springt das Kation an eine neue
Stelle. Der typische Verlauf der mechanischen Längenänderung wird auf Grund ihrer Form
auch „Schmetterlingskurve“ bezeichnet.

3. Piezokeramik 31
 Piezoanwendungen
Die zuvor beschriebenen Eigenschaften von Piezokeramiken sind verantwortlich für den
weitrechenden Gebrauch von Piezoaktoren. In diesem Kapitel werden einige Anwendungen
aufgezeigt.

Einsatz von Piezoaktoren

Piezoaktoren kommen in zahlreichen Anwendungen zum Einsatz. Das hat unterschiedlichste
Gründe, die auf einer Abwägung von Vor- und Nachteilen der Verwendung eines Piezoaktors
beruhen. Die Vor- und Nachteile lassen sich wie folgt zusammenfassen:
Vorteile von Piezoaktoren:
• Piezoelektrische Aktoren können Bewegungen im Sub-Nanometer Bereich ausführen,
da eine geringe Änderung der Spannung in eine Positionsänderung umgewandelt wird.
• Ein Piezo-Aktor arbeitet verschleißfrei. Da er auch keinerlei Reibung oder Spielen
unterliegt, beobachtet man nicht den unangenehmen Stick-Slip-Effekt.
• Piezoaktoren reagieren im Sub-ms-Bereich auf Änderungen der Betriebsspannung.
Sie erreichen Beschleunigungen von mehr als 10.000 g.
• Piezoaktoren können Kräfte von mehreren 10.000 N erzeugen und das mit Sub-
Nanometer-Auflösung.
• Piezoaktoren sind Vakuum- und reinraumtauglich, da sie ohne Abrieb arbeiten und
auch keine Schmierung benötigen.
• Der piezoelektrische Effekt funktioniert auch bei kryogenen Temperaturen, jedoch mit
eingeschränktem Wirkungsgrad, bis nahe 0 Kelvin.
• Piezoaktoren verhalten sich in erster Näherung wie kapazitive Lasten (Widerstand
R>10 MΩ). Sie benötigen im statischen Betrieb fast keine Energie und erzeugen
deshalb auch keine Wärme. Bei dynamischen Anwendungen nimmt der
Energieverbrauch linear mit der Frequenz zu.
Nachteile von Piezoaktoren:
• Wegen des aufwendigen Herstellungsverfahrens von Piezokeramiken stellen
Piezoaktoren eine kostspielige Aktorvariante dar.
• Für den Betrieb von Piezoaktoren sind hohe Spannungen von bis zu 1.000 V und mehr
erforderlich.
• Kleine Stellwege sind zwar auf der einen Seite ein Vorteil, aber auf der anderen Seite
genauso gut ein Nachteil. Zwar lassen sich mittels Hebel- oder hydraulischen
Kolbensystemen die Stellwege vergrößern, strebt man jedoch große
Positionsänderungen an, so ist es sinnvoll, sich eine günstigere Alternative zu suchen.
• Keramiken haben die unangenehme Eigenschaft, dass sie sehr spröde sind; sie
können zwar sehr hohe Druckkräfte aufnehmen, reagieren aber äußerst empfindlich
gegen Zug- und Scherkräfte.
• Piezokeramiken zeigen ausgeprägte Temperaturabhängigkeit und Hystereseeffekte.
Sie müssen deshalb stets innerhalb eines Regelkreises betrieben werden.

4. Piezoanwendungen 33
Biegewandler
Bei Piezobiegewandlern macht man sich den Quereffekt von polarisierten Piezokeramiken
zunutze, um eine Längenänderung eines relativen langen dünnen Streifens zu erreichen.

Abb. 26: Einsatz eines Biegewandlers zum Tropfenausstoß in einem Druckkopf.

Biegewandler entsprechen einem bimorphen Aufbau. Unter einem bimorphen Aufbau
versteht man die Kombination zweier Materialien, die sich unter bestimmten Bedingungen
(Temperatur, elektr. Spannung etc.) unterschiedlich ausdehnen.
Die Piezokeramik wird in diesem Fall mit einem Trägermaterial verklebt. Dieser Verbund ist
auf einer Seite fest eingespannt. Bei elektrischer Ansteuerung der Piezokeramik resultiert eine
Längenänderung und man erhält eine große Auslenkung des Aktors in Abhängigkeit von
Polung und Spannung mit moderaten Kräften. Das Fluid, welches unter den sich anhebenden
Aktor strömt, wird im nächsten Schritt durch den zurückfedernden Aktor (Spannung nun wieder
Null) durch die Düse ausgestoßen. Im Gegensatz zu den mit Druckimpulsen arbeitenden
Tropfenerzeugern, ist dieses „Verdrängerprinzip“ blasentolerant. Der robuste Aufbau eignet
sich daher auch für Industrieanwendungen.
Aus diesem Grundprinzip lassen sich einige Bauformen ableiten. So kann statt vereinzelten
Biegefingern ein Paddel eingesetzt werden, welches gleichzeitig alle Düsen, die auch in
mehreren Reihen angeordnet sein können, anspricht. Dieses Prinzip kommt in
Brennstoffdosierpumpen zum Einsatz, bei denen Kraftstofftröpfchen in eine bereits brennende
Flamme gespritzt werden. Die Heizleistung kann dabei über die Frequenz geregelt werden.

Tropfenerzeugung – Scherwandler
Auch der Schereffekt lässt sich zur Tropfenerzeugung nutzen. Ein flacher Streifen aus
Piezokeramik wird zunächst auf der Ober- und Unterseite mit Elektroden versehen und
polarisiert. Nach dem Polarisieren werden die Elektroden wieder entfernt. Der Streifen wird mit
feinen Schlitzen versehen, die als Tintenkanäle dienen. Das Schlitzen erfolgt mit der
Wafersäge, die die Schlitze etwa in der Mitte des Streifens auslaufen lässt.
Im Hochvakuum werden die Schlitzwände schräg mit Elektroden bedampft, so dass nun ein
elektrisches Feld senkrecht zur Polarisationsrichtung angelegt werden kann. Die Kanäle
werden durch ein Deckblatt nach oben verschlossen. Durch eine Querrille im Deckblatt erfolgt
die Tintenversorgung. Nach vorn sind die Kanäle durch eine Düsenplatte verschlossen. Durch

34 4. Piezoanwendungen
den Schereffekt verwölben sich die Kanalwände und stoßen Tropfen, getrieben von der
Volumenänderung der Kammer, durch die Düsen aus.

Abb. 27: Aufbau eines Druckkopfes der auf dem Schereffekt basiert.
Da die Verengung eines Kanals zur Aufweitung der beiden benachbarten Kanäle führt, kann
nur jede dritte Düse gleichzeitig einen Tropfen ausstoßen. Deshalb werden die Düsen
gruppenweise angesteuert.
Da die Tinte unmittelbar mit der Piezokeramik in Kontakt kommt, wird nichtleitende Tinte
verwendet oder die Keramik mit einer Passivierungsschicht überzogen. Die Keramik kann
nach der Entfernung der Polarisierungselektroden nicht mehr nachpolarisiert werden. Auch die
Ansteuerimpulse können die Polarisierung nicht stützen.

Wanderwellenmotor
Bei einem Piezo-Wanderwellenmotor werden mit Piezoaktoren mechanische Wanderwellen
mit einer sehr kleinen Amplitude an der Oberfläche eines Schwingstators erzeugt. Der
Schwingstator wird dabei in Resonanz mit Frequenzen von 20-100 kHz betriebenen.

Abb. 28: Schematische Darstellung der Biegung des Stators eines Wanderwellenmotors (Links) und die
notwendige Polarisierung der Piezokeramikscheibe (Rechts).

4. Piezoanwendungen 35
Stator und Rotor wirken an ihrer Kontaktschicht unter hohem Druck aufeinander. Die daraus
entstehenden mikromechanischen Wechselwirkungen des Kontaktes führen zu einer
Drehbewegung des Rotors.
Das Schwingverhalten des Stators wird über die periodische Zufuhr von Energie an die
Piezoaktoren gesteuert, so dass sich im Ergebnis eine Transversalschwingung im
Schwingstator aufbauen und aufrechterhalten lässt.
Dazu sind auf dem Schwingstator zwei getrennt ansteuerbare Segmente aus Piezokeramik
aufgebracht. Die Piezokeramik ist abschnittsweise, jeweils senkrecht zur Ringachse
polarisiert. Wird ein Segment sinusförmig angesteuert, ergibt sich wegen der wechselnden
Polarisierung eine ortsfeste Dickenschwingung, die sich auch in den „passiven“ Teil des Rings
ausbreitet. Da sich aber dort ebenfalls ein um λ/4 versetzt angeordnetes Piezosegment
gleichartiger Polarisierung befindet, welches mit einen um 90° verschobenen Sinus
angesteuert wird, kommt es zu einer Überlagerung dieser beiden „ortsfesten“ Schwingungen.
Das Ergebnis der Aufsummierung der beiden Amplituden ist ein entlang des Umfangs
wanderndes Maximum, welches den Rotor mitnimmt.

Piezo Linearantrieb
Linearantriebe sind Antriebssysteme, die zu einer translatorischen Bewegung führen. Sie
ermöglichen die Führung von Maschinen oder Teilen in Anlagen entlang einer Achse.

Abb. 29: Die vier Takte eines Piezolinearantriebs.

Durch die Aneinanderreihung von Einzelhüben kann auch mit Piezoaktoren ein Linearantrieb
mit Verfahrwegen im zweistelligen cm-Bereich realisiert werden. Der so genannte
Inchwormmotor besteht aus einer Schubstange, zwei Klauen, zwei Piezostapelaktoren und
diversen Koppelgliedern. Am Beispiel des in obiger Folie gezeigten Viertakt-Linearantriebes
wird das Funktionsprinzip aufgezeigt. Die maximal erreichbaren Einzelhübe liegen hierbei bei
~ 2 ‰ (Längseffekt) pro Takt der ursprünglichen Länge des Piezos.

36 4. Piezoanwendungen
 Takt 1: Klaue 1 wird geöffnet, Klaue 2 bleibt in Verbindung zur Schubstange.
Zeitgleich hierzu werden die Piezostapelaktoren angesteuert und dehnen sich
Takt 2: maximal aus. Über die Klaue 2 wird die Bewegung auf die Schubstange
übertragen, die sich so nach rechts bewegt.
Takt 3: Klaue 1 wird geschlossen, Klaue 2 wird geöffnet.
Am Piezostapelaktor wird die Spannung abgenommen, so dass sich dieser
Takt 4: wieder verkürzt. Die freie Klaue 2 wird zurückgezogen, während die Klaue 1
die Schubstange an ihrer Position hält.

Diese vier Takte werden beliebig oft wiederholt, so dass sich im Ergebnis jede Position
anfahren lässt. Beispiele für die Anwendung von Piezolinearantrieben sind die statische und
dynamische Präzisionspositionierung, Präzisionsmechanik oder auch Schaltanwendungen.
Die erreichbaren Auflösungsgrenzen liegen dabei im nm-Bereich. Der sonst übliche
Reibschluss zwischen Klauen und Schubstange kann durch eine Mikroverzahnung in einen
Formschluss übergeführt werden, um die übertragbaren Kräfte zu erhöhen.

Piezomotor
Ein weiteres Funktionsprinzip eines Piezolinearantriebs ist der Piezomotor. Dieser Aufbau
besteht aus zwei verklebten Piezokeramiken, die als Biegewandler vier mögliche Positionen
des freien Endes, abhängig von ihrer elektrischen Ansteuerung, anfahren können.

Abb. 30: Die vier möglichen Positionen eines Biegewandlers (Links) und der schematische Aufbau eines
Piezomotors (Rechts).

a: Startposition, keiner der beiden Piezos ist elektrisch angesteuert.

Der rechte Piezo wird elektrisch angesteuert. Es kommt zu einer
b: Längenänderung dieses Piezos und der Verbund biegt sich nach links und
geringfügig nach oben.
Beide Piezos werden elektrisch angesteuert, sie längen sich gleichmäßig und
c:
der gesamte Verbund dehnt sich nach oben aus.
Der linke Piezo wird elektrisch angesteuert. Es kommt zu einer
d:
Längenänderung dieses Piezos und der Verbund bewegt sich nach rechts.

4. Piezoanwendungen 37
Über diese vier möglichen Endpositionen wird ein einfacher Linearantrieb realisiert. In der
Abbildung wird der vereinfachte Aufbau gezeigt, der aus vier Piezoverbänden und einer
schiebbaren Platte besteht.

Piezorotationsantrieb
Um aus den kleinen Einzelhüben von Piezoaktoren eine Drehbewegung zu erzeugen, ist von
der Firma Siemens in Zusammenarbeit mit dem Lehrstuhl MiMed ein Piezorotationsantrieb
entwickelt worden. Dieser Antrieb ist in der Lage, hochgenau Drehwinkel mit hohen
Drehmomenten und geringen Drehzahlen zu erzeugen.

Abb. 31: Aufbau des Piezorotationsantriebs (Links) und REM-Aufnahme der Mikroverzahnung (Rechts).
Der Aufbau besteht aus einem Ring, auf den jeweils um 90° versetzt zwei Piezoaktoren wirken.
Die Ringinnenfläche wird durch den erzeugten Hub der angesteuerten Piezos auf eine drehbar
gelagerte Welle gedrückt. Die Piezoaktoren werden nun so angesteuert, dass der Ring eine
Kreisbahn beschreibt. Durch den ständigen Kontakt des Ringes mit der Welle wird eine
Rotationsbewegung der Welle erzeugt.
Um das Drehmoment des Antriebes zu steigern und Schlupf zu vermeiden, wird die Welle und
der Ring mit einer Mikroverzahnung versehen. Diese Außenverzahnung der Welle greift in die
Innenverzahnung des Ringes. Die Innenverzahnung des Ringes besitzt einen Zahn mehr als
die Welle. Wird der Ring kreisförmig bewegt, so fördert die Welle den Ring pro Umlauf einen
Zahn weiter.
Im reibschlüssigen Fall und bei einem konstanten Wellendurchmesser ist das Drehmoment
nur von der Andruckkraft und dem Reibkoeffizienten zwischen Welle und Ring abhängig. Die
Drehzahl resultiert somit aus der Ansteuerfrequenz der Aktoren und der Anzahl der Zähne.
Durch die Miniaturisierung des Antriebes besitzt dieser Rotationsantrieb ein breites
Einsatzspektrum; überall dort, wo Genauigkeit und Kraft gleichzeitig gefordert sind, wie bspw.
in der Medizintechnik. Auch das Fehlen von elektromagnetischen Feldern macht ihn in diesem
Anwendungsfeld interessant.

38 4. Piezoanwendungen
Formgedächtnislegierungen – Einwegeffekt
Es gibt Metalllegierungen, welche die Eigenschaft besitzen, sich bei Temperaturänderungen
in eine früher eingeprägte Form zurück zu transformieren. Diese Formänderung beruht darauf,
dass bei Überschreiten einer bestimmten kritischen Temperatur mechanische und thermische
Veränderungen im Kristallgefüge einsetzen. Alle technisch interessanten
Formgedächtnislegierungen basieren auf Nickel-Titan- und Kupfer-Zink-Aluminium-
Legierungen. Es werden bei ihnen zwei Bereiche unterschieden.
1. Austenit: Phase oberhalb der kritischen Temperatur, in der das Metall hart und schwer
verformbar ist.
2. Martensit2: Phase unterhalb der kritischen Temperatur, in der das Metall weich und
leicht verformbar ist.
Bei Formgedächtnislegierung (engl.: „shape memory alloy [SMA]“) gibt es zwei Effekte: Den
Einweg- und den Zweiwegeffekt.

Abb. 32: Die Phasen und das Temperatur-Dehnungs-Diagramm beim Einwegeffekt.

Schematisch ist der Einwegeffekt in obiger Abbildung aufgezeigt. Oberhalb der kritischen
Temperatur (TKrit) in der Austenitphase, besitzt die Legierung die Form A. Bei einer Abkühlung
unter die kritische Temperatur (TKrit) stellt sich das martensitische Kristallgitter ein, ohne dabei
die Form zu verändern. Bei dieser niedrigen Temperatur kann man die Form leicht verändern
und in die Form B bringen. Beim Erwärmen des Elementes erfolgt keine Formänderung,
solange die kritische Temperatur (TKrit) nicht erreicht wird. Wird die Temperatur überschritten,
wandelt sich die Form B in ihre eingeprägte Austenitform Form A um (Erklärungsmöglichkeit:
Die im weichen Zustand eingebrachte Verformungsenergie reicht nicht aus um das harte
Gefüge derart zu verformen). Die gesamte Formänderung von A nach B erfolgt dabei in einem
engen Temperaturbereich von etwa 10-20 °C. Bei erneuter Abkühlung ändert sich die Form A
nicht mehr, obwohl sich wieder das Martensit eingestellt hat.
Der Einwegeffekt findet oft in der Medizintechnik großen Einsatz. So werden Zahnklammern
in der Zahnchirurgie in der weichen Martensitphase so geformt, dass sie in die schmalen
Zahnlücken eingesetzt werden können. Durch die Körpertemperatur nimmt das Material
wieder seine Austenitphase ein und erfüllt seine Funktion als Zahnklammer.

2
Hinweis: Die martensitische Umwandlung ist kein rein auf Stahl beschränktes Phänomen. Dessen bekannten
Phaseneigenschaften (Austenit: weich, Martensit: hart) sind nicht auf FGL-Legierungen übertragbar.

4. Piezoanwendungen 39
Formgedächtnislegierungen – Zweiwegeffekt
Wie bereits beschrieben, erlaubt der Einwegeffekt nur eine einmalige Formänderung. Das
erneute Abkühlen in die Martensitphase bewirkt keine Formänderung. Will man
Formgedächtnislegierungen auch für die Aktorik nutzen, benötigt man Legierungen, die sich
an zwei Formen – eine bei hoher und eine bei niedriger Temperatur – erinnern können.

Abb. 33: Die Phasen und das Temperatur-Dehnungs-Diagramm beim Zweiwegeffekt.

Solche Legierungen nutzen den Zweiwegeffekt. Es zeigt sich hier eine Rückverformung bei
Abkühlung des Materials. Oberhalb der kritischen Temperatur (TKrit) in der Austenitphase,
besitzt die Legierung die Form A. Bei einer Abkühlung unter die kritische Temperatur (TKrit)
stellt sich das martensitische Kristallgitter ein, ohne dabei die Form zu verändern. Bei dieser
niedrigen Temperatur kann man die Form leicht verändern und in die Form B bringen. Beim
Erwärmen des Elementes erfolgt keine Formänderung, solange die kritische Temperatur (TKrit)
nicht erreicht wird. Wird die Temperatur überschritten, wandelt sich die Form B in ihre
eingeprägte Austenitform Form A um. Die gesamte Formänderung von A nach B erfolgt dabei
in einen engen Temperaturbereich von etwa 10-30 °C.
Bei erneuter Abkühlung ändert sich die Form A und geht näherungsweise in ihre eingeprägte
Martensitform B über.
Allerdings müssen an dieser Stelle auch die Vor- und Nachteile von SMAs miteinander
aufgewogen werden.

Vorteile Nachteile

• Nahezu sprungartige Formänderung in • Stabilität des Memory-Effektes stark

einem Intervall von 10-30 K abhängig von der Legierungsqualität
• Hohe Energiedichte • Begrenzter thermischer Einsatzbereich
• Unterschiedliche Formänderungsarten • Sehr teuer
• Effekt kann auf bestimmte Element- • Einsatz erfordert intensive Beratung
bereiche beschränkt werden durch den Hersteller

40 4. Piezoanwendungen
 Fertigungsverfahren
Die meisten technologischen Prozesse, die in der Mikrosystemtechnik Verwendung finden,
gehen aus älteren und gut etablierten Verfahren der Mikroelektronik hervor. Die wichtigsten
dieser Verfahren werden in diesem Kapitel beleuchtet.

Technologische Grundprozesse
Dabei folgen viele Verfahren einem Standard-Prozessflow, den ein Chip während seiner
Fertigung durchläuft. Ausgangspunkt stellt ein einkristalliner Siliziumwafer dar. Die ersten
Schritte in der Fertigung sind Abscheideprozesse, um Maskierungs- oder Opferschichten auf
der Oberfläche der Wafer zu erzeugen, die in nachfolgenden Prozessen als funktionale Helfer
dienen. Im Anschluss erfolgt die Strukturierung dieser Schichten; entweder über
konventionelle Fotolithographie oder neuartigen Verfahren, wie der Laserablation. Nachdem
die gewünschten Bereiche freigelegt worden sind, können diese entfernt oder modifiziert
werden, bspw. durch Dotierung. Diese Schritte durchläuft ein Chip mehrmals bei seiner
Herstellung, mit immer anderen Strukturen und Dimensionen für elektrische, mechanische
oder optische Funktionen, so dass im Ergebnis ein Mikrosystem entsteht. Letzter Schritt in der
Fertigung ist die Kontaktierung und der Schutz vor äußeren Einflüssen, was thematisch der
Verbindungstechnik zugeordnet wird. Ein sehr wichtiger Aspekt bei der Herstellung ist die
mögliche Batchfertigung; einer Massenfertigung, in der jeweils 25 Wafer gleichzeitig in einem
Boot bearbeitet werden. Die meisten Prozesse der Mikrotechnik sind sehr empfindlich gegen
äußere Einflüsse, so dass sie größtenteils in Reinräumen durchgeführt werden müssen.
In der Mikrotechnik wird zwischen Volumen- und Oberflächenmikromechanik unterschieden.
Die Volumenmikromechanik stellt dabei den traditionellen Weg dar. Die Strukturierung
erfolgt in die Tiefe des Materials, vorwiegend in Silizium. Dadurch entstehen Strukturen, die
dem typischen nasschemischen Ätzverhalten von einkristallinem Silizium folgen.
Hervorzuheben ist, dass die subtraktive Gestaltung des Substrates durch viele
trockenchemische Ätzprozesse, wie bspw. reaktives Ionenätzen, keinen Einschränkungen in
der Endform unterliegt (vgl. Kompensationsecken bei KOH-Ätzen).
Die Oberflächenmikromechanik ist eine Erweiterung der Gestaltungsmöglichkeiten, bei der
additiv Schichten auf der Oberfläche des Chips aufgebracht werden. Die Strukturbildung bleibt
zwar zunächst ein zweidimensionaler Prozess, doch durch den Einbau von Opferschichten
und deren Entfernung können bewegliche Schichtstrukturen im Systemaufbau in der dritten
Dimension erschlossen werden.

Schichten
In Abb. 34 werden die wichtigsten Schichten aufgezeigt, die für die Prozessierung von
Siliziumwafern besondere Bedeutung haben und nachfolgend erklärt werden.
Isolierschichten sind Schichten, die als Dielektrika dienen. Ein Beispiel aus der
Mikroelektronik ist das Gateoxid eines Transistors, das den Stromfluss zwischen Gate und
Substrat verhindert. Auch in der Mikromechanik finden sich solche Schichten wieder. Eine
vorhandene SiO2-Schicht auf einem Siliziumwafer verhindert einen Kurzschluss zwischen
Substrat und einer auf der Oberfläche aufgebrachten Heizstruktur bei entsprechender
Temperatur.

5. Fertigungsverfahren 41
Abb. 34: Werkstoffe, Dicken und Verfahren mit denen Funktionsschichten auf Wafern aufgebracht
werden.
Maskierschichten dienen als Strukturübertragungsmedium. So wird das hoch selektive SiO2
als Ätzmaske für das nasschemische Ätzen von Silizium mit KOH verwendet.
Metallisierungen werden vorzugsweise für die Verwendung von Leiterbahnen oder auch
Kontaktierungen auf Chips verwendet.
Unter Passivierung versteht man die gezielte Erzeugung einer nichtmetallischen
Schutzschicht, welche die Korrosion des darunterliegenden Werkstoffes verhindert.
Besonders in der Mikrofluidik wird die Passivierung benötigt.
Einkristalline Schichten, die auf Wafer aufgebracht werden, werden meistens epitaktisch
erzeugt. Dies bedeutet, man bringt eine Schicht gleicher Morphologie auf eine andere. Meist
ist das Ziel der Epitaxie, auf hochdotierten Halbleitern, niedrig dotierte Gebiete herzustellen.
Sensitive Schichten werden dem Namen nach entsprechend als Sensoranwendungen
verwendet. Beispiel hierfür stellen mäanderförmige Temperatursensoren aus Platin dar.
Die letztmögliche Verwendung finden Widerstände in der Mikrotechnik.

Thermische Oxidation
Bei der thermischen Oxidation werden die Siliziumwafer bei ca. 1.000 °C in einem
Oxidationsofen oxidiert. Dieser Ofen besteht im Wesentlichen aus einem Quarzrohr, in dem
sich die Wafer auf einem Carrier aus Quarzglas befinden, mit drei bis fünf getrennt regelbaren
Heizwicklungen und verschiedenen Gaszuleitungen.
Der Sauerstoff strömt dann als Gas über die Wafer und reagiert an der Oberfläche zu SiO 2.
Es entsteht eine glasartige Schicht mit amorpher Struktur. Je nach Prozessgas finden dann
verschiedene Oxidationen statt. Die thermische Oxidation unterteilt sich in die trockene und
die feuchte Oxidation.

42 5. Fertigungsverfahren
Abb. 35: Verfahrensschema der thermischen Oxidation.
Bei der feuchten Oxidation wird der Sauerstoff durch ein Bubbler-Gefäß mit Wasser
(ca. 95 °C) geleitet, so dass sich zusätzlich zum Sauerstoff auch Wasser in Form von
Wasserdampf im Quarzrohr befindet. Dieser Prozess findet bei 900-1000 °C statt. Dadurch
erreicht man schon bei geringen Temperaturen ein schnelles Oxidwachstum, das allerdings
im Vergleich zur trockenen Oxidation, eine mindere Qualität aufweist. Es dient daher bspw.
als Maskierungsoxid.
Bei der trockenen Oxidation wird der Sauerstoff direkt auf das Silizium geleitet. Die Schicht
wächst relativ langsam, dafür aber mit hoher Dichte. Dadurch werden die Ansprüche guter
Stabilität gegenüber hohen elektrischen Feldern erfüllt, die bspw. beim Gateoxid eines
Transistors gefordert sind.
Unabhängig von Art der Oxidation findet die Reaktion immer an der Grenzfläche Substrat -
Siliziumdioxid statt. Der Sauerstoff reagiert am Anfang an der Waferoberfläche zu SiO2.
Nachfolgender Sauerstoff muss nun durch diese SiO2-Schicht diffundieren um an die
Grenzfläche zu gelangen. Die Aufwachsrate hängt nur zu Beginn von der Reaktionszeit ab;
danach wird sie von der Diffusionsgeschwindigkeit des Oxids durch das SiO2 bestimmt. Mit
zunehmender Oxiddicke verlangsamt sich das Wachstum. Bei der thermischen Oxidation wird
Silizium, durch die Reaktion mit Sauerstoff zu SiO2, verbraucht. Das Verhältnis der
aufgewachsenen Oxidschicht zu verbrauchtem Silizium beträgt ~ 2,27; d.h. das Oxid wächst
zu ~ 44 % der Oxiddicke in das Substrat ein. Kritisch sind die durch die unterschiedlichen
Temperaturkoeffizienten von Si und SiO2 beim Abkühlen entstehenden mechanischen
Spannungen.

Chemical Vapor Deposition (CVD)

CVD-Prozesse basieren auf der Reaktion eines gasförmigen Reaktanten auf der
Substratoberfläche. Durch geeignete Auswahl des Gases und der Prozessparameter können
unterschiedliche Materialien abgeschieden werden. Die Vorteile der CVD-Prozesse liegen in
der Vielzahl verwendbarer Materialien, der nahezu vorhandenen Unabhängigkeit bei der Wahl
des Substrates und hoher Reinheit der Schichten.

5. Fertigungsverfahren 43
Abb. 36: Verfahrensschema der Chemical Vapor Deposition (CVD).
Zur Realisierung dieses Verfahrens ist generell eine Anregung der Komponenten, die
miteinander reagieren, notwendig. Diese Aktivierungsenergie wird thermisch über eine
Heizung oder ein Plasma zugeführt.
Die ablaufenden Prozesse bei der Schichtbildung sind:
1. Transport der Reaktanten aus der Strömungszone zur Substratoberfläche.
2. Absorption der Reaktanten an der Oberfläche.
3. Diffusion der Reaktanten an der Oberfläche
4. Zerfall der Moleküle unter Bildung von desorbierbaren Abprodukten.
5. Oberflächendiffusion der Restradikale.
6. Einbau der Restradikale in die Festkörperoberfläche.
7. Desorption der Abprodukte und Transport in die Strömungszone.
8. Transport der Abprodukte aus dem Reaktor.

Bei CVD-Prozessen werden drei Varianten unterschieden:

Bei Normaldruck-CVD (APCVD) ist die Schichtabscheidung durch den Diffusionsprozess zur
Substratoberfläche begrenzt. Dies macht den Prozess für Epitaxieprozesse geeignet.
Niederdruck-CVD (LPCVD) ist reaktionsbestimmt, da sich durch den geringen Druck der
Diffusionskoeffizient stark erhöht. Dies verringert deutlich den Gasverbrauch.
Plasmaunterstütztes-CVD (PECVD) bietet den Vorteil, dass die Aktivierungsenergie nicht
über eine Heizung, sondern durch die Gasentladung zugeführt wird. So können
temperatursensitive Substrate bearbeitet werden.

Epitaxie
Der Begriff Epitaxie stammt aus dem Griechischen und bedeutet so viel wie „geordnetes
Aufwachsen“ von Kristallen an einem Kristallkeim.

44 5. Fertigungsverfahren
Abb. 37: Verfahrensschema der Epitaxie.
Wächst das gleiche Material weiter, spricht man von Homoepitaxie. Wachsen stattdessen
zwei unterschiedliche Materialien aufeinander, spricht man von Heteroepitaxie. Für die
Heteroepitaxie ist Vorraussetzung, dass die Kristallgitter der beiden Materialien ähnlichen
Gitterabstand besitzen. Eine Gitterfehlanpassung würde zu hohen mechanischen
Verspannungen führen.
In der Siliziumtechnologie wird vorwiegend die Gasphasenepitaxie (Chemical Vapor
Deposition) verwendet. Weitere Verfahren stellen die Molekularstrahl- und
Flüssigphasenepitaxie dar.
Ein weites Einsatzgebiet von epitaktischen Schichten findet sich bei der Herstellung von
Verbindungshalbleitern, wie bspw. GaAs wieder. Bei dieser Halbleiterklasse bildet ein Element
aus der Gruppe III mit einem Element aus der Gruppe V des Periodensystems eine
abgesättigte 8-Elektronenschale. Die weiteste Anwendung bei der Heteroepitaxie stellt die
Herstellung von Laserdioden dar, da der Schichtaufbau aus vielen Schichten mit Dicken von
wenigen Nanometern gemischter Materialien besteht. Weiterer Einsatz findet sich in der
Siliziumepitaxie wieder, in der elektrochemische Ätzstopps zwischen einem hochdotierten n-
Substrat und einer niedrig dotierten p-Schicht realisiert werden.

Physical Vapor Deposition (PVD)

PVD-Prozesse lassen sich in zwei Kategorien unterteilen: Vakuumbedampfen und
Kathodenzerstäubung.
Thermisches Vakuumverdampfen ist das einfachste Verdampfungsverfahren in der
Beschichtungstechnik; dabei wird das Ausgangsmaterial auf Temperaturen in der Nähe des
Siedepunktes erhitzt. Das verdampfte Material wandert durch die Vakuumkammer hin zu dem
gegenüberliegenden kühleren Substrat. Der Materialdampf schlägt sich dort nieder und bildet
eine dünne Schicht. Das thermische Verdampfen ist ein Hochvakuumprozess. Typische
Prozessdrücke sind 6-10 mbar. Grund hierfür ist, dass durch den niedrigen Druck

5. Fertigungsverfahren 45
Zusammenstöße mit noch im Vakuum vorhandenen Gasteilchen minimiert werden, d.h. die
freie Weglänge muss sehr viel größer sein als der Abstand der Verdampferquelle zum
Substrat. Neben dem Vakuumverdampfen mit einer Heizung für die Dampfbildung, gibt es
noch das Laserstrahl-, Elektronenstrahl-, Lichtbogen- und Molekularstrahlverdampfen. Der
Nachteil des thermischen Vakuumverdampfens ist die schlechte Kantenbedeckung und das
dringend erforderliche Vakuum. Aus diesem Grund wird es in der Massenproduktion nicht
verwendet.

Abb. 38: Verfahrensschema des Vakuumbedampfens (Links) und der Kathodenzerstäubung (Rechts).
Beim Kathodenzerstäuben (Sputtern) wird zwischen einer negativ geladenen
Targetelektrode und einer geerdeten Substratelektrode ein Plasma in einem Edelgas (bspw.
Argon) gezündet. Die im Plasma entstehenden positiven Argonionen werden zur negativen
Targetelektrode beschleunigt und schlagen dort Targetatome (bspw. Aluminium) heraus. Die
neutralen Targetatome durchqueren das Plasma und setzen sich auf dem Substrat ab. Der
Sputtervorgang erzeugt durch Stoßprozesse zwischen den Targetatomen und dem Edelgas
eine große Winkelverteilung. Dies führt zu einer akzeptablen und konformen Kanten-
bedeckung.

Fotolithografie
Siliziumwafer werden über diverse Ätzprozesse strukturiert. Damit eine vordefinierte Form
durch die Ätzlösung entsteht, wird eine Maskierungsschicht benötigt (bspw. SiO2 bei KOH-
Ätzen von Silizium), die die in das Substrat zu übertragene Form abbildet. Um solch eine
Maskierungsschicht zu strukturieren, werden die Prozesse aus der Fotolithographie

46 5. Fertigungsverfahren
durchlaufen. Den Ausgangspunkt bei nachfolgender Erklärung bildet ein Siliziumwafer mit
aufgebrachter SiO2-Schicht, die in weiteren Prozessen als Maske für das darunterliegende
Silizium dient.

Abb. 39: Die sieben Hauptschritte der Fotolithografie. (Quelle: OBM)

Der erste Schritt stellt die Substratvorbehandlung (1) dar. Hiermit ist gemeint, die SiO2-
Oberfläche zu reinigen und gegebenenfalls ihre Oberfläche zu modifizieren, damit der
nachfolgend aufgebrachte Fotoresist besser Haftung an ihr finden kann.
Die Reinigung von SiO2-Oberflächen wird mit Azeton (entfernt organische Verunreinigungen)
und nachfolgender Isopropanolspülung (entfernt verunreinigtes Azeton) vorgenommen. Im
Anschluss erfolgt eine Spülung mit Reinstwasser in einem Tauchbecken. Danach werden die
Wafer auf einer Hotplate erhitzt, damit die angelagerten Wassermoleküle auf der Oberfläche
desorpieren können.
Unter der Modifikation von SiO2-Oberflächen versteht man die Behandlung mit Haftvermittler.
Oxidiertes Silizium bildet nach ausreichender Luftfeuchtigkeit polare OH- Bindungen an der
Oberfläche. Das Substrat ist somit hydrophil (wasserliebend) und zeigt daher eine schlechte
Affinität zum unpolaren Harz des Fotolackes. Die SiO2-Oberfläche wird durch die Behandlung
hydrophob (wasserabstoßend).
Nächster Schritt in der Fotolithographie ist das Aufbringen des Fotolackes (2) mit einem
Spincoater. Dabei werden die Wafer auf einem Vakuumchuck gelegt. Bei niedriger Drehzahl
wird Lack in der Mitte der Scheibe aufgegeben und dann bei 2000-6000 Umdrehungen pro
Minute durch die Zentrifugalkraft zu einer homogenen Lackschicht auseinandergezogen. Die
Dicke hängt dabei von der Drehzahl und der Viskosität des Lackes ab.
Nach der Beschichtung besitzt die Lackschicht eine Restlösemittelkonzentration. Diese wird
durch den Softbake (3) verdampft. Lässt man diesen Schritt aus, kann es zu schlechter
Lackhaftung, Blasenbildung beim Belichten oder auch zu einem Verkleben mit der Maske
kommen.

5. Fertigungsverfahren 47
Nach dem Softbake kann die eigentliche Belichtung (4) erfolgen. In einer Belichtungsanlage
werden die Wafer zu einer Glasmaske, die teilweise mit Chrom beschichtet ist, durch
Justiermarken ausgerichtet und belichtet. Diese selektiv mit Chrom beschichtete Maske wird
mittels Elektronenstrahllithografie aus einem komplett beschichteten Rohling (dem Blank)
erzeugt, indem nicht benötigtes Chrom entfernt wird. Dadurch können bei der späteren
Belichtung partiell Bereiche des belackten Wafers erreicht werden. Je nach Art des Lackes
werden belichtete Teile löslich oder unlöslich (positiv bzw. negativ Fotoresist).
Danach kann die Struktur in einem Entwicklerbad (5) herausgelöst werden.
Um dieser Fotoresistschicht für den nachfolgenden Ätzschritt, der eigentlichen
Maskierungsschicht des Siliziumwafers, ihre Ätzresistenz zu verleihen, erfolgt ein erneuter
Heizschritt, der Hardbake (6).
Im Anschluss erfolgt die eigentliche Strukturierung, wie das Ätzen der Maskierungsschicht
mit HF/HNO3 aus der SiO2-Schicht.
Nachdem die Schicht strukturiert ist, kann der Fotolack einfach mit Azeton gestrippt (7)
werden.

Belichtungsarten
Wie aus dem vorherigen Abschnitt hervorgeht, erfolgt der Strukturübertrag durch Belichtung
der Fotoresistschicht. Es gibt hierzu drei verschiedene Realisierungsmöglichkeiten.

Abb. 40: Prinzip der Kontaktbelichtung (Links) und der Proximitybelichtung (Rechts).
Bei der Kontaktbelichtung steht die Quarzmaske direkt im Kontakt zum Substrat. Der Vorteil
hierbei ist, dass das Verfahren die beste Auflösung bietet, da der Auflösungsverlust durch
Lichtbeugung auf ein Minimum reduziert wird. Allerdings besteht hierbei die Gefahr, die Maske
oder die Fotoresistschicht durch die Kontaktstelle zu beschädigen, wenn sich bspw. ein
Staubkorn an der Grenzfläche befindet.
Weitere Belichtungsart ist die Proximitybelichtung. Hierbei sind Maske und Substrat ~ 20 µm
voneinander getrennt. Der sich dadurch ergebene Vorteil ist, dass keine Gefahr einer
Beschädigung besteht. Allerdings wird durch den Abstand und dem damit entstehenden
Beugungsmuster die Auflösung begrenzt. Aus Proximityabstand d, halber Resistdicke r und
verwendeter Wellenlänge λ folgt für die minimale Strukturbreite bmin :

1
𝑏𝑚𝑖𝑛 = √𝜆 ∙ (𝑑 + 𝑟)
2
48 5. Fertigungsverfahren
Abb. 41: Aufbau der Projektionsbelichtung.
Die letzte Form stellt die Projektionsbelichtung dar. Hier werden die Masken nicht im
Maßstab 1:1 in den Fotoresist abgebildet; durch ein Linsensystem wird dieser verringert.
Großer Vorteil hierbei ist, dass Strukturfehler oder Verunreinigungen auch in einem kleineren
Maßstab auf den Fotoresist übertragen werden. Bei der Projektionsbelichtung wird nicht der
gesamte Wafer sondern die einzelnen Chips hintereinander belichtet. Dazu verfährt ein
Waferstepper das Substrat jeweils an die gewünschte Position. Wegen der endlichen
Schärfentiefe der Abbildungsoptiken können nur dünne Fotolacke mit dieser Methode belichtet
werden. Aus der numerischen Apertur NA und verwendeter Wellenlänge λ folgt für die
minimale Strukturbreite bmin :

𝜆
𝑏𝑚𝑖𝑛 =
2 ∙ 𝑁𝐴
𝑁𝐴 = 𝑛 ∙ sin(𝛽)

5. Fertigungsverfahren 49
 Rapid Prototyping und Verbindungstechnik
Rapid Prototyping beschreibt die schnelle und günstige Fertigung von Prototypen. Neben den
wichtigsten Rapid Prototyping Verfahren, wird in diesem Kapitel auch die Verbindungstechnik
betrachtet, die die Schnittstelle zwischen der Mikro- und der Makrowelt herstellt.

Liga Verfahren
Die Entstehung des LIGA-Verfahrens wurde Ende der 70er Jahre am Kernforschungszentrum
Karlsruhe entwickelt. Im Rahmen der Uran-Isotropentrennung sollten sehr kleine Trenndüsen
hergestellt werden.
Die wesentlichen Prozessschritte des LIGA-Verfahrens gehen auf die Bestandteile des
Namens zurück: Lithographie, Galvanik und Abformung.

Abb. 42: Die sechs Grundschritte des LIGA Verfahrens. (Quelle: Handbuch Mikrotechnik)
Im ersten Schritt, der Lithographie, wird eine mehrere hundert Mikrometer dicke Resistschicht
auf einer elektrisch leitfähigen Grundplatte aufgebracht. Dies geschieht entweder durch
Aufpolymerisieren oder Aufkleben. In den meisten Fällen besteht diese Schicht aus
röntgenempfindlichen Polymeren, wie Polymethylmethacrylat (PMMA). Aber auch
Epoxydharze, wie der negative Fotoresist (SU8) finden Verwendung.
Aufgrund der hohen Resistdicken wird eine sehr energiereiche Synchrotronstrahlung benötigt.
Wie auch bei der „normalen“ Fotolithographie erhält der Resist nach einem Entwicklerbad
seine Form. Dabei wird nicht nur die eindimensionale Struktur, sondern auch deren Höhe
genutzt.
6. Rapid Prototyping und Verbindungstechnik 51
Durch die Galvanik wird eine Komplementärstruktur aus dem nach dem Entwicklungsprozess
vorhandenen strukturierten Resist aus Metall aufgebaut. Dabei startet die Metallabscheidung
auf der elektrisch leitfähigen Platte.
Im Anschluss wird der Resist gestrippt und man erhält die metallische negative Form, die oft
auch als Urform bezeichnet wird.
In den beiden nachfolgenden Prozessen wird die metallische Form mit Kunststoff gefüllt und
dadurch abgeformt.
Die Vorteile des LIGA-Verfahrens liegen hauptsächlich in einem sehr hohen Aspektverhältnis
(Höhe zu Fläche 100:1), in einem metallischen Urmodell und der Weite der abformbaren
Materialien. Allerdings sind die sehr aufwendige und teuere Synchrotronstrahlung, die schwer
realisierbare 3D-Strukturierung und die mangelnde Integration in die Silizium-Elektronik von
Nachteil.
Mittels LIGA-Technik werden bspw. Zahnräder für Miniaturgetriebe (Zahnarztbohrer)
hergestellt.

ASE Tiefenätzen
Nachdem bislang nur nasschemische Ätzprozesse vorgestellt worden sind, wird an dieser
Stelle das wichtigste trockenchemische Ätzverfahren kurz erläutert.
Der ASE-Prozess (Advanced Silicon Etching) oder auch DRIE-Prozess (Deep Reactive Ion
Etching) ist ein zweistufiger, alternierender Trockenätzprozess, bei dem sich ein Ätz- und ein
Passivierungsschritt abwechseln. Ziel ist es, möglichst anisotrop und tief zu ätzen.

Abb. 43: Der Prozesszyklus des ASE Prozesses.

Allgemein lassen sich die Prozessschritte wie folgt zusammenfassen:
1. Maskierung des Substrates mit einer Aluminium-, Fotoresist- oder SiO2-Maske, die die
Stellen am Substrat abdeckt, die nicht geätzt werden. Dabei weißt diese
Maskierungsschicht eine sehr geringe Ätzrate gegenüber der Ätzrate des Siliziums auf.
2. Anschließend beginnt der eigentliche Ätzprozess von Silizium. Dazu wird
Schwefelhexafluorid (SF6) in einem Trägergas (meist Argon) in einen Reaktor

52 6. Rapid Prototyping und Verbindungstechnik

 eingeleitet. Durch Erzeugen eines Hochfrequenzplasmas entsteht aus dem SF6 ein
reaktives Gas. Zusammen mit der vertikalen Beschleunigung der Ionen in einem
elektrischen Feld wird ein physikalischer anisotroper Materialabtrag der Maskierung
(durch Sputtern mittels Argon-Ionen) und eine chemisch isotrope Ätzreaktion (Radikale
aus SF6) auf dem freigelegten Substrat erzeugt.
3. Nach kurzer Zeit wird der Ätzprozess gestoppt, um die entstandenen Seitenwände zu
passivieren. Ein Gasgemisch aus Octafluorcyclobutan (C4F8) und Argon wird
eingeleitet. Im Plasma des Reaktors wird C4F8 aktiviert und bildet auf dem gesamten
Substrat eine polymere Passivierungsschicht, sowohl an den Seitenwänden als auch
auf dem Substrat. Auf diese Weise werden die Seitenwände für nachfolgende
Ätzprozesse geschützt, um die gewünschte Anisotropie zu erreichen.
4. Diese beiden Schritte aus Ätzung und Passivierung werden solange wiederholt, bis die
gewünschte Tiefe erreicht ist.
Die Ätzcharakteristik - Selektivität, Ätzprofil, Ätzrate, Homogenität und Reproduzierbarkeit - ist
beim DRIE durch die eingesetzten Gase und die Prozessparameter (Generatorleistung, Druck,
Plattenabstand und Gasfluss) exakt einstellbar.

Drahtbonden
Bislang sind Verfahren und Werkstoffe zur Herstellung von Mikrosystemen diskutiert worden.
Allerdings ist ein Mikrosystem ohne Anschluss in die Makrowelt - um Daten aus- bzw.
einzugeben, zu kommunizieren oder das System mit elektrischer Spannung zu versorgen -
nicht einsatzbereit. Hierzu werden neben Energie- vor allem Kommunikationsschnittstellen
benötigt, die diese Aufgaben lösen. Man unterscheidet hierbei zwischen drahtlosen und
drahtbehafteten Verfahren.

Abb. 44: Die notwendigen Schnittstellen eines mikrotechnischen Systems.

Beim Drahtbonden (von engl. bond = „Verbindung“) wird mit dünnen Drähten der Chip mit der
Makrowelt bzw. seinem Gehäuse verbunden. Dabei werden die Anschlüsse auf dem Chip als
„Pad“ bzw. „Bondinsel“ und die Anschlüsse in der Makrowelt als „Pins“ bezeichnet. Die
Aufgabe des Bonddrahtes ist die elektrische Verbindung zwischen Pin und Pad herzustellen.
Der Bonddraht wird von der Anschlussfläche des Chips zum inneren Teil des Anschlusspins
gezogen und an beiden Stellen verbunden. Nach dem Bonden werden die Bauteile verkappt,

6. Rapid Prototyping und Verbindungstechnik 53

das heißt, hermetisch in einem Gehäuse eingeschlossen oder in Kunstharz eingegossen, um
sie vor äußeren Einflüssen wie bspw. chemischen Einflüssen oder Feuchte zu schützen.
In der Mikroelektronik besteht der Bonddraht meist aus Gold oder einer Goldlegierung, aber
auch Aluminium mit (geringem) Siliziumanteil findet Verwendung. Die Durchmesser solcher
Drähte liegen in der Größenordnung von 25 bis 50 µm. Im Bereich der Leistungselektronik
kommen reine (99,99 % Al-Anteil und höher) Aluminium-Materialien zur Anwendung.
Beim Drahtbonden werden hauptsächlich die beiden Verfahren Ball-Wedge-Bonden und
Wedge-Wedge-Bonden angewendet. Diese werden wiederum nach Art der
Energiezuführung unterschieden:
• Thermokompression: Temperatur und Druck
• Thermosonic: Temperatur, Ultraschall und Druck
• Ultraschall: Ultraschall und Druck

Ball-Wedge-Bonden
Beim Thermosonic Ball-Wedge-Bonden wird der Golddraht durch eine Kapillare aus
Sintermetall oder Keramik geführt. Mittels einer Knallgas-Brennerflamme oder einer
elektrischen Entladung wird das unten herausragende Drahtende aufgeschmolzen, so dass
sich durch die Oberflächenspannung eine Kugel (von engl. „ball“) mit zwei- bis dreifachen
Durchmesser des Drahts bildet. Dieser Ball wird unter Druck, Wärme und Ultraschall auf die
Kontaktfläche gebondet. Der Draht wird dann zur zweiten Kontaktstelle geführt und wieder
mittels Ultraschall, Wärme und Druck kontaktiert.

Abb. 45: Die vier Schritte des Ball-Wedge-Bonden.

Durch dieses Verfahren entsteht ein keilförmiger Abschluss, dem der Wedgebond seinen
Namen zu verdanken hat (von engl. wedge = „Keil“). Eine oberhalb der Kapillare angebrachte
Drahtklammer verhindert beim Abheben des Werkzeugs, dass der Draht nachgeführt wird.
Stattdessen wird der Draht am Wedgebond abgerissen und durch die Drahtklammer ein wenig
nachgeschoben, so dass ein neuer Ball aufgeschmolzen werden kann.
Der Vorteil von Thermosonic Ball-Wedge-Bonden liegt darin, dass nur bei der ersten
Bondstelle (Ball) der Draht senkrecht auf der Oberfläche aufgesetzt werden muss. Die zweite

54 6. Rapid Prototyping und Verbindungstechnik

Stelle (Wedge) kann in jeder beliebigen Richtung liegen, ohne dabei den Chip drehen zu
müssen.
Der Nachteil des Verfahrens ist allerdings, dass fast nur Gold als Drahtmaterial verwendet
werden kann, da Aluminium beim Aufschmelzen ein Oxid bilden würde. Dieses Aluminiumoxid
weist einen höheren Schmelzpunkt als das eigentliche Aluminium auf und würde im Ergebnis
die Bondqualität negativ beeinflussen. Diese Erscheinung wird nur mit einer vorhandenen
Schutzgasatmosphäre im Bearbeitungsraum kompensiert, was allerdings höhere Kosten
verursacht.

Wedge-Wedge-Bonden
Ein weiteres Drahtverfahren stellt das Ultraschall Wedge-Wedge-Bonden dar. Das
Besondere an diesem Verfahren ist, dass der Draht ausschließlich mit Ultraschallbewegungen
des Werkzeuges auf dem Pad mikroverschweißt wird.

Abb. 46: Der Ablauf des Wedge-Wedge-Bondens.

Die einzelnen Schritte sind:
1. Pressung des Drahtes auf dem Pad.
2. Durch den Ultraschallimpuls kommt es zur plastischen Verformung des Drahtes, das
mit einem Reibschweißvorgang einhergeht.
3. Werkzeug fährt zum nächsten Pad unter Nachführung des Drahtes.
4. Reibschweißen am zweiten Pad und Entfernung des Werkzeuges, was den Draht
abreißen lässt.
Der erste Bond wird keilförmig gesetzt. Dies bedeutet, dass mit dem ersten Bond bereits die
Richtung des zweiten Bonds vorgegeben ist. Je nach Ausrichtung wird dementsprechend der
Chip unter dem Bondwerkzeug gedreht, was in einem deutlich höheren Zeitaufwand
gegenüber dem Ball-Wedge-Bonden führt.
Der Vorteil bei diesem Verfahren ist, dass auch Aluminiumdrähte verwendet werden können,
da kein Aufschmelzvorgang benötigt wird. Weiterhin kommt dieses Verfahren mit kleineren
Bondplätzen und kürzeren Drahtbögen aus. Bei vielen Anschlüssen zeigt sich dies als enormer
Vorteil.

6. Rapid Prototyping und Verbindungstechnik 55

Drahtlose Montage – Flip-Chip-Technik
Bei der Flip-Chip-Technik wird auch vom Flip-Chip-Bonden gesprochen, welches als sog.
C4-Verfahren 1964 bei IBM als Alternative zum Drahtbonden für Hochleistungscomputer
entwickelt wurde.
Hierbei wird ein ungehäuster Chip mittels Lotbumps auf ein Substrat kontaktiert. Der Chip wird
mit der Kontaktseite zum Substrat hin auf ein komplementäres Raster positioniert. Durch
Aufschmelzen der Lotbumps wird eine Simultankontaktierung aller Anschlüsse erreicht. Eine
Variante des Verfahrens stellt die Verwendung von harten Bumps aus Au, Ni oder Cu dar. An
diesen erfolgt die Kontaktierung dann mit Löten, Thermokompression oder Kleben.

Abb. 47: Aufbau eines einzelnen Flip-Chip-Kontakts (Links) und eine passende Platine (Rechts).
Die einzelnen Schritte sind:
1. Metallisierung des Chips/Wafers.
2. Aufbringen einer Lackmaske und Abscheidung des Lotes an den Öffnungen.
3. Lackmaske entfernen und Metallschicht (ohne Lot) selektiv ätzen.
4. Lot zu Kugeln aufschmelzen.
5. Leiterplatte mit Flussmittel benetzen.
6. Chip/Wafer drehen (engl. „flip“) und genau auf Leiterplatte positionieren.
7. Aufbau erwärmen, so dass das Lot schmilzt und eine elektrische Verbindung mit der
Leiterplatte eingeht (Reflow-Löten).
Die Vorteile der Flip-Chip Technologie gegenüber anderen Technologien sind die möglichen
hohen Anschlusszahlen (Fläche gegenüber Rand bei konventioneller Kontaktierung), kürzere
Verbindungslängen, bessere elektrische Eigenschaften, geringerer Wärmewiderstand,
kleinere Padflächen, geringere Bauhöhe und weniger Prozessschritte.
Nachteilig ist, dass die gesamte aufwändige Technologie für die Umverdrahtung, das
Bumping und das Unterfüllen zur Verfügung stehen muss.

Anodisches Bonden
Bislang sind im vorliegenden Kapitel nur Techniken aufgezeigt worden, die für die
Kontaktierung der Chips zur Makrowelt dienen. Oft besteht aber auch die Aufgabe, flächige
Verbindungen zwischen bereits strukturierten Substraten herzustellen. Ein Verfahren hierzu
stellt das Anodische Bonden von Siliziumwafer mit Pyrex-Glas dar. Diese Verbindung wird
oft zum Verschluss von Mikrofluidikstrukturen verwendet.

56 6. Rapid Prototyping und Verbindungstechnik

Abb. 48: Prinzip des anodischen Bonden. (Quelle: Sensortechnik 6.100)
Im einfachsten Fall kann man das Verfahren mit folgendem Experiment beschreiben:
Man nimmt einen Siliziumwafer mit einer polierten Oberfläche und einen Wafer aus Glas,
welches Alkaliionen enthält. Der Glas-Wafer muss ebenfalls eine hohe Ebenheit aufweisen.
Beide Wafer werden auf eine Heizplatte gelegt um auf ca. 300 bis 500 °C erwärmt zu werden.
Der Siliziumwafer liegt direkt auf der Heizplatte, darüber der Glas-Wafer. Nun wird auf dem
Glas-Wafer eine Punktelektrode leicht aufgedrückt. Die Heizplatte ist die Gegenelektrode. Der
Siliziumwafer ist bei den Temperaturen ausreichend eigenleitend.
Die Erwärmung bewirkt, dass die im Glas befindlichen Ionen, wie Kalium und Natrium sich
freier bewegen können. Legt man nun eine äußere Spannung so an, dass Minus am Glas-
Wafer und Plus an der Heizplatte liegt, wandern die positiv geladenen Ionen im Glas langsam
zur Punktelektrode. Der Bereich an der Kontaktfläche des Glases zum Siliziumwafer lädt sich
somit negativ auf; es entsteht eine Raumladungszone.
Gleichzeitig ist der Siliziumwafer durch die externe Spannung positiv geladen. So ziehen sich
beide Oberflächen an. Auf Grund der sehr glatten und ebenen Oberflächen von Silizium und
Glas besteht nur ein sehr kleiner Abstand zwischen beiden. Die Anziehungskraft
entgegengesetzter Elektroden nimmt bei Verringerung des Abstandes deutlich zu. So werden
beide Oberflächen immer enger aneinander gezogen, bis der Punkt erreicht wird, bei dem der
Abstand so gering ist, dass die Oberflächenatome des Glases mit denen des Siliziums
chemisch reagieren können. Es bilden sich chemische Verbindungen zwischen dem Silizium
des Wafers und dem Sauerstoff vom Siliziumoxid des Glases, obwohl dafür die eigentliche
Reaktionstemperatur noch nicht erreicht ist.
Pyrex besitzt einen ähnlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie Silizium, was seine
bedeutende Rolle beim Anodischen Bonden begründet. Beim Abkühlen kommt es daher zu
keinen inneren mechanischen Spannungen.

Rapid Prototyping
Der Begriff Rapid Prototyping (RP) steht ursprünglich für das schichtweise Erzeugen von
Bauteilen. In der Zwischenzeit hat sich aber die Bedeutung deutlich erweitert. Rapid
Prototyping steht auch für eine Entwicklungsstrategie, welche erste Funktionsmuster mit
6. Rapid Prototyping und Verbindungstechnik 57
einbindet, um den iterativen Entwicklungsprozess zu beschleunigen. Viele der bekannten RP-
Verfahren haben sich derart weiterentwickelt, dass sie funktionsfähige Bauteile liefern. Man
spricht dann von Rapid-Manufacturing. Wenn auch üblicher Weise keine Bauteile im
Volumenbereich von Mikrometern gefertigt werden, sind diese Verfahren per se durch
Schichtdicken im Mikrometerbereich den Fertigungsverfahren der Mikrotechnik zuzuordnen.

Abb. 49: Die wichtigsten Rapid Prototyping Verfahren: Stereolithographie (Links), Selektives Laser-
Sintern (Mitte) und Fused Deposition Modeling (Rechts).
Das Prinzip der Stereolithographie (SLA) beruht auf der Aushärtung eines Photopolymers
durch Laserstrahlung. Die Plattform, auf dem die Mikrostruktur dabei entstehen soll, befindet
sich in einer mit dem Photopolymer gefüllten Wanne; anfänglich knapp unter der Oberfläche
der Flüssigkeit. Nach jedem Schritt wird das Werkstück einige Mikrometer in die Flüssigkeit
abgesenkt und auf eine Höhe zurückgefahren, die um den Betrag einer Schichtstärke unter
der vorherigen liegt. Der flüssige Kunststoff über dem Teil wird dann durch einen Wischer
gleichmäßig verteilt. Dann fährt ein Laser auf der neuen Schicht über die Flächen, die
ausgehärtet werden sollen und sich dabei mit den bereits gebauten Schichten unterhalb
verbinden. So entsteht schichtweise ein Bauteil.
Beim Lasersintern (SLS) entstehen die Modelle aus einem Kunststoff- oder Metallpulver, das
durch einen Laserstrahl zusammengeschweißt wird. Auch hier liegt wie bei der
Stereolithographie ein schichtweiser Aufbau vor, bei dem nach jedem Schritt neues Pulver ins
Bett gelegt wird. Beim Metallsintern durch den Laser erhält man ein sehr hitzebeständiges und
robustes Bauteil für hohe Beanspruchungen.
Im Fused Deposition Modeling Verfahren (FDM) wird ein drahtförmiger Kunststoff
verflüssigt. Der Materialauftrag erfolgt durch Extrudieren mit einer in der Fertigungsebene frei
verfahrbaren Heizdüse.
Beim 3D-Drucken erfolgt ebenfalls ein schichtweiser Aufbau. Der Druckkopf druckt dabei
einen Binder in eine Startschicht aus gips- oder stärkeartigen Material.

Wafersäge
Ziel bei der Fertigung von Mikrosystemen ist es, solange wie möglich auf Waferebene zu
arbeiten, um hiermit Zeit- und Kostenaufwand durch die zur Verfügung stehenden Batch-
Prozesse zu minimieren. Erst in einem der letzten Schritte werden die Chips aus den Wafer
herausgetrennt. Die wichtigsten Verfahren hierzu sind das Diamantritzen, das Nassätzen, die
Laserablation, das Bandsägen und das Trennschleifen mit einer Wafersäge.

58 6. Rapid Prototyping und Verbindungstechnik

Abb. 50: Eine Wafersäge während der Bearbeitung eines Wafers.
Die effizienteste Technik ist das Trennschleifen. Die Trennscheiben sind sehr dünne
Metallblätter mit Diamantkörnern am Rand. Die Dicken liegen in der Regel zwischen 20 und
50 µm. Sie werden auf eine Präzisionsspindel gespannt und mit hoher Drehzahl betrieben.
Infolge der Zentrifugalkraft stabilisiert sich das Sägeblatt. Mit einer vordefinierten Tiefe (meist
die Hälfte der Waferdicke) werden sie in den Wafer abgesenkt und mit einigen cm/s
translatorisch verfahren. Dieser Vorgang wird solange wiederholt, wobei die Einsenktiefe in
das Material jedes Mal erhöht wird, bis der Wafer durchgeschnitten ist. Da durch den Prozess
viel Wärme entsteht, wird die Trennscheibe über den ganzen Prozess mit Kühlwasser gekühlt.
Die Wafer werden während des gesamten Prozesses durch eine selbstklebende Folie
(Blaufolie) auf dem x-y-φ Tisch fixiert. Durch diese Fixierung verbleiben die Chips nach dem
Trennen auf der Folie (Folie wird beim Trennen nicht durch- sondern nur angeschnitten). Über
die zusätzliche Fixierung durch einen Spannrahmen und einem Vakuumchuck verstärkt sich
die Halterung während des Prozesses.
Oft werden sehr komplexe Strukturen getrennt, denen das erzeugte Gemisch aus Kühlwasser
und abgetragenen Material Beschädigungen zu führen würde. Aus diesem Grund klebt man
entweder eine zweite Blaufolie auf die Oberseite der Wafer oder benetzt diese bei sehr fragilen
Strukturen mit Fotoresist.

Senkerodieren
Auch wenn die Mikrofunkenerosion kein klassisches Verfahren des Rapid Prototypings
darstellt, wird sie an dieser Stelle beschrieben, da zumindest die Drahterosion durch ihre
softwaregestützte Ansteuerung sehr flexibel eingesetzt werden kann.
Das Prinzip der Funkenerosion beruht auf der materialabtragenden Wirkung elektrischer
Entladungen zwischen zwei elektrisch leitenden Elektroden. Bei dem Prozess werden die
beiden Elektroden (Werkzeug und Werkstück) in einer isolierenden Flüssigkeit einander
angenähert, bis die angelegte Spannung eine Entladung auslöst. Das umgebende
6. Rapid Prototyping und Verbindungstechnik 59
Dielektrikum gewährleistet hierbei konstante Entladungsbedingungen. Der Abtrag erfolgt
durch eine vom Entladeprozess ausgehende Kombination elektrischer, thermischer und
mechanischer Vorgänge. Dabei wird durch eine direkte Umsetzung von elektrischer Energie
in Wärme, Material aufgeschmolzen und abgetragen. Nach Anlegen eines elektrischen
Spannungsimpulses baut sich das elektrische Feld im Arbeitsspalt auf. Freie Ladungsträger
nehmen im Feld Energie auf und heizen das Dielektrikum bis es zur Bildung von Gasbläschen
kommt. Dieser Vorgang verstärkt die Energieaufnahme und es kommt zur Ausbildung eines
Plasmakanals. Dabei entstehen sehr hohe Drücke und Temperaturen. Daraufhin bricht das
elektrische Feld durch den leitenden Plasmakanal zusammen und die Gasblase implodiert.
Die hohe Temperatur und der Schalldruck hinterlassen im Werkstoff einen Krater. Die Ionen
im Plasma wandern nun aufgrund der angelegten Spannung in Richtung Werkstück, während
die Elektronen in Richtung Werkzeug wandern. Dadurch erhöht sich der Abtrag des
Werkstücks wesentlich gegenüber dem des Werkzeugs.

Abb. 51: Aufbau und Ablauf des Senkerodierens.

Der Begriff Mikrofunkenerosion leitet sich aus der Anwendung der Funkenerosion für die
Herstellung von Mikrobauteilen und Mikrostrukturen ab. Hauptmerkmale der Mikro-
funkenerosion sind neben der miniaturisierten Elektrode und Fertigungskontur die geringere
Entladeenergie pro Einzelentladung. Daraus resultieren minimale Funkenspaltweiten von 3 bis
5 μm.
Beim Erodieren werden zwei Verfahren unterschieden: Das Senk- und das Drahterodieren.
Den Unterschied bildet die Form der Elektrode, beim Drahterodieren ein Draht mit einem
minimalen Durchmesser von 30 µm und beim Senkerodieren die negative Form, die sich in
das Werkstück senkt.

Laserbearbeitung in der Mikrotechnik

Die weite Einsetzbarkeit der Laserablation leitet sich vor allem aus der prozesskräftefreien
Bearbeitung unabhängig von den mechanischen Eigenschaften des Werkstoffes ab.
Zusammen mit einer großen Gestaltungsfreiheit und Bearbeitungsgenauigkeit können daher
mit der Laserablation funktionale Werkstoffe, wie bspw. hochlegierte und gehärtete Stähle,
Silizium, Glas u.v.m. bearbeitet werden. Mit entsprechenden Optiken und

60 6. Rapid Prototyping und Verbindungstechnik

Werkzeugsteuerungen sind 1 bis 2,5D-Strukturen bei hohen Aspektverhältnissen und
Formgenauigkeiten möglich.
In der Mikrotechnik werden für Strukturierungsaufgaben hauptsächlich Nd:YAG- und Excimer-
Laser eingesetzt.

Abb. 52: Schematischer Aufbau für die Laserablation (Links) und ein damit gefertigter mikrotechnischer
Zwei-Achs-Tisch mit Festkörpergelenken (Rechts).
Mit Nd:YAG-Lasern sind Strukturabmessungen von einigen Mikrometern und Abtragtiefen bis
in den mm-Bereich möglich. Der Nd:YAG-Laser kann durch eine Frequenzvervielfachung mit
unterschiedlichen Wellenlängen (1064 nm, 532 nm, 355 nm) betrieben werden. Damit eignen
sie sich zur Strukturierung von nahezu allen Materialien, wie Polymeren, Metallen, Keramiken
und Glas. Die kürzeren Wellenlängen führen zudem zu einer besseren Fokussierbarkeit und
damit zu einer höheren Strukturauflösung.
Der Nd:YAG-Laser unterscheidet sich vom Excimer-Laser hauptsächlich in der Abtragsrate
und den maximalen lateralen Abmessungen. Eine flächige Bearbeitung im unteren mm-
Bereich wird demnach mit Excimer-Lasern durchgeführt, während Strukturen mit mm-
Abmessungen oder Bohrungen mit Nd:YAG-Lasern erzeugt werden.
Excimer-Laserstrahlquellen emittieren, analog zu frequenzverdreifachten Nd:YAG-Lasern, im
UV-Wellenlängenbereich und ermöglichen sehr hohe Strukturgenauigkeiten mit
Abmessungen im Submikrometerbereich. Ein wesentlicher Vorteil der Nd:YAG-Laser besteht
in dem einfachen Fertigungsprozess durch Scanneroptiken, welche durch die gezielte
Ablenkung des Laserstrahls eine einfache Übertragung der Strukturen ermöglichen, während
beim Excimer-Laser auf Maskentechniken zurückgegriffen werden muss.
Der Materialabtrag mittels Laser erfolgt durch thermische Interaktion der eingebrachten
energiereichen Strahlung mit dem abzutragenden Werkstoff. Dabei wird das Material lokal
aufgeschmolzen bzw. sublimiert und durch den auftretenden Dampfdruck von der
Bearbeitungsstelle weggetragen.

6. Rapid Prototyping und Verbindungstechnik 61

 Aktoren
Dieses Kapitel behandelt die verschiedenen Aktorprinzipien der Mikrotechnik, ihre
Funktionsweise und ihren Einsatz.

Aktoren
Die Mikrosystemtechnik kann als miniaturisierte Mechatronik gesehen werden. Historisch
wiederum ist die Mechatronik aus der Gerätetechnik hervorgegangen. Diese war schon immer
durch das Zusammenspiel Präzisionsmechanik, Elektronik und Software geprägt. Der Aufbau
von Mikrosystemen kann daher durch das Geräteschema nach VDI/VDE 2422 beschrieben
werden. In diesem stellen die Aktoren die Schnittstelle zwischen der Steuerung und dem
Prozess dar, den sie beeinflussen.

Abb. 53: Die Stellung von Aktoren in einem Mikrosystem.

Die Vielfalt an realisierten Aktoren ist riesig. Im Prinzip kommen alle physikalischen Effekte
als grundlegende Aktorprinzipien in Frage, bei denen elektrische, chemische oder thermische
Eingangsgrößen in Bewegungen oder Kräfte umgewandelt werden.
Dabei wird ein wichtiges Merkmal im Geräteschema deutlich: Eingangsseitig erhält der Aktor
von der Steuerung nur Information, ausgangsseitig muss er Arbeit leisten und Energie
abgeben. Er muss also zusätzlich mit Energie versorgt werden. Da heutzutage die Signale von
Mikrorechnern in digitaler Form ausgegeben werden und Wandler analoge Eingangsgrößen
benötigen, wird noch ein D/A-Wandler (digital ↔ analog) zwischengeschaltet. Hinter dem Aktor
verbirgt sich in jedem Fall mehr als nur der elektromechanische Wandler. Für eine
Bewegungsaufgabe können folgende Elemente integriert sein:
Ein oder mehrere Regelkreise, die Leistungselektronik, der eigentliche elektromechanische
Wandler und die Mechanik zur Anpassung der Bewegung an die entsprechende Aufgabe im
Prozess. Die heutigen komplexen Aufgaben fordern eine strenge Rückkopplung der
Aktorarbeit über Sensoren in die Regelkette.
Im vorliegenden Kapitel werden aufgrund der Vielzahl der möglichen Aktorprinzipien, nur die
wichtigsten Anwendungen für die Mikrotechnik behandelt.
Zu allen anderen Wandlerarten wird das zu Grunde liegende physikalische Prinzip erklärt.

7. Aktoren 63
Direkte Kraftentstehung
Die Zahl der physikalischen Effekte, die sich für elektromechanische Wandler eignen, ist
übersichtlich. In Abb. 54 sind die Effekte aufgezeigt, bei denen direkt eine Kraft entsteht.

Abb. 54: Die drei Prinzipien der direkten Kraftentstehung.

Der elektrostatische Effekt bzw. das Coulomb 1-Gesetz sagt aus, dass die Kraft zwischen
zwei Punktladungen dem Produkt der beiden Ladungen direkt und dem Quadrat ihres
Abstandes umgekehrt proportional ist. Die Richtung der Kraft fällt mit der Verbindungslinie der
beiden Ladungen zusammen. Körper mit gleicher elektrischer Ladung stoßen sich gegenseitig
ab. Der Proportionalitätsfaktor cE enthält die absolute und die relative Dielektrizitätskonstante.
Der elektrodynamische Effekt beschreibt die Entstehung einer Kraft auf einen
stromdurchflossenen Leiter im Magnetfeld. Die Kraftwirkung ist am größten, wenn Strom- und
Magnetfeldrichtung einen Winkel von 90° bilden. Sind Strom- und Magnetfeldrichtung parallel
oder antiparallel, so entsteht keine Kraft. Die entstehende Kraft kann durch eine einfache
Vektorgleichung beschreiben werden. Die Länge des stromdurchflossenen Leiters geht
ebenfalls in die Gleichung ein. Er kann auch mehrfach in Form einer Spule durch das
Magnetfeld geführt werden. Nach den Entdeckern heißt der Effekt Biot-Savart. Bewegen sich
geladene Teilchen durch das Magnetfeld so wirkt die so genannte Lorenzkraft.
Der elektromagnetische Effekt bzw. das Coulomb 2-Gesetz ist dem Coulomb 1 Effekt sehr
ähnlich. Die Kraft ist proportional dem Produkt der magnetischen Flüsse geteilt durch das
Quadrat des Abstands. Der Proportionalitätskoeffizient cm enthält die absolute und die relative
Permeabilitätskonstanten. Der Coulomb 2 Effekt ist leichter umzusetzen als Coulomb 1. Erst
bei sehr kleinen Dimensionen gewinnt der Coulomb 1 Effekt an Bedeutung.

Direkte Längenänderung
Die drei oben genannten Effekte erzeugen nicht primär eine Kraft auf einen Körper, sondern
mechanische Spannungen, die sich in Längenänderungen auswirken. Behindert man die
Längenänderungen, so kann man daraus Kräfte ableiten.

64 7. Aktoren
Abb. 55: Die drei Prinzipien der direkten Längenänderung.
Der elektrostriktive Effekt beruht auf Asymmetrien des Kristallgitters in bestimmten
Kristallen, wie bspw. Quarz, Tomalin, Seignettesalz und auch Eis. Ein äußeres elektrisches
Feld führt zu Verspannungen und somit zu einer Längenänderung. Der Effekt ist auch
umkehrbar. Entdeckt haben den Effekt die Geschwister Curie um 1880. In der Keramik aus
Blei-Zirkonat-Titanat (PZT), genannt Piezokeramik, kann der Effekt ebenfalls genutzt werden,
wenn man die Keramik vor Beginn der Nutzung polarisiert und dabei die Asymmetrien in
annähernd gleiche Richtungen ausrichtet. Die relativen Längenänderungen liegen im Bereich
von maximal 1-2 ‰.
Der magnetostriktive Effekt tritt in bestimmten Legierungen, vor allem in Eisen-Nickel-
Legierungen auf. Legt man an einen Ferromagneten ein äußeres magnetisches Feld an, so
richten sich die Weissschen Bezirke gleich aus. Durch das Drehen der Dipole ändert sich die
Länge eines Stabes im Bereich der Längenänderungen des elektrostriktiven Effektes. Der
Effekt wurde zuerst von Joule 1847 beschrieben. Er ist ebenfalls umkehrbar.
Der thermostriktive Effekt beschreibt die Ausdehnung von festen Körpern, Flüssigkeiten und
Gasen bei Temperaturänderung. Besonders ausgeprägt ist der Effekt beim Phasenwechsel
von flüssig nach gasförmig. Bereits Heron von Alexandria hat den Effekt etwa 100 v. Chr. zum
Öffnen von Tempeltüren benutzt. Ein elektromechanischer Wandler wird daraus, wenn die
Erwärmung elektrisch erfolgt.

Elektrostatischer Aktor
Elektrostatische Aktoren finden häufig Verwendung in der Mikrotechnik, da die
Miniaturisierung zu so kleinen Plattenabständen führt, dass anders als in der Makrowelt
nutzbare Kräfte entstehen. Die elektrische Kraft versucht beide Platten in Kontakt zu bringen.
Die mechanische Rückstellkraft steht im Gleichgewicht mit der elektrischen Feldkraft. Dabei
wird eine mechanische Arbeit geleistet. Da beide Energien (mechanisch und elektrostatisch)
im Gleichgewicht stehen, gilt:

7. Aktoren 65
 1 1 𝐴
𝑊𝑒𝑙 = ∙ 𝐶 ∙ 𝑈2 = ∙ 𝜀 ∙ ∙ 𝑈2
2 2 𝑑
𝑊𝑚 = 𝐹 ∙ 𝑑
1 𝐴
𝐹∙𝑑 = ∙ 𝜀 ∙ ∙ 𝑈2
2 𝑑
1 𝐴
𝐹 = ∙ 𝜀 ∙ 2 ∙ 𝑈2
2 𝑑
Wird eine bewegliche Kondensatorplatte um das Wegelement x1 gegenüber der
Ausgangsstellung ausgelenkt, gilt für die mechanische Rückstellkraft:
𝐹𝑚 = −𝑥1 ∙ 𝑐
Durch die Verschiebung um das Wegelement x1 ändert sich die elektrische Kraft zu:
1 𝐴
𝐹𝑒𝑙 = ∙𝜀∙ ∙ 𝑈2
2 (𝑑 − 𝑥1 )2
Die Kraft-Weg Linie der Rückstellkraft ist linear. Die elektrische Kraft zeigt hyperbolisches
Verhalten. Existieren zwei Schnittpunkte, so ist der jeweils linke Schnittpunkt ein stabiler
Gleichgewichtspunkt, während der rechte Schnittpunkt einen instabilen
Gleichgewichtszustand beschreibt. Beim instabilen Gleichgewichtspunkt tritt der Pull-In bzw.
Snap-In-Effekt auf. Ab diesem Punkt ist die mechanische Kraft nicht mehr in der Lage, das
Aneinanderziehen der Kondensatorplatten zu verhindern. Erhöht man die Spannung, fallen
stabiler und instabiler Schnittpunkt in einem Punkt zusammen, das Kräftegleichgewicht wird
instabil und der Snap-In-Punkt ist erreicht.

Abb. 56: Verschiedene Anordnungen eines elektrostatischen Aktors.

66 7. Aktoren
Die Kapazität eines Kondensators ist wie folgt definiert:
𝐴
𝐶=𝜀∙
𝑑
Durch die Kapazitätsänderung werden sowohl die aktorischen als auch die sensorischen
Effekte der Elektrostatik hervorgerufen. Dabei besteht zum einen die Möglichkeit über die
Geometrie und zum anderen über verschiedene Dielektrikaanordnungen die Kapazität zu
verändern.
Günstig für die Nutzung eines physikalischen Effekts sind lineare Zusammenhänge. Diese
werden nur durch eine veränderliche Plattenfläche erreicht (siehe obige Formel).
Die Gesamtkapazität eines Kondensators, welcher mit mehreren Dielektrika gefüllt ist,
berechnet sich je nach Anordnung als Reihen- bzw. Parallelschaltung von Kondensatoren.
Geschichtete Dielektrika berechnen sich über eine Reihenschaltung zu:
1 1 1
= +
𝐶𝑔𝑒𝑠 𝐶1 𝐶2
𝑏0 ∙ 𝑙0
𝐶1 = 𝜀𝑟1 ∙
𝑎1
𝑏0 ∙ 𝑙0
𝐶2 = 𝜀𝑟2 ∙
𝑎2
Verschiebbare Dielektrika berechnen sich über eine Parallelschaltung zu:
𝐶𝑔𝑒𝑠 = 𝐶1 + 𝐶2
𝑏0 ∙ (𝑙0 − 𝑙)
𝐶1 = 𝜀𝑟1 ∙
𝑎0
𝑏0 ∙ 𝑙
𝐶2 = 𝜀𝑟2 ∙
𝑎0

Wanderkeil-Relais
Das Wanderkeilrelais besteht aus einer Siliziumzunge, die sich unter dem Einfluss einer auf
ihrer Oberseite aufgebrachten und unter Zugspannung stehenden, dünnen
Siliziumnitridschicht, aufwölbt.

Abb. 57: Funktionsweise eines Wanderkeilrelais.

Durch Anlegen einer Potentialdifferenz schmiegt sich die gebogene Ankerelektrode an die
isolierte Substratelektrode. Sie schiebt dabei einen Luftkeil nach rechts, was dem Relais den
Namen gegeben hat. Am Ende der Bewegung wird der Kontakt geschlossen.

7. Aktoren 67
Das Wanderkeilrelais ist bezogen auf die Elektrostatik hervorragend für die Stellaufgaben
geeignet, da die elektrostatische Kraft für kleine Abstände stark zunimmt. Durch das
allmähliche Anlegen der gebogenen Ankerelektrode schaltet das Relais bereits bei
vergleichsweise geringer Spannung, obwohl der Anker einen aus mikrotechnischer Sicht
gesehen großen Kontaktabstand überwinden muss.
Trotz der geringen Abmessungen bringt dieses Relais die typischen Eigenschaften eines
Relais mit: Volle galvanische Trennung zwischen Last- und Steuerkreis durch eine
Isolationsschicht (bspw. SiO2) auf dem Substrat.
Typische Werte bzw. Eigenschaften für ein Wanderkeilrelais sind schaltbare Ströme von
200 mA und eine hohe Schockfestigkeit, garantiert aufgrund der geringen Masse der
Schaltzunge (ca. 10 µm dick).
Mikrorelais lassen sich extrem dicht packen und in einem Standard SMD-Gehäuse (surface
mounted device) integrieren.
Typische Anwendungsgebiete liegen bspw. in Leiterplatten-Testsystemen, Schalter in
batteriegepufferten Geräten oder Kleinsignalanwendungen.

Elektrostatische Antriebe
In folgender Abbildung sind die vier wichtigsten elektrostatischen Antriebskonzepte aus der
Mikrotechnik mit ihren jeweiligen Eigenschaften aufgezeigt.

Abb. 58: Die vier wichtigsten Konzepte für elektrostatische Antriebe.

Aufgrund seiner bedeutenden Rolle wird an dieser Stelle näher auf den Antrieb mittels
Kammstrukturen eingegangen.
Der Name Kammstruktur leitet sich aus der Ähnlichkeit der Form zu einem Kamm ab. Bei
diesen Strukturen existiert sowohl ein fester als auch ein beweglicher Teil. Bei Kammantrieben
werden zwei mögliche Bewegungsrichtungen unterschieden:
Senkrechte und parallele Bewegung zu den Elektroden. Wie bereits in 7-6 aufgezeigt,
berechnen sich die entstehenden Kapazitäten nach einer Reihen- oder Parallelschaltung.
Unabhängig von der gewählten Bewegungsrichtung ergibt sich die resultierende
elektrostatische Kraft eines Kammantriebes zu
𝜕𝑊 1 𝜕𝐶(𝑥)
𝐹𝑒𝑙 = 𝑛 ∙ = 𝑛 ∙ ∙ 𝑈2 ∙
𝜕𝑥 2 𝜕𝑥

68 7. Aktoren
mit n als Anzahl der Kammpaare und C(x) als bauformabhängige Kapazität. Wie obige
Gleichung zeigt, wird die von Kammantrieben erreichbare elektrostatische Antriebskraft neben
der Bauform und der angelegten Spannung, wesentlich von der Anzahl der Kammpaare
bestimmt. Um den Stellweg zu vergrößern, können die Kondensatorstrukturen konisch
ausgelegt werden.

Aufhängungen
Aufhängungen zählen in der Mikrotechnik zu den Grundbausteinen der Funktions- und
Formelemente. Vertreter aus dieser Gruppe sind schwingfähige Feder-Masse-Anordnungen.
Sie werden als Grundbausteine von sensorischen und aktorischen Wandlern angewendet.
Beispiele hierzu sind Signalwandler für physikalische Größen oder Energiewandler.

Abb. 59: Vier wichtige Aufhängungen für sensorische und aktorische Wandler.
Federn kennzeichnen sich dadurch aus, dass sie eine bewegliche Masse mit einem festen
Rahmen verbinden und somit eine Rückstellkraft erzeugen. In der Mikrosystemtechnik werden
Biegebalken, Torsionsbalken oder Membranen als Federn eingesetzt. Über die
Gestaltungsform der Aufhängung der beweglichen Masse am Rahmen können wichtige
Parameter wie Empfindlichkeit, Querempfindlichkeit, Eigenfrequenz oder die maximal
auftretende Spannung in den Federn beeinflusst werden.
In obiger Folie sind die Grundformen mit ihren jeweiligen Eigenschaften von Aufhängungen
für lateral bewegte Strukturen aufgezeigt, welche alle Feder-Masse-Anordnungen darstellen.
Im einfachsten Fall können die Systeme mit einem möglichen Freiheitsgrad betrachtet werden,
für die folgende Bewegungsgleichung gilt:
𝑚 ∙ 𝑥̈ + 𝑘 ∙ 𝑥̇ + 𝑐 ∙ 𝑥 = 𝐹(𝑡)𝑠
mit c als der Federsteifigkeit, x der Auslenkung, k der Dämpfungskonstanten und F der
erregenden Kraft.
Für die Berechnung der mechanischen Kennwerte von mikrotechnischen Aufhängungen
gelten unabhängig von den geringen Dimensionen die Gesetze der Kontinuumsmechanik.

7. Aktoren 69
Digital Light Processing
Lange Zeit ist die Mikroaktorik im Gegensatz zur Mikrosensorik stiefmütterlich behandelt
worden, da der breite Nutzen der kleinen erreichten Stellwege noch nicht erkannt worden war.
Durch die rasche Entwicklung in der Unterhaltungs- und Kommunikationsindustrie stieg auch
ihre Bedeutung in der Mikrotechnik rasch an. Ein sehr wichtiges Produkt stellt die DLP-Technik
(Digital Light Processing) dar.
DLP ist eine Technologie, die von Texas Instruments entwickelt wurde. Sie basiert auf vielen
kleinen mikroskopischen Spiegeln, die auf einem DMD-Chip (Digital Mirror Device) angebracht
sind. Die Spiegel sind dabei kleiner als ein Fünftel des Durchmessers eines Haares. Dabei
wird ihre Bewegung durch elektrostatische Felder gesteuert.

Abb. 60: Funktionsweise und Aufbau eines Digital-Light-Processing-Chips. (Quelle: Texas Instruments)
Das Einzelelement besteht aus einer quadratischen Spiegelfläche (16 x 16 µm), die an zwei
Torsionsfedern aufgehängt ist. Über die Elektrostatik lassen sich die Spiegel in ihrer Stellung
über der Diagonalen kippen (bis zu 5000-mal pro Sekunde). Die gesamte Struktur wird in
Oberflächenmikromechanik durch wiederholte Abscheidung von Opfer-/Maskierschichten und
Aktivstrukturen hergestellt. Die Ansteuerung der Spiegel erfolgt in digitaler Weise.
Für die Bildproduktion werden die einzelnen matrixförmig angeordneten Spiegel
(zusammengefasst als Array) beleuchtet. Ihre Kippstellung entscheidet darüber, ob sie direkt
in die Optik reflektiert oder ausgeblendet werden. Im Ergebnis entsteht ein Bild aus vielen Pixel
(ein Pixel stellt einen Spiegel dar), dessen Helligkeit dynamisch über den relativen Anteil der
Spiegelstellung „eins“ oder „null“ gesteuert wird.
Für die Farbdarstellung gibt es zwei unterschiedliche Möglichkeiten.
Bei der 1-Chip Technologie wird in den Lichtweg vor dem DMD-Chip ein Farbrad geschaltet,
auf dem Farbfilter der Grundfarben (RGB-System: Rot, grün und blau) rotieren.
Bei der 3-Chip Technologie wird das Licht nach der Lampe mit dichroitischen Spiegeln in die
drei Grundfarben zerlegt und einzeln auf drei DMD-Chips verteilt.
Heutzutage sind im Digital Light Processing Auflösungen von 2048 x 1080 möglich, dies
bedeutet eine Spiegelanzahl von ~ 2,2 Millionen Spiegeln.

70 7. Aktoren
Elektrodynamischer Wandler
Elektrodynamische Wandler beruhen auf der Kraftwirkung auf einen stromdurchflossenen
Leiter mit der gerichteten Länge im Magnetfeld B nach der Lorentzkraft (Betragsgleichung):
𝐹 =𝐼∙𝐵∙𝑙

sin(𝑙⃗, 𝐵
⃗⃗) = sin(90°) = 1

Bei der Verwendung von elektrodynamischen Wandlern wird das bewegliche Wandlerelement
über zuvor genannten Aufhängungen realisiert. Die Stromzufuhr wird über die beweglichen
Elemente geliefert. In der Aktorik stellen die erreichte Wandlerkraft und das erreichte Moment
wichtige Kenngrößen dar. Das maximal erreichbare Moment ist wesentlich von der
magnetischen Flussdichte (B) im Luftspalt und vom elektrischen Strom abhängig.

Abb. 61: Elektrodynamischer Wandler mit Wandlerelementen (1), Düsen (2), Glassubstrat (3), Wanne
zur Tintenversorgung (4), untere Dichtfläche der Düsenräume (5), Magnetsystem (6) und Flussleitblech
(7).
Elektrodynamische Wandler nach obiger Skizze - Planarspule auf einem beweglichen
Siliziumsubstrat und festen Permanentmagneten - werden bspw. in MEMS-Scannern oder
Tintendruckköpfen eingesetzt.
Elektrodynamische Wandler in der Mikrotechnik müssen kleine Dimensionen aufweisen. Um
dennoch eine akzeptable Kraftwirkung zu erzielen, sind Magnetwerkstoffe mit hoher
Energiedichte erforderlich. Besonders gesinterte Permanentmagnete auf Basis seltener
Erden, wie Samariumkobalt (SmCo), sind für diese Aufgabe geeignet.
Eine weitere Realisierungsmöglichkeit von elektrodynamischen Wandlern in der Mikrotechnik
sind Permanentmagnete auf einem beweglichen Wandlerelement. Allerdings sind hiermit zu
viele Nachteile verbunden, wie bspw. die eingeschränkte Dynamik und die schwere
Prozessierung, so dass diese Aktorform selten verwendet wird.

Schrittmotor
Schrittmotoren bestehen aus einem beweglichen Teil, dem Rotor und einer festen
Komponente, den Stator. Dabei wird im Stator ein rotierendes elektromagnetisches Feld
erzeugt, das den Rotor um einen definierten Schritt weiterdreht.
Der große Vorteil von Schrittmotoren gegenüber anderen Motorkonzepten wie bspw.
Synchron- oder Gleichstrommotoren ist, dass sie dem außen angelegten Feld exakt folgen.
Somit erspart man sich die Positionsrückmeldung über Encoder, Drehgebern oder ähnlichem.
Wird allerdings ein Schrittmotor überlastet, das heißt Lastmoment >> Motormoment, kann der
Motor dem Drehfeld nicht mehr exakt folgen und überspringt einzelne Schritte.

7. Aktoren 71
Abb. 62: Die unterschiedlichen Phasen eines Schrittmotors.
Der Schrittmotor wird anhand seiner Bauform nach Reluktanz- und Permanentmagnet
Schrittmotoren unterschieden.
Beim Reluktanzschrittmotor besteht der Rotor aus einem gezahnten Weicheisenkern. Bei
Weicheisen verschwindet nach Abschalten des Statorstromes das Magnetfeld. Beim
Anschalten des Stromes fließt der magnetische Fluss durch den Weicheisenkern des Rotors.
Die Drehbewegung des Rotors entsteht durch die Verringerung des magnetischen
Widerstandes, da vom gezahnten Stator der nächstliegende Zahn des Rotors angezogen wird.
Beim Permanentmagnet Schrittmotor, wie in obiger Folie gezeigt, bestehen der Stator aus
einem Weicheisenkern und der Rotor aus Permanentmagneten mit abwechselnden
Polaritäten. Durch die Ausrichtung des dauermagnetischen Rotors zum Magnetfeld des
Stators, wird eine schrittweise Drehbewegung erreicht.
Typische Anwendungsgebiete von Schrittmotoren sind Antriebe in Schreib-/Leseköpfen in
Diskettenlaufwerken, Antriebe von Werkzeugmaschinen oder Antriebe für die Zeiger einer
Armbanduhr.

72 7. Aktoren
 Sensoren
Die Sensorik stellt die Schlüsseltechnologie der Mikrotechnik dar. Während mikrotechnische
Aktoren nur in Spezialbereichen in hohen Stückzahlen Einsatz finden, haben Sensoren viele
Anwendungsbereiche in großen Stückzahlen erobert.

Sensoren
Sensoren liefern Informationen aus dem Prozess an die Steuerung. Das eigentliche
Wandlerelement wandelt mechanische, thermische oder andere physikalische bzw.
chemische Größen in elektrische Größen. Häufig werden mechanische Größen umgeformt,
bevor sie dem Wandlerelement zugeführt werden.

Abb. 63: Die Stellung von Sensoren in einem technischen System.

Sensoren lassen sich nach verschiedenen Kriterien systematisch ordnen. Kriterien können
sein:
Die zu erfassende Messgröße, der physikalische Effekt, die Art des Ausgangssignals,
der Messbereich, die Auflösung, das Gewicht und die Abmessungen.
Sensoren können berührungslos oder berührend arbeiten, sie können aktiv oder passiv sein.
Bei aktiven Sensoren entsteht das elektrische Ausgangssignal ohne zusätzliche Hilfsenergie
durch das Einwirken der Messgröße, wie bspw. piezoelektrische Sensoren oder Fotozellen.
Passive Sensoren benötigen eine Hilfsenergie, damit ein elektrisches Signal entsteht. Sie
können unterschiedliche Beständigkeit gegen Substanzen haben und unterschiedliche
Störempfindlichkeiten aufweisen, wie bspw. Widerstandssensoren.
Frühere Systeme basierten auf Einzelsensoren mit analoger Signalauswertung; die Zukunft
geht in komplette Sensorarrays mit mikroprozessorgesteuerter Datenverarbeitung über.
Hiermit wird die Messqualität deutlich erhöht, bspw. durch Anwendung von statistischer
Mittelung oder Steigerung des Empfindlichkeitsbereichs.

8. Sensoren 73
Aufbau eines Sensors
Zur Signalverarbeitung, das heißt Verstärkung, Filterung, digitaler Umsetzung, logischer
Entscheidung oder temporärer Speicherung, werden heutzutage für Sensoren meistens
mikroelektronische Schaltungen verwendet.

Abb. 64: Aufbau von verschiedenen Arten von Sensoren.

Das primäre elektrische Signal, das der Wandler abgibt, wird mit einer Auswerteelektronik
aufbereitet, anschließend in ein digitales Signal umgesetzt und vielleicht sogar mit einem
Mikrorechner an eine Busschnittstelle angepasst.
Je nach Umfang der Integration spricht man von einem einfachen Sensor oder Wandler, einem
integrierten Sensor oder einem intelligenten Sensor.
Eine Umformung der zu messenden Größe in eine nichtelektrische Zwischengröße ist bei
indirekten Messverfahren erforderlich. So wird bspw. zur Kraftmessung häufig eine
Verformung ausgewertet.
Die Auswerteelektronik kann die unterschiedlichsten Aufgaben haben, wie Verstärkung,
Kompensation von Nullpunktschwankungen, Ausfilterung von Störsignalen, Linearisierung
und Normierung des Messbereichs. Soweit die Auswerteelektronik mit dem Wandler integriert
ist, spricht man von einem integrierten Sensor.
Ist auch der Analog-Digital-Wandler oder ein Mikrorechner integriert, so spricht man von einem
intelligenten Wandler.
Häufig sind Sensoren und Aktoren mit dezentraler Intelligenz ausgestattet, die an die
Steuerung Statusmeldungen zurückgeben und von der Steuerung nur Befehle empfangen.

Messfehler
Messfehler unterscheidet man wie folgt:
• Der absolute Fehler ist die Differenz von Istwert und Sollwert.
• Der relative Fehler ist die Differenz von Istwert und Sollwert bezogen auf den Sollwert.

74 8. Sensoren
 • Der Gerätefehler ist die Differenz von Istwert und Sollwert bezogen auf den
Messbereich.
• Die systematischen Fehler zeichnen sich dadurch aus, dass sie für jeden Messpunkt
einen bestimmten Betrag und ein bestimmtes Vorzeichen haben. Sie lassen sich durch
Messungen mit einer genaueren Messeinrichtung erfassen oder sich berechnen, wenn
die Zusammenhänge bekannt sind. Systematische Fehler lassen sich korrigieren.
• Die zufälligen Fehler sind nicht vorhersehbar. Sie schwanken nach Betrag und
Vorzeichen. Werden unter sonst gleichen Bedingungen mehrere Messungen
durchgeführt, so lässt sich der Einfluss der zufälligen Fehler verringern. Mittelwert und
Standardabweichung charakterisieren die Qualität der Messung.

Abb. 65: Zusammensetzung eines Messfehlers.

Als Maß für die Streuung der Werte einer Zufallsgröße Z um ihren Erwartungswert E(Z) wird
die Varianz Var(Z) gebildet:
𝑛
1
𝑉𝑎𝑟(𝑍) = ∙ ∑(𝑧𝑖 − 𝑧̅)2
𝑛−1
𝑖=1

mit z1, z2 … zn Werte der Zufallsgröße Z und Mittelwert z .

Die Standardabweichung ist die Wurzel aus der Varianz:

𝜎(𝑍) = √𝑉𝑎𝑟(𝑍)

8. Sensoren 75
Messverfahren
Als Messprinzip bezeichnet man den charakteristischen physikalischen Effekt, der zur
Erfassung der Messgröße benutzt wird.
Das Messverfahren bezeichnet die Art der Anwendung und Umsetzung des Messprinzips.

Abb. 66: Kategorien von Messverfahren.

Bei direkten Messverfahren wird der Zahlenwert einer zu messenden Größe durch direkten
Vergleich mit einer Maßverkörperung der gleichen Größe gewonnen.
Bei indirekten Messverfahren wird die zu ermittelnde Größe über eine andersartige
Messgröße bestimmt. Sensoren arbeiten zwangsläufig mit indirekten Messverfahren.
Analoge und digitale Messverfahren unterscheiden sich in der Art der Signalausgabe.
Bei analogen Verfahren sind unendlich viele Zwischenwerte möglich.
Bei digitalen Verfahren sind es diskrete Werte.
Die Auswertung kann zeitkontinuierlich oder zeitdiskontinuierlich erfolgen. Informations-
verluste und Fehler treten beim Abtasten von kontinuierlichen Zeitfunktionen auf, wenn das
Abtasttheorem nach Nyquist-Shannon nicht eingehalten wird. Es besagt, dass die
Abtastfrequenz mindestens doppelt so hoch sein muss, wie die höchste abzutastende
Frequenz im Spektrum der zu erfassenden Zeitfunktion.
𝑓𝑎𝑏𝑡𝑎𝑠𝑡 ≥ 2 ∙ 𝑓𝑔𝑟𝑒𝑛𝑧

Zur Fehlervermeidung werden Anti-Aliasing-Filter eingesetzt, die höhere Frequenzen aus dem
Signal entfernen.

76 8. Sensoren
Schließlich kann man nach der Ausschlagmethode oder mit einer Kompensationsmethode
messen.
Bei der Ausschlagmethode wirken sich Nichtlinearitäten der Signalwandler störend aus.
Bei der Kompensationsmethode findet ein Nullabgleich statt. Die Differenz zwischen
Messgröße und Vergleichsgröße wird in einem Regelkreis minimiert. Der Wert der
Vergleichsgröße stellt den Messwert dar.

Digitale Auswertung analoger Signale

Beim Umsetzen von analogen Signalen in wert- und zeitdiskrete Signale treten
Quantisierungsfehler auf, die von der Größe der Zeitschritte und der Auflösung des A/D-
Wandlers abhängig sind. Durch den A/D-Wandler können Spannungen nur in bestimmten
diskreten Stufungen wahrgenommen werden. Dies sind die Quantisierungsintervalle, so dass
der zu messende Bereich in diskrete Bereiche aufgeteilt (= quantisiert) wird. Der
Quantisierungsfehler ist dabei die Abweichung der wahren Spannung von der durch den
A/D-Wandler gemessenen Spannung. Die Differenz zwischen analogem und digitalisiertem
Signal bezeichnet man als Quantisierungsrauschen.

Abb. 67: Digitale Auswertung analoger Signale.

Analoge Signale lassen sich auch als pulsmodulierte Signale weiterleiten und auswerten.
Bei der Puls-Amplituden-Modulation (PAM) werden einzelne Impulse gleicher Impulsdauer
in einem festen Zeittakt übertragen, deren Amplituden den abgetasteten Werten des Signals
entsprechen.
Bei der Puls-Frequenz-Modulation (PFM) werden Impulse gleicher Amplitude und gleicher
Impulsdauer übertragen, deren Abstand voneinander die Information trägt. Der Kehrwert des
zeitlichen Abstands von zwei Impulsen entspricht einer Frequenz, in die die Amplituden des
Messsignals umgesetzt werden.
Bei der Puls-Phasen-Modulation (PPM) ist die Information ebenfalls im Abstand zwischen
Impulsen gleicher Amplitude und Dauer enthalten. Die Phasenverschiebung der Pulse
gegenüber einem festen Takt enthält den Messwert.

8. Sensoren 77
Bei der Puls-Dauer-Modulation (PDM) ist die Information in die Dauer der Pulse übertragen,
die mit konstanter Amplitude in einem festen Takt übertragen werden.
Die Puls-Modulations-Verfahren können sowohl zeitdiskret als auch wertdiskret oder beides
gemeinsam sein.

Messsignalaufbereitung
Messsignale liegen meist in analoger Form vor, das heißt wert- und zeitkontinuierlich. Sollen
die Messwerte computergesteuert weiterverarbeitet werden, so ist eine Analog-Digital-
Wandlung erforderlich.

Abb. 68: Die Signalaufbereitungskette.

Dazu erfolgt eine Aufbereitung der Signale durch eine Auswerteelektronik. Sie enthält im
Allgemeinen die Elemente Verstärker, Anti-Aliasing-Filter, Halteglied und A/D-Wandler. Die
Messsignale liegen dann in einer zeit- und amplitudendiskreten Form als Folge von einzelnen
Messwerten vor.
Die Ströme und Spannungen am Ausgang des Messaufnehmers werden zur
Weiterverarbeitung zunächst verstärkt. Die Amplituden werden vergrößert, ohne dass der
Verlauf und damit der Informationsgehalt geändert werden.
Vor der Abtastung des Messsignals in einem festen Zeittakt über ein Sample-Holdglied, wird
das Messsignal über ein Tiefpassfilter geführt, das Anti-Aliasing Filter, das alle Frequenzen,
die bspw. höher als die halbe Abtastfrequenz sind, ausfiltert. Frequenzanteile in der Nähe der
Abtastfrequenz würden sonst bei der zeitlichen Diskretisierung Frequenzen vortäuschen, die
der Differenz von Signalfrequenz und Abtastfrequenz entsprechen, in dem Messsignal aber
gar nicht enthalten sind.
Der A/D-Wandler diskretisiert das Messsignal hinsichtlich der Amplitude und übergibt das
Signal an die Auswerteeinheit.

78 8. Sensoren
Kapazitive Sensoren
Wird bei einem Plattenkondensator der Plattenabstand a vergrößert oder verkleinert, so ändert
sich seine Kapazität C indirekt proportional zum Abstand. Das ergibt eine nichtlineare
Kennlinie. Je kleiner der Abstand wird, desto stärker steigt die Kapazität an.
Verschiebt man die Kondensatorplatten seitlich, so verändert sich die wirksame Fläche A. Die
Kapazität ändert sich direkt proportional zur Fläche. Damit ergibt sich bei rechteckigen
Platten ein linearer Zusammenhang und die Empfindlichkeit ändert sich nicht beim
Durchlaufen des Messbereichs.

Abb. 69: Verschiedene Konfigurationen für kapazitive Sensoren.

So lässt sich beispielsweise der Flüssigkeitsstand einer leitenden Flüssigkeit sensieren, wenn
man eine isolierte Elektrode einbringt. Als Gegenelektrode dient die Flüssigkeit selbst. Die
Kondensatorfläche ist proportional zur Füllhöhe der Flüssigkeit.
Eine Änderung der Dielektrizitätskonstanten  lässt sich mit einer Längenänderung
verknüpfen, wenn man ein zusätzliches Medium zwischen die Kondensatorplatten schiebt. Es
ergibt sich je nach Stellung und Dielektrizitätskonstante des zusätzlichen Mediums eine
wirksame mittlere Dielektrizitätskonstante. Zu dieser ist die Kapazität dann proportional.
𝐴
𝐶 = 𝜀𝑟 ∙ 𝜀0 ∙
𝑎
1
𝐶~ ; 𝐶 ~ 𝐴 ; 𝐶 ~ 𝜀𝑟
𝑎
Die Kapazität kann mit Hilfe einer Brückenschaltung in ein Spannungssignal gewandelt
werden.
8. Sensoren 79
Induktive Sensoren
Induktive Sensoren beruhen auf der Induktivitätsänderung einer Spule infolge der Änderung
des magnetischen Widerstands im Eisenkreis. Diese Änderung kann auf verschiedene Weisen
erfolgen.

Abb. 70: Verschiedene Funktionsprinzipien von induktiven Sensoren.

Die Induktivität L hängt von der Windungszahl n, der Weglänge der magnetischen Feldlinien l,
der von den Feldlinien durchsetzten Fläche A und den absoluten und relativen
Permeabilitätszahlen µo und µr ab. Die magnetischen Feldlinien durchlaufen den Kern, den
Luftspalt und den Anker. Deshalb setzt sich der magnetische Widerstand aus diesen drei
Anteilen zusammen.
Die Permeabilitätszahl µr für den Luftspalt ist 1. Die Permeabilitätszahl µr für den
ferromagnetischen Kern ist um ein Vielfaches höher als von Luft. Deshalb kann man den
magnetischen Widerstand im Kern und im Anker meist vernachlässigen und sich auf den
magnetischen Widerstand im Luftspalt beschränken.
𝑛2 𝐴
𝐿= = 𝜇𝑟 ∙ 𝜇0 ∙ 𝑛2 ∙
𝑅𝑚𝑎𝑔 𝑙
𝑙
𝑅𝑚𝑎𝑔 =
𝜇𝑟 ∙ 𝜇0 ∙ 𝐴
Entweder wird die im Luftspalt durchflutete Fläche A variiert, wie beim Tauchanker oder die
Länge des Luftspalts l, wie beim Queranker.
Einen linearen Verlauf der Kennlinie erreicht man durch eine Anordnung als
Differentialschaltung, bei dem sich zwei Teilsysteme komplementär ergänzen und durch eine
Halbbrücke verschaltet sind.
80 8. Sensoren
Magnetostriktive Sensoren
Auch die Beeinflussung der Permeabilitätszahl µr lässt sich zur Änderung der Induktivität
benutzen.

Abb. 71: Einsatzmöglichkeiten für magnetostriktive Sensoren.

Bei bestimmten Eisen-Nickel-Legierungen ist µr von der Normalspannung abhängig, die auf
das Material einwirkt. Bei Zugbeanspruchung nimmt µr zu, bei Druck nimmt es ab. Bei
statischer Beanspruchung wird dadurch die Induktivität einer Spule geändert, bei dynamischer
Beanspruchung wird zusätzlich eine Spannung in der Spule induziert.
𝑛2 𝐴
𝐿= = 𝜇𝑟 (𝜎) ∙ 𝜇0 ∙ 𝑛2 ∙
𝑅𝑚𝑎𝑔 𝑙
𝑙
𝑅𝑚𝑎𝑔 =
𝜇𝑟 (𝜎) ∙ 𝜇0 ∙ 𝐴
Anwendung findet der Effekt in magnetostriktiven Kraftmessdosen. Die Längenänderungen
sind gering, umso größer sind die Messbereiche. Sie reichen von 103 N bis 106 N.
Auch in einem magnetoelastischen Transformator kann man diesen Effekt nutzen.
Primärwicklung und Sekundärwicklung sind senkrecht zueinander angeordnet. Solange die
magnetostriktive Legierung unbelastet ist, wird die Sekundärspule von den Magnetlinien der
Primärspule nicht durchsetzt. Erst wenn die Permeabilität durch Belastung der Legierung
anisotrop wird, induzieren Magnetlinien vom Feld der Primärspule Spannungen in der
Sekundärspule. Man kann mit dieser Anordnung auch Kräfte vergleichen. Wenn man den
Sensor in zwei Richtungen belastet, kann man den Effekt kompensieren.

Elektrodynamische Sensoren
Bei elektrodynamischen Messfühlern befindet sich eine Leiterschleife im Feld eines
Permanentmagneten oder auch eines Elektromagneten. Bewegt sich der Leiter, so wird in ihm
ein Strom induziert. Dabei ist es nicht von Bedeutung, ob der Magnet ruht und sich der Leiter
bewegt oder umgekehrt. Es können auch der Magnet und der Leiter in Ruhe sein und das
Magnetfeld durch ein bewegtes Weicheisenteil verändert werden. Das Weicheisen kann
normal zur Achse des Magneten bewegt werden oder in Richtung der Achse. Besonders
wirksam ist ein Queranker, der einen definierten Luftspalt zum Joch des Permanentmagneten
hat. Zur Sensierung von Drehzahlen kann man die Anordnung nach c) in Verbindung mit einer
weichmagnetischen Verzahnung verwenden.

8. Sensoren 81
Abb. 72: Unterschiedliche Prinzipien für elektrodynamische Sensoren.
Die an den Klemmen der Spulen auftretenden Spannungen sind als Kleinsignal der
Geschwindigkeit v des Magneten, des Weicheisens oder der Spule proportional.
𝑏

𝑈𝑖𝑛𝑑 = ∫ 𝐸 ∙ 𝑑𝑙 = 𝑙 ∙ 𝑣 ∙ 𝐵
𝑎

𝐸 = −𝑣 × 𝐵
Eine typische Anwendung des elektrodynamischen Prinzips ist auch der Tachogenerator oder
Gleichstromgenerator. Ein mit einer Spule umwickelter, weichmagnetischer Anker dreht sich
im Feld eines Permanentmagneten. Dreht sich die Spule mit konstanter
Winkelgeschwindigkeit, so wird eine sinusförmige Spannung an der Spule induziert. Ändert
man jeweils im Nulldurchgang die Polarität, so entsteht eine gleichgerichtete Sinusspannung,
die der Drehzahl proportional ist.

Hall-Effekt
Einer der bekanntesten Sensoren für die Magnetfelddetektierung ist der Hallsensor. Der
Hallsensor besteht aus einem Halbleitermaterial mit vier elektrischen Anschlüssen.

Abb. 73: Schematischer Aufbau eines Hall Sensors.

Eine bewegte Ladung q mit der Driftgeschwindigkeit v erfährt in einem Magnetfeld B eine Kraft
F (Lorentzkraft), die die Ladung senkrecht zu ihrer Geschwindigkeit v und zu B auslenkt:

𝐹⃑𝐿𝑜𝑟𝑒𝑛𝑡𝑧 = 𝑞 ∙ (𝑣⃑ × 𝐵
⃗⃑)

Die Lorentzkraft lenkt die Elektronen ab. Dadurch reichern sich an einer Seite des Sensors
Elektronen an, wo hingegen auf der anderen Seite die Elektronen verarmen. Dadurch entsteht

82 8. Sensoren
ein elektrisches Feld, welches eine rückziehende Kraft auf die Elektronen ausübt. Im
Gleichgewichtszustand sind beide Kräfte gleich groß:
𝐹𝑒𝑙𝑠𝑡𝑎𝑡 = 𝐹𝐿𝑜𝑟𝑒𝑛𝑡𝑧
𝐹𝑒𝑙𝑠𝑡𝑎𝑡 = 𝑞 ∙ 𝐸𝑒𝑙𝑠𝑡𝑎𝑡
𝐼
𝑗 =𝑞∙𝑛∙𝑣 =
𝑑∙𝑤
𝑈𝐻𝑎𝑙𝑙 𝑗 1 𝐼∙𝐵 𝐼∙𝐵
𝑞 ∙ 𝐸𝑒𝑙𝑠𝑡𝑎𝑡 = 𝑞 ∙ 𝑣 ∙ 𝐵 ⟹ = ∙ 𝐵 ⟹ 𝑈𝐻𝑎𝑙𝑙 = ∙ = 𝑅𝐻𝑎𝑙𝑙 ∙
𝑤 𝑞∙𝑛 𝑞∙𝑛 𝑑 𝑑
In obiger Formel stellt j die Stromdichte, q die Elementarladung und n die Anzahl freier
Ladungsträger dar.
Im Ergebnis wird die entstandene Potentialdifferenz als Hallspannung UHall abgegriffen und
gibt Rückschluss über die Größe des magnetischen Feldes.

Widerstandssensoren
Widerstands-Messfühler sind wie die kapazitiven und induktiven Messfühler passive
Sensortypen. Zur ihrer Auswertung ist eine Hilfsenergie erforderlich. Der elektrische
Widerstand R ist abhängig von der Leiterlänge l, dem Leiterquerschnitt A und dem spezifischen
Widerstand ρ des Leiters.
𝑙
𝑅=𝜌∙
𝐴
Ändert sich aufgrund einer mechanischen Spannung die Leitergeometrie, so muss sich auch
der Widerstand ändern.

Abb. 74: Verschieden Arten von Widerstandssensoren.

Beim Potentiometer wird die wirksame Leiterlänge und somit der Widerstand durch einen
Schleifkontakt variiert.
8. Sensoren 83
Beim Dehnungsmessstreifen mit Konstantan-Mäander wird die Leiterlänge durch die
Dehnung und zugleich wird durch die Querkontraktion der Leiterquerschnitt verändert. Beide
Einflüsse addieren sich zur Änderung des Widerstands.
Der Faktor k beschreibt das Verhältnis von relativer Widerstandsänderung und Dehnung.
∆𝑅
𝑘= 𝑅
∆𝑙
𝑙
Durch die Verwendung von Konstantan als Leitermaterial wird der Temperatureinfluss auf die
Widerstandswerte minimiert.
Verwendet man anstelle des metallischen Leiters einen Halbleiter, dann wird auch der
spezifische Widerstand durch die Dehnung beeinflusst. Durch die Kombination von n- und p-
dotiertem Silizium auf einem Dehnungsmesssteifen kann man die Wirkungen summieren und
erreicht k = 220. Will man nur die Zug/Druck-Spannungen, nur Biege-Spannungen oder nur
Torsionsspannungen messen, dann verschaltet man jeweils vier Dehnungsmessstreifen und
kann damit zugleich die Temperatureinflüsse kompensieren.

Piezoelektrische Sensoren
Piezoelektrische Kristalle und Piezokeramiken lassen sich sowohl als elektro-mechanische
Wandler einsetzen als auch als Wandler, die mechanische Größen in elektrische umsetzen,
demnach als Aktor und als Sensor. Am Beispiel eines Quarzkristalls wird der Aufbau der
Elementarzelle beschrieben und die Ladungsverschiebungen, die auftreten, wenn die Keramik
verformt wird. Die entstehenden Ladungen lassen sich von entsprechend angebrachten
Elektroden abgreifen.
𝑄 𝐹 𝑈 𝑑𝑖𝑗 ∙ 𝐹
= 𝑑𝑖𝑗 ∙ + 𝜀 ∙ ⟹
𝐴 𝐴 𝑑 𝐶
𝑄 =𝐶∙𝑈
Setzt man zwei Quarzkristalle spiegelbildlich so zusammen, dass der longitudinale Piezoeffekt
wirksam wird, so entsteht ein Kraftmesser. Die elektrische Ladung Q ist zumindest in einem
begrenzten Bereich proportional zur aufgebrachten Kraft F. Der Proportionalkoeffizient k heißt
Kopplungsfaktor und hat die Dimension As/N. Da die elektrische Ladung leicht abfließt, benutzt
man zur Signalaufbereitung Ladungsverstärker und trifft Vorkehrungen, dass der Drift die
Messsignale nicht verfälscht.
Für dynamische Messungen, bei denen es nicht auf den Gleichanteil ankommt, eignen sich
piezoelektrische Wandler erheblich besser als für statische Messungen.
Da man die Piezokeramik sowohl als Sender von Druckwellen, wie auch als Empfänger
einsetzen kann, reichen zwei solche Wandler, um die Schallgeschwindigkeit in einem Fluid
stromauf und stromab zu vergleichen und daraus die Strömungsgeschwindigkeit zu ermitteln.

84 8. Sensoren
Abb. 75: Funktionsweise des piezoelektrischen Effekts (Oben) und Beispiele für Piezosensoren (Unten).

Photodiode
Bestrahlt man den pn-Übergang einer Diode mit Photonen, deren Energie größer als der
Bandabstand (Egap) ist, so werden in der Raumladungszone Elektronen-Loch-Paare nach dem
inneren Fotoeffekt generiert und in einen elektrischen Strom umgewandelt. Durch die
Diffusionsspannung wandern die generierten Ladungsträger in das jeweils entgegengesetzte
dotierte Gebiet (Diode wird in Sperrrichtung betrieben).

Abb. 76: Funktionsweise und Aufbau einer Photodiode.

Der generierte Photostrom ist über viele Größenordnungen linear zum Lichteinfall, wenn keine
Sättigung eintritt. Im Idealfall trägt jedes Lichtquant, das eine Energie besitzt, die größer als
die charakteristische Energielücke (Bandabstand) des Halbleiters ist, zum Stromfluss bei:
Φ∙q
𝐼𝑃ℎ𝑜𝑡𝑜 = ∙ 𝜂(𝜆)
ℎ∙𝑓

8. Sensoren 85
mit Φ als Strahlungsleistung, q der Ladung, h als Plankschen Wirkungsquantum, f der
Frequenz und η(λ) der wellenlängenabhängigen Quantenausbeute.
Photodioden bestehen bspw. aus Silizium, Germanium oder auch aus Polymeren. Da das
Licht auf den pn-Übergang auftreffen muss, befindet sich dieser hinter transparenten
Elektroden. Die oberste Schicht ist dabei sehr dünn, damit die Photonen nicht bereits dort
absorbiert werden.
Photodioden werden mit flüssigem Stickstoff gekühlt, da die Wärmestrahlung bei
Raumtemperatur bereits ausreicht, um Elektronen vom Valenz- in das Leitungsband zu heben.
Anwendung in der Sensorik finden Photodioden bspw. als Empfänger von Lichtwellenleitern,
von IR-Strahlung der Fernsehfernbedienung oder auch in photoelektrischen Rauchmeldern.

Fluidische Sensoren
Die breiteste Anwendung in der Mikrofluidik finden Sensoren als Strömungs- und
Temperatursensoren.
Bei den standardisierten Strömungssensoren wird die Strömung indirekt auf eine Membran
geleitet. Die Auswertung erfolgt meistens piezoresistiv oder kapazitiv.

Abb. 77: Zwei Arten von Drucksensoren, mit piezoresistiver und kapazitiver Auswertung.
Kapazitive Drucksensoren enthalten ein in einem Siliziumchip eindiffundierten Kondensator.
Durch Druckbeaufschlagung wird der Abstand der Membran zu den Elektroden verringert. Bei
piezoresistiven Drucksensoren sind elektrische Widerstände aufgebracht. Über eine
druckabhängige Verformung der Membran und der darauf eindiffundierten
verformungsabhängigen Widerstände kommt es zur Ausbildung einer elektrischen Spannung.
Andere Bauformen von Strömungssensoren nutzen den piezoelektrischen Effekt oder die
Induktion. Der Nachteil der mechanischen Durchflussmessung ist die Abhängigkeit der
Drallkraft, des Druckabfalls und der Coriolis-Kraft von der Fluiddichte. Eine
Temperaturkompensation ist daher erforderlich, weil die Dichte der meisten Fluide stark
temperaturabhängig ist.
Viele einfache Temperatursensoren machen sich den Seebeck-Effekt zunutze.
Beim Seebeck-Effekt entsteht zwischen zwei Punkten eines elektrischen Leiters, die
unterschiedliche Temperaturen aufweisen, eine elektrische Spannung. Diese ist vom
Seebeck-Koeffizient α des jeweiligen Materials und der Temperaturdifferenz ∆T der beiden
Leiterenden abhängig:
𝑈𝑆𝑒𝑒𝑏𝑒𝑐𝑘 = 𝛼 ∙ ∆𝑇

86 8. Sensoren
Chemische Sensoren
Chemische Sensoren sollen chemische Informationen einer Probe in ein der Konzentration
proportionales Signal umwandeln. Idealerweise soll ein chemischer Sensor reversibel auf
Konzentrationsänderungen reagieren. In der Regel bestehen chemische Sensoren aus einer
element- bzw. molekülerkennenden Schicht, die mit der Probe wechselwirkt, und selektiv eine
Information der Probe in eine Sensorgröße umwandelt.

Abb. 78: Aufbau eines ISFET-Sensors. (Quelle: IMT)

Der ionen-selektive Feldeffekt Transistor (ISFET) ist ein MOSFET ohne Gate-
Metallisierung. Das Gate (nur mit einem Isolator benetzt) wird direkt einem Elektrolyten
ausgesetzt, der Ionen enthält. Die Ionenladung wirkt wie eine Gate-Ladung und verschiebt die
Einsatzspannung des FETs. Diese Verschiebung führt zu einer Stromänderung, die ein Maß
für die Ionenkonzentration ist.
Zur Verbesserung der Selektivität auf bestimmte Ionen kann auf den Gate-Isolator eine ionen-
selektive Schicht aufgebracht werden. Am häufigsten werden Polymerfilme verwendet.
Bei kapazitiven Gassensoren reagiert das Dielektrikum auf eine vorhandene
Gaskonzentration. Dabei verändert sich seine Dielektrizitätskonstante und somit auch die
resultierende Kapazität. Dies ermöglicht eine Evaluierung der Gaskonzentration.
Um eine befriedigende Selektivität des Dielektrikums gegenüber dem Gas zu erlangen, muss
das Dielektrikum erhitzt werden, was im Ergebnis zu einem höheren Zeit- und Kostenaufwand
führt.

Lab-on-the-Chip
Chip-Labore (engl.: „Lab on the chip”) stellen den Versuch dar, an lebenden Zellen möglichst
viele biologische Vorgänge und Reaktionen zu erfassen. Neben der biologischen Forschung
ist vor allem die Pharmaindustrie an solchen Chips interessiert. Hier sollen schnelle
Untersuchungen zur Wirksamkeit von Medikamenten auf lebenden Zellen ermöglicht werden.

8. Sensoren 87
Auf einem Chip werden verschiedene Sensoren realisiert. Der Chip enthält ein Gehäuse und
wird in eine Nährlösung mit lebenden Zellen getaucht. Die Zellen wachsen auf den Sensoren
auf, werden mit Wirkstoffen beschickt und die Reaktion gemessen.
Messbare Parameter an einer Zelle sind:
• pH-Wert (Ansäuerung der Zelle)
• Sauerstoffverbrauch durch Zellatmung
• Morphologie der Zelle, Zellwachstum
• Elektrische Aktivität
Häufig wird für das Chip-Labor Silizium verwendet. Vor allem die geringe Dimension ist für die
Flexibilität hinsichtlich Zeit und Ort besonders wichtig. Eines der wenigen aktuellen
Einsatzbeispiele von Chip-Laboren ist der Bereich der automatisierten Ionenkanalanalyse.

Abb. 79: Prinzip und exemplarische Auswertung einer Elektrophorese.

Das Analyseprinzip ist die Elektrophorese. Verbindungen werden aufgrund ihrer
unterschiedlichen Wanderungsgeschwindigkeit im elektrischen Feld aufgetrennt. Neben der
Miniaturisierung ist der Hauptunterschied zur klassischen Elektrophorese der Injektions-
prozess, da nur wenige Nanoliter einer Probe zu dosieren sind. Hierfür wird zunächst durch
Anlegen einer Spannung der Injektionskanal mit der Probe gefüllt und dort mit
Gegenspannungen fokussiert. Ein winziger Teil der Probe, der sich im Kreuzungsbereich der
Kanäle befindet, wird dann durch Umschalten der Spannungen gleichsam ausgestanzt und
auf den Hindernisparcours zur Auftrennung geschickt.

Cytosensoren
Cytosensoren sind Sensoren, die die Wirkung von Cytostatika (Krebsheilmedikamente) an
lebenden Krebszellen testen. Dies ist notwendig um eine patientenindividuelle Therapie
festzulegen. Hintergrund ist, dass histologisch gleichartige Krebszellen bei unterschiedlichen
Patienten unterschiedlich auf gleiche Cytostatika reagieren.
Dabei sind die Krebszellen, die mittels einer Biopsie dem Patienten entnommen wurden,
zwischen zwei durchlässigen Membranen in einer speziellen Zellkapsel eingeschlossen und
werden über einen kontrollierten Zustrom mit Nährstoffen versorgt.

88 8. Sensoren
Abb. 80: Aufbau eines Cytosensors.
Die zu untersuchende Substanz (Cytostatika) kann in die Zellkammer eingeleitet und für einen
bestimmten Zeitraum mit den Zellen zusammengebracht werden. Resultiert daraus eine
veränderte metabolische Aktivität (Stoffwechseländerung) der Zellen, so ist auch die
Exkretionsrate (Abgabe von körpereigenen Stoffwechselprodukten) von bestimmten
Säureprodukten verändert, was zu einer Modifikation der Oberflächenladung des
potentiometrischen Sensors führt. Diese Modifikation wird vom Cytosensor System als eine
Signalveränderung gegenüber dem Ausgangswert angezeigt.

Beschleunigungssensoren
Mikrosensorik findet vor allem im Kfz-Bereich enorme Anwendungen, da der immer kleiner
werdenden Raum und die höhere Integration von Elektronik im Kfz die Vorteile der
Mikrosensorik fordern. Bei den notwendigen hohen Stückzahlen können die
Fertigungsverfahren ihre dann einsetzende Kosteneffizienz ausspielen.
Prinzipiell lässt sich ihr Einsatzgebiet in drei Kategorien unterteilen: Antriebsstrang, Komfort
und Sicherheit.
Nachfolgend werden zwei wichtige Sicherheitsanwendungen, der Beschleunigungs- und der
Drehratensensor vorgestellt.
Eine der bekanntesten Anwendungen aus dem Kfz-Bereich für die Mikrosensorik sind laterale
Beschleunigungssensoren, die ab einem gewissen Schwellwert bspw. Airbags zünden.

8. Sensoren 89
Abb. 81: Aufbau eines Beschleunigungssensors. (Quelle: Bosch)
Oberflächenmikromechanische Beschleunigungssensoren, wie in der Abbildung zu
sehen, besitzen kammartige Elektroden um das Sensorsignal zu erhöhen, auch als
Interdigitalstruktur bezeichnet. Die Massen werden üblich als seismische Massen bezeichnet.
Eine Elektrode der als Kondensator wirkenden Kammstruktur ist freitragend an einer Feder
eingespannt; die zweite Elektrode ist ortsfest mit dem Substrat verbunden.
Kommt es zu einer Beschleunigung, wirkt auf die massebehafteten flexibel aufgehängten
Elektroden eine Kraft, die in Abhängigkeit von der Steifigkeit der Anordnung zu einer
Auslenkung führt. Aus der damit verbundenen Abstandsänderung der Kondensatorelektroden
kann ein proportionales Spannungssignal gewonnen werden.
𝐴
𝐶1 = 𝜀 ∙
𝑑+∆
𝐴
𝐶2 = 𝜀 ∙
𝑑−∆
2∙∆
∆𝐶 = 𝐶2 − 𝐶1 = 𝜀 ∙ 𝐴 ∙ ( )
𝑑2− ∆2

Mikromechanischer Drehratensensor
Beschleunigungs- und Drehratensensoren sind die zentralen Messfühler, um die
notwendigen Informationen über den Fahrzustand eines Autos zur Verfügung zu stellen. Dazu
misst die Bordelektronik die Rotationsgeschwindigkeit der Räder, die Quer- und
Längsbeschleunigung des Autos, die Bewegungen des Lenkrades und die Drehrate um die
Hochachse des Fahrzeugs. Aus allen diesen Daten wird präzise errechnet, wohin das
Fahrzeug steuert und der Fahrer lenkt.

90 8. Sensoren
Abb. 82: Aufbau eines mikromechanischen Drehratensensors. (Quelle: Bosch)
Beim Drehratensensor wird die bei Kurvenfahrten oder Schleuderbewegungen auftretende
Coriolis-Beschleunigung gemessen.
Die Coriolis-Kraft FC ist eine Trägheitskraft welche auf ein, sich relativ zu einem Bezugssystem,
bewegtes System wirkt. Sie tritt auf, wenn eine Relativgeschwindigkeit bezüglich des
rotierenden Bezugssystems auftritt, welche nicht parallel zum Vektor der
Winkelgeschwindigkeit ist. Sie steht dann normal zur Winkelgeschwindigkeit Ω des
Bezugssystems und normal zur Relativgeschwindigkeit vr:
⃗⃗⃗⃑
𝐹𝑐 = 2 ∙ 𝑚 ∙ (𝑣 ⃗⃗⃑)
⃗⃗⃗⃑𝑟 × Ω
Für die Beschleunigung gilt demnach:

𝑎𝑐 = 2 ∙ ⃗⃗⃗⃑
⃗⃗⃗⃗⃑ ⃗⃗⃑
𝑣𝑟 × Ω
Kapazitive Drehratensensoren werden in Interdigitalform aufgebaut. Die beweglichen Kämme
sind an einem Mittelsteg befestigt, der über Federn nachgiebig aufgehängt ist. Die Coriolis-
Kraft kann damit die Masse des Beschleunigungsaufnehmers um einen Weg auslenken, was
wiederum zu einer Kapazitätsänderung zwischen den Kämmen führt. Diese Änderung kann
wie auch bei einem einfachen Beschleunigungssensor in einer geeigneten elektronischen
Form, wie bspw. ∆U(Ω), ausgewertet werden.

Temperatursensor
Die Temperaturabhängigkeit einer Größe X wird über ihren Temperaturkoeffizienten α
bestimmt. Er gibt an, um wie viel sich die Größe X mit der Temperatur T ändert:
1 ∆𝑋
𝛼= ∙
𝑋 ∆𝑇
Eine typische Größe zur Detektierung von Temperaturunterschieden stellt der elektrische
Widerstand dar. Man unterscheidet hierbei zwischen einem Kaltleiter und einem Warmleiter.
8. Sensoren 91
Abb. 83: Kennlinien und Symbole eines Heißleiters (NTC) und Kaltleiters (PTC).
Steigt der Widerstand mit zunehmender Temperatur, spricht man von einem Kaltleiter.
Sinkt der Widerstand mit zunehmender Temperatur, spricht man von einem Warmleiter.
Für Metalle gilt, dass mit zunehmender Temperatur die Anzahl der Gitterschwingungen im
Kristall zunimmt, die Elektronen öfters streuen und ihre Beweglichkeit abnimmt. Es gilt daher,
dass bei Metallen der Widerstand mit zunehmender Temperatur zunimmt (Kaltleiter).
Bei Halbleitern wird die Leitfähigkeit hauptsächlich durch die vorhandene Dotierung bestimmt.
Die Anzahl der von den Dotieratomen freigesetzten Ladungsträger ist stark
temperaturabhängig. Im typischen Temperaturbereich von - 50 °C bis + 150 °C ist die Anzahl
der Ladungsträger konstant und die Beweglichkeit nimmt aufgrund der Streuung ab. Der
Widerstand steigt somit bei zunehmender Temperatur (Kaltleiter).
Bei Keramiken ist die Erzeugung von Ladungsträgern im typischen Temperaturbereich von -
50 °C bis +150 °C noch temperaturaktiviert, der Widerstand sinkt also ab. Durch Anwesenheit
vieler Störladungen können aber Energiegrenzen gebildet werden, die den Widerstand
erhöhen. Mit der Materialauswahl, der Materialmischung und dem Herstellungsverfahren kann
je nach Wunsch der eine oder der andere Leitertyp eingestellt werden. Die Regel ist jedoch,
dass man mit Keramiken meist einen Heißleiter erzeugt.
Im Heißfilm-Luftmassenmesser wird einem beheizten Sensorelement durch
Wärmeübergang vom Heizelement auf den Luftstrom umso mehr Wärme entzogen, je größer
die vorbeifließende Luftmasse ist. Die so entstehende Temperaturdifferenz ist ein Maß für die
vorbeiströmende Luftmasse.

92 8. Sensoren
 Glasfasern
Glasfasern sind aus der modernen Kommunikationstechnik nicht mehr wegzudenken. Ihre
Funktionsweise liegt allerdings in der Welt der Mikrotechnik.

Grundlagen der Glasfaser

Lichtwellenleiter bestehen aus hochtransparenten Glasfasern, die mit einem Glas
niedrigerer Brechungszahl ummantelt sind. Die Faser besteht aus einem Kern, einem Mantel
und einer polymeren Umwickelung. Der lichtführende Kern dient zum Übertragen des Signals.
Der Mantel hat eine niedrigere optische Brechzahl nm als der Kern nk. Der Übergang zum
Mantel bewirkt dadurch eine Totalreflexion an der Grenzschicht und somit eine Führung des
Strahls im Kern des Lichtwellenleiters.
Bei der Herstellung der Glasfasern zieht man geschmolzenes Glas zu dünnen und feinen
Fäden und ummantelt diese. Neben der Verwendung als textiles Gewebe oder auch als
Wärme- und Schalldämmung werden Glasfasern für die Signalübertragung eingesetzt. Die
Datenübertragung mit Lichtwellenleitern hat gegenüber elektrischer Übertragung folgende
Vorteile:
• Hohe Übertragungskapazität
• Geringe Dämpfung
• Vollständige elektrische Isolation von Sender und Empfänger
• Unempfindlichkeit gegenüber elektrischen und magnetischen Störungen
• Keine Potentialprobleme (Erdschleifen)
• Unbedenklich in explosionsgefährdeter Umgebung
• Hohe Abhörsicherheit
• Kein Nebensprechen
• Kleiner Kabelquerschnitt, geringes Gewicht
Allerdings sind diese Signalübertragungsstrecken auch mit Nachteilen versehen. Glasfasern
sind relativ empfindlich gegenüber mechanischer Belastung, teuer in der Herstellung und
komplex in der Verlegung.
Mit Bündeln aus vielen Fasern ist es bspw. möglich Bilder zu übertragen. Dieses Prinzip wird
in der Medizin angewendet, um durch einen kleinen Einschnitt innere Organe zu betrachten.
In den letzten Jahren erlangten Glasfasern eine sehr große Bedeutung in der
Telekommunikation.

9. Glasfasern 93
Signalübertragung
Den Ausgangspunkt bei der Signalübertragung bildet die Modulation der Lichtmenge, die
direkt mit einer Lichtquelle oder mit einem externen Modulator realisiert wird. Als
Strahlungsquellen kommen Halbleiterlaser oder auch Leuchtdioden zum Einsatz. Im
Anschluss wird das Signal übertragen. Auf der Empfangsseite wird ein amplitudenmodulierter
Lichtstrom von einer Photodiode in ein elektrisches Signal gewandelt.
Das Grundprinzip der Signalausbreitung in einer Glasfaser beruht auf der Totalreflexion. Fällt
ein Lichtstrahl auf eine Grenzfläche zwischen einem optisch dichteren Medium mit der
Brechzahl nk und einem optisch dünneren Medium mit der Brechzahl nm, so wird der Strahl in
Abhängigkeit von seinem Einfallswinkel gebrochen oder total reflektiert. Unter dem
Einfallswinkel versteht man den Winkel zwischen dem Lot auf die Grenzfläche und dem
einfallenden Strahl. Der gebrochene Strahl kann maximal einen Winkel von 90° gegen das Lot
annehmen. Wird dieser Winkel überschritten, geht die Brechung in eine Totalreflexion über.
Wird der minimale Biegeradius der Glasfaser unterschritten, so kann an der Grenzschicht von
Kern zu Mantel keine Totalreflexion mehr stattfinden und ein Teil des Lichtes entweicht aus
dem Glaskern.

Abb. 84: Lichtbrechung und Reflexion im Inneren einer Glasfaser.

Das Snelliussche Brechungsgesetz beschreibt den Vorgang der Lichtausbreitung:
𝑛𝑘 ∙ sin(𝛽) = 𝑛𝑚 ∙ sin(𝛿)
𝑇𝑜𝑡𝑎𝑙𝑟𝑒𝑓𝑙𝑒𝑥𝑖𝑜𝑛 𝑓ü𝑟 𝛿 = 90°
𝑛𝑚
⟹ sin(𝛽𝑔𝑟𝑒𝑛𝑧 ) = 𝑢𝑛𝑑 𝑠𝑜𝑚𝑖𝑡 𝛽 > 𝛽𝑔𝑟𝑒𝑛𝑧
𝑛𝑘
Für die Einkopplung des Lichtstrahls gilt analog:
𝑛0 ∙ sin(𝛾) = 𝑛𝑘 ∙ sin(𝛼)
𝑚𝑖𝑡 𝑛0 = 1

⟹ sin(𝛾) = 𝑛𝑘 ∙ cos(𝛽) 𝑚𝑖𝑡 cos(β) = √1 − sin(𝛽)2

94 9. Glasfasern
Glasfasertypen
Glasfasern werden anhand der Anzahl an möglichen Ausbreitungswinkeln (Moden)
innerhalb des Kerns unterschieden.

Abb. 85: Die drei wichtigsten Glasfasertypen mit Stufenprofil oder Gradientenprofil.
Bei Multimodefasern können Lichtwellen unter verschiedenen Winkeln gleichzeitig durch die
Faser gesendet werden. Aufgrund der dann unterschiedlichen Lichtwege und der damit
unterschiedlichen Laufzeiten, kommt es hierbei zu einer Signalverbreiterung. Dem Empfänger
ist es am Ende der Übertragungsstrecke eventuell nicht mehr möglich, einzelne zeitlich eng
aufeinander folgende Impulse auseinander zu halten. Daher eignen sich Multimodefasern
nicht zur Übertragung hoher Bandbreiten über große Distanzen.
Die Standard-Multimodefaser besitzt ein Stufenprofil der Brechzahlen. An den Grenzflächen
wird das Signal hart reflektiert, da die Brechzahl zwischen Kern und Mantel scharf abfällt. Der
Vorteil dieser Form ist, dass die Faser eine geringe Empfindlichkeit gegenüber Biegeverlusten
aufweist, jedoch ist die Übertragungsrate gering.
Um die Rate zu erhöhen, wird die Multimodefaser im Gradientenprofil hergestellt. Dies
bedeutet, dass die Brechzahl des Kerns parabelförmig vom Kern zum Mantel abnimmt.
Hierdurch wird erreicht, dass Randmoden, die einen längeren Weg zu überbrücken haben,
sich schneller ausbreiten können, während kernnahe Moden mit kürzerem Weg durch die hier
geringere Lichtgeschwindigkeit annähernd gleichzeitig das Ende der Faser erreichen.
Hierdurch wird eine höhere Übertragungsrate gegenüber dem Stufenprofil erreicht.
Bei Singlemodefasern (= Monomodefaser) wird immer nur eine Lichtwelle geradlinig durch
die Faser geleitet, da der Kerndurchmesser einer Singlemodefaser gegenüber der
Wellenlänge des Lichtes so klein ist, dass sich nur ein Modus ausbreiten kann. Damit sind
wesentlich größere Übertragungsdistanzen möglich. Singlemodefasern sind im Vergleich zu
Multimode-fasern teurer in der Herstellung, gewährleisten aber eine bessere
Langstreckenübertragung und können circa 50 GBit/s Daten ohne zusätzliche Verstärkung
übertragen.

9. Glasfasern 95
Modendispersion
Am Anfang des Lichwellenleiters sind zwei Impulse im kurzen Abstand folgend vorhanden.
Schon nach kurzen Zeiträumen können sich die Impulse verbreitern und schließlich im
Ergebnis überlappen (= Dispersion). Dieser Effekt kann dazu führen, dass der Empfänger
nicht mehr unterscheiden kann, ob es sich um zwei Einzelimpulse oder einen Einzelimpuls
handelt. Bei Glasfasern wird zwischen der Moden- und der Materialdispersion unterschieden.
Die zuvor beschriebene Laufzeitdifferenz wird „Modendispersion“ genannt und tritt nur bei
Multimodefasern auf.

Abb. 86: Visualisierung der Modendispersion.

Über die Bedingung der positiven Interferenz, das bedeutet, dass sich die Lichtwellen zwar
überlagern aber nicht gegenseitig aufheben, wird die maximal mögliche Anzahl an Moden in
einer Glasfaser bestimmt:
𝑍2 𝑑 𝑑
𝑘= 𝑚𝑖𝑡 𝑍 = 𝜋 ∙ ∙ 𝑁𝐴 = 𝜋 ∙ ∙ √𝑛𝑘2 − 𝑛𝑚
2
2 𝜆 𝜆
mit Z als der Strukturkonstanten des Lichtwellenleiters. Die Länge der Übertragungsstrecke ist
l, λ die verwendete Wellenlänge, d der Kerndurchmesser und NA die numerische Apertur, die
sich über die Brechungsindizes der Faser berechnet.
Für die Strukturkonstante Z gilt:
𝑍 < 2,4 = 𝑆𝑖𝑛𝑔𝑙𝑒𝑚𝑜𝑑𝑒𝑓𝑎𝑠𝑒 𝑢𝑛𝑑 𝑍 > 2,4 = 𝑀𝑢𝑙𝑡𝑖𝑚𝑜𝑑𝑒𝑓𝑎𝑠𝑒𝑟
Die Laufzeitdifferenz zwischen einem axialen Strahl zu einem Grenzstrahl ist:
𝑙 𝑙 𝑛𝑘 ∙𝑙
Laufzeit des axialen Strahls: 𝜏1 = 𝑣 = 𝑐 = 𝑐
1 𝑛𝑘

𝑙 𝑛 ∙𝑙
Laufzeit des Grenzstrahls: 𝜏2 = 𝑣 ∙sin(𝛽
= 𝑐∙sin(𝛽𝑘
1 𝑔𝑟𝑒𝑛𝑧 ) 𝑔𝑟𝑒𝑛𝑧 )

𝑙∙𝑛 𝑛𝑚
Laufzeitdifferenz: ∆𝜏 = 𝜏2 − 𝜏1 = 𝑐∙𝑛 𝑘 ∙ (𝑛𝑘 − 𝑛𝑚 ) 𝑚𝑖𝑡 sin(𝛽𝑔𝑟𝑒𝑛𝑧 ) = 𝑛𝑘
𝑚

Materialdispersion
Während im Vakuum die Ausbreitungsgeschwindigkeit des Lichtes und damit der
Brechungsindex (nLuft = 1) für alle Frequenzen konstant ist, gilt in durchsichtigen Körpern wie
Glas, dass die Ausbreitungsgeschwindigkeit und damit auch der Brechungsindex von der
Frequenz des eingestrahlten Lichtes abhängig sind. Dabei beschreibt der Brechungsindex
eines Mediums das Verhältnis der Ausbreitungsgeschwindigkeit einer elektromagnetischen
Welle im Vakuum gegenüber der Ausbreitung im zugrundeliegenden Material. Es gilt der
Zusammenhang, dass die Ausbreitungsgeschwindigkeit für langwelligeres Licht größer als für
96 9. Glasfasern
kurzwelligeres Licht ist. Ein Beispiel hierzu ist, dass rotes Licht (λ = 625 - 780 nm) eine größere
Ausbreitungsgeschwindigkeit als blaues Licht (λ = 430 - 500 nm) im gleichen Medium hat.
Daraus folgt, dass der Brechungsindex des roten Lichtes kleiner ist als der des blauen in der
Glasfaser.
Die aus diesem Zusammenhang resultierenden Laufzeitunterschiede nennt man Material-
dispersion.
Daraus folgt, dass sich die in ihrer Wellenlänge unterschiedlichen Anteile des eingekoppelten
Signals unterschiedlich schnell längs der Faser ausbreiten. Das Signal mit seiner endlichen
spektralen Breite erfährt demnach beim Durchlaufen der Faser auch aufgrund der
Materialdispersion eine zeitliche Verbreiterung, was im schlimmsten Fall zu einer Überlappung
der Impulse führt.
Durch Verwendung eines Lichts mit geringer spektraler Breite kann die Materialdispersion
verringert werden. Eine weitere Verringerung der Materialdispersion wird durch die Wahl eines
günstigen Wellenlängenbereichs erreicht.

Bandbreite und Dämpfung

Die Übertragungsgeschwindigkeit von einzelnen Bitfolgen, die über Einzelimpulse von Licht
realisiert werden, ist abhängig von der Bandbreite der verwendeten Glasfaser. Je größer die
Bandbreite ist, desto mehr Impulse können in der Glasfaser über eine bestimmte Zeit
übertragen werden. Wie bereits aus den einzelnen Fasertypen bekannt ist, führt eine
Impulsverbreiterung des Ausgangssignals zu einer Limitierung der Frequenz des
Eingangssignals und somit zu einer kleineren Bandbreite. Bei der Auslegung einer
Glasfaserstrecke muss demnach immer zwischen einer großen numerischen Apertur (gute
Leistungseinkopplung) und großer Bandbreite (geringe Impulsverbreiterung) abgewogen
werden:
1
𝐵= [𝐻𝑧]
2 ∙ ∆𝜏
Der Lichtwellenleiter überträgt Informationen in Form von Lichtsignalen zwischen zwei
Punkten. Eine dämpfungsfreie Übertragung wäre optimal, um die Informationen über möglichst
weite Entfernungen übertragen zu können. Unter Dämpfung wird hierbei der Verlust der
Lichtenergie in der zurückgelegten Glasfaserstrecke bezeichnet. Am Empfänger ist die
ankommende Lichtenergie geringer als die eingespeiste Energie vom Sender. Die Dämpfung
wird in Dezibel angegeben und oft zum einfacheren Vergleich auf einen Kilometer
Glasfaserlänge bezogen:
10 𝑃𝐸𝑚𝑝𝑓ä𝑛𝑔𝑒𝑟 𝑑𝐵
𝛼= ∙ log ( ) [ ]
1𝑘𝑚 𝑃𝑆𝑒𝑛𝑑𝑒𝑟 𝑘𝑚
Ursachen für Dämpfungen des Signals können Kopplungsstellen, Fremdstoffe in der Faser,
Steckverbindungen, die Rayleigh-Streuung oder Biegungen der Faser sein.

Sensoranwendungen
Glasfasern findet man nicht nur in der Übertragungstechnik wieder. Glasfasern können auch
als Sensoren eingesetzt werden. Dabei wird zwischen extrinsischen und intrinsischen

9. Glasfasern 97
Sensoren unterschieden. Bei extrinsischen Sensoren ist die Glasfaser nur für den An- und
Abtransport von Licht zum eigentlichen Effekt, der das Lichtsignal moduliert, verantwortlich.
Bei der Modulation können bei unterschiedlichen Sensortypen alle charakteristischen
Merkmale von Licht beeinflusst werden. Häufig wird die Lichtstärke verändert, aber auch
Phasenunterschiede und Änderungen der Polarisation können genutzt werden. Beim
intrinsischen Sensor wird direkt das Licht in der Faser in seinen Eigenschaften verändert.
Faseroptische Sensoren besitzen viele positive Eigenschaften wie Unempfindlichkeit
gegenüber elektromagnetischen Störfeldern, Explosionseigensicherheit, Einsatzmöglichkeit in
strahlenbelasteter Umgebung und ideale Potentialtrennung.
Nachfolgend wird zu den wichtigsten Sensortypen ihre Funktion erörtert.

Abb. 87: Funktionsprinzip eines optischen Stromsensors und Drucksensors.

Bei einem optischen Stromsensor wird die Glasfaser um den zu messenden Stromleiter
gewickelt. Durch das entstehende Magnetfeld bei dem Stromfluss ändert sich nach dem
Faraday-Effekt die Polarisation des Lichtstrahls in der Faser. Die Lichtwellen laufen mit
unterschiedlicher Geschwindigkeit durch die Faser und benötigen deshalb unterschiedliche
lange Zeiten, um die Faser zu durchlaufen. Der Laufzeitunterschied wird umso größer, je höher
der Strom ist und je mehr Faserwindungen um den Leiter gelegt sind.
Optische Drucksensoren basieren auf dem Verlust der Energie zwischen Ausgangs- und
Eingangsseite. Über eine Druckplatte wird die Faser in ihrer Form verändert. Wie aus dem
vorigen Abschnitt hervorgeht, resultiert aus der Biegung der Faser eine Dämpfung, da einzelne
Grenzwinkel für die Totalreflexion nicht eingehalten werden können.

Abb. 88: Funktionsprinzip eines optischen Abstandssensors und Temperatursensors.

98 9. Glasfasern
Bei einem optischen Abstandssensor wird das aus einem Lichtleiter abgestrahlte
Lichtbündel nach der Reflexion am Messobjekt durch einen zweiten Lichtleiter aufgenommen
und durch optoelektronische Wandler in eine elektrische Spannung umgesetzt. Durch den
Austritt aus dem Faserkern in ein Medium mit anderem Brechungsindex wird die Lichtwelle
gedämpft und es kommt zu Laufzeitunterschieden.
Optische Temperatursensoren beruhen auf der Wärmeempfindlichkeit eines
Lichtwellenleiters. Bei Wärmeeinwirkung in den Kern der Faser entsteht eine Gitterschwingung
im Molekülverband des Kerns. Treffen die Lichtstrahlen auf diese angeregten Elektronen des
Moleküls, kommt es zu einer Wechselwirkung. Es entsteht im Lichtwellenleiter eine
temperaturabhängige Lichtstreuung, die um den Betrag der Resonanzfrequenz der
Gitterschwingung verschoben ist. Typische Anwendungen für optische Temperatursensoren
sind sicherheitsrelevante Anwendungen, wie die Brandmeldung in Tunneln oder
Zwischenlagerstätten für radioaktiv belastetes Material.

Abb. 89: Funktionsprinzip von optischen Füllstandssensoren.

Optische Füllstandssensoren beruhen wie die bereits genannten Sensoren auf dem Prinzip
der Signaldämpfung. Wenn keine Flüssigkeit den Sensor benetzt, wird das Infrarotlicht an der
Kuppel auf den Aufnehmer total reflektiert. Sobald die Flüssigkeit den Sensor bedeckt, ändert
sich der Brechungsindex an der Grenzfläche und ein Großteil des Lichtes kann in die
Flüssigkeit austreten. Es gelangt weniger Licht auf den Aufnehmer. Über die berechnete
Dämpfung kann auf die Füllhöhe geschlossen werden.
Die Geschwindigkeit des Lichts in einem Medium wird als Maßverkörperung verwendet.
Bezogen auf das Absolutsystem bleibt die Geschwindigkeit des Lichts in einem Medium immer
konstant, unabhängig von der Relativgeschwindigkeit des Mediums zum absoluten
Bezugssystem. Vom Relativsystem aus beobachtet ergibt sich daher die Geschwindigkeit des
Lichtes im Medium aus der Überlagerung der Lichtgeschwindigkeit und der
Relativgeschwindigkeit. Wird Licht in entgegengesetzte Richtungen durch das Medium
gesendet, ergeben sich dadurch unterschiedliche Laufzeiten.
Der Aufbau und die Funktionsweise des Faserkreisels beruht auf dem Sagnac-Interferometer.
Der wesentliche Unterschied ist, dass der Strahl nicht über Spiegel kreisförmig bewegt wird,
sondern in einer Glasfaser. Um eine sehr genaue Phasenverschiebung zu erhalten, wird die
Faser in vielen Wicklungen im Kreis geführt.

9. Glasfasern 99
Abb. 90: Funktionsprinzip eines Faserkreisels.
Beim Faserkreisel wird monochromatisches Licht mit Hilfe eines halbdurchlässigen Spiegels
in zwei Teilstrahlen zerlegt und in entgegengesetzten Richtungen durch eine Faser geleitet.
Aufgrund der unterschiedlichen Laufzeiten ergibt sich eine von der Winkelgeschwindigkeit
abhängige Phasenverschiebung der beiden Teilstrahlen. Nach dem Austritt aus der Faser
werden beide Teilstrahlen überlagert und die Phasenverschiebung durch die entstehende
Interferenz ermittelt.
Faserkreisel enthalten im Gegensatz zu Laserkreiseln keine Verschleißteile, allerdings werden
sie bislang noch nicht als Konsumgüter verwendet, was ihre Herstellung sehr teuer macht. Sie
kommen unter anderem in Navigationssystemen für Flugzeuge und Schiffe sowie
Unterwasserfahrzeuge als inertiale Navigationssysteme zum Einsatz.

100 9. Glasfasern
 Mikrotechnische Anwendungen
Das letzte Kapitel ist ein Ausblick auf weitere Anwendungen der Mikrotechnik, wie die
Mikroskoptechnik, Magnetspeichertechnik und Nanotechnologie.

Einführung Mikroskoptechnik
Die Ursprünge der Mikroskoptechnik gehen bis in das 17. Jahrhundert zurück. Im Jahr 1605
beschäftigte sich Cornelis Jacobszoon Drebbel mit Linsen und erforschte damit
Vergrößerungen. 1665 baute Robert Hooke mit Linsen das erste (dokumentierte) zweilinsige
Lichtmikroskop. Damit erstellte er bis dahin unbekannte mikroskopische Zeichnungen
pflanzlicher Zellen. Er veröffentlichte sein Buch „Micrographia“ 1665 mit zahlreichen
mikroskopischen Zeichnungen.
Über die Jahrhunderte ist die Technik stetig verbessert worden, neue Technologien kamen v.
a. im 20. Jahrhundert hinzu, wie das Elektronenstrahl- oder das Rasterelektronenmikroskop.
Die maximal erreichbare laterale Auflösung bei Mikroskopen liegt in der Größe der
Wellenlänge des verwendeten Lichts. Strukturen eines bestrahlten Objekts kann man
demnach nur erkennen, wenn die Wellenlänge kleiner ist als die Größe dieser Struktur. Will
man noch kleinere Strukturen sichtbar machen, so hilft nur das Verkleinern der Wellenlänge
des verwendeten Lichts.
Einfache Aufbauten von Mikroskopen sind das standardisierte Lichtmikroskop oder das
Digitalmikroskop.
Lichtmikroskope bilden die Bilder in Echtfarben ab, der Tiefeneindruck entsteht mit
Stereomikroskopen (2 getrennte Okulare). Hiermit werden noch Punkte mit einem Abstand
von ca. 0,5 µm getrennt wahrgenommen. Die Auflösung bei Tiefenmessungen liegt bei
< 10 µm.
Bei der Digitalmikroskopie wird das Okular durch eine CCD-Kamera ersetzt. Die Vorteile der
Digitalmikroskopie gegenüber der Lichtmikroskopie sind eine hohe Tiefenschärfe durch eine
hohe Lichtempfindlichkeit, eine „unendliche“ Tiefenschärfe durch Verstellung des Fokus, die
digitale Bildzusammensetzung, die direkte Bildschirmmessung und die 3D-Bilderzeugung.
Nachfolgend werden verschiedene Arten von Mikroskoptechniken erklärt, die neben den
herkömmlichen Prinzipien der Vergrößerung, wie bspw. bei der Licht- oder Digitalmikroskopie,
auch andere Formen benutzen.

Röntgenmikroskopie
Der Unterschied des Röntgenmikroskops zu anderen Mikroskopen liegt darin, dass man statt
sichtbarem Licht Röntgenstrahlung nutzt, welche zunächst den Vorteil der kürzeren
Wellenlänge bietet, was potentiell höhere Auflösungen ermöglicht. Der Aufbau ähnelt hierbei
stark der Lichtmikroskopie. Man unterscheidet hierbei zwischen abbildenden und rasternden
Systemen.
Bei abbildenden Systemen wird eine Probe mit der Röntgenstrahlung durchleuchtet. Der
transmittierte Anteil der Strahlung wird auf einen optischen Sensor, wie bspw. einen CCD-
Sensor (Charge Coupled Device), abgebildet.

10. Mikrotechnische Anwendungen 101

Abb. 91: Schematischer Aufbau eines Röntgenmikroskops.
Bei rasternden Systemen wird die Probe durch den Fokus bewegt und an jeder
Probenposition das gesamte von der Probe kommende Licht gemessen und als Helligkeitswert
für das Bild genommen. Neben dem reflektierten Licht können auch andere von der Probe
stammende Teilchen oder Strahlung zur Bildgebung genutzt werden.
Moderne hochauflösende Röntgenmikroskope erreichen Auflösungen von 20-30 nm, dabei
werden in diesem Spektralbereich ausschließlich Fresnel-Zonenplatten verwendet.
Die Anwendungen der Röntgenmikroskopie sind sehr vielseitig, wie bspw.
Materialuntersuchung, Beobachtung von Vorgängen in der Biologie in kleinsten Skalen oder
Fehleranalyse von elektronischen Bauteilen.
Die Vorteile der Röntgenmikroskopie sind zusammengefasst:
• Möglichkeit zur Untersuchung dicker Teile.
• Möglichkeit zur Untersuchung von Zellen in wässriger Lösung.
• Keine leitenden Proben nötig.
• Wechselwirkung mit Materie (Durchdringung).
Die Nachteile der Röntgenmikroskopie sind zusammengefasst:
• Aufwendige Fokussierung, da durch die geringen Brechzahlen für Röntgenstrahlung
in fast allen Materialien nur geringe Brechungen zu erreichen sind.
• Absorption im Material.

Raster-Elektronen-Mikroskopie
Das Raster-Elektronenmikroskop beruht auf der rasternden Abtastung der Probe mit einem
Elektronenstrahl. Durch das Erhitzen eines Wolframdrahtes (Kathode) wird ein
Primärelektronenstrahl erzeugt, der durch einen Steuerzylinder fokussiert und durch eine
Anode beschleunigt wird. Anschließend passiert der Primärelektronenstrahl
elektromagnetische Spulen, um gebündelt und fokussiert auf das Objekt zu treffen. Mit Hilfe
eines XY-Ablenksystems wird ein Zeilenraster erzeugt; die Objektoberfläche wird durch den
Primärelektronenstrahl Punkt für Punkt und Zeile für Zeile abgetastet, wodurch so genannte
Sekundärelektronen freigesetzt werden. Die Intensität der Sekundärstrahlung ist vom
102 10. Mikrotechnische Anwendungen
Neigungswinkel der Objektoberfläche abhängig. Über einen seitlich schräg angebrachten
Detektor werden die Elektronen aufgefangen. Dadurch entsteht unter anderem die Plastizität
der Objekte, denn durch die schräge Anordnung erscheinen dem Detektor zugewandte Details
heller als abgewandte. Am Detektor entstehen in einem Szintillator Lichtblitze (Szintillator =
Körper, der beim Durchgang von energiereichen Photonen oder geladenen Teilchen angeregt
wird und die Anregungsenergie in Form von Licht abgibt), die von einem Photomultiplier
elektrisch rückverwandelt und verstärkt werden. Dieses elektrische Signal wird auf den
Bildschirm eines Monitors übertragen.

Abb. 92: Aufbau eines Raster-Elektronen-Mikroskops (REM). (Quelle: Uni Ulm)

Die Vergrößerung entsteht, indem eine kleine Fläche der Probe zeilenweise abgerastert wird
(bspw. 1.000 Zeilen). Die Information dieser Fläche wird auf den Bildschirm übertragen. Aus
dem Verhältnis der Seitenflächen von Bildschirm und Probe entsteht der Vergrößerungsfaktor:
𝑆𝑒𝑖𝑡𝑒𝑛𝑓𝑙ä𝑐ℎ𝑒 𝐵𝑖𝑙𝑑𝑠𝑐ℎ𝑖𝑟𝑚
𝑉𝑒𝑟𝑔𝑟öß𝑒𝑟𝑢𝑛𝑔 =
𝑆𝑒𝑖𝑡𝑒𝑛𝑓𝑙ä𝑐ℎ𝑒 𝑃𝑟𝑜𝑏𝑒
Ein typischer Faktor ist ~ 700, bei einer Bildschirmseitenfläche von 280 mm und
Probenseitenfläche von 400 µm.

Rastersondenmikroskopie
Rastersondenmikroskopie ist der Oberbegriff für alle Arten der Mikroskopie, bei denen das
Bild nicht mit einer optischen Abbildung erzeugt wird. Vielmehr steht hierbei die
Wechselwirkung einer so genannten Sonde mit der Probenoberfläche im Vordergrund.
Die Probenoberfläche wird mit der Sonde und einer darauf angebrachten Nadel Punkt für
Punkt (rasternd) abgetastet. Die sich für jeden einzelnen Punkt ergebenden Messwerte
werden dann zu einem digitalen Bild zusammengesetzt. Dabei ist die Nadel auf der Sonde
biegeweich auf einen Cantilever für hohe Empfindlichkeiten gelagert.

10. Mikrotechnische Anwendungen 103

Abb. 93: Aufbau eines Rastersondenmikroskops.
Die Funktionsweise ähnelt dabei der eines Schallplattenspielers. Allerdings wird beim
Plattenspieler die Nadel rein mechanisch durch die Rillen in der Platte ausgelenkt. Bei der
Rastersondenmikroskopie ist die Wechselwirkung zwischen der Sonde und der Probe anders.
Je nach Art der Wechselwirkung unterscheidet man folgende Typen:
• Rastertunnelmikroskop
• Rasterkraftmikroskop
• Magnetkraftmikroskop
• Optisches Rasternahfeldmikroskop
• Akustisches Rasternahfeldmikroskop
Da die Wechselwirkungen zwischen Probe und Sonde exponentiell zu ihrem Abstand
abnehmen, steuert nur das vorderste (oberste) Atom der Sonde einen wesentlichen Beitrag
zur Bilderzeugung bei. Durch dieses Verfahren können Auflösungen bis zu 10 pm erreicht
werden.
Wie bereits erklärt, sind Lichtmikroskope durch die Wellenlänge des Lichts beschränkt. Beim
Rasterelektronenmikroskop verwendet man deshalb statt Licht Elektronenstrahlung.
Rastersondenmikroskope sind hiervon völlig unabhängig. Das Messergebnis hängt stark von
der Spitzengeometrie ab.

Konfokalmikroskopie
Das Prinzip des Konfokalmikroskops ist in obiger Folie dargestellt. Konfokalmikroskope
erzeugen optische Schnitte mit mikroskopischer Auflösung in räumlich ausgedehnten
Objekten, die (= Schnittbilder) mit einem Computer schichtweise zu einer räumlichen
Darstellung zusammengesetzt werden können.
Im Gegensatz zu Lichtmikroskopen wird in Konfokalmikroskopen das Licht von ober- oder
unterhalb der Objektebene mit einer Lochblende unterdrückt.

104 10. Mikrotechnische Anwendungen

Abb. 94: Aufbau eines Konfokalmikroskops. (Quelle: Uni Wien)
Die meisten Konfokalmikroskope sind Laser-Scanning-Mikroskope. Hierbei wird ein Laser-
Brennfleck sehr schnell zeilenweise in einer Objektebene bewegt. Licht aus dem Brennfleck
wird auf eine kleine Lochblende abgebildet, hinter der sich ein lichtempfindlicher Empfänger
befindet. Aus dem Empfängersignal wird dann das Schnittbild im Computer zusammengebaut.
Das aus dem Brennfleck zurückkommende Licht kann vom Objekt reflektiertes oder dort
erzeugtes Fluoreszenzlicht sein.
Als Punktlichtquelle dient ein starker Laser (1). Die korrekte Wellenlänge für die Beleuchtung
eines Fluoreszenzfarbstoffs kann durch einen Eingangssperrfilter ausgewählt werden. Dieser
dünne Strahl beleuchtet über einen dichromatischen Teilerspiegel (2) durch das Objektiv (3)
das fluoreszenzmarkierte Präparat (4). Das fluoreszenzmarkierte Präparat emittiert nun
langwelligeres Licht, das durch das Objektiv, den für diese Wellenlänge durchlässigen
dichromatischen Teilerspiegel und den Ausgangssperrfilter (zur Selektion des emittierten
Wellenlängenbereichs), auf eine konfokale Lochblende (5) fällt. Diese ist so angeordnet, dass
sie nur das Licht passieren lässt, das die Information aus der Fokusebene trägt. Alles andere
Licht mit unscharfer Information aus Ebenen unterhalb und oberhalb des Fokus wird durch die
Blende abgeschnitten. Das passierende Licht wird in einem Detektor (6) nach seinem
Intensitätswert digitalisiert und in einem Computer gespeichert. Eine Raster-Ablenkeinheit
(nicht gezeichnet) bewegt nun den Laserstrahl auf einen nächsten Punkt des Präparats und
wiederholt dieselbe Messung. Viele Punkte in x-Richtung ergeben eine Zeile, viele Zeilen in y-
Richtung ergeben ein konfokales Bild einer optischen Schnittebene des Präparats. Nun wird
das Präparat in z-Richtung um einen bestimmten Betrag bewegt und ein nächstes konfokales
Bild aufgenommen. Für viele konfokale Bilder ergibt das einen Stapel von optischen Schnitten.

Fluoreszenzmikroskopie
Fluoreszenz bedeutet, dass ein Photon beim Übergang eines Elektrons von einem höheren
in einen tieferen Energiezustand eines Moleküls nach Absorption von Licht kurzer Wellenlänge
emittiert wird. Diese Eigenschaft nutzt man aus, indem man bestimmte Stoffe mit
Fluoreszenzfarbstoffen (Fluorochrome) markiert und so in einem Fluoreszenzmikroskop
sichtbar machen kann.

10. Mikrotechnische Anwendungen 105

Abb. 95: Prinzip der Fluoreszensmikroskopie.
Zwei der am häufigsten verwendeten Fluoreszenzfarbstoffe sind Fluorescein und Rhodamin.
Fluorescein emittiert grünes Licht, wenn es von blauem Licht angeregt wird. Rhodamin
emittiert rotes Licht, wenn es mit grüngelbem Licht angeregt wird.
Die heute gebräuchlichsten Standard-Fluoreszenzmikroskope arbeiten nach dem
Auflichtprinzip, wie in obiger Abbildung gezeigt. Das bedeutet, dass das Präparat von oben
durch das Objektiv beleuchtet wird.
Als Lichtquelle, welche die Anregungswellenlänge des gewählten Fluorochroms enthält,
werden meist Quecksilberlampen oder entsprechend leistungsfähige Xenon-Leuchten
verwendet. Diese liefern ein breites Spektrum von nutzbaren Wellenlängen zwischen 360 nm
und 700 nm (sichtbarer Wellenlängenbereich). Aus dem gesamten Beleuchtungsspektrum
wird zuerst mittels eines Eingangsbandfilters die anregende Wellenlänge des gewählten
Fluorochroms herausgefiltert.
Die Anregungsstrahlung gelangt auf einen dichromatischen Spiegel. Dieser reflektiert das
Erregerlicht von kleiner Wellenlänge und ist gleichzeitig durchlässig für das längerwellige Licht
der Emissionsstrahlung.
Die Anregungsstrahlung gelangt durch das Objektiv auf das Präparat und regt das
Fluorochrom an, welches daraufhin längerwelliges Licht emittiert. Dieses trifft auf den
Ausgangssperrfilter. Dieser filtert die gewünschte Emissionswellenlänge des Fluorochroms,
das eigentliche Fluoreszenzbild. Das Fluoreszenzbild kann entweder durch das Okular
betrachtet oder mit einer Foto- oder Videokamera aufgezeichnet werden.

Stimulated-Emission-Depletion-Mikroskopie
Die STED-Mikroskopie (Stimulated Emission Depletion) basiert sowohl auf den
Grundprinzipien der Lasertechnik als auch auf denen der Fluoreszenzmikroskopie. Der
Schlüssel zur Steigerung der optischen Auflösung ist hierbei die Verkleinerung des
(fluoreszierenden) Brennflecks. Bei der Fluoreszenzmikroskopie werden Farbstoffmoleküle in
einer Untersuchungsprobe zur Emission von Licht durch einen Lichtstrahl bzw. Laserstrahl
angeregt. Das Nachleuchten der Farbstoffe wird dabei zur Verbesserung der Auflösung
genutzt.

106 10. Mikrotechnische Anwendungen

Abb. 96: Aufbau eines Stimulated Emission Depletion Mikroskops. (Quelle: MPG)
Bei der STED-Mikroskopie wird der Fluoreszenz emittierende Bereich kleiner gemacht als der
Bereich, der mit dem Laserstrahl beleuchtet wird. Dies wird durch gezieltes Ausschalten der
Farbstoffmoleküle im Außenbereich des Fokus vom ersten Strahl erreicht, indem ein zweiter
Laserstrahl die Probe unmittelbar nach der Anregung durch den ersten Laserstrahl trifft.
Der „Ausschaltestrahl“ besitzt somit ein ringförmiges Profil im Fokus. In der Mitte des
Strahldurchmessers besitzt der „Anregungsstrahl“ seine maximale Helligkeit. Der
„Ausschaltestrahl“ ist dagegen in diesem Bereich vollkommen dunkel. Der „Ausschaltestrahl“
beeinflusst die Fluoreszenzfarbstoffe in der Mitte nicht. Jedoch schaltet er aber die
Fluoreszenzfarbstoffe im Außenbereich des Anregungsfokus durch stimulierte Emission aus;
die Farbstoffmoleküle im Außenbereich bleiben somit dunkel, obwohl sie vom ersten
Laserstrahl beleuchtet worden sind.
Das Ergebnis ist, dass nur die Farbstoffmoleküle im Zentrum leuchten. Wenn der
„Ausschaltestrahl“ eine hohe Intensität aufweist (sehr hell), ist dieser Bereich sehr viel kleiner
als der Bereich, der mit dem „Anregungsstrahl“ beleuchtet worden ist. Beim Scannen des
Präparates erfasst man somit jeweils einen leuchtenden Fleck, der viel kleiner ist. Aus diesem
Grund kann man feinere Details auflösen.

10. Mikrotechnische Anwendungen 107

Magnetspeichertechnik
Die Magnetspeichertechnik hatte ihren Ursprung auf Tonbändern und Videokassetten und ist
heutzutage allgegenwärtig in Form von Festplatten.

Anisotrop Magnetoresistiver Effekt (AMR)

Als magnetoresistive Effekte werden alle Effekte, die die Änderung des elektrischen
Widerstandes eines Materials durch Anlegen eines äußeren Magnetfeldes bewirken,
beschrieben. Dazu gehören bspw. der AMR-Effekt (anisotrop magnetoresistiv), der GMR-
Effekt (gigantisch magnetoresistiv) und der Hall-Effekt.

Abb. 97: Prinzip des AMR-Effekts.

Beim AMR-Effekt ändert sich der Widerstandswert von magnetisch hochpermeablen
Metalllegierungen durch die Richtung eines äußeren Magnetfeldes. Diese Legierungen wie
bspw. Permaloy haben eine Materialstruktur, bei denen der elektrische Widerstand
richtungsgebunden (anisotrop) ist. Wird die Legierung von einem Magnetfeld durchsetzt,
ändert sich dessen Widerstandswert abhängig vom Winkel zwischen der internen
Magnetisierung M und des Stromes I, welcher durch das Material geleitet wird. Das von außen
wirkende Magnetfeld dreht die interne Magnetisierung der Domänen des Materials so, dass
diese sich mit steigender Magnetfeldstärke immer mehr an dem äußeren Feld orientieren. Ist
die Feldstärke des äußeren Felds stark genug, so ist die Orientierung der internen
Magnetisierung und des äußeren Feldes gleich.
Magnetoresistive Sensoren unter Nutzung des AMR-Effekts finden in vielen
Industriebereichen Einsatz. So kann bspw. im Kfz der Pedalweg, das Drehmoment oder der
Verschleiß von Keilbremsen gemessen werden. Mit modernen Sensoren, die in Form einer
Wheatstonschen-Brücke geschaltet werden, lassen sich Magnetfelder der Größenordnung
von 0,01 A/m detektieren.
Der AMR-Effekt wird vor allem bei Leseköpfen in Computerfestplatten angewendet, deren
genaue Funktionsweise nachfolgend erklärt wird.

108 10. Mikrotechnische Anwendungen

Schreiben und Lesen
Der Schreibvorgang einer Festplatte erfolgt dadurch, dass der Schreibkopf (= Elektro-
magnet) ein Magnetfeld an einer definierten Position auf der Magnetscheibe erzeugt. Dessen
Feldlinien gehen senkrecht durch den Luftspalt in die Scheibe hindurch, ändern die interne
Magnetisierung der Domänen und kehren wieder durch den Luftspalt zurück zum
Elektromagneten. Je nach Richtung der Feldlinien (abhängig von der Stromflussrichtung des
Elektromagneten), entspricht der interpretierte binäre Wert einer 0 oder einer 1.
Zum Lesen der auf der Festplatte gespeicherten Information dreht sich die Platte mit ihren
verschieden magnetisierten Bereichen unter dem Luftspalt des Eisenkerns vorbei. Die
Magnetfeldänderung bewirkt in der auf dem Metallkern sitzenden Spule eine
Induktionsspannung, deren zeitliche Änderung durch die Elektronik des Rechners
weiterverarbeitet wird.

Abb. 98: Prinzip des Schreibens und Lesens mithilfe von Magnetspeichern. (Quelle: Siemens)
Es gibt zwei verschiedene Arten von Schreib-/Leseköpfen:
• gesinterte Ferritköpfe
• Köpfe in Halbleitertechnik
Gesinterte Ferritköpfe gehören zu den Magnetköpfen. Sie bekommen ihre Schreib- und
Lesefähigkeit durch einen Elektromagneten. Diese Köpfe sind groß und können nicht sehr
dicht über der Plattenoberfläche schweben. Bei heutigen Platten könnten sie nicht mehr
zwischen Daten und Rauschen unterscheiden.
Heutzutage werden Köpfe in konventioneller Halbleitertechnik gefertigt, auch als
Dünnschichtköpfe bezeichnet. Hier sind Schreib- als auch Leseeinheit nebeneinander
gelagert. Der Schreibkopf funktioniert aber immer noch nach der Induktionstechnik. Der
Lesekopf benutzt den gigantisch magnetoresistiven Effekt. Sie werden wie Halbleiterchips
hergestellt und stellen eine komplizierte Schaltung dar. Der Lesekopf ist meistens aus einer
Nickel-Eisen-Legierung gefertigt.

10. Mikrotechnische Anwendungen 109

Aufbau einer Festplatte
Eine Festplatte besteht in der Regel aus mehreren übereinanderliegenden Scheiben aus
Metall und Kunststoff. Sie sind beidseitig mit einer Schicht aus Eisenoxid überzogen, die aus
feinen, magnetisch ausrichtbaren Teilchen besteht. Ihre Ausrichtung kann dabei die Zustände
0 und 1 repräsentieren.
Oberhalb dieser Platten gibt es einen beweglichen Arm, ähnlich wie bei einem Plattenspieler,
der den Schreib-/Lesekopf trägt. Der Kopf gleitet auf einem Luftpolster in einem schmalen
Abstand über die Platten.
Der Schreib-/Lesekopf ist ein Elektromagnet, der aufgrund des Luftpolsters, welches durch die
Reibung der Luft an den rotierenden Scheiben entsteht, über die Scheiben mit einer
Schwebehöhe von ~ 10 nm schwebt. Aus diesem geringen Abstand ist ersichtlich, dass
Festplatten in Reinräumen hergestellt werden müssen, denn schon kleinste Partikel würden
diese Luft verunreinigen und eine korrekte Funktion gefährden.

Abb. 99: Aufbau einer Festplatte.

Wird die Festplatte ausgeschaltet und die Umdrehungsgeschwindigkeit der Festplatte
verringert sich, wird der Schreib-/Lesekopf in eine Parkzone gefahren. Diese kann sich
außerhalb der Scheiben oder im Innenbereich der Platten befinden; gemeinsam ist, dass keine
Daten hier enthalten sind. Die Oberfläche der Parkzone ist besonders vorbehandelt, um ein
Festkleben des Kopfes zu vermeiden. Der Arm, auf dem der Kopf montiert ist, wird durch einen
Servomotor bewegt, der ein stufenloses Anfahren der gewünschten Position erlaubt.
Wie bereits erwähnt, dürfen keine Verunreinigungen in die Festplatte gelangen. Ihr Packaging
bzw. Gehäuse ist dabei sehr massiv aus einem Gussteil mit einer Aluminiumlegierung und
einem Edelstahldeckel aufgebaut. Es ist staub-, aber nicht luftdicht abgeschlossen. Durch eine
kleine Öffnung mit einem vorgeschalteten Filter kann bei Temperatur- oder Druckänderungen
Luft ein- bzw. austreten.

110 10. Mikrotechnische Anwendungen

Gigantisch Magnetoresistiven Effekt (GMR)
Ein Lesekopf, der nach dem gigantisch magnetoresistiven Effekt (GMR) arbeitet, ist aus
drei Schichten aufgebaut:
Zwei ferromagnetische Schichten (FM), die durch eine nichtmagnetische Schicht (NM)
getrennt sind.

Abb. 100: Aufbau eines GMR-Lesekopfes.

Eine der beiden Schichten besitzt die Eigenschaft, dass sich ihre Magnetisierungsrichtung
sehr leicht umdrehen lässt, während die andere Schicht ihre Richtung konstant beibehält. Die
Schicht mit der variablen Magnetisierungsrichtung wird während des Lesevorgangs von den
auf der Platte gespeicherten Daten beeinflusst. Wird eine 1 ausgelesen, kommt es zu einem
Impuls in die eine Richtung; wird eine 0 ausgelesen, in die andere Richtung.
Durch den ganzen Lesekopf fließt Strom, dessen Stärke sich messen lässt. Wechselt die
variable Schicht ihre Magnetisierungsrichtung, dann verändert sich der Widerstand des
Lesekopfes. Haben die beiden magnetischen Schichten eine unterschiedliche
Magnetisierungsrichtung, ist der Widerstand höher und die Stromstärke sinkt, als wenn beide
dieselbe Richtung aufweisen.
Dieses Phänomen – das Wechseln des Stromwiderstandes in Abhängigkeit von der
Magnetisierungsrichtung – wird als der GMR-Effekt bezeichnet.
Die vom wechselnden Widerstand beeinflussten Stromstärken lassen sich messen, sie geben
so die Einsen (bspw. starker Strom) und Nullen (bspw. schwacher Strom) der Daten wieder.
Die Kräfte, die beim GMR-Effekt wirken, sind dabei so gering, dass auch sehr schwache
Magnetfelder den Wechsel der Magnetisierungsrichtungen herbeiführen können. Hiermit kann
die Größe der Speichereinheiten und das dazugehörige Magnetfeld auf einer Festplatte stark
verkleinert werden, sodass immer größere Datenvolumen auf der zur Verfügung stehenden
Fläche untergebracht werden können.

10. Mikrotechnische Anwendungen 111

Nanotechnologie
Unter Nanotechnologie werden die Technologien verstanden, die in ihrer Struktur und den
dazugehörigen Prozessen im Größenbereich der Nanometerskala liegen. Dies kann für alle
drei Dimensionen (Partikel), zwei (Fasern) oder einer Dimension (Schichten) gelten. Durch die
fortschreitende Miniaturisierung ist auch der Maschinenbau, über die Geräte- und Mikrotechnik
bei der Nanotechnologie angekommen. Die Elektrotechnik und auch die Biologie haben
gleiche Wege beschritten und treffen über die Mikroelektronik und Molekularbiologie ebenfalls
in der Nanotechnologie zusammen. Aus der anderen Richtung stößt die Chemie, die sich mit
der komplex- und supramolekularen Chemie bei Nanostrukturen beschäftigt, dazu.

Entwicklung der Nanotechnologie

Die Nanotechnologie startet ihre Entwicklung mit einem Startschuss im Jahr 1959. Im
besagten Jahr hielt der Physiker Richard Feynman einen Vortrag mit dem Titel „There‘s Plenty
of Room at the Bottom“, welcher die Fachwelt aufhorchen ließ. Neben Richard Feynman legten
zu Beginn des 20. Jahrhunderts sowohl Max Planck (Quantentheorie) als auch Niels Bohr
(Bohrsche Atommodell) die Grundlagen zur Entwicklung der Nanotechnologie. Die
Nanotechnologie an sich, zeichnet besonders das Zusammenspiel verschiedener
Wissenschaftsbereiche aus.

Abb. 101: Einordung der Nanotechnologie. (Quelle: VDI)

Innerhalb der Nanotechnik stellen die beiden Prinzipien Top-Down und Bottom-Up die
Basistechnologien für die Erzeugung von Nanostrukturen bereit.
Mit Top-Down werden die Herstellungsverfahren bezeichnet, deren Ursprung und Methodik
den Ansätzen aus der Mikrotechnik, wie bspw. Fotolithographie, entsprechen; während

112 10. Mikrotechnische Anwendungen

Bottom-Up die physikalisch-chemischen Prinzipien der molekularen/atomaren
Selbstassemblierung und Selbstorganisation von Molekülen ausnutzen.
Die wichtigsten Produkte aus der Nanotechnologie sind Zusatzstoffe (Additive) für Lacke
oder Kunststoffe, Nanoteilchen auf Textilien oder Kfz-Polituren (Lotusblüteneffekt),
Quantenpunkte, Nanostrukturen in modernen Prozessoren (Intels Atom Prozessoren) und
tumorbekämpfende Nanopartikel in der Medizin.

Einsatzbereiche

Abb. 102: Einsatzbereiche der Nanotechnologie. (Quelle: Fraunhofer Institut)

In obiger Abbildung sind die Einsatzbereiche der Nanotechnologie aufgezeigt.
Nanotechnologie kann prinzipiell je nach ihrer Richtung, in viele Teilgebiete gruppiert werden:
Die Nanoelektronik untersucht die verschiedenen Konzepte für die Nutzung der
elektronischen Eigenschaften von Nanostrukturen für die vielfältigen Anwendungen einer
zukünftigen Informationstechnologie.
Die Nanooptik schafft die Voraussetzungen für die optische
Hochgeschwindigkeitskommunikationstechnik, neuartige Laserlichtquellen und optische
Systeme für vielfältige Anwendungen.
Die Nanofabrikation erforscht und entwickelt Methoden zur Herstellung von Strukturen,
Schichten, Oberflächen auf der Nanoskala, da entsprechende Verfahren für die Herstellung
zukünftiger nanobasierter Produkte eine zwingende Voraussetzung sind.
Die Nanochemie befasst sich mit der Erzeugung und Veränderung von chemischen
Systemen, die ihre Funktionalität aus der Nanoskaligkeit beziehen.

10. Mikrotechnische Anwendungen 113

Das Gebiet der Nanomaterialien befasst sich mit der Erforschung und Entwicklung neuartiger
Materialsysteme, deren wesentliche Eigenschaften auf der Nanoskaligkeit ihrer Bestandteile
beruhen.
Die Nanobiotechnologie verfolgt einerseits die Nutzung biologischer Nanoobjekte in
technischen Systemen, von der Sensorik bis zur Photovoltaik oder wendet andererseits
nanotechnologische Verfahren zur Untersuchung und Beeinflussung biologischer Systeme an
(Medizintechnik, molekulare Diagnostik).
Die Nanoanalytik liefert schließlich als Querschnittswissenschaft die analytischen Methoden
und Werkzeuge zur Erfassung der Basisphänomene bzw. zur Produktcharakterisierung und
sorgt für eine analytische Qualitätssicherung durch Beiträge zu nationalen und internationalen
Normungen.

Vorteile der Nanotechnologie

Die Nanotechnik hat bislang nicht viele Aufsehen erregende Ergebnisse hervorgebracht. Auf
dem Markt sind v. a. Nanopartikel, die als Beimischung oder als aufgedampfte Oberflächen
zum Einsatz kommen. Sie verringern bspw. die Haftung von Skiern, erhöhen die Kratzfestigkeit
von Brillengläsern oder sorgen für den Lotusblüteneffekt an Oberflächen. Die Nanotechnologie
besitzt gegenüber herkömmlichen Produkten und Verfahren der Makrowelt viele Vorteile, auch
wenn sie im Ergebnis noch am Anfang ihrer kommerziellen Vermarktung steht:
• Nanotechnik besitzt besondere Eigenschaften: Nanopartikel besitzen gegenüber
makroskopischen Partikeln des gleichen Materials andere mechanische, elektronische
und magnetische Eigenschaften.
• Nanotechnik wird umweltfreundlich hergestellt: Nanopartikel können
umweltschonend hergestellt werden, da eine Belastung durch großindustrielle
Produktionsanlagen entfällt.
• Nanotechnik hilft der Umwelt: Nanopartikel werden zur Umweltentgiftung eingesetzt.
Sie binden, neutralisieren und verpacken Gifte oder Ölteppiche, damit sie
eingesammelt oder bereits von selbst zerstört werden. Nanopartikel sind harmlose
Materialien, die günstig und in großen Mengen wirkungsvoll für den Umweltschutz und
zur Umweltentgiftung eingesetzt werden können.
• Nanotechnik ruft neue Technologien hervor: Neuartige Kompositen können über
nanochemische Verfahren (Cluster/reaktive Nanopartikel) aufgebaut werden. Dadurch
gibt es neuartige Möglichkeiten um Struktureinheiten auf molekularer Ebene
miteinander zu verknüpfen. Damit können innovative Eigenschaftskombinationen
erzeugt werden.

Analyse Raster-Tunnel-Mikroskop
Wie bereits gezeigt, gibt es eine Vielzahl an Mikroskoptechniken. Allerdings ist keines dieser
genannten Verfahren so genau, zerstörungssicher und klein, wie das
Rastertunnelmikroskop (RTM). Hinzu kommt, dass es unabhängig vom Aufstellort, wie in
Luft, im Vakuum oder sogar in Flüssigkeiten arbeitet.

114 10. Mikrotechnische Anwendungen

Abb. 103: Funktionsweise des Rastertunnelmikroskops.
Die Funktionsweise des RTMs basiert auf der Abtastung der Probenoberfläche mit einer
kleinen Spitze, die aus elektrisch leitendem Material wie bspw. Titan, Wolfram, Platin oder
Gold gefertigt ist. Am Ende dieser Nadel sitzt oft nur ein einziges Atom, wodurch Aufnahmen
mit atomarer Auflösung ermöglicht werden. Durch den geringen Abstand von Nadel zu
Probenoberfläche kommt es beim Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen Spitze und
Oberfläche zu einem quantenmechanischen Transport von Elektronen durch das
vorherrschende Dielektrikum. Die Bewegungen der Z-Achse werden dabei von einem
hochpräzisen Piezolinearantrieb realisiert. Der entstehende Strom wird Tunnelstrom
genannt, welcher exponentiell mit zunehmendem Abstand zwischen Spitze und Oberfläche
abnimmt. Um eine Aufnahme zu erstellen, wird die Spitze sehr präzise mit der X- und Y-Achse
über die Probe bewegt. Hierzu gibt es im Prinzip zwei Methoden, die Objektoberfläche
abzutasten.
Die einfachste Möglichkeit ist die Nadel immer im gleichen Abstand zum Objekt zu halten.
Es ändert sich dabei die Amplitude des Tunnelstroms entsprechend der Oberflächen-
beschaffenheit der Probe. Bei hervorstehenden Strukturen steigt der Tunnelstrom an. Bei tiefer
liegenden Strukturen sinkt der Tunnelstrom. Das Ergebnis ist eine Registrierung des
Tunnelstroms als Funktion des Ortes. Diese Meßmethode erlaubt ein sehr schnelles Abrastern
des Objektes, kann allerdings nur bei sehr flachen Oberflächen angewendet werden.
Bei Objekten mit sehr unebenen Oberflächen wird die Spaltbreite zwischen Objekt und
Nadelspitze konstant gehalten. Dazu wird an jeder Stelle der Tunnelstrom gemessen und an
eine Steuereinheit geleitet, die die Nadel in Z-Richtung bewegen kann, bis der Tunnelstrom
einen vordefinierten konstanten Wert einnimmt. Gleicher Tunnelstrom bedeutet aber gleiche
Spaltbreite an allen Oberflächenpunkten; die Nadel folgt also der Oberflächenstruktur, und
man erhält eine Registrierung der Z-Position als Funktion des Ortes.
Über Software werden die gewonnen Informationen in ein 3D-Abbild der Oberfläche
umgesetzt.

10. Mikrotechnische Anwendungen 115

Top-Down Ansätze: Strukturierung
Als konsequente Fortsetzung der optischen Lithographie hin zu kürzeren Wellenlängen und
damit kleineren Strukturen gilt die EUV-Lithographie (extrem ultra violett), die anstatt der
aktuellen 193 nm Technologie 13,5 nm nutzt. Hierbei werden Strukturen von 45 nm (Intels
Atomprozessoren) und kleiner erzeugt. Allerdings ist die EUV-Lithographie noch mit einigen
technischen Problemen noch verbunden. Mit seiner sehr kurzen Wellenlänge von 13,5 nm wird
die EUV-Strahlung schon von Luft und von den meisten Materialien vollständig absorbiert. Im
Ergebnis bedeutet dies, dass der Prozess unter Hochvakuumbedingungen gefahren werden
muss. Der hohe Absorbtionsgrad verhindert, dass refraktive Optiken, wie bspw. Linsen,
verwendet werden können. Stattdessen müssen sehr teure Spiegeloptiken eingesetzt werden.
Die Masken müssen ebenfalls stark reflektierende Oberflächen besitzen und unterscheiden
sich somit von den konventionellen Belichtungsmasken. Des Weiteren stellt die EUV-
Lithographie sehr viel höhere Anforderungen sowohl an die Oberflächenrauheit als auch an
die Formtreue der Masken, der zu belichtenden Materialien und der Fotolacke. Erzeugt wird
das benötigte EUV-Licht von heißem und ionisiertem Plasma. Dabei wird das Gas von
Hochleistungslasern bestrahlt.

Abb. 104: Prinzip der EUV Lithographie.

Als Alternative (kommerziell noch nicht verwendet) zu der technisch sehr aufwendig
realisierbaren EUV-Lithographie gilt die Nanoimprint-Lithographie (NIL), die grundsätzlich
aus zwei Schritten besteht:
Dem Prägen der Struktur und dem Trockenätzen zur Fertigstellung. Ein Stempel mit den
zu übertragenden Nanometerstrukturen wird in einen dünnen Polymerfilm gedrückt, der, um
ihn fließfähig zu machen, über die Glastemperatur hinaus erwärmt wird. Unter dem Druck fließt
das Polymer in die Vertiefungen der Stempelstruktur und passt sich dem Stempelrelief an,
sodass im Polymerfilm ein komplementäres Abbild der Stempelstruktur entsteht. Das Polymer
wird danach auf eine Temperatur unterhalb der Glastemperatur abgekühlt und der Stempel
wird entfernt. Die zurückbleibende dünne Polymerschicht in den zusammengepressten Zonen
wird zum Schluss durch anisotropes Ätzen, wie Reaktives Ionen Ätzen entfernt, um das
Fenster zum Substrat zu öffnen. Als Polymer wird oft das Thermoplast Polymethylmethacrylat
(PMMA) herangezogen.

116 10. Mikrotechnische Anwendungen

Bottom-Up Ansätze: Materialien
Die Materialien, die für die Nanotechnologie entwickelt werden, sind mit unter 100 nm etwa
500-mal kleiner als der Durchmesser eines menschlichen Haars. Dabei entspricht 1 nm etwa
einer Kette von 5-10 Atomen (Schwefel 0,2 nm). Im Bereich der Nanodimensionen werden
Effekte der Quantenmechanik sichtbar. Dafür verlieren auf der Nanoskala Begriffe aus der
Makrowelt wie Schmelzpunkt, Farbe oder Härte ihre Bedeutung. Auf diesen kleinen Ebenen
können die Grundlagen für besondere Werkstoffe gelegt werden. Dies basiert auf der
Tatsache, dass das Verhältnis von Oberfläche zu Volumen hierbei besonders groß ist. Daraus
resultiert eine hohe Reaktionsaktivität, die die Möglichkeit bietet, Werkstoffe individueller auf
den jeweiligen Verwendungszweck auszurichten, wie bspw. durch neuartige Beschichtungen.
Baut man aus einfachen Molekülen einen Würfel mit einer Kantenlänge von 10 Molekülen, so
hat dieser Würfel eine Kantenlänge von ca. 10 nm und besteht aus insgesamt 1.000
Molekülen. 488 davon (49 %) befinden sich an der Oberfläche und können mit ihrer Umgebung
reagieren.
Baut man aus den gleichen Molekülen einen Würfel mit einer Kantenlänge von 1 µm, d.h.
immer noch 50-mal kleiner als der Durchmesser des menschlichen Haares, besteht der Würfel
aus 1 Milliarde Molekülen. Davon befinden sich knapp 6 Millionen (0,6 %) an der Oberfläche,
der Rest der Moleküle (99,4 %) im Inneren des Würfels. Es treten im Gegensatz zu 49 % beim
Nanowürfel nur 0,6 % der Gesamtzahl der Moleküle in direkten Kontakt mit der Umgebung.
In obiger Folie ist eines der bekanntesten Materialien aus der Nanotechnologie gezeigt, die
Kohlenstoffnanoröhre, die in 12-9 näher erläutert wird.

Fullerene
Fullerene sind neben Diamant und Graphit die dritten möglichen Modifikationen von
Kohlenstoff. Alle Fullerene haben Käfigstrukturen und sind aus Kohlenstoffatomen aufgebaut,
die sich zu fünf- und sechsgliedrigen Ringen zusammenschließen; somit sind insgesamt 12
Fünfringe notwendig, um zu geschlossenen Polyedern zu gelangen, wie sie die Fullerene
darstellen. Der wichtigste Vertreter der Fullerene besitzt die Formel C60. Jeder Fünfring ist von
5 Sechsringen umgeben und jeder Sechsring von 3 Fünf- und 3 Sechsringen. Auf einen
Fußball übertragen bedeutet dies, dass keine zwei (schwarzen) Fünfecke miteinander
verbunden sind, jedoch stehen alle (weißen) Sechsecke abwechselnd mit Fünf- und
Sechsecken in Kontakt.
Im Jahr 1985 haben die Chemiker R. Curl, H. Kroto und R. Smalley erstmals das Fulleren C60
hergestellt. Mit Hilfe eines Lasers haben sie Graphit verdampft. Hierbei entstehen allerdings
nur winzige Mengen an C60. Für diese Leistung erhielten die drei Forscher 1996 den
Nobelpreis. 1990 ist ein Verfahren entwickeltet worden, um C60 in größeren Mengen
herzustellen. Graphit wird in einer Heliumatmosphäre im elektrischen Lichtbogen verdampft.
Im dabei entstehenden Ruß sind bis zu 15 % Fullerene enthalten, die mit Toluol als
Lösungsmittel extrahiert werden können. Inzwischen werden Fullerene nach diesem Verfahren
in größeren Mengen gewonnen, wobei die Herstellung sehr kostengünstig ist (100 mg C60
kosten ca. 50 Euro).

10. Mikrotechnische Anwendungen 117

Abb. 105: Vergleich unterschiedlicher Kohlenstoffanordnungen.
Auch wenn es bislang noch keine konkreten Anwendungen für Fullerene gibt, bieten die
spektakulären Eigenschaften von C60 und den anderen Fullerenen Spekulationen für neuartige
Einsatzmöglichkeiten:
• Polymere mit Fullerenen (organische Solarzelle mit η > 40 %)
• Alkali-Fullerene (Supraleitung)
• Elektrooptische Anwendung (Fullerene haben ein hohes Absorbtionsspektrum)
• Polymerisierte Fullerene als Ferromagnet (ohne metallischen Beitrag!)
• Diamantwachstum mit Fullerenen (Synthese von Kohlenstoff)
• Schmiermittel (mechanische Beschaffenheit fast wie Teflon)
• Einsatz in der Medizin (HIV-Bekämpfung)

Nanotubes
Nanotubes sind Röhren, deren Durchmesser kleiner als 100 nm ist. Besonders gut untersucht
sind Kohlenstoffnanoröhren (engl.: „carbon nanotubes“); es gibt aber auch Nanoröhren aus
Bornitrid, Sulfiden und Halogeniden.
Man unterscheidet einwandige Nanotubes (Single-walled = SWNT), die aus einer aufgerollten
Graphitschicht mit Durchmessern bis 3 nm bestehen; und mehrwandige Nanotubes (Multi-
walled = MWNT), die aus konzentrischen Graphitröhren mit Durchmessern bis zu 80 nm
aufgebaut sind. Die Enden der Röhren können geschlossen oder geöffnet sein; das Innere
kann leer oder gefüllt sein. Um von einer Röhre sprechen zu können, muss die Länge den
Durchmesser übersteigen; bei Kohlenstoffnanoröhren wurden bereits Längen von bis zu 20
cm erreicht.

118 10. Mikrotechnische Anwendungen

Abb. 106: Die drei Arten von Nanotubes.
Nanoröhren aus Kohlenstoff besitzen folgende Eigenschaften:
• Hohe elektrische Leitfähigkeit: Bei MWNTs nahezu Leitfähigkeit wie bei Metallen,
bei SWNTs supraleitend je nach Aufrollwinkel der Graphitschicht.
• Hohe Wärmeleitfähigkeit: bei SWNTs bis zu 6000 Wm-1K-1.
• Hohe mechanische Festigkeit mit 250 GPa (Stahl ca. 1 GPa).
• Hohe spezifische Oberfläche.

Die drei Verfahren, mit denen Kohlenstoffnanoröhren hergestellt werden, sind die
Lichtbogensynthese, die Laserverdampfung von Graphit und die Gasphasenabscheidung
(CVD). Bei den beiden erstgenannten Verfahren wird Graphit elektrisch bzw. mit einem Laser
verdampft und die in der Gasphase entstehenden Nanotubes werden abgeschieden. Beim
CVD-Verfahren wird ein kohlenstoffhaltiges Gas über einen Katalysator geleitet, an dem die
Nanotubes gebildet werden.
Wissenschaftliche Visionen bei Verwendung von Nanoröhren fokussieren sich auf einen
Weltraumlift, der über Nano-Seile mit der Erdoberfläche verbunden ist.

Aerogel
Aerogele sind hochporöse Festkörper, bei denen das Volumen aus bis zu 98 % Poren besteht.
Die meisten Aerogele basieren auf Silicaten, wobei auch andere Stoffe wie Metalloxide oder
Polymere als Ausgangsbasis dienen.

10. Mikrotechnische Anwendungen 119

Abb. 107: Demonstration der Eigenschaften von Aerogelen.
Bei Aerogelen sind die einzelnen Partikelketten sehr stark verästelt, wobei viele
Zwischenräume mit offenen Poren entstehen. Die einzelnen Partikelketten stehen eng
miteinander in Kontakt, so dass sich ein stabiles Netz herausbildet. Die Porengrößen liegen
im Nanometerbereich. Die Eigenschaften von Aerogelen sind:
• Große Oberfläche: Dadurch können Aerogele u. a. als Isolier- oder Filtermaterial
eingesetzt werden.
• Hohe spezifische Oberfläche: Die Rohdichte bewegt sich im Bereich von 0,003 bis
0,5 g/cm3, wohingegen die Reindichte bei 1,7 bis 2,1 g/cm3 liegt. Dementsprechend
weisen Silicat-Aerogele eine mit 100 bis 1.600 m2/g sehr hohe spezifische Oberfläche
auf.
• Geringe Wärmeleitfähigkeit: Aerogele sind sehr temperaturstabil und zählen zu den
besten Wärmeisolatoren. Auch zeigt sich eine sehr hohe Zustandsdichte, was mit einer
stark erhöhten spezifischen Wärmekapazität bei tiefen Temperaturen verbunden ist.
• Chemisch inert: Silicat-Aerogele können nicht von flüssigen Metallen benetzt oder
chemisch angegriffen werden. Zudem sind sie unbrennbar und ungiftig.
• Geringe Schallgeschwindigkeit: Dadurch wird bei Aerogelen auch eine geringe
akustische Feldimpedanz erreicht.
• Hoher E-Modul: Der E-Modul bewegt sich in einem Bereich von 0,002 bis 100 MPa.
Aerogele können in der Regel mehr als das 2.000-fache ihres Eigengewichtes an
Auflast tragen, ohne zu kollabieren.
Aerogele werden besonders häufig als transparente Wärmedämmung, als Elektrodenmaterial
in chemisch aggressiven Umgebungen (bspw. Brennstoffzelle) oder als Auffangmatrix für
kleinste Staubpartikel verwendet. Allerdings findet noch keine kommerzielle Vermarktung statt.

120 10. Mikrotechnische Anwendungen

Herstellung von Aerogel: Sol-Gel Prozess
Der Sol-Gel Prozess ist ein Verfahren zur Herstellung nichtmetallischer anorganischer oder
hybridpolymerer Materialien, den sog. Solen. Die Ausgangsmaterialien für diesen Prozess
werden als Prekursoren bezeichnet. Aus ihnen entstehen in der Lösung bei den ersten
Grundreaktionen feinste Teilchen. Durch die spezielle Weiterverarbeitung der Sole lassen sich
Gele erzeugen. Wegen der geringen Größe der zunächst erzeugten Solpartikel im
Nanometerbereich, wird der Sol-Gel Prozess der chemischen Nanotechnologie zugewiesen.
Die einzelnen Prozessschritte sind:
1. Auflösung der Ausgangsmaterialien: Ausgangsmaterialien sind meistens
Metallalkoholate, die im Lösungsmittel, wie Tetramethyloxysilan gelöst werden.
2. Durch die kontrollierte Zugabe von Wasser kommt es zur Hydrolyse. Aus
Metallalkoholaten und Wasser entstehen unter Abspaltung von Alkoholmolekülen
MOH-Gruppen.
3. MOH-Gruppen von teilweise hydrolysierten Prekursormolekülen kondensieren unter
Wasserabspaltung miteinander.
4. Sobald sich zwischen den Wänden des Reaktionsgefäßes ein Netzwerk aus
Solpartikeln gebildet hat, spricht man von der Gelation. Das viskos fließende Sol ist in
einen viskoelastischen Festkörper übergegangen.
5. Die Trocknung des zunächst flüssigen Sol-Films beginnt unmittelbar nach der
Schichtabscheidung bei Raumtemperatur. Dabei findet eine Umwandlung des
flüssigen Sol-Films in einen festen, kunststoffartigen Gel-Film statt. Durch den
Lösungsmittelentzug steigt die Konzentration der Metallalkoholatpolymere stark an, so
dass diese verstärkt über Kondensationsreaktionen vernetzen, was zur Gel-Bildung
führt.
Das Sol-Gel Verfahren wird zur Herstellung und Veredlung sehr unterschiedlicher Produkte
bereits kommerziell eingesetzt, wie bspw. bei der Entspiegelung von Solarzellen durch poröse
SiO2-Schichten oder für Kratzschutzschichten auf Brillengläsern.

10. Mikrotechnische Anwendungen 121

Stichwortverzeichnis

Grundlagen ...................................................... 93
A Signalübertragung ........................................... 94
Typen ............................................................... 95
Aktor GMR-Effekt......................................................... 111
Elektrodynamisch............................................. 64
Elektromagnetisch ........................................... 64
Elektrostatisch ........................................... 64, 65 L
Elektrostriktiv ................................................... 65
Magnetostriktiv ................................................. 65 Laserablation ........................................................ 60
Thermostriktiv .................................................. 65 LIGA-Verfahren .................................................... 51
Ätzen Lithographie
Anisotrop.......................................................... 20 EUV ............................................................... 116
Ätzstoppverfahren ............................................ 21
Isotrop .............................................................. 19 M
Konvexe Ecken ................................................ 22
Magnetoresistiver Effekt ..................................... 108
Messfehler ............................................................ 74
B Messsignale ......................................................... 78
Biegewandler ........................................................ 34 Mikrofunkenerosion .............................................. 59
Bonden Mikroskop
Anodisch .......................................................... 56 Einführung ..................................................... 101
Ball-Wedge-Bonden ......................................... 54 Fluoreszenz ................................................... 105
Drahtbonden .................................................... 53 Konfokal ......................................................... 104
Wedge-Wedge-Bonden ................................... 55 Raster-Elektronen .......................................... 102
Rastersonden ................................................ 103
Rastertunnel .................................................. 114
C Röntgen ......................................................... 101
STED ............................................................. 106
CVD-Prozess ........................................................ 43 Mikrosystemtechnik
Definition ............................................................ 8
D Markt.................................................................. 8
Millerschen Indizes ............................................... 13
Dispersion
Material ............................................................ 97
Moden .............................................................. 96 N
DRIE-Prozess ....................................................... 52 Nanomaterialien
Aerogele ........................................................ 119
E Nanotubes ..................................................... 118
Nanotechnologie
Einkristallzüchtung Einsatzorte ..................................................... 113
Tiegelziehverfahren ......................................... 16 Entwicklung.................................................... 112
Zonenziehverfahren ......................................... 17 Materialien ..................................................... 117
Elektrodynamischer Wandler ................................ 71 Vorteile .......................................................... 114
Elektrostatische Antriebe ...................................... 68
Aufhängungen ................................................. 69
Epitaxie ................................................................. 44 O
Oberflächenmikromechanik .................................. 41
F
Festkörper ............................................................ 12 P
Festplatte Piezoelektrischer Effekt ........................................ 23
Lesen ............................................................. 109 Direkt ............................................................... 23
Schreiben....................................................... 109 Hysterese ........................................................ 31
Flip-Chip-Technik ................................................. 56 Polarisation ...................................................... 24
Formgedächtnislegierungen Reziprok .......................................................... 23
Einwegeffekt .................................................... 39 Wandler ........................................................... 26
Zweiwegeffekt .................................................. 40 Wirkungsgrad................................................... 27
Fotolithographie Piezoliniearantrieb ................................................ 36
Belichtungsarten .............................................. 48 Piezorotationsantrieb ............................................ 38
Schritte............................................................. 46 PVD-Prozess ........................................................ 45

G R
Glasfaser Rapid Prototyping ................................................. 57

122 Stichwortverzeichnis
 S Widerstand....................................................... 83
Silizium
Scherwandler........................................................ 34 Eigenschaften .................................................. 11
Schichtaufbau in der MST .................................... 41 Einkristall ......................................................... 16
Schrittmotoren ...................................................... 71 Gewinnung....................................................... 11
Sensor Kristallstruktur .................................................. 12
Aufbau ............................................................. 74
Beschleunigung ............................................... 90
Chemisch ......................................................... 87
T
Cyto ................................................................. 88 Thermische Oxidation........................................... 42
Drehraten ......................................................... 90
Elektrodynamisch............................................. 81
Fluidisch........................................................... 86 V
Hall................................................................... 82 Volumenmikromechanik ....................................... 41
Induktiv ............................................................ 80
Kapazitiv .......................................................... 79
Lab on the chip ................................................ 87 W
Magnetostriktiv ................................................. 81
Wanderkeilrelais ................................................... 67
Photodiode....................................................... 85
Wanderwellenmotor.............................................. 35
Piezoelektrisch ................................................. 84
Wandler ................................................................ 26
Temperatur ...................................................... 91

Stichwortverzeichnis 123